專利名稱：感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法激光晶體生長裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及激光晶體結(jié)晶工藝學(xué)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法激光晶體生長裝置， 一是在側(cè)保溫系統(tǒng)上，幾
乎都采用在銥坩堝周圍使用Zr02砂，這種結(jié)構(gòu)銥坩堝揮發(fā)嚴重、并且銥坩堝外表 面污染也很嚴重，降低了銥坩堝的使用壽命；二是在銥坩堝的上面采用銥環(huán)， 無形增加了晶體的生長成本；三是裝調(diào)很不方便
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法激光晶體生長裝 置，它很好地解決了目前感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法激光晶體生長裝置中存在的銥 坩堝揮發(fā)嚴重、表面污染嚴重，銥坩堝使用壽命短，成本高，裝調(diào)不方便等弊 病。
本實用新型的技術(shù)方案是 一種感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法激光晶體生長裝置， 包括底部的陶瓷托盤和墊板，陶瓷托盤上設(shè)有陶瓷保溫筒，陶瓷保溫筒外側(cè)設(shè) 有感應(yīng)線圈，陶瓷保溫筒內(nèi)側(cè)設(shè)有Zr02保溫磚，墊板上面設(shè)有銥坩堝，且銥坩 堝位于Zr02保溫磚的內(nèi)側(cè)，銥坩堝內(nèi)裝有熔體，陶瓷保溫筒和Zr02保溫磚上端 設(shè)有帶有觀察口的上保溫筒和陶瓷觀察擋板，且陶瓷觀察擋板位于上保溫筒觀 察口的外側(cè)，銥坩堝上方設(shè)有籽晶桿，籽晶桿下端裝有籽晶，籽晶下端位于熔 體的上方，且籽晶桿、籽晶均位于上保溫筒的內(nèi)側(cè)。
本實用新型在使用時，下降籽晶與銥坩堝內(nèi)的熔體接觸，通過向上提拉、 旋轉(zhuǎn)籽晶，調(diào)整加熱功率，就可不斷生長出晶體。
本實用新型的有益效果是結(jié)構(gòu)簡單、溫場穩(wěn)定、裝調(diào)方便、銥坩堝揮發(fā) 輕、銥坩堝表面不受污染、使用壽命長等優(yōu)點，并且相對投入小、功率低、生 長成本低。
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型進一步說明。
附圖是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖標記l是籽晶桿，2是籽晶，3是晶體，4是熔體，5是上保溫筒，6是 陶瓷觀察擋板、7是銥坩堝，8是感應(yīng)線圈，9是Zr(U呆溫磚，IO是陶瓷保溫筒， ll是墊板，12是陶瓷托盤，13為觀察口。
具體實施方式
如附圖所示， 一種感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法激光晶體生長裝置，包括底部的 A1A陶瓷托盤12和Zr02墊板11， Ah03陶瓷保溫筒10置于A1A陶瓷托盤12上， A1A陶瓷保溫筒10的外側(cè)為感應(yīng)線圈8，八1203陶瓷保溫筒10的內(nèi)側(cè)設(shè)有Zr02 保溫磚9，裝有熔體4的銥坩堝7置于Zr02墊板11的上面，且銥坩堝7位于Zr02 保溫磚9的內(nèi)偵lj， Al203陶瓷保溫筒10和Zr02保溫磚9上端設(shè)有帶有觀察口 13 的Zr02上保溫筒5和Ah03陶瓷觀察擋板6,八1203陶瓷觀察擋板6位于Zr02上保 溫筒5觀察口 13的外側(cè)，銥坩堝7上方有銥籽晶桿1，銥籽晶桿1下端裝有籽 晶2，使用時，通過向上提拉、旋轉(zhuǎn)籽晶2，調(diào)整加熱功率，就可不斷生長出晶 體3，籽晶桿1、籽晶2、晶體3位于Zr02上保溫筒5的內(nèi)側(cè)。陶瓷保溫筒10 是可采用剛玉莫萊石制成。
需要說明的是雖然上述實施例已經(jīng)詳細描述了本實用新型的結(jié)構(gòu)，但本 實用新型并不限于上述實施例，凡是本領(lǐng)域技術(shù)人員從上述實施例中不經(jīng)過創(chuàng) 造性勞動就可以想到的替換結(jié)構(gòu)，均屬于本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1、一種感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法激光晶體生長裝置，其特征在于包括底部的陶瓷托盤(12)和墊板(11)，陶瓷托盤(12)上設(shè)有陶瓷保溫筒(10)，陶瓷保溫筒(10)外側(cè)設(shè)有感應(yīng)線圈(8)，陶瓷保溫筒(10)內(nèi)側(cè)設(shè)有ZrO2保溫磚(9)，墊板(11)上面設(shè)有銥坩堝(7)，且銥坩堝(7)位于ZrO2保溫磚(9)的內(nèi)側(cè)，銥坩堝(7)內(nèi)裝有熔體(4)，陶瓷保溫筒(10)和ZrO2保溫磚(9)上端設(shè)有帶有觀察口(13)的上保溫筒(5)和陶瓷觀察擋板(6)，且陶瓷觀察擋板(6)位于上保溫筒觀察口(13)的外側(cè)，銥坩堝(7)上方設(shè)有籽晶桿(1)，籽晶桿(1)下端裝有籽晶(2)，籽晶(2)下端位于熔體(4)的上方，且籽晶桿(1)、籽晶(2)均位于上保溫筒(5)的內(nèi)側(cè)。
專利摘要本實用新型公開了一種感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法激光晶體生長裝置，屬于激光晶體結(jié)晶工藝學(xué)領(lǐng)域；包括底部的陶瓷托盤和墊板，陶瓷托盤上設(shè)有陶瓷保溫筒，陶瓷保溫筒外側(cè)設(shè)有感應(yīng)線圈，陶瓷保溫筒內(nèi)側(cè)設(shè)有ZrO<sub>2</sub>保溫磚，墊板上面設(shè)有銥坩堝，且銥坩堝位于ZrO<sub>2</sub>保溫磚的內(nèi)側(cè)，銥坩堝內(nèi)裝有熔體，陶瓷保溫筒和ZrO<sub>2</sub>保溫磚上端設(shè)有帶有觀察口的上保溫筒和陶瓷觀察擋板，且陶瓷觀察擋板位于上保溫筒觀察口的外側(cè)，銥坩堝上方設(shè)有籽晶桿，籽晶桿下端裝有籽晶，籽晶下端位于熔體的上方，且籽晶桿、籽晶均位于上保溫筒的內(nèi)側(cè)；本實用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、溫場穩(wěn)定、裝調(diào)方便、銥坩堝揮發(fā)輕、銥坩堝表面不受污染、使用壽命長等優(yōu)點，并且相對投入小、功率低、生長成本低。
文檔編號C30B15/14GK201241194SQ20082006360
公開日2009年5月20日 申請日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月30日
發(fā)明者茂 葉, 周世斌, 王國強, 石全洲, 鄧麗華 申請人:成都東駿激光有限責任公司