專利名稱：電子裝置殼體及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種電子裝置殼體及其制作方法，尤其是關(guān)于一種具有自清潔功能 的電子裝置殼體及其制作方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有電子產(chǎn)品(如手機(jī)、PDA等)的殼體常被鍍覆一金屬層或金屬氧化物層而使產(chǎn) 品具有金屬質(zhì)感，從而吸引消費者眼球。該金屬層通常以不導(dǎo)電電鍍的方式形成，因該金屬 層不導(dǎo)電，從而可避免對信號產(chǎn)生干擾。該不導(dǎo)電的金屬層或金屬氧化物層通常為透明狀， 其形成于殼體上之后，與殼體的基材或形成于殼體上的其他油漆層共同使得殼體呈現(xiàn)出多 彩的具金屬質(zhì)感的外觀。然而，上述殼體雖然具有美麗的外觀，卻不具備自清潔功能，實用性欠佳。因為電 子產(chǎn)品在使用過程中，其表面會慢慢的積聚很多灰塵，同時人手上的汗?jié)n、或人手上涂抹的 護(hù)手霜等均很容易殘留在電子產(chǎn)品的表面上，這些灰塵，特別是按鍵周圍的灰塵及殘留的 污染物難以用抹布或其它清潔物徹底的去除。顯然，上述殼體亦不能對這些灰塵及殘留的 污染物自動進(jìn)行去除，因而實用性不強(qiáng)，不能給消費者帶來附加的使用價值，降低了產(chǎn)品的 競爭力。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種既具有金屬質(zhì)感外觀又具有自清潔功能的電子裝置殼 體。另外，還有必要提供一種上述電子裝置殼體的制作方法。一種電子裝置殼體，其包括一基體及形成于基體表面的納米二氧化鈦膜，該納 米二氧化鈦膜為金紅石相晶格結(jié)構(gòu)或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結(jié)構(gòu)，其厚度在 IO-IOOnm 之間。—種電子裝置殼體的制作方法，其包括如下步驟提供一基體；在該基體的表面真空濺鍍一納米二氧化鈦膜，該納米二氧化鈦膜為金紅石相晶格 結(jié)構(gòu)或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結(jié)構(gòu)，其厚度在IO-IOOnm之間。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明電子裝置殼體通過真空濺鍍的方式在基體表面設(shè)置一具 有上述特征的納米二氧化鈦膜，該納米二氧化鈦膜不僅可使殼體呈現(xiàn)出金屬外觀(且不干 擾電子信號)，且該納米二氧化鈦膜可在可見光或紫外光的照射下分解掉粘附于殼體表面 的灰塵或殘留的有機(jī)污染物，從而對殼體表面起到清潔的作用。同時由于該納米二氧化鈦 膜具有較強(qiáng)的親水性，當(dāng)有水流流過殼體表面時，該水流還會自動帶走殼體上被納米二氧 化鈦膜分解之后的殘留污染物。如此，消費者在享受到該殼體美麗及高雅的外觀的同時又 可時刻保持殼體表面的清潔，可消除細(xì)菌經(jīng)由電子裝置殼體10傳播的可能，保證了人體的 健康，大大增強(qiáng)了產(chǎn)品的實用性及競爭力。


圖1為本發(fā)明一較佳實施方式電子裝置殼體的剖視示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種電子裝置殼體，其包括一基體及形成于基體表面的納米二氧化鈦膜，其特征在 于該納米二氧化鈦膜為金紅石相晶格結(jié)構(gòu)或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結(jié)構(gòu)，其厚 度在IO-IOOnm之間。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置殼體，其特征在于所述基體由塑料、玻璃或陶瓷制成。
3.如權(quán)利要求1所述的電子裝置殼體，其特征在于所述納米二氧化鈦膜以真空濺鍍 的方式形成。
4.如權(quán)利要求1所述的電子裝置殼體，其特征在于所述殼體還包括一形成于基體與 納米二氧化鈦膜之間的底漆層。
5.如權(quán)利要求4所述的電子裝置殼體，其特征在于所述底漆層為丙烯酸樹脂漆層，環(huán) 氧樹脂漆層、聚氨酯樹脂漆層或酚醛樹脂漆層，其厚度在1-30 μ m之間。
6.一種電子裝置殼體的制作方法，其包括如下步驟提供一基體；在該基體的表面真空濺鍍一納米二氧化鈦膜，該納米二氧化鈦膜為金紅石相晶格結(jié)構(gòu) 或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結(jié)構(gòu)，其厚度在IO-IOOnm之間。
7.如權(quán)利要求6所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于濺鍍該納米二氧化鈦 膜的工藝條件為本底真空度為5 X 10-4 9 X 10-4Pa,真空室內(nèi)的壓力為0. 05 0. 29Pa, 真空室內(nèi)氧氣的分壓為0. 01-0. 225Pa。
8.如權(quán)利要求6所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于濺鍍納米二氧化鈦 膜時以金屬鈦作為靶材，靶材的電源輸出功率為3000 4000W，濺鍍二氧化鈦膜的速率為 0. 3 ~ 0. 5nm/S。
9.如權(quán)利要求6所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于所述方法還包括在濺 鍍二氧化鈦膜前在基體表面噴涂一底漆層的步驟。
10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于所述底漆層為丙烯酸 樹脂漆層、環(huán)氧樹脂漆層、聚氨酯樹脂漆層或酚醛樹脂漆層，該底漆層的厚度在1-30 μ m之 間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子裝置的殼體及其制作方法。該電子裝置殼體包括一基體及形成于基體表面的納米二氧化鈦膜，該納米二氧化鈦膜為金紅石相晶格結(jié)構(gòu)或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結(jié)構(gòu)，其厚度在10-100nm之間。一種電子裝置殼體的制作方法，其包括如下步驟提供一基體；在該基體的表面真空濺鍍一納米二氧化鈦膜，該納米二氧化鈦膜為金紅石相晶格結(jié)構(gòu)或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結(jié)構(gòu)，其厚度在10-100nm之間。
文檔編號H05K5/00GK102111970SQ20091031242
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者姜傳華, 杜琪健 申請人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司