專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)尉L(zhǎng)加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種單晶生長(zhǎng)加熱裝置，屬單晶硅制備設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著節(jié)能技術(shù)應(yīng)用的日益廣泛，單晶硅的需求量日益增大，對(duì)單晶硅拉制 爐的要求也日益增高，目前業(yè)內(nèi)使用的單晶生長(zhǎng)加熱裝置的導(dǎo)流筒均為空心錐 形結(jié)構(gòu)，其空心內(nèi)腔為等厚度環(huán)腔，熱屏蔽效果不夠理想，從而影響拉晶質(zhì)量 和合格產(chǎn)品的產(chǎn)量，另外、現(xiàn)有大直徑單晶硅生長(zhǎng)加熱裝置的坩堝多采用三瓣 堝，在高溫環(huán)境、溫度變化的環(huán)境中容易損壞，更換成本較高，同時(shí)、石英堝 的熱變形應(yīng)力不易得到緩解，影響石英堝的使用壽命，同樣提高了生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型需要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種單晶生長(zhǎng)加熱裝置，通過(guò)對(duì)其 導(dǎo)流筒和坩堝的結(jié)構(gòu)改進(jìn)，提高產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是
單晶生長(zhǎng)加熱裝置，結(jié)構(gòu)中包括，坩堝，坩堝上方設(shè)置導(dǎo)流筒，坩堝底部 設(shè)置支撐坩堝的坩堝支架，包圍坩堝設(shè)置筒狀加熱器，加熱器外圍設(shè)置保溫筒， 所述的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為帶隔熱空腔的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其隔熱空腔下厚上薄。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于導(dǎo)流筒內(nèi)孔上部為錐形導(dǎo)流段， 下部為柱形導(dǎo)流段，二者結(jié)合處平滑過(guò)渡。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于坩堝為豎直均勻分隔的四瓣結(jié)構(gòu)。
由于釆用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型取得的技術(shù)進(jìn)步是 本實(shí)用新型的導(dǎo)流筒，由于導(dǎo)流筒底部的隔熱層較厚，可在拉晶過(guò)程中可 有效屏蔽周?chē)鸁崃俊⑻岣呓Y(jié)晶速度和質(zhì)量，合理調(diào)整導(dǎo)流筒底部與液面的距離可使?fàn)t內(nèi)熱場(chǎng)更加適于拉晶要求。采用四瓣堝可使其壽命延長(zhǎng)，降低成本，同 時(shí)使石英堝的變形應(yīng)力得到有效緩解。


圖1是單晶生長(zhǎng)加熱裝置的結(jié)構(gòu)剖視示意圖。
其中1、導(dǎo)流筒，1-1、隔熱空腔，1-2、錐形導(dǎo)流段，1-3、柱形導(dǎo)流段, 2、蚶堝，3、加熱器，4、蚶堝支架，5、保溫筒。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明
如圖1所示，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)包括，坩堝2,蚶堝2為豎直均勻分隔的四瓣 結(jié)構(gòu)，坩堝2底部設(shè)置支撐坩堝2的坩堝支架4，包圍坩堝2設(shè)置筒狀加熱器3, 加熱器3外圍設(shè)置保溫筒5,坩堝2上方設(shè)置導(dǎo)流筒1,導(dǎo)流筒1結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為帶 隔熱空腔1-1的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其隔熱空腔1-1下厚上薄，導(dǎo)流筒1內(nèi)孔上部為錐 形導(dǎo)流段1-2,下部為柱形導(dǎo)流段l-3， 二者結(jié)合處平滑過(guò)渡。
權(quán)利要求1、一種單晶生長(zhǎng)加熱裝置，結(jié)構(gòu)中包括，坩堝，坩堝上方設(shè)置導(dǎo)流筒，坩堝底部設(shè)置支撐坩堝的坩堝支架，包圍坩堝設(shè)置筒狀加熱器，加熱器外圍設(shè)置保溫筒，其特征在于所述的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為帶隔熱空腔的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其隔熱空腔下厚上薄。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長(zhǎng)加熱裝置，其特征在于所述導(dǎo)流筒內(nèi)孔 上部為錐形導(dǎo)流段，下部為柱形導(dǎo)流段，二者結(jié)合處平滑過(guò)渡。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長(zhǎng)加熱裝置，其特征在于所述蚶堝為豎直 均勻分隔的四瓣結(jié)構(gòu)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單晶生長(zhǎng)加熱裝置，屬單晶硅制備設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域；結(jié)構(gòu)中包括，坩堝，坩堝上方設(shè)置導(dǎo)流筒，坩堝底部設(shè)置支撐坩堝的坩堝支架，包圍坩堝設(shè)置筒狀加熱器，加熱器外圍設(shè)置保溫筒，其特征在于所述的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為帶隔熱空腔的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其隔熱空腔下厚上薄，本實(shí)用新型的導(dǎo)流筒，可在拉晶過(guò)程中有效屏蔽周?chē)鸁崃俊⑻岣呓Y(jié)晶速度和質(zhì)量，合理調(diào)整導(dǎo)流筒底部與液面的距離可使?fàn)t內(nèi)熱場(chǎng)更加適于拉晶要求，本新型設(shè)備采用四瓣堝、可使其壽命延長(zhǎng)從而降低了成本，同時(shí)使石英堝的變形應(yīng)力得到有效緩解。
文檔編號(hào)C30B15/14GK201276609SQ20082010568
公開(kāi)日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2008年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月1日
發(fā)明者何景輝, 劉彬國(guó), 張呈沛, 張學(xué)強(qiáng) 申請(qǐng)人:寧晉晶興電子材料有限公司