專利名稱:一種它激式65w節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種電子鎮(zhèn)流器電路,特別是一種采用無源功率因數(shù)校正和半橋 驅(qū)動(dòng)的電子鎮(zhèn)流器電路。
背景技術(shù):
目前,我們見到市場(chǎng)上應(yīng)用的65W左右的節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器,基本采用自激振蕩 方式驅(qū)動(dòng)半橋電路的兩只開關(guān)管工作,因振蕩頻率穩(wěn)定控制難度大,很難保證批量產(chǎn)品質(zhì) 量的一致性和提高運(yùn)行的可靠性,是造成鎮(zhèn)流器損壞的重要原因。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種采用無源功率因數(shù)校正和半橋驅(qū)動(dòng)的它激式電子 鎮(zhèn)流器,該電子鎮(zhèn)流器具有頻率穩(wěn)定、功率因數(shù)高、工作可靠的特點(diǎn)。本實(shí)用新型的主要技術(shù)方案是該電子鎮(zhèn)流器包括一個(gè)濾波電路,其輸出端連接 一個(gè)過壓保護(hù)電路及保護(hù)電路連接的全橋整流電路;濾波電路采用有一個(gè)共模電感、兩個(gè) 電容組成的EMI濾波器,將AC市電頻率的電壓轉(zhuǎn)換成DC電壓后輸入到過壓保護(hù)電路,有效 抑制因輻射和傳導(dǎo)所引起的電磁干擾,以便達(dá)到電磁兼容(EMC);而過壓保護(hù)線路可對(duì)輸 入電壓的瞬間高脈沖進(jìn)行吸收,使之不能進(jìn)入后序電路,避免可能造成故障;橋式整流電路 可將過壓保護(hù)電路輸入的50Hz交流電壓轉(zhuǎn)換成IOOHz的單向脈沖電壓;異常保護(hù)電路通過 半橋過流保護(hù)、點(diǎn)火失效保護(hù)、過電壓保護(hù)給輸出的電路提供一個(gè)穩(wěn)定的電壓。該電子鎮(zhèn)流器還包括一個(gè)功率因數(shù)校正電路,采用無源逐流電路讓電容充電時(shí)間 拉長(zhǎng),放電時(shí)間縮短,提高功率因數(shù);一個(gè)半橋振蕩及驅(qū)動(dòng)電路,其中該電路采專用控制芯 片,可驅(qū)動(dòng)MOSFET組成的半橋電路,輸出頻率穩(wěn)定可靠;半橋采用上下晶體管,提高了半橋 管在運(yùn)行中的可靠性。以上所述部分電路,可以用公知的技術(shù)實(shí)現(xiàn)。本實(shí)用新型的電子鎮(zhèn)流器電路達(dá)到了以下有益效果橋式整流電路可將過壓保護(hù) 電路輸入的50Hz交流電壓轉(zhuǎn)換成IOOHz的單向脈沖電壓;功率因數(shù)校正電路部分采用無源 逐流電路讓電容充電時(shí)間拉長(zhǎng),放電時(shí)間縮短,提高功率因數(shù);半橋振蕩及驅(qū)動(dòng)電路保證了 頻率和半橋管在工作中的穩(wěn)定。所以,這種電子鎮(zhèn)流器克服了現(xiàn)有電子鎮(zhèn)流器的缺點(diǎn),和燈 管配套工作時(shí)溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
圖1是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例電路模塊方框圖。圖2是本實(shí)用新型的一個(gè)工作原理圖。
具體實(shí)施方式
如圖1、2所示,本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例包括[0011]濾波電路(1),由一個(gè)共模電感、兩個(gè)電容構(gòu)成的濾波器,后接過壓保護(hù)電路;過電壓保護(hù)電路(2),由限流元件組成,輸入端接入濾波電路(1),輸出恒定的工 作電壓;橋式整流電路(3),將輸入的50Hz交流電壓轉(zhuǎn)換成IOOHz的單向脈沖電壓;功率因數(shù)校正電路(4),采用由二極管和電容組成的逐流電路的無源功率因數(shù)校 正,由于電容器之間的充電時(shí)間拉長(zhǎng)了,放電時(shí)間縮短了,提高了功率因數(shù)。半橋振蕩及驅(qū)動(dòng)電路(5),該電路采用IR2153專用控制芯片,可驅(qū)動(dòng)MOSFET組成 的半橋電路,半橋上管下管采用IRF820場(chǎng)效應(yīng)晶體管,MOFET管的BVds為500V,Id為3A, 提高半橋管在運(yùn)行中的可靠性。異常保護(hù)電路部分(6),該電路采用半橋過流保護(hù)、點(diǎn)火失效保護(hù)、過電壓保護(hù),保 護(hù)開關(guān)電源和節(jié)能燈的正常工作。
權(quán)利要求一種采用無源功率因數(shù)校正和半橋驅(qū)動(dòng)的電子鎮(zhèn)流器電路,包括一個(gè)濾波電路,有效抑制因輻射和傳導(dǎo)所引起的電磁干擾,以便達(dá)到電磁兼容(EMC);一個(gè)過壓保護(hù)線路可對(duì)輸入電壓的瞬間高脈沖進(jìn)行吸收,使之不能進(jìn)入后序電路,避免可能造成故障;一個(gè)橋式整流電路可將過壓保護(hù)電路輸入的50Hz交流電壓轉(zhuǎn)換成100Hz的單向脈沖電壓;一個(gè)異常保護(hù)電路通過半橋過流保護(hù)、點(diǎn)火失效保護(hù)、過電壓保護(hù)給輸出的電路提供一個(gè)穩(wěn)定的電壓;其特征在于還包括一個(gè)功率因數(shù)校正電路,采用無源逐流電路讓電容充電時(shí)間拉長(zhǎng),放電時(shí)間縮短,提高功率因數(shù);一個(gè)半橋振蕩及驅(qū)動(dòng)電路,其中該電路采專用控制芯片,可驅(qū)動(dòng)MOSFET組成的半橋電路,輸出頻率穩(wěn)定可靠;半橋采用上下晶體管,提高了半橋管在運(yùn)行中的可靠性。
2.根據(jù)權(quán)利要求書1的電子鎮(zhèn)流器電路,其特征在于所述的功率因數(shù)校正電路采用 的是無源逐流電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求書1的電子鎮(zhèn)流器電路,其特征在于所述的半橋振蕩及驅(qū)動(dòng)電路采 用是IRF820場(chǎng)效應(yīng)晶體管和IR2153控制芯片,MOFET管的BVDS為500V,ID為3A。
專利摘要一種采用無源功率因數(shù)校正和半橋驅(qū)動(dòng)的電子鎮(zhèn)流器電路包括一個(gè)濾波電路,可有效抑制因輻射和傳導(dǎo)所引起的電磁干擾,以便達(dá)到電磁兼容(EMC);一個(gè)過壓保護(hù)線路可對(duì)輸入電壓的瞬間高脈沖進(jìn)行吸收,使之不能進(jìn)入后序電路,避免可能造成故障;一個(gè)橋式整流電路可將過壓保護(hù)電路輸入的50Hz交流電壓轉(zhuǎn)換成100Hz的單向脈沖電壓;一個(gè)異常保護(hù)電路通過半橋過流保護(hù)、點(diǎn)火失效保護(hù)、過電壓保護(hù)給輸出的電路提供一個(gè)穩(wěn)定的電壓。一個(gè)功率因數(shù)校正電路,采用無源逐流電路讓電容充電時(shí)間拉長(zhǎng),放電時(shí)間縮短,提高功率因數(shù);一個(gè)半橋振蕩及驅(qū)動(dòng)電路,使半橋管和輸出的頻率更加穩(wěn)定。本實(shí)用新型有功率因數(shù)、電源電壓范圍寬和頻率穩(wěn)定,和燈管配套工作時(shí)溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H05B41/298GK201657468SQ20092029711
公開日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2009年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月21日
發(fā)明者張作珍, 張?jiān)獦s 申請(qǐng)人:張?jiān)獦s