專利名稱：一種筒式單晶爐的石墨熱場的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種筒式單晶爐的石墨熱場，用于拉制單晶硅棒。
背景技術(shù)：
目前，在直拉單晶硅棒生產(chǎn)過程中，我們使用的單晶爐的石墨熱場采用直筒式設(shè)計(jì)，即保溫筒的上、中、下三部分，與爐底護(hù)盤的大小都相一致。這種單晶爐熱量散發(fā)快，耗 能大，且保溫筒內(nèi)的溫度梯度不是很理想，在氣體流通方面也感覺不暢，不利于清除雜質(zhì)， 易產(chǎn)生次品。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供爐內(nèi)溫度梯度理想，且有利于氣體流通，清除雜質(zhì)，提高 產(chǎn)品質(zhì)量的一種筒式單晶爐的石墨熱場。本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是一種筒式單晶爐的石墨熱場，包括保溫筒、導(dǎo)流 筒、加熱器、石墨坩堝、石英坩堝、爐底護(hù)盤；石英坩堝和石墨坩堝位于加熱器內(nèi)；保溫筒位 于加熱器外，且設(shè)置在爐底護(hù)盤上；導(dǎo)流筒位于石英坩堝和石墨坩堝之上，以及保溫筒內(nèi)； 其特征在于將保溫筒分成上、中、下三層，且上、中、下三層呈塔形，即上層最小，中層其次， 下層最大。所述的爐底護(hù)盤大于保溫筒的下層。采用本實(shí)用新型，由于相對縮小了保溫筒的上層空間，可增強(qiáng)保溫效果，有利于節(jié) 能，在上、中層之間形成理想的溫度梯度，而且相對擴(kuò)展了下層的空間，使氣流暢通，利于清 除雜質(zhì)，因此能提高產(chǎn)品質(zhì)量；另外，爐底護(hù)盤大于保溫筒的下層，更有利于在保溫筒外增 設(shè)保溫氈(采用石墨制作)，提高保溫效果。

圖1是本實(shí)用新型的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體的實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。參照圖1，該單晶爐的石墨熱場包括保溫筒1、導(dǎo)流筒2、加熱器4、石墨坩堝3、石英 坩堝5、爐底護(hù)盤6 ；石英坩堝5和石墨坩堝3位于加熱器4內(nèi)；保溫筒1位于加熱器4外， 保溫筒1分成上、中、下三層，上、中、下三層呈塔形，即上層最小，中層其次，下層最大；導(dǎo)流 筒2位于石英坩堝5和石墨坩堝3之上，以及保溫筒1內(nèi)；保溫筒1的下層設(shè)置在爐底護(hù)盤 6上，爐底護(hù)盤6大于保溫筒1的下層。這樣設(shè)計(jì)，由于相對縮小了保溫筒1的上層空間，可增強(qiáng)保溫效果，有利于節(jié)能， 并在保溫筒1的上、中層之間形成理想的溫度梯度，而且相對擴(kuò)展了下層的空間，使氣流暢 通，利于清除氣流中的雜質(zhì)，因此能提高產(chǎn)品質(zhì)量；另外，爐底護(hù)盤6大于保溫筒1的下層，如需在保溫筒1外增設(shè)保溫氈(一般采用石墨制作)也很方便，更有利于提高保溫效果.
權(quán)利要求一種筒式單晶爐的石墨熱場，包括保溫筒、導(dǎo)流筒、加熱器、石墨坩堝、石英坩堝、爐底護(hù)盤；石英坩堝和石墨坩堝位于加熱器內(nèi)；保溫筒位于加熱器外，且設(shè)置在爐底護(hù)盤上；導(dǎo)流筒位于石英坩堝和石墨坩堝之上，以及保溫筒內(nèi)；其特征在于該保溫筒分上、中、下三層，且上、中、下三層呈塔形，即上層最小，中層其次，下層最大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種筒式單晶爐的石墨熱場，其特征在于保溫筒下層設(shè)置在 爐底護(hù)盤上，且爐底護(hù)盤大于保溫筒的下層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種筒式單晶爐的石墨熱場，用于拉制單晶硅棒，其保溫筒位于加熱器外，分成上、中、下三層，上、中、下三層呈塔形，且下層設(shè)置在爐底護(hù)盤上；石英坩堝和石墨坩堝位于加熱器內(nèi)；導(dǎo)流筒位于石英坩堝和石墨坩堝之上，以及保溫筒內(nèi)；采用本實(shí)用新型，由于相對縮小了保溫筒的上層空間，可增強(qiáng)保溫效果，有利于節(jié)能，在上、中層之間形成理想的溫度梯度，而且相對擴(kuò)展了下層的空間，使氣流暢通，利于清除雜質(zhì)，因此能提高產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號C30B15/14GK201574211SQ200920199720
公開日2010年9月8日 申請日期2009年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者方漢春 申請人:方漢春