專利名稱：多路振蕩回路的控制方法及具有多路振蕩回路的鎮(zhèn)流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于鎮(zhèn)流器領(lǐng)域，尤其涉及一種多路振蕩回路的控制方法及具有多路振蕩
回路的鎮(zhèn)流器。
背景技術(shù)：
鎮(zhèn)流器在原理上相當(dāng)于一個(gè)振蕩發(fā)生器，利用振蕩產(chǎn)生的高電壓來驅(qū)動(dòng)氣體光
源；現(xiàn)有的包括有多路振蕩回路的鎮(zhèn)流器中M0S管驅(qū)動(dòng)方式一般有以下幾種模擬電路產(chǎn)
生P麗波、集成芯片產(chǎn)生P麗波，然后用模擬電路放大、芯片直接驅(qū)動(dòng)等等，各路的P麗波控
制信號(hào)在時(shí)間順序、相位順序上的差別對整個(gè)鎮(zhèn)流器性能有很大的影響。
由于各路P麗波控制信號(hào)沒有精確的相位控制功能， 一旦供電，整個(gè)振蕩電路就
開始工作，各路P麗波控制信號(hào)的產(chǎn)生時(shí)間，相位完全一樣，各路振蕩回路的起振時(shí)間和相
位也完全一致；導(dǎo)致鎮(zhèn)流器產(chǎn)生很大的變化電流，由此產(chǎn)生非常豐富的高次諧波和強(qiáng)度疊
加的電磁干擾波，同時(shí)疊加的變化電流對鎮(zhèn)流器中各元器件的壽命也有著不利的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種多路振蕩回路的控制方法，旨在解決現(xiàn)有的控 制方法輸出相位相同的P麗控制信號(hào)控制振蕩回路導(dǎo)致電磁干擾強(qiáng)，諧波電流大，元器件 使用壽命短的問題。 本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種多路振蕩回路的控制方法，所述方法包括下述 步驟 輸出N路P麗控制信號(hào)分別控制N路振蕩回路； 每兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為2 Ji /N ;所述N為大于或等于2的正整 數(shù)。 其中，所述輸出N路P麗控制信號(hào)分別控制N路振蕩回路步驟具體為 在t時(shí)刻，輸出第一路P麗控制信號(hào)控制第一路振蕩回路； 在t+T/N時(shí)刻，輸出第二路P麗控制信號(hào)控制第二路振蕩回路； 在t+2T/N時(shí)刻，輸出第三路P麗控制信號(hào)控制第三路振蕩回路； 在t+(N-l)T/N時(shí)亥lJ，輸出第N路P麗控制信號(hào)控制第N路振蕩回路； 所述T為P麗控制信號(hào)的周期。 其中，所述P麗控制信號(hào)為周期性的方波信號(hào)。 本發(fā)明實(shí)施例的另一 目的還在于提供一種具有多路振蕩回路的鎮(zhèn)流器，所述鎮(zhèn)流 器包括控制模塊以及連接至所述控制模塊的輸出端的N路振蕩回路；所述控制模塊輸出 N路P麗控制信號(hào)分別控制所述N路振蕩回路；每兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為 2 Ji /N ;所述N為大于或等于2的正整數(shù)。
其中，所述控制模塊包括P麗波發(fā)生器，用于產(chǎn)生N路P麗控制信號(hào)；延時(shí)模塊，
用于對所述p麗波發(fā)生器的輸出進(jìn)行延時(shí)處理，使得每兩路相鄰p麗控制信號(hào)之間的相位差為2 Ji /N。 其中，所述控制模塊輸出N路P麗控制信號(hào)分別控制所述N路振蕩回路具體包括
在t時(shí)刻，所述控制模塊輸出第一路P麗控制信號(hào)控制第一路振蕩回路；
在t+T/N時(shí)刻，所述控制模塊輸出第二路P麗控制信號(hào)控制第二路振蕩回路；
在t+2T/N時(shí)刻，所述控制模塊輸出第三路P麗控制信號(hào)控制第三路振蕩回路；
在t+(N-l)T/N時(shí)亥lj，所述控制模塊輸出第N路P麗控制信號(hào)控制第N路振蕩回 路； 所述T為P麗控制信號(hào)的周期。 其中，所述P麗控制信號(hào)為周期性的方波信號(hào)。 其中，所述鎮(zhèn)流器中，一路振蕩回路包括半橋驅(qū)動(dòng)模塊、二極管、第一電容、第二 電容、第三電容、第四電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一MOS管、第二MOS 管以及電感； 所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的電源端連接至所述控制模塊的第一輸出端，所述半橋驅(qū)動(dòng)模 塊的高端輸入端連接至所述控制模塊的第二輸出端，所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的低端輸入端連接 至第一電源的輸出，所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的低端輸入端還通過所述第二電容接地；所述半橋 驅(qū)動(dòng)模塊的低端反饋端接地； 所述第一 MOS管的柵極通過所述第一電阻連接至所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端柵極 驅(qū)動(dòng)輸出端，所述第一 MOS管的柵極還通過所述第二電阻連接至所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端 浮動(dòng)電源反饋VS端，所述第一 MOS管的源極連接至所述第二 MOS管的漏極，所述第一 MOS 管的漏極連接第二電源，所述第二 MOS管的柵極通過所述第三電阻連接至所述半橋驅(qū)動(dòng)模 塊的低端柵極驅(qū)動(dòng)輸出端，所述第二 MOS管的柵極還通過所述第四電阻接地，所述第二 MOS 管的源極接地； 所述二極管的陽極連接至第一 電源，所述二極管的陰極通過所述第一 電容連接至 所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端浮動(dòng)電源反饋端；所述二極管與所述第一電容的連接端還連接至 所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端浮動(dòng)電源端； 所述電感的一端連接至所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的漏極連接的連 接端；所述電感的一端還與所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端浮動(dòng)電源反饋端連接，所述電感的另 一端通過依次串聯(lián)連接的第三電容、第四電容接地，所述第三電容與所述第四電容的串聯(lián) 連接端與地端分別連接至熒光燈的兩端。 本發(fā)明實(shí)施例提供的多路振蕩回路的控制方法通過調(diào)整P麗控制信號(hào)的相位，使 得每兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為2 /N ;進(jìn)而使得各路振蕩回路中產(chǎn)生的電磁 干擾波矢量疊加；從而減小了電磁干擾，減小了諧波電流，延長了元器件的使用壽命；提高 了鎮(zhèn)流器的電氣性能。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的具有兩路振蕩回路的鎮(zhèn)流器的電路圖； 圖2是現(xiàn)有技術(shù)提供的具有三路振蕩回路的鎮(zhèn)流器產(chǎn)生的電磁干擾波形圖； 圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的具有三路振蕩回路的鎮(zhèn)流器產(chǎn)生的電磁干擾波形圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。 本發(fā)明實(shí)施例提供的多路振蕩回路的控制方法通過調(diào)整P麗控制信號(hào)的相位，使 得每兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為2 Ji /N ;進(jìn)而使得各路振蕩回路中產(chǎn)生的電磁 干擾波矢量疊加；從而減小了電磁干擾，減小了諧波電流，延長了元器件的使用壽命。
本發(fā)明實(shí)施例提供的多路振蕩回路的控制方法包括下述步驟輸出N路P麗控制 信號(hào)分別控制N路振蕩回路海兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為2 Ji /N ;其中，N為 大于或等于2的正整數(shù)。 在本發(fā)明實(shí)施例中，輸出N路P麗控制信號(hào)分別控制N路振蕩回路步驟具體為 在t時(shí)刻，輸出第一路P麗控制信號(hào)控制第一路振蕩回路； 在t+T/N時(shí)刻，輸出第二路P麗控制信號(hào)控制第二路振蕩回路； 在t+2T/N時(shí)刻，輸出第三路P麗控制信號(hào)控制第三路振蕩回路； 在t+(N-l)T/N時(shí)亥lj，輸出第N路P麗控制信號(hào)控制第N路振蕩回路； 其中，T為P麗控制信號(hào)的周期。 作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，P麗控制信號(hào)為周期性的方波信號(hào)。 圖l示出了具有兩路振蕩回路的鎮(zhèn)流器的具體電路，為了便于說明，僅示出了與
本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下。 具有兩路振蕩回路的鎮(zhèn)流器包括控制模塊10以及連接至控制模塊的輸出端的 第一路振蕩回路20以及第二路振蕩回路30 ;控制模塊10輸出第一P麗控制信號(hào)控制第一 振蕩回路20，控制模塊10輸出第二 P麗控制信號(hào)控制第二振蕩回路30 ;控制第一路振蕩回 路20的第一P麗控制信號(hào)與控制第二路振蕩回路30的第二P麗控制信號(hào)之間的相位差為 在本發(fā)明實(shí)施例中，控制模塊10可以為中央處理芯片CPU，可以通過軟件設(shè)置在t 時(shí)刻，控制模塊10的輸出端輸出第一 P麗控制信號(hào)并控制第一路振蕩回路20 ;在t+T/2時(shí) 刻，控制模塊10的輸出端輸出第二 P麗控制信號(hào)并控制第二路振蕩回路30。
在本發(fā)明實(shí)施例中，第一路振蕩回路20包括第一半橋驅(qū)動(dòng)模塊U1、二極管D1、電 容Cl、電容C2、電容C4、電容C5、電阻Rl、電阻R2、電阻R3、電阻R4、M0S管Q1、M0S管Q2以 及電感L1 ;其中，半橋驅(qū)動(dòng)模塊U1的電源端VCC連接至控制模塊10的第一輸出端，半橋驅(qū) 動(dòng)模塊U1的高端輸入端HIN連接至控制模塊10的第二輸出端，半橋驅(qū)動(dòng)模塊U1的低端輸 入端LIN連接至第一 電源VCC1 ，半橋驅(qū)動(dòng)模塊Ul的低端輸入端LIN還通過電容C2接地； 半橋驅(qū)動(dòng)模塊Ul的低端反饋端COM接地；MOS管Ql的柵極通過電阻Rl連接至半橋驅(qū)動(dòng)模 塊Ul的高端柵極驅(qū)動(dòng)輸出端HO， MOS管Ql的柵極還通過電阻R2連接至半橋驅(qū)動(dòng)模塊Ul 的VS端，MOS管Ql的源極連接至MOS管Q2的漏極，MOS管Ql的漏極連接第二電源DC400, MOS管Q2的柵極通過電阻R3連接至半橋驅(qū)動(dòng)模塊Ul的低端柵極驅(qū)動(dòng)輸出端L0，M0S管Q2 的柵極還通過電阻R4接地，M0S管Q2的源極接地；二極管D1的陽極連接至第一電源VCCl， 二極管D1的陰極通過電容C1連接至半橋驅(qū)動(dòng)模塊U1的高端浮動(dòng)電源反饋端VS ;二極管 Dl與電容C1的連接端還連接至半橋驅(qū)動(dòng)模塊U1的高端浮動(dòng)電源端VB ;電感L1的一端連接至MOS管Ql的源極與MOS管Q2的漏極連接的連接端；電感LI的一端還與半橋驅(qū)動(dòng)模塊 Ul的高端浮動(dòng)電源反饋端VS連接，電感L1的另一端通過依次串聯(lián)連接的電容C4、電容C5 接地，電容C4與電容C5的串聯(lián)連接端與地端分別連接至第一熒光燈A的兩端。這里的第 一半橋驅(qū)動(dòng)模塊U1可以采用型號(hào)為IR2111S的驅(qū)動(dòng)芯片，或者采用其他型號(hào)的同類驅(qū)動(dòng)芯 片，HIN端即高端輸入端，LIN端即低端輸入端，COM端即低端反饋端，HO端即高端柵極驅(qū)動(dòng) 輸出端，VS端即高端浮動(dòng)電源反饋端，LO端即低端柵極驅(qū)動(dòng)輸出端，VB端即高端浮動(dòng)電源
丄山順。 在本發(fā)明實(shí)施例中，第二振蕩回路30與第一路振蕩回路20采用相同的設(shè)計(jì)原理， 其包括第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2、二極管D2、電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電阻R5、電阻 R6、電阻R7、電阻R8，M0S管Q3、M0S管Q4以及電感L2 ;第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的電源端VCC 連接至控制模塊10的第三輸出端，第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的高端輸入端HIN連接至控制模 塊10的第四輸出端，第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的低端輸入端LIN連接至第一電源VCC1，第二 半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的低端輸入端LIN還通過電容C6接地；第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的低端反饋 端COM接地；MOS管Q4的柵極通過電阻R6連接至第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的高端柵極驅(qū)動(dòng)輸 出端H0，M0S管Q4的柵極還通過電阻R7連接至第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的高端浮動(dòng)電源反饋 端VS， MOS管Q4的源極連接至MOS管Q3的漏極，MOS管Q4的漏極連接至第二電源DC400， MOS管Q3的柵極通過電阻R5連接至第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的低端柵極驅(qū)動(dòng)輸出端L0， MOS 管Q3的柵極還通過電阻R8接地，MOS管Q3的源極接地；二極管D2的陽極連接至第一電源 VCC1，二極管D2的陰極通過電容C7連接至第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的高端浮動(dòng)電源反饋端 VS ;二極管D2與電容C7的連接端還連接至第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的高端浮動(dòng)電源端VB ;電 感L2的一端連接至MOS管Q4的源極與MOS管Q3的漏極連接的連接端；電感L2的一端還 與第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2的高端浮動(dòng)電源反饋端VS連接，電感L2的另一端通過依次串聯(lián)連 接的電容C8、電容C9接地，所述電容C8與所述電容C9的串聯(lián)連接端與地端分別連接至第 二熒光燈B的兩端。第二半橋驅(qū)動(dòng)模塊U2也可以采用型號(hào)為IR2111S的驅(qū)動(dòng)芯片，或者采 用其他型號(hào)的同類驅(qū)動(dòng)芯片。 結(jié)合圖1所示的具體電路結(jié)構(gòu)可以看出，本發(fā)明所應(yīng)用的具體電路中可采用相同 結(jié)構(gòu)的電路，每一路振蕩回路可以包括半橋驅(qū)動(dòng)模塊(指代上述圖1中的Ul或U2) 、二極 管(指代上述圖1中的D1或D2)、第一電容(指代上述圖1中的C1或C7)、第二電容(指 代上述圖1中的C2或C6)、第三電容(指代上述圖1中的C4或C8)、第四電容(指代上述 圖1中的C5或C9)、第一電阻(指代上述圖1中的R1或R6)、第二電阻(指代上述圖1中 的R2或R7)、第三電阻(指代上述圖1中的R3或R5)、第四電阻(指代上述圖1中的R4或 R8)、第一 M0S管(指代上述圖1中的Ql或Q4)、第二 M0S管(指代上述圖1中的Q2或Q3) 以及電感(指代上述圖1中的L1或L2);具體連接關(guān)系可參見圖l所示。其中，M0S管還可 以采用其他類型的開關(guān)管。 基于上述具體電路的實(shí)施例，控制模塊10輸出P麗控制信號(hào)，到達(dá)第二半橋驅(qū)動(dòng) 模塊U2的第二 P麗控制信號(hào)落后于到達(dá)第一半橋驅(qū)動(dòng)模塊Ul的第一 P麗控制信號(hào)半個(gè)周 期；第一 P麗控制信號(hào)經(jīng)過第一半橋驅(qū)動(dòng)模塊Ul放大后驅(qū)動(dòng)M0S管Ql和M0S管Q2交替工 作，第一振蕩回路20開始振蕩，點(diǎn)亮第一熒光燈A;第二P麗控制信號(hào)經(jīng)過第二半橋驅(qū)動(dòng)模 塊U2放大后驅(qū)動(dòng)M0S管Q3和M0S管Q4交替工作，第二振蕩回路30開始振蕩，點(diǎn)第二亮熒光燈B。 此外，在電源充足的條件下，還可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)鎮(zhèn)流器帶N路振蕩電路，每一路振蕩 電路可以采用圖1所示的電路結(jié)構(gòu)；具有N路振蕩回路的鎮(zhèn)流器包括控制模塊以及連接 至控制模塊的輸出端的N路振蕩回路；控制模塊輸出N路P麗控制信號(hào)分別控制所述N路振 蕩回路；每兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為2 /N ;N為大于或等于2的正整數(shù)。而 這里的控制模塊可以包括P麗波發(fā)生器，用于產(chǎn)生N路P麗控制信號(hào)；以及延時(shí)模塊，用于 對P麗波發(fā)生器的輸出進(jìn)行延時(shí)處理，使得每兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為2 / N。 具有N路振蕩回路的鎮(zhèn)流器可以通過下面的方法來推算各路P麗控制信號(hào)之間的 時(shí)間順序 在t時(shí)刻，控制模塊輸出第一路P麗控制信號(hào)控制第一路振蕩回路；
在t+T/N時(shí)刻，控制模塊輸出第二路P麗控制信號(hào)控制第二路振蕩回路；
在t+2T/N時(shí)刻，控制模塊輸出第三路P麗控制信號(hào)控制第三路振蕩回路；
在t+ (N-l) T/N時(shí)刻，控制模塊輸出第N路P麗控制信號(hào)控制第N路振蕩回路；T為 P麗控制信號(hào)的周期。其中，P麗控制信號(hào)可以為周期性的方波信號(hào)。 為了更進(jìn)一步說明本發(fā)明實(shí)施例提供的具有N路振蕩回路的鎮(zhèn)流器與現(xiàn)有技術(shù) 相比存在優(yōu)勢，現(xiàn)以具有三路振蕩回路的鎮(zhèn)流器為例，并結(jié)合圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)中鎮(zhèn)流 器產(chǎn)生的電磁干擾波形圖以及圖3所示的本發(fā)明實(shí)施例中鎮(zhèn)流器產(chǎn)生的電磁干擾波形圖 詳述如下 如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，令分別控制三路振蕩回路的三個(gè)P麗控制信號(hào)的相位相 同，每一路振蕩回路都具有相同的功率P，則每一路振蕩回路在測試點(diǎn)S的電磁干擾的電場 強(qiáng)度都為1 ;若三路振蕩回路同時(shí)開始工作，控制三路振蕩回路的三個(gè)P麗控制信號(hào)的相位 一致，則在測試點(diǎn)S測得的電磁干擾的電場強(qiáng)度為3，即波形E所顯示的。
如圖3所示，在本發(fā)明實(shí)施例提供的鎮(zhèn)流器中，令控制三路振蕩回路的三個(gè)P麗控 制信號(hào)在時(shí)間上相差2T/3，相位上相差2 /3，每一路振蕩回路都具有相同的功率P，對于 一個(gè)振蕩回路，測試點(diǎn)S處可測得的電磁干擾的電場強(qiáng)度為l，三路振蕩回路同時(shí)開始工作 后，三路P麗控制信號(hào)的相位相互錯(cuò)開，在在測試點(diǎn)S測得的電磁干擾的電場強(qiáng)度的矢量和 為0。另外，若針對鎮(zhèn)流器的諧波電流進(jìn)行測試，則與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的鎮(zhèn) 流器使得諧波電流減少了 50% ;若針對鎮(zhèn)流器中濾波電容的紋波電流進(jìn)行測試，則與現(xiàn)有 技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的鎮(zhèn)流器使得紋波電流減少了 50 % 。 綜上所述，本發(fā)明所提供的具有N路振蕩回路的鎮(zhèn)流器通過輸出N路P麗控制信 號(hào)分別控制N路振蕩回路，每兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為2Ji/N;各路振蕩回 路中產(chǎn)生的電磁干擾波矢量疊加后使得電磁干擾波的空間強(qiáng)度降低為O，減小了電磁干擾； 諧波電流減少了 50%，紋波電流減少了 50%;延長了元器件的使用壽命，提高了鎮(zhèn)流器的電 氣性能。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種多路振蕩回路的控制方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟輸出N路PWM控制信號(hào)分別控制N路振蕩回路；每兩路相鄰PWM控制信號(hào)之間的相位差為2π/N；所述N為大于或等于2的正整數(shù)。
2. 如權(quán)利要求1所述的多路振蕩回路的控制方法，其特征在于，所述輸出N路P麗控制 信號(hào)分別控制N路振蕩回路步驟具體為在t時(shí)刻，輸出第一路P麗控制信號(hào)控制第一路振蕩回路；在t+T/N時(shí)刻，輸出第二路P麗控制信號(hào)控制第二路振蕩回路；在t+2T/N時(shí)刻，輸出第三路P麗控制信號(hào)控制第三路振蕩回路；在t+ (N-l) T/N時(shí)刻，輸出第N路P麗控制信號(hào)控制第N路振蕩回路；所述T為P麗控制信號(hào)的周期。
3. 如權(quán)利要求l所述的多路振蕩回路的控制方法，其特征在于，所述P麗控制信號(hào)為周 期性的方波信號(hào)。
4. 一種具有多路振蕩回路的鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述鎮(zhèn)流器包括 控制模塊以及連接至所述控制模塊的輸出端的N路振蕩回路；所述控制模塊輸出N路P麗控制信號(hào)分別控制所述N路振蕩回路；每兩路相鄰P麗控制信號(hào)之間的相位差為2 /N ;所述N為大于或等于2的正整數(shù)。
5. 如權(quán)利要求4所述的鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述控制模塊包括 P麗波發(fā)生器，用于產(chǎn)生N路P麗控制信號(hào)；延時(shí)模塊，用于對所述p麗波發(fā)生器的輸出進(jìn)行延時(shí)處理，使得每兩路相鄰p麗控制信號(hào)之間的相位差為2Ji/N。
6. 如權(quán)利要求4所述的鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述控制模塊輸出N路P麗控制信號(hào)分別 控制所述N路振蕩回路具體包括在t時(shí)刻，所述控制模塊輸出第一路P麗控制信號(hào)控制第一路振蕩回路；在t+T/N時(shí)刻，所述控制模塊輸出第二路P麗控制信號(hào)控制第二路振蕩回路；在t+2T/N時(shí)刻，所述控制模塊輸出第三路P麗控制信號(hào)控制第三路振蕩回路；在t+ (N-l) T/N時(shí)刻，所述控制模塊輸出第N路P麗控制信號(hào)控制第N路振蕩回路；所述T為P麗控制信號(hào)的周期。
7. 如權(quán)利要求4所述的鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述P麗控制信號(hào)為周期性的方波信號(hào)。
8. 如權(quán)利要求4所述的鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述鎮(zhèn)流器中，一路振蕩回路包括半橋 驅(qū)動(dòng)模塊、二極管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第一電阻、第二電阻、第三電 阻、第四電阻、第一M0S管、第二M0S管以及電感；所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的電源端連接至所述控制模塊的第一輸出端，所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的 高端輸入端連接至所述控制模塊的第二輸出端，所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的低端輸入端連接至第 一電源的輸出，所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的低端輸入端還通過所述第二電容接地；所述半橋驅(qū)動(dòng) 模塊的低端反饋端接地；所述第一 MOS管的柵極通過所述第一電阻連接至所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端柵極驅(qū)動(dòng) 輸出端，所述第一 MOS管的柵極還通過所述第二電阻連接至所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端浮動(dòng) 電源反饋端，所述第一 MOS管的源極連接至所述第二 MOS管的漏極，所述第一 MOS管的漏極 連接第二電源，所述第二 MOS管的柵極通過所述第三電阻連接至所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的低端柵極驅(qū)動(dòng)輸出端，所述第二 MOS管的柵極還通過所述第四電阻接地，所述第二 MOS管的源極 接地；所述二極管的陽極連接至第一電源，所述二極管的陰極通過所述第一電容連接至所述 半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端浮動(dòng)電源反饋端；所述二極管與所述第一電容的連接端還連接至所述 半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端浮動(dòng)電源端；所述電感的一端連接至所述第一 MOS管的源極與所述第二 MOS管的漏極連接的連接 端；所述電感的一端還與所述半橋驅(qū)動(dòng)模塊的高端浮動(dòng)電源反饋端連接，所述電感的另一 端通過依次串聯(lián)連接的第三電容、第四電容接地，所述第三電容與所述第四電容的串聯(lián)連 接端與地端分別連接至熒光燈的兩端。
全文摘要
本發(fā)明適用于鎮(zhèn)流器領(lǐng)域，提供了一種多路振蕩回路的控制方法及具有多路振蕩回路的鎮(zhèn)流器；多路振蕩回路的控制方法包括下述步驟輸出N路PWM控制信號(hào)分別控制N路振蕩回路；每兩路相鄰PWM控制信號(hào)之間的相位差為2π/N；所述N為大于或等于2的正整數(shù)。本發(fā)明提供的多路振蕩回路的控制方法通過調(diào)整PWM控制信號(hào)的相位，使得每兩路相鄰PWM控制信號(hào)之間的相位差為2π/N；進(jìn)而使得各路振蕩回路中產(chǎn)生的電磁干擾波矢量疊加；從而減小了電磁干擾，減小了諧波電流，延長了元器件的使用壽命；提高了鎮(zhèn)流器的電氣性能。
文檔編號(hào)H05B41/36GK101711084SQ20091019068
公開日2010年5月19日 申請日期2009年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者葉浩, 周明杰, 樊亮, 鄭平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司