專利名稱：有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及一種有機電致發(fā)光元件(以下，本說明書中有時會將其稱作“有機 EL元件”)，更詳細而言，本發(fā)明涉及在基板上具備陽極、陰極、以及含有有機化合物的發(fā)光 層的有機電致發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
為了開發(fā)性能更高的裝置，對于有機EL元件以及搭載該有機EL元件的有機EL裝 置，進行了各種各樣的研究。有機EL元件通常具備陽極、陰極以及由這些陽極與陰極所夾 持的發(fā)光層。發(fā)光層是由被施加電壓后會發(fā)光的有機化合物形成的。有機EL元件具有各 種各樣的特性，但由于能夠?qū)⒈∧みM行層疊而形成，故可形成極其薄型的裝置是有機EL元 件的一個較大特征。上述有機EL元件被施加電壓后會發(fā)光，但當前的現(xiàn)狀則是一部分會轉(zhuǎn)換成熱能 (heat energy)，有機EL元件會因焦耳熱等而發(fā)熱。有機EL元件的發(fā)熱有時會導(dǎo)致亮度等 的發(fā)光特性的降低、或有機EL元件自身的劣化。會存在該有機EL元件的溫度越高，則越容 易引起有機EL元件劣化的傾向。而且，在使用期望得以實用化的有機EL裝置的照明裝置 等的情況下，必需進行驅(qū)動以產(chǎn)生高亮度，因此，如何從裝置中散熱成為重要的課題。因此， 研究了各種將有機EL元件產(chǎn)生的熱散放至元件外部的對策。作為改善散熱性的方法，提出了一部分構(gòu)件采用熱導(dǎo)性高的材料的方法(例如專 利文獻1等)。此外，提出了在有機EL元件的內(nèi)部構(gòu)造中的一部分設(shè)置散熱膜的方法(例 如專利文獻2等)。專利文獻1 日本專利特開2004-186045號公報專利文獻2 日本專利特開2006-244847號公報然而，即便在有機EL元件的內(nèi)部構(gòu)造的一部分、例如在發(fā)光層的側(cè)面或?qū)Ω髟?進行劃分的隔離壁部等上設(shè)置熱輻射層，但與包含發(fā)光層的層疊體部的接觸面積小，從而 僅設(shè)置熱輻射層時熱的傳遞效果并不充分。

發(fā)明內(nèi)容
在如上所述的狀況下，本發(fā)明的課題在于提供一種散熱性得到進一步提高的有機 EL元件。然而，由構(gòu)成有機EL元件的一對電極(即陽極與陰極)以及設(shè)置在這些電極之間 的發(fā)光層等所構(gòu)成的層疊體，是在基板上對各層進行層疊而形成的。對于基板而言，通用的 是玻璃，但一般而言，玻璃的熱導(dǎo)率較低，為lW/m · K，因此所產(chǎn)生的熱難以自玻璃的內(nèi)側(cè)傳 導(dǎo)至外側(cè)。而且，由于熱難以均勻地在玻璃中擴散，故而玻璃基板內(nèi)會產(chǎn)生熱分布不均勻， 從而導(dǎo)致有機EL元件或安裝該有機EL元件的裝置中，有時會產(chǎn)生亮度不均、壽命的經(jīng)時變 化等的特性產(chǎn)生差異的情況。因此，本發(fā)明者等人考慮采用在玻璃表面貼附熱導(dǎo)率高的板 等來作為熱對策，以達到使玻璃表面的溫度的分布均一化(均熱化)的目的。
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通過貼附熱導(dǎo)率高的板，能夠使玻璃基板所保有的熱擴散，以使玻璃基板的表面 溫度分布均熱化，從而可防止僅一部分溫度明顯較高而使得該部分提前劣化的情況，而關(guān) 于自元件自身向外界散熱的方面，也要求加以進一步改善。本發(fā)明中，在基板上設(shè)置由不僅熱導(dǎo)性優(yōu)異、散熱性也優(yōu)異的被膜或薄片等而形 成的層，由此大幅度提高從基板向外界的熱輻射，且成功地抑制了有機EL元件的溫度上 升。即，根據(jù)本發(fā)明，可提供一種具有下述構(gòu)成的有機EL元件以及安裝該有機EL元件的裝置。[1] 一種有機電致發(fā)光元件，其中，具備支撐基板、密封基板和層疊體，該層疊體包含一對電極和夾持在該電極間的 有機發(fā)光層，所述層疊體搭載在所述支撐基板上且由所述支撐基板及所述密封基板包圍而與 外界遮斷，在所述支撐基板的至少一個表面或所述密封基板的至少一個表面，設(shè)置有具有高 熱輻射性的層，所述具有高熱輻射性的層的熱輻射率為0. 70以上。[2]根據(jù)上述[1]所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述熱輻射率為0. 85以上。[3]根據(jù)上述[1]或[2]所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述具有高熱輻射性的層的熱導(dǎo)率為lW/mK以上。[4]根據(jù)上述[3]所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述熱導(dǎo)率為200W/mK以上。[5]根據(jù)上述[1] [4]中任一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述具有高熱輻射性的層含有黑色系材料。[6]根據(jù)上述[1] [5]中任一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述具有高熱輻射性的層是包含高熱導(dǎo)性層和黑色系材料層的兩層以上的層疊層。[7]根據(jù)上述[6]所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述高熱導(dǎo)性層是由下述材料或高熱導(dǎo)性的樹脂形成，所述材料選自由鋁、銅、 銀、陶瓷材料及選自鋁、銅、銀、陶瓷材料中的兩種以上的合金構(gòu)成的組中。[8]根據(jù)上述[1] [7]中任一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述支撐基板是玻璃基板，在該玻璃基板的至少一個表面設(shè)置有所述具有高熱輻 射性的層。[9]根據(jù)上述[8]所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述玻璃基板的與所述層疊體相反的一側(cè)的表面，設(shè)置有所述具有高熱輻射性的層。[10]根據(jù)上述[8]所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述玻璃基板的兩個表面，設(shè)置有所述具有高熱輻射性的層。[11]根據(jù)上述[8]所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述玻璃基板的外側(cè)的表面設(shè)置有所述具有高熱輻射性的層，并且，在所述玻璃基板的所述層疊體側(cè)的表面設(shè)置有具有高熱導(dǎo)性的層。[12]根據(jù)上述[1] [7]中任一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述密封基板是玻璃基板，在該玻璃基板的至少一個表面設(shè)置有所述具有高熱輻 射性的層。[13] —種顯示裝置，其中，安裝有上述[1] [12]中任一項所述的有機電致發(fā)光元件。[14] 一種照明裝置，其中，安裝有上述[1] [12]中任一項所述的有機電致發(fā)光元件。根據(jù)本發(fā)明，可提供一種構(gòu)造簡單、且散熱性優(yōu)異的有機EL元件以及裝置。


圖1是本發(fā)明的第一實施形態(tài)的有機EL元件的剖面圖。圖2是本發(fā)明的第二實施形態(tài)的有機EL元件的剖面圖。圖3-1是表示本發(fā)明的第三實施形態(tài)的剖面圖。圖3-2是表示本發(fā)明的第三實施形態(tài)的一變形例的剖面圖。圖3-3是表示本發(fā)明的第三實施形態(tài)的一變形例的剖面圖。圖3-4是表示本發(fā)明的第三實施形態(tài)的一變形例的剖面圖。圖3-5是表示本發(fā)明的第三實施形態(tài)的一變形例的剖面圖。圖3-6是表示本發(fā)明的第三實施形態(tài)的一變形例的剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的第四實施形態(tài)的剖面圖。圖5是表示驗證實驗裝置的側(cè)面的圖。圖6是表示驗證實驗裝置上載置的測試基板以及測定位置的平面圖。圖7-1是表示提供給實施測試例1的測試基板的剖面圖的圖。圖7-2是表示提供給實施測試例2的測試基板的剖面圖的圖。圖7-3是表示提供給實施測試例3的測試基板的剖面圖的圖。圖7-4是表示提供給比較測試例1的測試基板的剖面圖的圖。圖7-5是表示提供給比較測試例2的測試基板的剖面圖的圖。圖8是表示驗證實驗結(jié)果的圖。符號說明1、2、3A、3B、4A 有機 EL 元件10 支撐基板11 玻璃基板12 測試基板保持玻璃15 測試基板20 包含有機發(fā)光層的層疊體30、31 密封基板40 膠粘部(日文接著部)60,61 具有高熱輻射性的層63 由兩層構(gòu)成、且具有高熱導(dǎo)性以及高熱輻射性的層
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63a:黑色涂裝層63b 鋁層64 由三層構(gòu)成、且具有高熱導(dǎo)性以及高熱輻射性的層80 測試臺81 加熱板82:隔熱片83:導(dǎo)熱部(熱源、黃銅)84 溫度傳感器A K (圖6中)測定位置
具體實施例方式以下，一面參照附圖一面對本發(fā)明的實施形態(tài)進行說明。另外，為了便于理解，附 圖中的各構(gòu)件的縮小比例有時與實際情況不同。而且，本發(fā)明并非由以下描述所限定，在不 脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)可進行適當?shù)淖兏?。進而，有機EL裝置中也存在電極的引線等的 構(gòu)件，但在本發(fā)明的說明中由于不直接需要，故省略記載。1.有機EL元件<第一實施形態(tài)>一面參照圖1 一面對本發(fā)明的第一實施形態(tài)進行說明。圖1表示第一實施形態(tài)的 有機EL元件1(以下稱作“第一實施形態(tài)的元件”)的剖面圖。第一實施形態(tài)的元件是在支 撐基板10上形成包含有機發(fā)光層的層疊體20。層疊體20整體被密封基板30所覆蓋，密封 基板30與支撐基板10則利用膠粘部40得以密封。這樣，層疊體20與外界隔絕。在支撐 基板10的外側(cè)的表面、即與形成有層疊體20的一側(cè)相反的表面，設(shè)置有具有高熱輻射性的 層60。有機EL元件1使元件所產(chǎn)生的熱在基板內(nèi)擴散從而促進均熱化，并且也設(shè)置有熱 輻射機構(gòu)，從而更有效地使熱自支撐基板10向外界散逸。因此，比起僅由熱導(dǎo)性高的材料 來形成層，能夠更有效地向外界散熱，從而抑制元件的溫度上升的效果較大。而且，采用了 附設(shè)于支撐基板的構(gòu)成，有機EL元件的內(nèi)部構(gòu)造、例如包含有機發(fā)光層的層疊體或?qū)盈B 體進行劃分的間隔壁(Bank)等的構(gòu)造設(shè)計無需復(fù)雜化，而能夠形成構(gòu)造簡單的元件。< 基板 >作為構(gòu)成有機EL元件1的基板，有支撐基板10與密封基板30。在支撐基板10的 其中一面搭載有層疊體20。密封基板30覆蓋支撐基板10上的層疊體20，從而對元件進行 密封。作為構(gòu)成各基板的材料，可使用在形成電極等、形成有機物的層時不會變性的材料， 例如可使用玻璃、塑料、高分子薄膜、硅基板、金屬板、以及對這些進行層疊所得的物等。另 外，也可使用對塑料、高分子薄膜等實施低透水化處理所得的物。而且，對于基板而言，可使 用市售的基板，或者可通過眾所周知的方法來制造。支撐基板10的形狀較佳為具有能夠搭 載層疊體20的區(qū)域的平面狀的形狀。此外，密封基板30的形狀只要是能夠與支撐基板10 貼合以對層疊體20進行密封即可，如圖1所示可為箱形，或者也可為平板狀(未圖示)。有機EL元件1中可形成基板的元件，列舉了如上所述的材料，但就易于操作等的 觀點而言，較佳為玻璃基板。相反，玻璃基板是熱輻射性低的材料。本發(fā)明為了提高散熱性，而可較佳地適用于將玻璃基板等的熱輻射性低的材料用作基板的情況。<具有高熱導(dǎo)性以及高熱輻射性的層>具有高熱輻射性的層，較好的是由對于熱的兩種特性、即熱導(dǎo)性與熱輻射性雙方 均較高的材料所形成的層(以下有時稱作高熱導(dǎo)性·高熱輻射性層)。本說明書中，所謂熱 導(dǎo)，是指使熱自物體的高溫部轉(zhuǎn)移到低溫部，而不會發(fā)生物質(zhì)的移動或輻射所引起的能量 傳輸?shù)默F(xiàn)象(巖波理化學(xué)辭典、巖波書店、1998年、第5版)。此外，所謂熱輻射是指熱能作 為電磁波而自物體中散逸出來的現(xiàn)象、或者指該電磁波(巖波理化學(xué)辭典、同上)。熱輻射性高的材料的較好的熱輻射率例如可列舉0. 70以上，更好的可列舉0. 85 以上。就散熱觀點而言，熱輻射率的上限并未作特別規(guī)定。所謂熱輻射率，是指從某個溫 度的物質(zhì)表面輻射出的能量、與從相同溫度的黑體(blackbody) (100%吸收輻射所給予 的能量的假想物質(zhì))輻射出的能量的比率。熱輻射率可以按照傅立葉轉(zhuǎn)換紅外線分光法 (FT-IR)來測定。作為熱輻射性高的材料，可列舉黑色系材料，且較佳可使用黑色涂料的顏 料成分等。作為黑色系材料，例如可例示碳塑料、Ti02、Fe3O4等。作為熱導(dǎo)性高的材料的較好的熱導(dǎo)率，例如可列舉lW/mK以上，更好的可列舉 10ff/mK以上，尤其好的可列舉200W/mK以上。就散熱觀點而言，熱導(dǎo)率的上限并未作特別規(guī) 定。熱導(dǎo)率是指在單位時間內(nèi)通過物體內(nèi)部的等溫面的單位面積而垂直流動的熱量、與該 方向上的溫度梯度之比(巖波理化學(xué)辭典、同上)。熱導(dǎo)率例如可以根據(jù)美國材料試驗協(xié) 會 D5470 (American Society For Testing and D5470, ASTM D5470)的方法來測定。作為 熱導(dǎo)性高的材料，例如可列舉鋁、銅、銀、陶瓷材料、以及高熱導(dǎo)性的樹脂等。作為高熱導(dǎo)性 樹脂，可列舉環(huán)氧樹脂、三聚氰胺樹脂、丙烯酸樹脂等。高熱導(dǎo) 高熱輻射性層可形成為單層，也可為具有兩層以上的多個層的層。當設(shè) 為單層時，例如可列舉使高熱導(dǎo)性的微粒分散在樹脂材料中，并且混合黑色系的顏料，將該 樹脂材料涂布在基板上從而形成層等的形態(tài)。而且，作為包含多個層的高熱導(dǎo)·高熱輻射性層，例如，能夠以如下方式而形成 在高熱導(dǎo)性的薄片狀材料的一面或兩面涂布含有黑色系的顏料的涂料，從而制作使高熱導(dǎo) 性薄片上形成有高熱輻射性材料的被膜而成的復(fù)合薄片，并將該復(fù)合薄片貼合在基板上。 另外，作為其它形態(tài)，也可使用使高熱導(dǎo)性的薄片狀材料、與高熱輻射性的薄片狀材料貼合 而成的復(fù)合薄片。高熱導(dǎo)性層以及高熱輻射性層也可分別重疊多層而加以使用。在將薄片狀的高熱導(dǎo) 熱輻射層設(shè)置于基板時，也可使用膠粘劑來進行貼附加工。 當使用膠粘劑時，較佳可使用丙烯酸系膠粘劑或環(huán)氧系膠粘劑等熱導(dǎo)性高的膠粘劑。此外， 當使用玻璃基板時，就與玻璃的膠粘性也優(yōu)異的觀點而言，較佳可使用丙烯酸系膠粘劑等 的膠粘劑。作為包含有機發(fā)光層的層疊體20，一般可采用可作為有機EL元件而構(gòu)成的各種 形態(tài)。以下，對可用作包含有機發(fā)光層的層疊體20的層疊體的層構(gòu)造以及其形成方法等的 實施形態(tài)加以說明。搭載于有機EL元件的層疊體必需具有陽極、發(fā)光層及陰極，除此之外，可在上述 陽極與上述發(fā)光層之間、及/或上述發(fā)光層與上述陰極之間進而具有其它層。作為可設(shè)置在陰極與發(fā)光層之間的層，可列舉電子注入層、電子傳輸層、及空穴阻 擋層等。當設(shè)置有電子注入層及電子傳輸層兩者時，靠近陰極的層為電子注入層，而靠近發(fā)光層的層則為電子傳輸層。電子注入層是具有改善自陰極注入電子的效率的功能的層，電子傳輸層是具有改 善自陰極、電子注入層或更靠近陰極的電子傳輸層注入電子的功能的層。此外，當電子注入 層、或者電子傳輸層具有阻止空穴傳輸?shù)墓δ軙r，這些層有時會兼作空穴阻擋層。作為設(shè)置在陽極與發(fā)光層之間的層，可列舉空穴注入層、空穴傳輸層、及電子阻擋 層等。當設(shè)置有空穴注入層及空穴傳輸層兩者時，靠近陽極的層為空穴注入層，而靠近發(fā)光 層的層則為空穴傳輸層?？昭ㄗ⑷雽邮蔷哂懈纳谱躁枠O注入空穴的效率的功能的層，所謂空穴傳輸層，是 指具有改善自陽極、空穴注入層或更靠近陽極的空穴傳輸層注入空穴的功能的層。而且，當 空穴注入層、或空穴傳輸層具有阻止電子傳輸?shù)墓δ軙r，這些層有時會兼作電子阻擋層。另外，有時會將電子注入層及空穴注入層統(tǒng)稱為電荷注入層，將電子傳輸層及空 穴傳輸層統(tǒng)稱為電荷傳輸層，并將電子阻擋層及空穴阻擋層統(tǒng)稱為電荷阻擋層。更具體而言，有機EL元件可以具有下述層構(gòu)成中的任一個
a)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/‘電子注入層/陰極
b)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/‘陰極
C)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層丨‘陰極
d)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極
e)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/丨電子傳輸層/電子注入層丨‘陰極
f)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/1電子傳輸層/陰極
g)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/1電子注入層/陰極
h)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/ζ陰極
i)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/丨電子傳輸層/電子注入層/‘陰極
j)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/1電子傳輸層/陰極
k)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/1電子注入層/陰極
1)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/ζ陰極
m)陽極/發(fā)光層/電子傳輸層/丨電子注入層/陰極
η)陽極/發(fā)光層/電子傳輸層丨Z陰極
ο)陽極/發(fā)光層/電子注入層丨Z陰極
P)陽極/發(fā)光層/陰極
(此處，/表示各層相鄰接而層·h以下相同)。
上述層構(gòu)成的各例中，可在發(fā)光層與陽極之間插入電子阻擋層。而且，也可在發(fā)光
層與陰極之間插入空穴阻擋層。有機EL元件中發(fā)光層通常是設(shè)置一層，但并不限定于此，也可設(shè)置兩層以上的發(fā) 光層。此時，兩層以上的發(fā)光層可直接相鄰接而層疊，也可在這些層之間設(shè)置發(fā)光層以外的層。作為具有兩層發(fā)光層的有機EL元件，例如可列舉具有如下所示的層構(gòu)成的元件寸。q)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/電極/ 空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
此外，作為具有三層以上的發(fā)光層的有機EL元件，具體而言可列舉具有如下層構(gòu) 成的元件將電極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層作為一 個重復(fù)單位(以下“稱作重復(fù)單位A”)，且包含r)陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層/重復(fù)單 位A/重復(fù)單位A···/陰極、以及兩層以上的重復(fù)單位A。上述層構(gòu)成q及!·中，陽極、陰極、發(fā)光層以外的各層視需要可省略。此處，所謂電極，是指通過施加電場而產(chǎn)生空穴及電子的層。作為構(gòu)成該電極的材 料，例如可列舉氧化釩、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide 簡稱ΙΤΟ)、及氧化鉬等。有機EL元件為了放出來自發(fā)光層的光，通常使發(fā)光層中的任一側(cè)的層全部成為 能夠透射光的層。具體而言，例如在具有陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子 傳輸層/電荷注入層/陰極/密封構(gòu)件的構(gòu)成的有機EL元件的情況下，使陽極、電荷注入 層及空穴傳輸層全部能夠透射光、即作為所謂的底部發(fā)光型元件，或者使電子傳輸層、電荷 注入層、陰極及密封構(gòu)件全部能夠透射光、即作為所謂的頂部發(fā)光型元件。此外，在具有陰 極/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)光層/空穴傳輸層/空穴注入層/陽極/密封構(gòu)件的構(gòu) 成的有機EL元件的情況下，使陰極、電子注入層及電子傳輸層全部能夠透射光、即作為所 謂的底部發(fā)光型元件，或者使空穴傳輸層、空穴注入層、陽極及密封構(gòu)件全部能夠透射光、 即作為所謂的頂部發(fā)光型元件。此處，作為能夠透射光的元件，較好的是自發(fā)光層起直至放 出光的層為止的可見光透射率為30%以上的元件。在要求紫外線區(qū)域或紅外線區(qū)域的發(fā)光 的元件的情況下，較好的是在該區(qū)域具有30%以上的透射率的元件。有機EL元件中為了進一步提高與電極的密接性或改善自電極的電荷注入，也可 與電極相鄰接而設(shè)置膜厚為2mm以下的絕緣層，此外，為了提高界面的密接性或防止混合 等，也可在電荷注入層、電荷傳輸層、以及發(fā)光層中的至少一層的正上方插入較薄的緩沖 層。所層疊的層的順序及數(shù)量、以及各層的厚度，可參考發(fā)光效率及元件壽命而適當 地使用。接下來，對構(gòu)成有機EL元件的各層的材料及形成方法進行更具體的說明?！搓枠O〉作為有機EL元件的陽極，使用的是能夠透射光的透明電極，由于可構(gòu)成通過陽極 而發(fā)光的元件，故而較佳。作為該透明電極，可較佳地利用導(dǎo)電率高的金屬氧化物、金屬硫 化物或金屬薄膜這樣的透射率高的化合物，且可根據(jù)所使用的有機層來適當?shù)剡x擇使用。 具體而言，可使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ΙΤ0、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide 簡稱 ΙΖ0)形成的薄膜，或金、鉬、銀、銅、鋁、或至少含有一種以上的這些金屬的合金等。就高光透 射率、易于圖案化而言，較佳使由ΙΤΟ、ΙΖ0、氧化錫形成的薄膜來作為陽極。關(guān)于陽極的制 作方法，可列舉真空蒸鍍法(包含上述實施形態(tài)的電子束蒸鍍法)、濺射法、離子鍍法、電鍍 法等。而且，作為該陽極，也可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機透明導(dǎo)電 膜。此外，也可使用由如下混合物形成的薄膜來作為陽極，該混合物包含選自上述有機透明 導(dǎo)電膜中使用的材料、金屬氧化物、金屬硫化物、金屬、以及碳納米管等碳材料中的至少一 種以上。
陽極可以使用使光反射的材料，對于該材料而言，較好的是功函數(shù)為3. OeV以上 的金屬、金屬氧化物、金屬硫化物。陽極的膜厚可以考慮光的透射性及導(dǎo)電率而適當?shù)剡x擇，例如為5nm ΙΟμπι，較 好的是IOnm 1 μ m，尤其好的是20nm 500nm。〈空穴注入層〉空穴注入層可設(shè)置在陽極與空穴傳輸層之間、或陽極與發(fā)光層之間。作為構(gòu)成空 穴注入層的空穴注入層材料，并未作特別限制，可適當?shù)厥褂帽娝苤牟牧?。作為空穴?入層材料，例如可列舉苯胺系、星爆型胺系、酞菁系、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪 唑衍生物、具有氨基的噁二唑衍生物、及氧化釩、氧化鉭、氧化鎢、氧化鉬、氧化釕、氧化鋁等 氧化物、及無定型碳、聚苯胺、聚噻吩衍生物等。而且，此種空穴注入層的厚度較好的是5 300nm左右。當此種厚度小于上述下限值時，存在制造變得困難的傾向，另一方面，如果上述 厚度超過上述上限值，則存在驅(qū)動電壓、以及施加在空穴注入層的電壓變大的傾向?！纯昭▊鬏攲印底鳛闃?gòu)成空穴傳輸層的空穴傳輸層材料并未作特別限制，例如可列舉N，N' -二 苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)4，4' -二氨基聯(lián)苯(TPD)、NPB(4，4'-雙[N_(l_ 奈 基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯)等芳香族胺衍生物、聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生 物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三 苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚吡咯或其 衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物、或聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物寸。其中，空穴傳輸層所使用的空穴傳輸材料較好的是聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚 硅烷或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生 物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物、或聚(2， 5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物等高分子空穴傳輸材料，尤佳為聚乙烯基咔唑或其衍生 物、聚硅烷或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在低分子的空穴傳輸 材料的情況時，較好的是使該材料分散在高分子粘合劑中加以使用?？昭▊鬏攲拥某赡し椒ú⑽醋魈貏e限制。當使用低分子空穴傳輸材料時，例如可 列舉利用與高分子粘合劑的混合溶液來進行成膜的方法等。此外，當使用高分子空穴傳輸 材料時，例如可列舉利用溶液來進行成膜的方法等。作為利用溶液來成膜時所使用的溶劑，只要是使空穴傳輸材料溶解的溶劑即可， 并未作特別限制。作為該溶劑，例如可列舉氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃 等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮等酮系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁 酯、乙基溶纖劑醋酸酯等酯系溶劑。作為利用溶液的成膜方法，例如可使用利用溶液的旋涂法、澆鑄法、微凹版涂布 法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、狹縫涂布法、毛細管涂布法、噴 涂法、噴嘴涂布法等涂布法；凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、反向印刷 法、噴墨印刷法等印刷法等涂布法。就容易形成圖案的觀點而言，較好的是凹版印刷法、絲 網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、反向印刷法、噴墨印刷法等印刷法。當使用高分子粘合劑時，較好的是不會極度阻礙電荷傳輸?shù)母叻肿诱澈蟿?，且較
10佳使用對可見光的吸收不強的高分子粘合劑。作為該高分子粘合劑，例如可列舉聚碳酸酯、 聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等?？昭▊鬏攲拥暮穸炔⑽醋魈貏e限制，可根據(jù)所需設(shè)計而適當?shù)刈兏?，較好的是 1 IOOOnm左右。當此種厚度小于上述下限值時，存在制造變得困難、或無法充分獲得空穴 傳輸效果等的傾向，而另一方面，若上述厚度超過上述上限值，則存在驅(qū)動電壓以及施加于 空穴傳輸層的電壓變大的傾向?？昭▊鬏攲拥暮穸容^好的是2nm 500nm，更好的是5nm 200nm?！窗l(fā)光層〉發(fā)光層是含有發(fā)光材料的層，有機發(fā)光層是含有有機化合物作為發(fā)光材料的層。 通常，有機發(fā)光層中主要含有發(fā)出熒光或磷光的有機物(低分子化合物以及高分子化合 物)。另外，還可以含有摻雜劑材料。作為形成可用于本發(fā)明中的發(fā)光層的材料，例如可列 舉以下的色素系材料、金屬絡(luò)合物系材料、高分子系材料、以及摻雜劑材料等。[色素系材料]作為色素系材料，例如可列舉環(huán)戊丙甲胺(日文*夕π《 > 夕‘S > )衍生物、四 苯基丁二烯衍生物化合物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基 苯衍生物、聯(lián)苯乙烯亞芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩環(huán)化合物、吡啶環(huán)化合物、紫環(huán)酮衍生 物、茈衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。[金屬絡(luò)合物系材料]作為金屬絡(luò)合物系材料，例如可以列舉銥絡(luò)合物、鉬絡(luò)合物等具有來自三重激發(fā) 態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物、羥基喹啉鋁絡(luò)合物、苯并羥基喹啉鈹絡(luò)合物、苯并噁唑鋅絡(luò)合物、 苯并噻唑鋅絡(luò)合物、偶氮甲基鋅絡(luò)合物、嚇啉鋅絡(luò)合物、銪絡(luò)合物等。進而，作為金屬絡(luò)合物 系材料的其他例，可以列舉具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土金屬作為中心金屬并在配 體中具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉結(jié)構(gòu)等的金屬絡(luò)合物。[高分子系材料]作為高分子系材料，例如可列舉聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚對 亞苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、使上述色 素體或金屬絡(luò)合物系發(fā)光材料高分子化所得的化合物等。上述發(fā)光性材料中，作為發(fā)出藍色光的材料，例如可列舉二苯乙烯基亞芳基衍生 物、噁二唑衍生物、以及這些的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚對亞苯基衍生物、聚芴衍生 物等。其中，較好的是高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚對亞苯基衍生物及聚芴衍生物寸。而且，作為發(fā)出綠色光的材料，例如可列舉喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、及它 們的聚合物、聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚芴衍生物等。其中，較好的是高分子材料的聚 對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚芴衍生物等。此外，作為發(fā)出紅色光的材料，例如可列舉香豆素衍生物、噻吩環(huán)化合物、及它們 的聚合物、聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。其中，較好的是高分 子材料的聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。[摻雜劑材料]為了提高發(fā)光效率及改變發(fā)光波長等目的，也可在發(fā)光層中添加摻雜劑。作為此種摻雜劑，例如可列舉茈衍生物、香豆素衍生物、紅熒烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸菁衍 生物、嚇啉衍生物、苯乙烯系色素、并四苯衍生物、吡唑酮衍生物、十環(huán)烯、吩噁嗪酮等。另 外，此種發(fā)光層的厚度通常約為2nm 2000nm?！窗l(fā)光層的成膜方法〉作為含有有機物的發(fā)光層的成膜方法，可以使用將含有發(fā)光材料的溶液涂布在基 體之上或上方的方法、真空蒸鍍法、轉(zhuǎn)印法等。作為利用溶液來成膜時所使用的溶劑的具 體例，可列舉與利用上述溶液來使空穴傳輸層成膜時使空穴傳輸材料溶解的溶劑相同的溶 劑。作為將含有發(fā)光材料的溶液涂布在基體之上或上方的方法，例如可以使用旋涂 法、澆鑄法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、狹縫涂 布法、毛細管涂布法、噴涂法、噴嘴涂布法等涂布法；凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、 膠版印刷法、反向印刷法、噴墨印刷法等的印刷法等涂布法。就容易形成圖案及區(qū)分多種顏 色而言，較好的是凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、反向印刷法、噴墨印 刷法等的印刷法。此外，在升華性的低分子化合物的情況下，可使用真空蒸鍍法。進而，也 可使用如下方法通過利用激光或摩擦的轉(zhuǎn)印或者熱轉(zhuǎn)印，僅在所需處形成發(fā)光層?！措娮觽鬏攲印底鳛闃?gòu)成電子傳輸層的電子傳輸材料，可使用眾所周知的材料，例如可列舉噁二 唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四 氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、聯(lián)苯醌衍生物、 或8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴 或其衍生物等。其中，較好的是噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或8-羥基喹啉 或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，尤 其好的是2-(4_聯(lián)苯基)-5-(4_叔丁基苯基)-1，3，4_噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羥基喹 啉)鋁、聚喹啉。電子傳輸層的成膜法并未作特別限制。當使用低分子電子傳輸材料時，例如可以 列舉利用粉末的真空蒸鍍法、或者利用溶液或熔融狀態(tài)來成膜的方法。而且，當使用高分子 電子傳輸材料時，例如可以列舉利用溶液或熔融狀態(tài)來成膜的方法等。當利用溶液或熔融 狀態(tài)來成膜時，也可并用高分子粘合劑。作為利用溶液來使電子傳輸層成膜的方法，例如可 列舉與利用上述溶液來使空穴傳輸層成膜的方法相同的成膜法等。電子傳輸層的厚度并未作特別限制，可根據(jù)所需設(shè)計而適當?shù)刈兏?，較好的是 1 IOOOnm左右。當此種厚度小于上述下限值時，存在制造變得困難、或無法充分獲得空穴 傳輸效果等的傾向，另一方面，若上述厚度超過上述上限值，則存在驅(qū)動電壓以及施加至電 子傳輸層的電壓變大的傾向。電子傳輸層的厚度較好的是2nm 500nm，更好的是5nm 200nm?！措娮幼⑷雽印惦娮幼⑷雽釉O(shè)置在電子傳輸層與陰極之間、或發(fā)光層與陰極之間。作為電子注入 層，根據(jù)發(fā)光層的種類可以列舉堿金屬或堿土金屬，或者含有一種以上上述金屬的合金，或 者上述金屬的氧化物、鹵化物及碳酸化物，或者上述物質(zhì)的混合物等。作為堿金屬或其氧化物、鹵化物、碳酸化物，例如可以列舉鋰、鈉、鉀、銣、銫、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、氧 化鉀、氟化鉀、氧化銣、氟化銣、氧化銫、氟化銫、碳酸鋰等。此外，作為堿土金屬或其氧化物、 鹵化物、碳酸化物的示例，可列舉鎂、鈣、鋇、鍶、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟 化鋇、氧化鍶、氟化鍶、碳酸鎂等。進而，金屬、金屬氧化物、摻雜金屬鹽的有機金屬化合物、 以及有機金屬絡(luò)合物化合物、或這些的混合物也可用作電子注入層的材料。電子注入層也 可為層疊兩層以上所得的層。具體而言，可列舉LiF/Ca等。電子注入層可通過蒸鍍法、濺 射法、印刷法等來形成。作為電子注入層的膜厚較好的是Inm Ιμπι左右?！搓帢O材料〉作為陰極的材料，較好的是功函數(shù)小且容易向發(fā)光層注入電子的材料及/或?qū)щ?率高的材料及/或可見光反射率高的材料。金屬中例如可使用堿金屬或堿土金屬、過渡金 屬或第13族(ΙΙΙΑ族)金屬等。若舉出更具體的示例，可列舉鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、 鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿、金、銀、鉬、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫、或至少含 有一種以上這些金屬的合金、或石墨或者石墨層間化合物等。作為合金的示例，例如可列舉 鎂_銀合金、鎂_銦合金、鎂_鋁合金、銦_銀合金、鋰_鋁合金、鋰_鎂合金、鋰_銦合金、 鈣-鋁合金等。此外，可使用透明導(dǎo)電性電極來作為陰極，例如可使用導(dǎo)電性金屬氧化物或 導(dǎo)電性有機物等。具體而言，作為導(dǎo)電性金屬氧化物，可使用氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ΙΤ0, ΙΖ0，作為導(dǎo)電性有機物，可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等的有機透明導(dǎo)電 膜。另外，陰極也可為兩層以上的層疊結(jié)構(gòu)。此外，有時也使用電子注入層來作為陰極。陰極的膜厚可以考慮導(dǎo)電率及耐久性而適當?shù)剡x擇，例如為IOnm 10 μ m，較好 的是20nm 1 μ m，更好的是50nm 500nm。作為陰極的制作方法，可使用真空蒸鍍法(包含上述實施形態(tài)的電子束蒸鍍法)、 濺射法、化學(xué)氣相沈積(CVD)法、離子鍍法、激光消融法、以及對金屬薄膜進行壓接的層壓法等?！吹诙嵤┬螒B(tài)〉參照圖2對本發(fā)明的第二實施形態(tài)進行說明。圖2表示第二實施形態(tài)的有機EL 元件2 (以下稱作“第二實施形態(tài)的元件”)的剖面圖。圖2中，對與第一實施形態(tài)相同的構(gòu) 件標注與圖1相同的符號，以下主要說明與第一實施形態(tài)不同的方面。有機EL元件2中，在密封基板31的外側(cè)的表面、即與層疊體20相反側(cè)的表面，設(shè) 置有高熱輻射性層61。密封基板31使用玻璃基板或具有可塑性的薄片狀材料，且使密封基 板31與支撐基板10熔接。即，如有機EL元件2所示，也可將高熱導(dǎo) 高熱輻射性層61設(shè) 置在密封基板30側(cè)?！吹谌龑嵤┬螒B(tài)〉參照圖3-1 圖3-5對本發(fā)明的第三實施形態(tài)以及其變形例進行說明。圖3-1表 示第三實施形態(tài)的有機EL元件3A(以下有時稱作“第三實施形態(tài)的元件”)的剖面圖。圖 3-1中，對與第一實施形態(tài)相同的構(gòu)件標注與圖1相同的符號，以下主要對與第一實施形態(tài) 不同的方面進行說明。有機EL元件3A中，在支撐基板的外側(cè)的表面設(shè)置有高熱導(dǎo)·高熱輻射性層63。 高熱導(dǎo)·高熱輻射性層63由兩個層構(gòu)成。其中一個層是黑色涂裝層63a，另一個層是鋁層 63b。通過有機發(fā)光層的發(fā)熱而向支撐基板10傳導(dǎo)熱。當使用如玻璃基板這樣的熱導(dǎo)性低的材料來作為支撐基板10時，熱特別容易在支撐基板10中停滯。然而，在有機EL元件3A 中，通過將具有高熱導(dǎo)性的鋁層63b與支撐基板10相接觸而設(shè)置，能加快支撐基板10以及 鋁層63b中的熱分布的分散化，且有助于向支撐基板10的外部散熱。進而，鋁層63b的外 側(cè)表面設(shè)置有涂布黑色涂料所形成的黑色涂裝層63a，能夠促進傳遞至黑色涂裝層63a的 熱向外界的輻射。有機EL元件3A中，在支撐基板側(cè)設(shè)置有黑色涂裝層63a，因此是從密封 基板側(cè)進行采光的頂部發(fā)光型元件。將高熱導(dǎo)·高熱輻射性層63設(shè)置于支撐基板10的方法并未作特別限制，作為方 法的一例，可列舉如下形態(tài)在鋁薄片的其中一表面涂布黑色涂料，制作形成有黑色涂裝層 63a的薄片，使用膠粘劑(未圖示)等將該薄片膠粘在支撐基板10上。此外，作為其它形 態(tài)，可列舉預(yù)先將鋁蒸鍍在支撐基板10上，并在該鋁上涂布黑色涂料而形成黑色涂裝層的 形態(tài)。圖3-2表示作為第三實施形態(tài)的元件的一變形例的有機EL元件3B。有機EL元 件3A中僅在支撐基板10的其中一表面設(shè)置有高熱導(dǎo)·高熱輻射性層63，但有機EL元件 3B中，在支撐基板10的兩個表面設(shè)置有高熱導(dǎo) 高熱輻射性層63。這樣，通過在支撐基板 10的兩面設(shè)置高熱導(dǎo) 高熱輻射性層63，可使以層疊體20作為熱源的熱，更順暢地傳遞至 支撐基板10整體，從而可進一步提高熱分散性。圖3-2所示的示例中，支撐基板10與高熱 導(dǎo)·高熱輻射性層63是自層疊體20起朝向外側(cè)依次(圖式中是自層疊體20起朝向下方 依次)按照以下順序而構(gòu)成。(I)鋁層63b/黑色涂裝層63a/支撐基板10/黑色涂裝層63a/鋁層63b黑色涂裝層63a與鋁層63b的位置可根據(jù)電極形成等的設(shè)計上的情況等而進行變 更。例如，如圖3-3所示的變形例所示，支撐基板與高熱導(dǎo)·高熱輻射性層也可自層疊體 20 (未圖示)起依次按照以下順序而構(gòu)成。另外，以下圖3-3 圖3-5中，由于層疊體20等 的上部構(gòu)成與圖3-2相同，故省略說明。(II)黑色涂裝層63a/鋁層63b/支撐基板10/鋁層63b/黑色涂裝層63a進而，也 可按照下述(III)、(IV)以及(V)的順序來層疊(未圖示)。(III)黑色涂裝層63a/鋁層63b/支撐基板10/黑色涂裝層63a/鋁層63b(IV)鋁層63b/黑色涂裝層63a/支撐基板10/鋁層63b/黑色涂裝層63a(V)鋁層63b/黑色涂裝層63a/支撐基板10/黑色涂裝層63a/鋁層63b/黑色涂 裝層63a就散熱性的觀點而言，較好的是按照(V)所示的順序來層疊。圖3-4表示第三實施形態(tài)的元件的其它變形例。有機EL元件3B中，設(shè)置有包含 黑色涂裝層63a及鋁層63b兩層的高熱導(dǎo) 高熱輻射性層63，但圖3_4所示的變形例中，在 鋁層63b的兩面設(shè)置有黑色涂裝層63a。這樣，就能夠進一步提高散熱性方面而言，在兩面 設(shè)置黑色涂裝層63a的形態(tài)為一較佳形態(tài)。圖3-5表示第三實施形態(tài)的元件的其它變形例。圖3-5所示的變形例中，在支撐 基板10的層疊體側(cè)的表面(圖3-5中，支撐基板10的上表面)上，僅設(shè)置有鋁層63b。當 不期望在有機EL元件的內(nèi)面?zhèn)仍O(shè)置黑色涂裝層等的情況下，便采用上述構(gòu)成。圖3-6表示第三實施形態(tài)的元件的其它變形例。圖3-6所示的變形例中，在支撐 基板10的層疊體側(cè)主表面(圖3-6中，支撐基板10的上表面)上，設(shè)置有黑色涂裝層63a
14與鋁層63b。〈第四實施形態(tài)〉參照圖4對本發(fā)明的第四實施形態(tài)進行說明。圖4表示第四實施形態(tài)的有機EL 元件4A(以下稱作“第四實施形態(tài)的元件”)的剖面圖。圖4中，對與第三實施形態(tài)相同的 構(gòu)件標注與圖1相同的符號，以下主要對與第一實施形態(tài)不同的方面進行說明。有機EL元件4A中，高熱導(dǎo)·高熱輻射性層63不設(shè)置在支撐基板側(cè)，而是設(shè)置在 密封基板30的上表面。這樣，高熱導(dǎo) 高熱輻射性層63也可設(shè)置在密封基板側(cè)。有機EL 元件4A是從支撐基板10側(cè)進行采光的底部發(fā)光型元件。2.有機EL裝置本發(fā)明的有機EL裝置是搭載有一個或者兩個以上的上述有機EL元件的裝置。有 機EL裝置例如可以是面狀光源、分段式顯示裝置、點矩陣顯示裝置、液晶顯示裝置的背光 燈、照明裝置等。本發(fā)明的有機EL裝置的元件的散熱性優(yōu)異。因此，可獲得亮度不均少、且 經(jīng)時耐久性優(yōu)異的裝置。特別是由于照明裝置要求高亮度，故而強烈需要施加高電力，發(fā)熱 量也容易變大。因此，本發(fā)明的有機EL裝置特別適用于作為照明裝置。為了使用搭載有機EL元件的有機EL裝置而獲得面狀發(fā)光，只要將面狀的陽極與 陰極重合配置即可。此外，為了獲得圖案狀的發(fā)光，有如下方法在上述面狀的發(fā)光元件的 表面設(shè)置形成圖案狀窗口的掩模的方法；使非發(fā)光部的有機物層形成得非常厚而實現(xiàn)實質(zhì) 上非發(fā)光的方法；以及使陽極或陰極中的任一個電極或兩個電極形成為圖案狀的方法。通 過所述方法中的任一方法來形成圖案，并使若干電極以能夠獨立地0N/0FF的方式而配置， 由此可獲得能夠顯示數(shù)字或文字、簡單符號等的分段式顯示裝置。進而，為了獲得點矩陣元 件，可使用如下基板將陽極與陰極以均形成為條紋狀而正交的方式配置的無源矩陣用基 板；或者配置有薄膜晶體管且以像素單位來進行控制的有源矩陣用基板。進而，通過分開涂 布發(fā)光色不同的發(fā)光材料的方法、或者使用彩色濾光片或熒光轉(zhuǎn)換濾光片的方法，可進行 部分彩色顯示、多種色彩顯示。這些顯示元件可用作計算機、電視、移動終端、行動電話、汽 車導(dǎo)航、攝像機的取景器等的顯示裝置。進而，上述面狀的發(fā)光裝置為自發(fā)光薄型，可較佳地用作液晶顯示裝置的背光燈 用的面狀光源、或者面狀的照明用光源。此外，若使用撓性基板，也可用作曲面狀的光源或 顯示裝置。實施例以下，一面表示驗證實驗以及實施例，一面對本發(fā)明進行更詳細的說明，但本發(fā)明 并不限定于下述實施例等。驗證實驗是使用如圖5所示的測試裝置來進行的?？紤]到本發(fā)明實質(zhì)上并不依賴 于有機EL元件的層疊體部分的構(gòu)造，因此使用自制的點加熱器(point heater)作為熱源， 并使用玻璃、覆蓋熱輻射率較高的原材料的鋁薄片等來進行評價。如圖5所示，在測試臺80 上設(shè)置有加熱板81，并在其中央部設(shè)置有圓柱形狀的導(dǎo)熱部83。導(dǎo)熱部83為黃銅制，而 且，在導(dǎo)熱部83的側(cè)面外周部纏繞著隔熱薄片82。在導(dǎo)熱部83的上端部設(shè)置有測試基板 保持玻璃12。并且，在測試基板保持玻璃12上載置有作為被測試體的測試基板15。通過 溫度傳感器84，自測試基板15上表面部的上側(cè)開始測定溫度。自該測試基板15的上表面 部開始測定輻射熱。
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圖6表示載置在測試基板保持玻璃12上的測試基板15的平面圖。測試基板15 上所示的A K的符號，表示溫度傳感器84從上側(cè)開始的測定位置。另外，圖6是中央部 的虛線穿過位于測試基板保持玻璃12下方的導(dǎo)熱部83的上端面的圖。以此方式在中央部 設(shè)置熱源，來對測試基板15的其中一個角部到中央部為止、進而到對角的另一個角部為止 的多個位置進行測定，由此可測定出測試基板15的熱擴散性。各測試基板的評價是按照以下要領(lǐng)來進行的。首先，散熱效果是以最大溫度(測 試基板的中心部)的降低水平作為指標。具體而言，將比較測試例1(僅玻璃基板)中的測 試基板的最大溫度(中心部的溫度)設(shè)為最大溫度的最高值，并求出從其它測試基板的中 心部的最大溫度中減去該最高值的差。最大溫度越低、最大溫度的差在負側(cè)越大，則表示熱 輻射性越優(yōu)異。此外，均熱性(熱分散性)是將根據(jù)各測試基板內(nèi)的每個測定位置的溫度 所表示的溫度分布作為指標。測試基板內(nèi)的溫度分布中的不均勻越少，則表示均熱化越優(yōu)
已 升。<實施測試例1>實施測試例1中，使用圖7-1所示的測試基板。制作如下基板來作為實施測試例 1的測試基板在玻璃基板11 (厚度為0. 7mm)，設(shè)置有實施了熱輻射率高的黑色涂裝的高 熱導(dǎo)性鋁薄片、以及由用于使該鋁薄片膠粘在玻璃基板上的膠粘材料而構(gòu)成的薄片(神戶 制鋼公司制、商品名二 一乂 * 一本,·鋁(KS750)、熱導(dǎo)率230W/mK、熱輻射率0. 86)。因 此，實施測試例1的測試基板構(gòu)成為自測試基板保持玻璃12起，依次層疊玻璃基板11/鋁 層63b/黑色涂裝層63a而成的層疊體。加熱板的設(shè)定溫度是將比較測試例1的測試玻璃基板為90°C的溫度作為基準，設(shè) 定為達到該溫度后對測試基板進行加熱。測定點的溫度變化在士0.2°C的范圍內(nèi)的狀態(tài)下 則判斷溫度穩(wěn)定，并使用溫度傳感器84，對圖6所示的A K的位置測定溫度。<實施測試例2>使用圖7-2所示的基板來作為測試基板，除此以外，以與上述實施測試例1相同的 方式，對測試基板的熱輻射性以及均熱性進行測定。如圖7-2所示，實施測試例2的測試基 板中，在玻璃基板的兩面貼附有具有高熱導(dǎo)性以及高熱輻射性的層。即，實施測試例3的測 試基板構(gòu)成為自測試基板保持玻璃12側(cè)起，依次層疊黑色涂裝層63a/鋁層63b/玻璃基板 11/鋁層63b/黑色涂裝層63a而成的層疊體?！磳嵤y試例3>使用圖7-3所示的基板來作為測試基板，除此以外，以與上述實施測試例1相同的 方式，對測試基板的熱輻射性以及均熱性進行測定。如圖7-3所示，實施測試例3的測試基 板中，在玻璃基板的外面?zhèn)?形成有層疊體一側(cè)的相反側(cè))表面貼附有具有高熱導(dǎo)性及高 熱輻射性的層，另一方面，在內(nèi)面?zhèn)缺砻鎯H貼附有鋁薄片。因此，實施測試例3的測試基板 構(gòu)成為自測試基板保持玻璃12側(cè)起，依次層疊鋁層63b/玻璃基板11/鋁層63b/黑色涂裝 層63a而成的層疊體。<比較測試例1>使用圖7-4所示的基板來作為測試基板，除此以外，以與上述實施測試例1相同的 方式，對測試基板的熱輻射性以及均熱性進行測定。如圖7-4所示，使用玻璃基板11單體 作為比較測試例3的測試基板。
<比較測試例2>使用圖7-5所示的基板來作為測試基板，除此以外，以與上述實施測試例1相同的 方式，對測試基板的熱輻射性以及均熱性進行測定。如圖7-5所示，比較測試例2的測試基 板中，在玻璃基板11的形成有層疊體的一側(cè)的表面僅貼附有鋁薄片。因此，比較測試例2 的測試基板15構(gòu)成為自測試基板保持玻璃12開始依次層疊鋁層63b/玻璃基板11而成的 層疊體?！丛u價〉圖8以及表1表示以上的實施測試例1 3、以及比較測試例1及2的上述驗證實 驗結(jié)果。[表1]表1最大溫度以及最大一最小溫度差
權(quán)利要求
一種有機電致發(fā)光元件，其中，具備支撐基板、密封基板和層疊體，該層疊體包含一對電極和夾持在該電極間的有機發(fā)光層，所述層疊體搭載在所述支撐基板上且由所述支撐基板及所述密封基板包圍而與外界遮斷，在所述支撐基板的至少一個表面或所述密封基板的至少一個表面，設(shè)置有具有高熱輻射性的層，所述具有高熱輻射性的層的熱輻射率為0.70以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中， 所述熱輻射率為0. 85以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中， 所述具有高熱輻射性的層的熱導(dǎo)率為lW/mK以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光元件，其中， 所述熱導(dǎo)率為200W/mK以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中， 所述具有高熱輻射性的層含有黑色系材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述具有高熱輻射性的層是包含高熱導(dǎo)性層和黑色系材料層的兩層以上的層疊層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述高熱導(dǎo)性層是由下述材料或高熱導(dǎo)性的樹脂形成，所述材料選自由鋁、銅、銀、陶 瓷材料及選自鋁、銅、銀、陶瓷材料中的兩種以上的合金構(gòu)成的組中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述支撐基板是玻璃基板，在該玻璃基板的至少一個表面設(shè)置有所述具有高熱輻射性的層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述玻璃基板的與所述層疊體相反的一側(cè)的表面，設(shè)置有所述具有高熱輻射性的層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述玻璃基板的兩個表面，設(shè)置有所述具有高熱輻射性的層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述玻璃基板的與所述層疊體相反的一側(cè)的表面設(shè)置有所述具有高熱輻射性的層， 并且，在所述玻璃基板的所述層疊體側(cè)的表面設(shè)置有具有高熱導(dǎo)性的層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述密封基板是玻璃基板，在該玻璃基板的至少一個表面設(shè)置有所述具有高熱輻射性的層。
13.一種顯示裝置，其中，安裝有權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件。
14.一種照明裝置，其中，安裝有權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光元件，其具備支撐基板、密封基板和層疊體，該層疊體包含一對電極和夾持在該電極間的有機發(fā)光層，所述層疊體搭載在所述支撐基板上且由所述支撐基板及所述密封基板包圍而與外界遮斷，在所述支撐基板的至少一個表面或所述密封基板的至少一個表面，設(shè)置有具有高熱輻射性的層，所述具有高熱輻射性的層的熱輻射率為0.70以上。
文檔編號H05B33/02GK101982012SQ20098011087
公開日2011年2月23日 申請日期2009年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月31日
發(fā)明者佐佐修一 申請人:住友化學(xué)株式會社