專利名稱：用于非接觸性材料沉積的方法及系統(tǒng)的制作方法
用于非接觸性材料沉積的方法及系統(tǒng)
背景技術(shù)：
引入非接觸性沉積技術(shù)，如制造太陽(yáng)能電池中的噴墨印刷技術(shù)(inkjet printing)或噴霧劑分注技術(shù)(aerosol dispensing)、平板顯示器、薄膜晶體管(TFT)或印 刷電路的導(dǎo)入，使生產(chǎn)具有IOym或更小寬度的薄導(dǎo)電性接觸點(diǎn)成為可能。然而，減少導(dǎo) 線的寬度會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電性的減低。為了維持所期望的導(dǎo)電性，線的橫截面積(cross section area)應(yīng)維持不變，且應(yīng)通過(guò)將高度尺寸增大而彌補(bǔ)寬尺寸的順應(yīng)縮小，以產(chǎn)生更高的導(dǎo)線 的高寬比(aspect ratio)。技術(shù)上的挑戰(zhàn)在于以大量生產(chǎn)制造具有高的高寬比的高質(zhì)量窄 金屬化線。


說(shuō)明書的結(jié)論部分中特別指出或清楚主張視為本發(fā)明的主題。然而，當(dāng)解讀所附 加的圖式時(shí)，最佳可通過(guò)參考下列詳細(xì)的敘述而理解本發(fā)明的機(jī)構(gòu)和操作方法以及其目 的、特征和優(yōu)點(diǎn)，該圖式為如下圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種例示性印刷系統(tǒng)的圖式。圖2A和圖2B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的例示性印刷設(shè)置圖式。圖3為論證根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種印刷線的方法的例示性圖式。圖4顯示論證根據(jù)本發(fā)明的例示性實(shí)施例的一種印刷線的方法的時(shí)間軸圖式。應(yīng)理解為了圖式的簡(jiǎn)化性和清楚性，圖式中所示的元件并不需要按比例繪制。例 如為了清楚性，相對(duì)于其他元件，一些元件的尺寸可為過(guò)度放大。再者，在所認(rèn)定的適當(dāng)處， 可在圖式間重復(fù)附圖標(biāo)記以注明對(duì)應(yīng)或類似的元件。
具體實(shí)施例方式在下列詳細(xì)描述中，敘述了多個(gè)具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的詳盡理解。然而，本領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員將了解，無(wú)需這些具體細(xì)節(jié)即可實(shí)施本發(fā)明。在其他情況下，為了不要模 糊本發(fā)明，并未詳述眾所周知的方法、流程、組件、模塊、單元及/或電路。本發(fā)明的實(shí)施例可應(yīng)用于各種印刷系統(tǒng)和方法中。為了簡(jiǎn)化性和清楚性，非接觸 性材料沉積系統(tǒng)的例示性實(shí)施例和參考數(shù)據(jù)將主要應(yīng)用于使用噴墨系統(tǒng)進(jìn)行微電子、平板 顯示器以及太陽(yáng)能電池用的導(dǎo)電金屬線的制造。然而，本發(fā)明的范疇并不受此例示性實(shí)施 例所限制，而可應(yīng)用于其他沉積系統(tǒng)中，如噴霧沉積系統(tǒng)或分注器、以及其他應(yīng)用，如使用 任何適合的油墨或分注材料的繪圖、報(bào)紙、大眾傳播、包裝以及電子。本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種印刷線的方法，例如，通過(guò)非接觸性沉積方法所得到的 電導(dǎo)線。例如，該方法可包含由多個(gè)噴墨噴嘴在基片(諸如半導(dǎo)體晶片)上沉積材料(諸 如銀)，以印刷電導(dǎo)接觸線。該線可設(shè)計(jì)為具可滿足導(dǎo)電性要求的所期望的截面積。該截面 積在垂直于該線的長(zhǎng)度維度的平面內(nèi)。至于一些應(yīng)用(諸如，光電電池的前側(cè)用的金屬圖 案)，盡可能減少接觸線的寬度且通過(guò)放大線的高度而彌補(bǔ)所減低的導(dǎo)電性有利于提供更 高的高寬比。根據(jù)一些實(shí)施例，具有所期望的截面積及/或所期望的高度的多層線可通過(guò)
4將材料分注在至少兩層中來(lái)印刷。該層可在單次掃描中印刷，其中各層由一個(gè)或多個(gè)噴嘴 的對(duì)應(yīng)群組印刷，而且線中的層數(shù)量基于所期望的高度或截面積而決定。雖然在一些實(shí)施 例中，成列或成群組的噴嘴可與單一印刷頭聯(lián)系結(jié)合，但也可能是呈其他的型態(tài)(如本文 中所詳述)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，噴嘴群組可沿掃描方向設(shè)置。當(dāng)選擇性地從印刷單元的噴 嘴分注至印刷介質(zhì)(printing media)上時(shí)，標(biāo)示為X方向的掃描方向指材料在印刷制程中 印刷單元(印刷頭)與印刷介質(zhì)(基片)之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。該相對(duì)運(yùn)動(dòng)可通過(guò)下列過(guò)程達(dá) 成移動(dòng)印刷頭但同時(shí)使輸送器載有印刷介質(zhì)之的盤維持不動(dòng)，或通過(guò)移動(dòng)載有印刷介質(zhì) 的傳輸器但同時(shí)由停滯的印刷頭印刷，或通過(guò)移動(dòng)印刷頭和印刷介質(zhì)兩者。為了說(shuō)明上的 流暢性，以下以一種印刷頭為停滯的、且印刷介質(zhì)在輸送器上沿掃描方向移動(dòng)的系統(tǒng)和方 法加以闡釋，但熟悉本領(lǐng)域的人應(yīng)了解，本發(fā)明的實(shí)施例同樣地可應(yīng)用于印刷頭和印刷介 質(zhì)之間的其他形式的相對(duì)運(yùn)動(dòng)?，F(xiàn)參考圖1。圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的噴墨印刷系統(tǒng)的縱覽(high level) 圖式。此例示性系統(tǒng)標(biāo)示為系統(tǒng)100，其可使用材料沉積印刷技術(shù)，像是噴墨印刷或噴霧劑 沉積技術(shù)。印刷系統(tǒng)100可包含印刷設(shè)備105和印刷臺(tái)或平臺(tái)110。印刷平臺(tái)110可包含 水平表面以承載基片，諸如，半導(dǎo)體晶元。印刷設(shè)備105可包含如噴射印刷單元或具有多個(gè) 設(shè)置成為一列或多列的分注噴嘴116的印刷頭114。印刷頭可相對(duì)印刷臺(tái)110進(jìn)行設(shè)置，使 得該等列與掃描方向X平行。印刷臺(tái)110可包含可將基片或介質(zhì)125沿著掃描方向移動(dòng)但 同時(shí)印刷設(shè)備105維持停滯的輸送器。根據(jù)其他實(shí)施例，印刷設(shè)備105可沿掃描方向、沿橫 掃描方向⑴或沿X和Y方向移動(dòng)。系統(tǒng)100可進(jìn)一步包含控制器115，諸如微處理器以控制印刷制程。舉例而言，控 制器115可根據(jù)控制器中所儲(chǔ)存的印刷檔案中的信息，讓印刷單元105中的噴嘴在介質(zhì)125 上沉積材料，使得一條或多條具有所期望的高度的線在單次掃描中形成?？刂破?15可包 含儲(chǔ)存媒體，其上儲(chǔ)存有用于印刷過(guò)程的指令。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，系統(tǒng)100可包括加熱單元135以將印刷介質(zhì)加熱。例如， 可裝設(shè)加熱單元135或使其在印刷臺(tái)110內(nèi)，使加熱單元135能底部加熱印刷介質(zhì)以固化 (solidify)印刷層?？刂破?15可控制加熱單元135。如圖2A所示，印刷單元如單元202、203、204可沿著掃描方向設(shè)置，使作為單一印 刷單元的一部分的噴嘴可印刷對(duì)應(yīng)的線。例如，線252可由印刷單元202在三層中印刷， 其中對(duì)第一層使用第一噴嘴221，對(duì)第二層使用第二噴嘴222以及對(duì)第三層使用第三噴嘴 223。應(yīng)了解，各印刷單元可包含數(shù)百個(gè)噴嘴，且線的各層可由超過(guò)一個(gè)噴嘴印刷。根據(jù)其 他實(shí)施例，如圖2B所示，單元202、203、204可設(shè)置成與掃描方向垂直。因此，每一經(jīng)指定以 沿掃描方向作線印刷的噴嘴群組包含來(lái)自超過(guò)一個(gè)印刷單元的噴嘴。例如，線邪4可在三 層中印刷，其中第一層可由印刷單元204的噴嘴241印刷，第二層可由印刷單元203的噴嘴 231印刷，且第三層可由印刷單元202的噴嘴221印刷。同樣地可應(yīng)用其他印刷設(shè)置，而不 悖離本發(fā)明的范疇。現(xiàn)在參考圖3。圖3顯示論證根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種印刷線的方法的圖式。 介質(zhì)320可沿掃描方向X移動(dòng)。在單次掃描中，可使用如噴嘴311、312、313形成三層。第 一層341可通過(guò)噴嘴311而沉積于介質(zhì)320上。例如，可通過(guò)噴嘴311分注小滴345以形成層341的一部分。熟悉本領(lǐng)域的人將了解另外由噴嘴341或其他噴嘴沉積的小滴可形成 連續(xù)線。同樣地，噴嘴312可在層341上沉積第二層342，且噴嘴313可在層342上沉積第 三層343?？蓻Q定由噴嘴311在特定位置上沉積材料和由噴嘴312在相同的點(diǎn)或位置上沉積 材料之間的時(shí)間，以使第一層能干燥。此時(shí)間可通過(guò)介質(zhì)320所移動(dòng)的速率而控制。例如， 該速度可通過(guò)如從控制器115傳送至傳輸器110的命令加以控制，使得由噴嘴311沉積的 材料在達(dá)到由噴嘴312沉積材料的時(shí)間點(diǎn)時(shí)實(shí)質(zhì)上是干燥的。同樣地，由噴嘴312沉積的 材料在其位于噴嘴313下方時(shí)也是足夠干燥的，而另外的材料可因此由噴嘴313進(jìn)行適當(dāng) 沉積。根據(jù)一些實(shí)施例，可將在其上方沉積材料的介質(zhì)加熱，以促進(jìn)沉積的材料的干燥或硬 化，因而可沉積后續(xù)層。對(duì)介質(zhì)表面增加加熱可增加沉積的材料的液體組分的蒸發(fā)速率，而 且可減少沉積的材料在表面上的散布量(amount of spread) 0再者，噴嘴間的間距或距離 可設(shè)置成容許有所期望的干燥時(shí)間，例如，將噴嘴311和312放置成更分開可在由噴嘴312 沉積另外的材料之前，容許由噴嘴311沉積的材料有更多的干燥時(shí)間。進(jìn)一步參考圖4。圖4顯示論證根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的印刷具有三層的線的例示 性圖式。該圖式顯示印刷過(guò)程的時(shí)間軸(time line)，其起始于時(shí)間、。在時(shí)間、時(shí)，將屬 于第一層的單一小滴D1在印刷介質(zhì)如介質(zhì)320上沉積。在時(shí)間t2時(shí)，在介質(zhì)已沿掃描方向 X前進(jìn)之后，第一層包含均從噴嘴311分注的兩小滴；再者，第二層通過(guò)噴嘴312在小滴D1 上沉積小滴D2而印刷。如本文中所詳述，小滴D1的材料在沉積小滴D2之前固化。根據(jù)一 些實(shí)施例，可將其上沉積有材料的介質(zhì)加熱以促進(jìn)沉積的材料的干燥或硬化，因而可沉積 后續(xù)層。在時(shí)間t3時(shí)，在介質(zhì)已進(jìn)一步沿掃描方向X移動(dòng)之后，第一層包括均來(lái)自噴嘴311 的三小滴，第二層包括均來(lái)自噴嘴312的兩小滴，再者，第三層由噴嘴313在小滴&上沉積 小滴D3而印刷。該過(guò)程可開始直到時(shí)間t7為止，此時(shí)，由噴嘴313沉積屬于第三層的小滴 D4以形成包括三層的線。再參考制造光電電池用的金屬圖案的例示性實(shí)施例，其上印刷有導(dǎo)線的硅層可涂 布一抗反射涂覆，像是氮化硅或氧化鈦。該涂覆層也可稱為鈍化層(passivation layer) 0 沉積的材料可包含導(dǎo)電組件、表面穿透組件以穿透基片的上表面的鈍化層以及結(jié)合組件。 例如，沉積的材料可包括銀顆粒，因?yàn)閷?dǎo)電組件和小玻璃顆?；虿Ａ蹓K可協(xié)助銀穿過(guò)抗 反射涂覆。結(jié)合組件可包含可與表面(例如，氮化硅)在500至900°C的高溫進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的 添加物，諸如鉛、鉍、銻以及其他。該化學(xué)反應(yīng)可在導(dǎo)電材料和光電電池的底下硅層之間提 供良好接觸。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，將具有印刷于其上的導(dǎo)線的基片加熱至超過(guò)500°C的高 溫可將導(dǎo)線和基片結(jié)合，因而使該線不能與基片分離。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在通過(guò)單次掃描或者通過(guò)多重掃描以層接著層的方式印刷 線之后，將經(jīng)印刷的基片加熱至超過(guò)500°C的溫度，因而使經(jīng)印刷的線與基片的表面結(jié)合， 并且變得無(wú)法與基片分離。根據(jù)其他實(shí)施例，將表面加熱到600°C以上的溫度。根據(jù)實(shí)施例， 各層的材料使用如下面列出的在分注接續(xù)層之前就固化材料的光固化(photocuring)、 將材料的溫度冷卻至相變化點(diǎn)下、或加熱材料并且使揮發(fā)性組分從該材料揮發(fā)。就此而論， 術(shù)語(yǔ)固化也可包含獲得其中金屬顆粒彼此結(jié)合的連續(xù)線。加熱至500°C或600°C以上的溫度會(huì)造成玻璃燒結(jié)熔化并穿透鈍化層，因此使沉積材料內(nèi)的金屬顆?？膳c底下硅基片緊密 地結(jié)合。再者，加熱可造成金屬顆粒彼此相融，并且形成平滑的固體金屬線。熟悉本領(lǐng)域技 術(shù)的人將了解，即使銀塊的熔點(diǎn)為如1000°c以上，納米銀顆粒也可視顆粒大小而在500°C 以下就熔融。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，通過(guò)單次掃描或者通過(guò)多重掃描以層接著層的方式印 刷線的方法可包含在分注第一材料以制備導(dǎo)線之前，在基片上在與將印刷線的區(qū)域相鄰的 區(qū)域上(在該線的兩側(cè))沉積第二材料作為阻擋，以防止第一材料在基片上擴(kuò)散。阻擋可 為蠟基(waxed-based)材料，且也可在將印刷線的區(qū)域上沉積。在制造太陽(yáng)能電池時(shí)，這些 實(shí)施例可用于在硅晶片上印刷導(dǎo)線。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，在印刷導(dǎo)線之前，可將阻擋材料作為薄的涂覆印刷在 晶片(基片)的整個(gè)上表面。該涂覆材料可為作為用作導(dǎo)線材料的非潤(rùn)濕性(non-wetting) 材料。再者，為了在太陽(yáng)能電池的使用時(shí)不要阻擋陽(yáng)光，涂覆材料可為透太陽(yáng)輻射的，或者 可在高過(guò)500°C的溫度下?lián)]發(fā)或燃燒。此涂覆層可通過(guò)僅涂覆包含少數(shù)分子的薄膜層而變 成可透光。阻擋涂覆材料的非限定性實(shí)例為接近單分子層的二甲基硅氧烷或硅烷衍生物。本發(fā)明的一些實(shí)施例可在由基于處理器的系統(tǒng)執(zhí)行的軟件中施行。例如，本發(fā)明 的實(shí)施例可在程序代碼中實(shí)施，且可儲(chǔ)存于儲(chǔ)存媒體上，該儲(chǔ)存媒體具有儲(chǔ)存于其中的指 令，其可用以將系統(tǒng)程序化以執(zhí)行該指令。此儲(chǔ)存媒體可包括但并不限于下列任何一種盤 片軟盤、光盤、只讀光盤(CR-ROM)、可重寫光盤(⑶-RW)以及磁光盤、半導(dǎo)體裝置(諸如只 讀存儲(chǔ)器(ROM))、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)(諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器(DRAM))、可擦除可編程只 讀存儲(chǔ)器(EPROM)、閃存、電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、磁卡或光學(xué)卡、或任何 一種適合用于儲(chǔ)存電子指令的媒體(包括可程序化儲(chǔ)存裝置)。此系統(tǒng)可包含組件，例如但并不限于下面列出的多個(gè)中央處理器(CPU)或任何 其他適合的多用途或特定(multi-purpose or specific)的處理器或控制器、多個(gè)輸入單 元、多個(gè)輸出單元、多個(gè)記憶單元以及多個(gè)儲(chǔ)存單元。此系統(tǒng)可另外包含其他適合的硬件組 件及/或軟件組件。本發(fā)明的實(shí)施例可包含編碼、包含或儲(chǔ)存指令(例如，計(jì)算機(jī)執(zhí)行指令)的對(duì)象如 計(jì)算機(jī)或處理器可讀取媒介或計(jì)算機(jī)或處理器儲(chǔ)存媒體如存儲(chǔ)器、碟機(jī)、USB閃存，當(dāng)處理 器或控制器執(zhí)行指令時(shí)，該對(duì)象會(huì)實(shí)行本文中所公開的方法。除非明確敘述，本文中所公開的方法實(shí)施例并不限制于特定的順序或序列。另外， 一些所述的方法實(shí)施例或其元件可在相同的時(shí)間點(diǎn)或重迭的時(shí)間點(diǎn)發(fā)生或進(jìn)行。由現(xiàn)有技 術(shù)中已知，可執(zhí)行程序代碼區(qū)段(諸如功能、任務(wù)、子任務(wù)或程序)的執(zhí)行可稱為功能、程序 或其他組件的執(zhí)行。雖然本發(fā)明的實(shí)施例并不限于這方面，討論時(shí)所使用的術(shù)語(yǔ)，諸如，“處理”、“運(yùn) 算”、“計(jì)算”、“決定”、“建立”、“分析”、“檢查”等可指計(jì)算機(jī)、計(jì)算平臺(tái)、計(jì)算系統(tǒng)或其他電子 計(jì)算裝置的操作及/或過(guò)程，其將作為在計(jì)算機(jī)緩存器及/或內(nèi)存內(nèi)的實(shí)體(如電子)數(shù) 量表示的數(shù)據(jù)操作及/或轉(zhuǎn)換成其他同樣地由計(jì)算機(jī)緩存器及/或內(nèi)存內(nèi)的實(shí)體表示的數(shù) 據(jù)或其他可儲(chǔ)存指令以進(jìn)行操作及/或過(guò)程的信息儲(chǔ)存媒體。雖然本發(fā)明的實(shí)施例并不就這方面進(jìn)行限制，本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“復(fù)數(shù)個(gè) (plurality)”和“多個(gè)(a plurality) ”可包含例如“多個(gè)(multiple) ”或“兩個(gè)或更多”。術(shù)語(yǔ)“復(fù)數(shù)個(gè)(plurality)”和“多個(gè)(a plurality) ”可于說(shuō)明書全文中使用，以描述兩個(gè) 或多個(gè)組件、裝置、元件、單元、參數(shù)等。 雖然本文已闡釋和描述本發(fā)明的某些特征，對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的人而言，可發(fā)生許 多修改、置換、改變以及均等物。因此，所附加的權(quán)利要求應(yīng)理解為意欲涵蓋所有落入本發(fā) 明的真正精神內(nèi)的這樣的修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種印刷線的方法，該方法包括通過(guò)在單次掃描中將材料分注于至少兩層中，由多個(gè)噴嘴在基片上沉積材料而形成具 有所期望的截面積或所期望的高度的多層線，其中各層由不同的噴嘴印刷，而且所述線中 的層數(shù)基于所期望的截面積或高度決定。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述截面積垂直于所述線的長(zhǎng)度維度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述線沿掃描方向形成，且所述噴嘴沿所述掃描方 向設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述噴嘴以群組方式設(shè)置，而且每個(gè)所述群組形成 所述層之一。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述線沿掃描方向形成，且所述群組沿所述掃描方 向設(shè)置。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中每個(gè)所述群組包括所述噴嘴之一。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，包括加熱至少部分基片，使得在分注接續(xù)層之前固化每一層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述加熱將揮發(fā)性組分從所述材料中揮發(fā)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述線的至少一個(gè)所述層中，所述材料的小滴部 分地重疊。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中重疊的量是預(yù)先確定的以使所述線的寬度尺寸最 小化。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述材料為電導(dǎo)性，且所述基片為半導(dǎo)體晶片。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述材料為電導(dǎo)性或熱導(dǎo)性。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述噴嘴為單一印刷單元的部分。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，包括通過(guò)多個(gè)印刷單元印刷多條線，其中每條所述線通過(guò)各自的一個(gè)所述印刷單元，在單 次掃描中印刷至少兩層。
15.一種印刷線的非接觸性沉積方法，該方法包括由多個(gè)噴嘴在基片上逐層沉積材料而形成所期望的高度的線；在分注接續(xù)層之前固化每層材料；以及將具有印刷于其上的所述線的所述基片加熱至500°C以上的溫度，使得所述線與所述 基片不可分離。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中通過(guò)光固化所述材料、冷卻所述材料的溫度至相 變點(diǎn)之下、或從所述材料中揮發(fā)揮發(fā)性組分來(lái)完成固化。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中固化的材料為電導(dǎo)性或熱導(dǎo)性。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述基片為半導(dǎo)體晶片或電介質(zhì)材料。
19.一種由印刷單元的噴嘴印刷線的非接觸性沉積方法，該方法包括在基片上沉積第一材料而在與其上將印刷所期望高度的線的區(qū)域鄰近的區(qū)域上形成 阻擋，以防止第二材料在所述基片上擴(kuò)散；以及在所述阻擋之內(nèi)的區(qū)域上的所述基片上逐層沉積所述第二材料而形成所述線。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一材料的特點(diǎn)為不為所述第二材料潤(rùn)濕。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一材料為蠟基。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一材料是二甲基硅氧烷、二甲基硅烷或其 任意衍生物。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第二材料為電導(dǎo)性或熱導(dǎo)性。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述基片為半導(dǎo)體晶片或電介質(zhì)材料。
25.如權(quán)利要求20所述的方法，包括在所述基片上或在所述線下面沉積所述第一材料為涂覆層。
26.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一材料對(duì)太陽(yáng)輻射透明。
27.如權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括將具有印刷于其上的所述線的所述基片加熱至500°C以上的溫度，其中所述加熱從所 述基片上去除所述第一材料。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例關(guān)于一種印刷線的方法。該方法可包括通過(guò)在單次掃描中將材料分注于至少兩層中，以由多個(gè)噴嘴在基片上沉積材料而形成具有所期望的截面積或所期望的高度的多層線。各層可由不同的噴嘴印刷，而且線中的層數(shù)基于所期望的截面積或高度來(lái)決定。
文檔編號(hào)H05K3/12GK102113422SQ200980124169
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2009年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月24日
發(fā)明者哈南·國(guó)泰特, 歐范·巴哈拉夫, 邁克爾·道弗萊特, 阿克塞·班尼楚 申請(qǐng)人:迅捷有限公司