專利名稱：封裝用基板形成預(yù)焊料的方法
封裝用基板形成預(yù)焊料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，特別是有關(guān)于一種通過(guò)抗黏
著層及干膜光刻膠在封裝用基板上形成預(yù)焊料的方法。背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型 式的封裝構(gòu)造，其中常見具有基板(substrate)的封裝構(gòu)造包含球形柵格陣列封裝構(gòu)造
(ball grid array,BGA)、針腳柵格陣列封裝構(gòu)造(pin grid array,PGA)、接點(diǎn)柵格陣列封 裝構(gòu)造(land grid array,LGA)或基板上芯片封裝構(gòu)造(board on chip，B0C)等。在上述 封裝構(gòu)造中，所述基板的一上表面承載有至少一芯片，并通過(guò)打線(wire bonding)或凸塊
(bumping)制造過(guò)程將芯片的數(shù)個(gè)接墊電性連接至所述基板的上表面的數(shù)個(gè)焊墊。同時(shí)，所 述基板的一下表面亦必需提供大量的焊墊，以焊接數(shù)個(gè)輸出端。再者，對(duì)于利用凸塊結(jié)合芯 片的基板而言，所述基板通常選自 一多層電路板，其在上表面提供表面電路層以形成所需 焊墊，且依產(chǎn)品需求，有時(shí)所述焊墊可能預(yù)先形成預(yù)焊料(pre-solder)，以增加與芯片的凸 塊的結(jié)合可靠度。因此，如何制造具有預(yù)焊料的封裝用基板，亦為封裝產(chǎn)業(yè)的一重要關(guān)鍵技 術(shù)。 請(qǐng)參照?qǐng)D1A、1B、1C及ID所示，其揭示一種現(xiàn)有封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其 包含下列步驟首先，如圖1A所示，提供一基板ll，其上表面裸露有數(shù)個(gè)焊墊111 ;接著，將 一模板12放置在所述基板11上，所述模板12具有數(shù)個(gè)開口 121對(duì)應(yīng)于所述數(shù)個(gè)焊墊111， 以便將一焊料13以印刷方式填入所述數(shù)個(gè)開口 121中。隨后，如圖1B及IC所示，移除所 述模板12，并對(duì)所述焊料13進(jìn)行加熱，使其回流焊(reflow)形成概呈半圓形的數(shù)個(gè)預(yù)焊料 13'。因此，如圖1D所示，所述數(shù)個(gè)預(yù)焊料13'即可用以對(duì)應(yīng)焊接結(jié)合于一芯片14的數(shù)個(gè) 凸塊(b卿)141。 然而，上述現(xiàn)有封裝用基板形成預(yù)焊料的方法的缺點(diǎn)在于如圖1B及1C所示，在 移除所述模板12時(shí)，所述焊料13尚未固化，因此未固化的焊料13可能黏附在所述模板12 的開口 121內(nèi)，而被所述模板12帶走一部分或全部的焊料13。結(jié)果，回流焊后的預(yù)焊料13' 可能因材料不足而導(dǎo)致尺寸過(guò)小，甚至無(wú)法形成所述預(yù)焊料13'。隨著半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的小 型化趨勢(shì)，所述基板11的焊墊111間距及所述預(yù)焊料13'的尺寸愈來(lái)愈小，造成上述缺陷 的機(jī)率也將大為提高，故所述方法不利于提高良品率(yield)，亦不適用于提高預(yù)焊料布局 密度。 再者，申請(qǐng)人先前申請(qǐng)獲準(zhǔn)的中國(guó)臺(tái)灣公告第1253888號(hào)發(fā)明專利揭示一種倒裝 芯片封裝方法及其電路基板的預(yù)焊料的形成方法，其包含下列步驟首先，提供一電路基 板。電路基板是包括一上表面及一下表面。上、下表面上皆有數(shù)個(gè)金屬線路及一焊罩層。每 個(gè)焊罩層覆蓋于部分的對(duì)應(yīng)金屬線路及部分的對(duì)應(yīng)表面，并暴露出部分的對(duì)應(yīng)金屬線路的 數(shù)個(gè)焊點(diǎn)。接著，形成一圖案化的光刻膠層于上表面。圖案化的光刻膠層具有數(shù)個(gè)開口以 暴露出上表面焊點(diǎn)。然后，以印刷方式形成數(shù)個(gè)金屬材料于開口中。之后，回流焊金屬材料
3以形成數(shù)個(gè)預(yù)焊料于上表面焊點(diǎn)。最后，移除圖案化的光刻膠層，移除方式可選擇使用有機(jī) 溶液、無(wú)機(jī)溶液、氧氣或電漿等。上述電路基板的預(yù)焊料的形成方法可避免傳統(tǒng)上移除模板 時(shí)可能同時(shí)帶走焊料的技術(shù)問(wèn)題，以利相對(duì)提高良品率；且不需使用模板，故可減少耗材成 本。 此外，在另一相似的預(yù)焊料的形成方法中，為了簡(jiǎn)化制造過(guò)程或節(jié)省溶液及電漿
等處理成本，所述光刻膠層可選擇使用干膜，并在最后步驟中直接以外力撕除所述圖案化
的干膜。然而，在此種方法中，由于干膜通常是緊密的黏附于所述基板表面的焊罩層上，因
此容易發(fā)生難以順利撕除所述干膜的問(wèn)題，并可能造成所述干膜破裂殘留在基板上，或在
撕離時(shí)帶走基板的焊罩層部分表面。結(jié)果，可能影響所述基板的良品率。 故，有必要提供一種封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其是在基板表面 的焊罩層上預(yù)先形成抗黏著層，接著再貼上干膜光刻膠，因此可在完成預(yù)焊料的回流焊制 造過(guò)程后輕易由抗黏著層上撕除干膜光刻膠，且不會(huì)傷害焊罩層表面或帶走已固化的預(yù)焊 料，因而確實(shí)有利于提高制造過(guò)程穩(wěn)定性及基板良品率。 本發(fā)明的次要目的在于提供一種封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其中即使縮小基 板的預(yù)焊料之間距及尺寸，抗黏著層仍可使干膜光刻膠被輕易撕除，進(jìn)而有利于提高預(yù)焊 料布局密度，并符合半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的小型化需求。 為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明提供一種封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特 征在于其包含步驟提供一基板，所述基板的一表面設(shè)有一焊罩層及數(shù)個(gè)焊墊，所述焊罩 層暴露所述數(shù)個(gè)焊墊；形成一抗黏著層于所述基板的焊罩層上；黏貼一干膜光刻膠于所述 抗黏著層上，并圖案化所述干膜光刻膠，使其形成數(shù)個(gè)填料口 ，所述填料口對(duì)應(yīng)于所述焊 墊；蝕刻暴露在所述填料口中的所述抗黏著層，使其具有數(shù)個(gè)開口暴露所述基板的焊墊； 將一焊料印刷填入所述干膜光刻膠的填料口中，并加熱回流焊所述焊料，以形成數(shù)個(gè)預(yù)焊 料于所述焊墊上；撕除所述干膜光刻膠；以及，蝕刻去除在所述焊罩層上的所述抗黏著層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述基板為單層或多層的印刷電路板。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在提供所述基板的步驟中，各所述數(shù)個(gè)焊墊上另形成有 一助焊層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在形成所述抗黏著層的步驟中，選擇利用濺鍍、電鍍或化 學(xué)鍍方式形成所述抗黏著層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述抗黏著層的材料選自銅、錫、鎳、鉻、鈦或其合金。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述干膜光刻膠選自 一感光膜片。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在蝕刻去除所述抗黏著層的步驟后，另利用一壓板抵壓 所述預(yù)焊料，以降低所述預(yù)焊料的高度，并使所述預(yù)焊料的高度一致。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，利用所述壓板抵壓所述預(yù)焊料的溫度介于IO(TC至 18(TC之間。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述預(yù)焊料之間距介于80微米(ii m)至200微米之間。
4
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述抗黏著層與所述干膜光刻膠的結(jié)合力小于所述焊罩 層與所述干膜光刻膠的結(jié)合力。


圖1A、1B、1C及ID :現(xiàn)有封裝用基板形成預(yù)焊料的方法的流程示意圖。 圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H及21 :本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料
的方法的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實(shí)施例，并配 合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下 請(qǐng)參照?qǐng)D2A至2H所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法主要 包含下列步驟提供一基板20，所述基板20的一表面設(shè)有一焊罩層21及數(shù)個(gè)焊墊22，所述 焊罩層21暴露所述數(shù)個(gè)焊墊22 ;形成一抗黏著層30于所述基板20的焊罩層21上；黏貼 一干膜光刻膠40于所述抗黏著層30上，并圖案化所述干膜光刻膠40，使其形成數(shù)個(gè)填料口 41，所述填料口 41對(duì)應(yīng)于所述焊墊22 ;蝕刻暴露在所述填料口 41中的所述抗黏著層30，使 其具有數(shù)個(gè)開口 31暴露所述基板20的焊墊22 ;將一焊料50印刷填入所述干膜光刻膠40 的填料口 41中，并加熱回流焊所述焊料50，以形成數(shù)個(gè)預(yù)焊料51于所述焊墊22上；撕除 所述干膜光刻膠40 ;以及，蝕刻去除在所述焊罩層21上的所述抗黏著層30。本發(fā)明將于下 文配合圖示逐一詳細(xì)說(shuō)明上述步驟。 請(qǐng)參照?qǐng)D2A所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法第一步驟 是提供一基板20，所述基板20的一表面設(shè)有一焊罩層21及數(shù)個(gè)焊墊22，所述焊罩層21 暴露所述數(shù)個(gè)焊墊22。在本步驟中，所述基板20是指應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中用以承載芯 片的封裝用基板。所述基板20優(yōu)選是選自單層或多層的印刷電路板，但亦可能選自單層或 多層的陶瓷電路板。所述焊罩層(solder mask)21是選自綠漆等絕緣材料，其覆蓋在所述 基板20的一表面電路(未標(biāo)示)上。所述焊罩層21具有數(shù)個(gè)開口 (未標(biāo)示)，且由所述焊 罩層21的開口暴露出的表面電路部分即可定義為所述數(shù)個(gè)焊墊22。在一實(shí)施例中，各所述 數(shù)個(gè)焊墊22的表面上依產(chǎn)品需求可能進(jìn)一步形成有一助焊層23，所述助焊層23可選自電 鍍鎳層、電鍍金層、無(wú)電鍍鎳化金層(electrolessNi/Au)、浸鍍銀(immersion silver)、浸 鎮(zhèn)錫(immersion tin)或有機(jī)保護(hù)膜(organic solderability preservatives, OSP)等， 但并不限于此。 請(qǐng)參照?qǐng)D2B所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法第二步驟 是形成一抗黏著層30于所述基板20的焊罩層21上。在本步驟中，本發(fā)明可選擇利用濺 鍍(sputtering)、電鍍(electroplating)或化學(xué)鍍(electrolessplating)方式形成所述 抗黏著層30。所述抗黏著層30的材料優(yōu)選是選自銅、錫、鎳、鉻、鈦或其合金。本發(fā)明并不 加以限制所述抗黏著層30的厚度，但大致約介于微米(ym)至奈米(nm)等級(jí)之間。所述 抗黏著層30覆蓋于所述基板20的焊罩層21及所述數(shù)個(gè)焊墊22上。若所述數(shù)個(gè)焊墊22 具有所述助焊層23，則所述抗黏著層30覆蓋于所述助焊層23上。值得注意的是，所述抗黏 著層30的材料的選取必需符合下列條件，亦即所述抗黏著層30與所述干膜光刻膠40的
5結(jié)合力必需小于原本所述焊罩層21與所述干膜光刻膠40的結(jié)合力，如此可使后續(xù)以撕除 方式分離所述干膜光刻膠40及抗黏著層30。 請(qǐng)參照?qǐng)D2C所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法第三步驟 是黏貼一干膜光刻膠40于所述抗黏著層30上，并圖案化所述干膜光刻膠40，使其形成數(shù) 個(gè)填料口 41，所述填料口 41對(duì)應(yīng)于所述焊墊22。在本步驟中，所述干膜光刻膠40是一預(yù) 先制備成膜狀的光刻膠層，例如選自一感光膜片(photo-sensitive film)，其可利用滾輪 (未繪示)等設(shè)備將其壓印黏貼在所述基板20的抗黏著層30上。接著，在圖案化所述干膜 光刻膠40時(shí)，首先可利用紫外光照射穿過(guò)掩膜(mask，未繪示)進(jìn)行一般曝光處理，接著再 以適當(dāng)?shù)娘@影液進(jìn)行一般顯影處理，以去除在所述焊墊22上的所述干膜光刻膠40。如此， 所述干膜光刻膠40形成所述數(shù)個(gè)填料口 41，以暴露所述焊墊22上的抗黏著層30。再者， 在本發(fā)明中，所述干膜光刻膠40的厚度是依所述預(yù)焊料51的預(yù)設(shè)高度加以調(diào)整，因此并不 加以限制。 請(qǐng)參照?qǐng)D2D所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法第四步驟 是蝕刻暴露在所述填料口 41中的所述抗黏著層30，使其具有數(shù)個(gè)開口 31暴露所述基板 20的焊墊22。在本步驟中，依所述抗黏著層30的材料種類，選擇適當(dāng)?shù)奈g刻液蝕刻去除暴 露在所述填料口 41中的所述抗黏著層30。如此，將暴露在所述填料口 41中的所述焊墊22 以及所述焊罩層21的一環(huán)形部211。若所述數(shù)個(gè)焊墊22具有所述助焊層23，則是暴露所 述助焊層23。所述環(huán)形部211是指所述焊罩層21環(huán)繞所述焊墊22的交界處環(huán)形表面。
請(qǐng)參照?qǐng)D2E及2F所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法第五 步驟是將一焊料50印刷(printing)填入所述干膜光刻膠40的填料口 41中，并加熱回流 焊(reflow)所述焊料50，以形成數(shù)個(gè)預(yù)焊料51于所述焊墊22上。在本步驟中，本發(fā)明可 將所述焊料50涂在所述干膜光刻膠40的表面，并利用適當(dāng)工具(如刮刀，未繪示)推動(dòng)所 述焊料50，使所述焊料50逐一印刷填入各所述填料口 41中。所述焊料50可選自錫、銀、鉛 或其合金，另可能包含助焊劑(例如松香)及其他元素(例如銅、鉍或銻等)，但并不限于 此。再者，所述焊料50可概分為含鉛焊料或無(wú)鉛焊料。通過(guò)預(yù)先調(diào)整所述干膜光刻膠40 的厚度，可控制填入所述填料口 41的焊料50的用量。在加熱回流焊所述焊料50后，將形 成概呈半圓形的數(shù)個(gè)預(yù)焊料51于所述焊墊22上。此時(shí)，各所述預(yù)焊料51的外周面通常已 不接觸各所述填料口 41的內(nèi)周面。在本發(fā)明中，通過(guò)上述步驟完成的所述預(yù)焊料51可將 間距縮小至介于80微米(ii m)至200微米之間，因此有利于提高所述預(yù)焊料51的布局密 度，并符合半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的小型化需求。 請(qǐng)參照?qǐng)D2G所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法第六步驟 是撕除所述干膜光刻膠40。在本步驟中，由于所述基板20表面的焊罩層21上已預(yù)先形 成所述抗黏著層30，且所述抗黏著層30與所述干膜光刻膠40的結(jié)合力預(yù)先設(shè)計(jì)為小于原 本所述焊罩層21與所述干膜光刻膠40的結(jié)合力，因此可方便順利撕除所述干膜光刻膠40， 且不會(huì)傷害所述焊罩層21的表面或帶走已固化的所述預(yù)焊料51，因而確實(shí)有利于提高制 造過(guò)程穩(wěn)定性及所述基板20的良品率。再者，在本發(fā)明中，通過(guò)選擇所述抗黏著層30的材 料種類或厚度，可預(yù)先設(shè)計(jì)所述抗黏著層30與所述干膜光刻膠40的結(jié)合力為小于、等于或 大于所述抗黏著層30與所述焊罩層21的結(jié)合力。如此，在撕除所述干膜光刻膠40時(shí)，無(wú) 論所述抗黏著層30是保留于所述焊罩層21上或被所述干膜光刻膠40帶走一部分或全部，
6皆不會(huì)傷害到所述焊罩層21本身或已固化的所述預(yù)焊料51。 請(qǐng)參照?qǐng)D2G及2H所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法第七 步驟是蝕刻去除在所述焊罩層21上的所述抗黏著層30。在本步驟中，依所述抗黏著層30 的材料種類，選擇適當(dāng)?shù)奈g刻液蝕刻去除在所述焊罩層21上的所述抗黏著層30。上述蝕刻 液必需選自不會(huì)蝕刻所述預(yù)焊料51的有機(jī)或無(wú)機(jī)溶液?；蛘?，也可能利用另一液態(tài)光刻膠 層(未繪示)經(jīng)圖案化后暫時(shí)性包覆所述預(yù)焊料51，但暴露所述抗黏著層30，接著再蝕刻 去除在所述抗黏著層30，最后再去除所述圖案化的液態(tài)光刻膠層，其亦為一種本步驟可能 的實(shí)施方式。 請(qǐng)參照?qǐng)D2H所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法第八步驟 是在蝕刻去除所述抗黏著層30后，另利用一壓板60抵壓所述預(yù)焊料51，以降低所述預(yù)焊 料51的高度，并使所述預(yù)焊料51的高度一致。在某些情況下，本發(fā)明可選擇性實(shí)施第八步 驟。在本步驟中，所述壓板60優(yōu)選是選自 一金屬板塊，且利用所述壓板60抵壓所述預(yù)焊料 51的溫度優(yōu)選介于IO(TC至18(TC之間。在此溫度區(qū)間，所述預(yù)焊料51將適當(dāng)軟化，但不致 于熔化。在所述預(yù)焊料51被壓低后，其高度降低，但寬度稍微變大。同時(shí)，所述預(yù)焊料51 之間距仍實(shí)質(zhì)控制介于80微米(ii m)至200微米之間。 請(qǐng)參照?qǐng)D21所示，在完成本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法的 上述步驟后，具有所述預(yù)焊料51的基板20即可用以與一芯片70的凸塊71進(jìn)行焊接結(jié)合， 以構(gòu)成一倒裝芯片(flip chip)式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的半成品。再者，所述基板20的另一表 面上的數(shù)個(gè)焊墊(未標(biāo)示)亦可利用相同方法在所述焊墊上形成預(yù)焊料(未繪示)，以焊接 結(jié)合數(shù)個(gè)錫球(solder ball，未繪示)，其亦屬于本發(fā)明的方法的可能應(yīng)用范圍。在某些情 況下，本發(fā)明的方法亦可能應(yīng)用于硅晶圓上，此時(shí)所述基板20即為晶圓，其形成預(yù)焊料的 步驟則實(shí)質(zhì)相同于上述說(shuō)明，故于此不再另予詳細(xì)贅述。 如上所述，相較于圖1A至ID的現(xiàn)有利用所述模板12形成預(yù)焊料的方法可能造成 所述預(yù)焊料13'的尺寸缺陷，且不適用于提高預(yù)焊料布局密度等問(wèn)題，圖2A至21的本發(fā)明 在所述基板20表面的焊罩層21上預(yù)先形成所述抗黏著層30，接著再貼上所述干膜光刻膠 40，因此可在完成所述預(yù)焊料51的回流焊制造過(guò)程后輕易由所述抗黏著層30上撕除所述 干膜光刻膠40，且不會(huì)傷害所述焊罩層21的表面或帶走已固化的預(yù)焊料51，因而確實(shí)有利 于提高制造過(guò)程穩(wěn)定性及所述基板20的良品率。再者，即使縮小所述基板20的預(yù)焊料51 之間距及尺寸，所述抗黏著層30仍可使所述干膜光刻膠40被輕易撕除，因而有利于提高所 述預(yù)焊料51的布局密度，并且更能符合半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的小型化需求。
本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神 及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于所述方法包含提供一基板，所述基板的一表面設(shè)有一焊罩層及數(shù)個(gè)焊墊，所述焊罩層暴露所述數(shù)個(gè)焊墊；形成一抗黏著層于所述基板的焊罩層上；黏貼一干膜光刻膠于所述抗黏著層上，并圖案化所述干膜光刻膠，使其形成數(shù)個(gè)填料口，所述填料口對(duì)應(yīng)于所述焊墊；蝕刻暴露在所述填料口中的所述抗黏著層，使其具有數(shù)個(gè)開口暴露所述基板的焊墊；將一焊料印刷填入所述干膜光刻膠的填料口中，并加熱回流焊所述焊料，以形成數(shù)個(gè)預(yù)焊料于所述焊墊上；撕除所述干膜光刻膠；以及蝕刻去除在所述焊罩層上的所述抗黏著層。
2. 如權(quán)利要求1所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于所述基板為單層 或多層的印刷電路板。
3. 如權(quán)利要求1所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于在提供所述基板 的步驟中，各所述數(shù)個(gè)焊墊上另形成有一助焊層。
4. 如權(quán)利要求1所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于在形成所述抗黏 著層的步驟中，選擇利用濺鍍、電鍍或化學(xué)鍍方式形成所述抗黏著層。
5. 如權(quán)利要求1所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于所述抗黏著層的 材料選自銅、錫、鎳、鉻、鈦或其合金。
6. 如權(quán)利要求1所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于所述干膜光刻膠 選自一感光膜片。
7. 如權(quán)利要求1所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于在蝕刻去除所述 抗黏著層的步驟后，另利用一壓板抵壓所述預(yù)焊料，以降低所述預(yù)焊料的高度，并使所述預(yù) 焊料的高度一致。
8. 如權(quán)利要求7所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于利用所述壓板抵壓所述預(yù)焊料的溫度介于IO(TC至18(TC之間。
9. 如權(quán)利要求1或7所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于所述預(yù)焊料之間距介于80微米至200微米之間。
10. 如權(quán)利要求l所述的封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其特征在于所述抗黏著層與所述干膜光刻膠的結(jié)合力小于所述焊罩層與所述干膜光刻膠的結(jié)合力。
全文摘要
本發(fā)明公開一種封裝用基板形成預(yù)焊料的方法，其是在一基板的一表面的一焊罩層上預(yù)先形成一抗黏著層，接著再貼上一干膜光刻膠。在圖案化所述干膜光刻膠后，進(jìn)行印刷一焊料，及將所述焊料回流焊成數(shù)個(gè)預(yù)焊料。在完成所述預(yù)焊料之后，可輕易由所述抗黏著層上撕除所述干膜光刻膠，且此時(shí)所述預(yù)焊料已固化，因而確實(shí)可提高制造過(guò)程穩(wěn)定性、基板良品率及預(yù)焊料布局密度，并符合半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的小型化需求。
文檔編號(hào)H05K3/00GK101783302SQ20091000964
公開日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2009年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月20日
發(fā)明者李耿林 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司