專利名稱：電路模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路模塊及其制造方法，更特定而言，涉及在基板上安裝電子元器件 的電路模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電路模塊及其制造方法相關(guān)聯(lián)的發(fā)明，已知有例如專利文獻(xiàn)1所記載 的電路模塊的制造方法。下面，參照附圖，對專利文獻(xiàn)1所涉及的電路模塊的制造方法進(jìn)行 說明。圖14是專利文獻(xiàn)1所記載的電路模塊500的制造方法的工序剖視圖。首先，如圖14(a)所示，在基板502上安裝電子元器件504。其次，如圖14(b)所 示，形成絕緣層506，以覆蓋基板502的主面和電子元器件504。接下來，如圖14(c)所示， 形成切槽508。此時，在切槽508的底部形成寬度比切槽508要窄的槽即前端部508a。接 下來，如圖14(d)所示，在絕緣層506上和切槽508內(nèi)涂布導(dǎo)電性樹脂，形成屏蔽層510。最 后，通過切割裝置，將基板502和屏蔽層510切削掉比前端部508a要寬的寬度W。由此，如 圖14(e)所示，將集合基板分割成獨立的電路模塊500。根據(jù)以上那樣的電路模塊500的制造方法，在形成屏蔽層510時，切槽508內(nèi)的空 氣滯留在前端部508a。而且，由于在分割電路模塊500時將前端部508a削掉，因此，可減 少介于基板502、絕緣層506與屏蔽層510之間的空氣。其結(jié)果是，提高屏蔽層510與基板 502、絕緣層506的密接性。然而，如圖14所示，形成有屏蔽層510的絕緣層506的主面是平坦的。若在這樣 平坦的絕緣層506上涂布糊狀的導(dǎo)電性樹脂，則會延伸得過薄。其結(jié)果是，在電路模塊500 的制造方法中，在屏蔽層510有可能產(chǎn)生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2008-42152號公報

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能減少在屏蔽層產(chǎn)生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺 陷區(qū)域的電路模塊及其制造方法。本發(fā)明的方式1所涉及的電路模塊的制造方法的特征在于，包括準(zhǔn)備母基板的 工序；在所述母基板的主面上安裝多個電子元器件的工序；以覆蓋所述母基板的主面和所 述多個電子元器件的方式形成絕緣體層的工序；對該絕緣體層進(jìn)行切削的工序，以在所述 絕緣體層的主面上形成凹凸，且使得該絕緣體層的厚度成為預(yù)定厚度；在所述絕緣層的主 面上涂布導(dǎo)電性樹脂以形成屏蔽層的工序；以及對形成有所述絕緣體層和所述屏蔽層的所 述母基板進(jìn)行分割以得到多個電路模塊的工序。本發(fā)明的方式2所涉及的電路模塊的特征在于，包括基板；安裝在所述基板的主 面上的電子元器件；覆蓋所述基板的主面和所述電子元器件、且在主面上設(shè)置有凹凸的絕 緣體層；以及由設(shè)置在所述絕緣體層的主面上的導(dǎo)電性樹脂構(gòu)成的屏蔽層。根據(jù)本發(fā)明，能減少在屏蔽層產(chǎn)生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域的情況。


圖1是本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電路模塊的外觀立體圖。圖2是沿圖1的電路模塊的A-A的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖3是電路基板的分解立體圖。圖4是制作電路模塊時的外觀立體圖。圖5是制作電路模塊時的外觀立體圖。圖6是制作電路模塊時的外觀立體圖。圖7是電路模塊的工序剖視圖。圖8是制作電路模塊時的外觀立體圖。圖9是電路模塊的工序剖視圖。圖10是制作電路模塊時的外觀立體圖。圖11是電路模塊的工序剖視圖。圖12是變形例所涉及的電路模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖13是變形例所涉及的電路模塊的工序剖視圖。圖14是專利文獻(xiàn)1所記載的電路模塊的制造方法的工序剖視圖。
具體實施例方式下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式所涉及的電路模塊及其制造方法進(jìn)行說明。(電路模塊的結(jié)構(gòu))下面，參照附圖，對本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電路模塊的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖 1是本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電路模塊10的外觀立體圖。但是，圖1是透視一部分 來圖示的，從而能理解其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖2是沿圖1的電路模塊10的A-A的剖視結(jié)構(gòu)圖。下 面，在大體成長方體形狀的電路模塊10中，將高度方向定義為ζ軸方向。此外，將沿ζ軸方 向俯視時的短邊方向定義為χ軸方向，將長邊方向定義為y軸方向。χ軸、y軸、以及ζ軸相 互正交。如圖1所示，電路模塊10具有電路基板12、電子元器件14a、14b、絕緣體層16、以 及屏蔽層18。電路基板12是內(nèi)置電路、且具有外部電極的印刷基板。下面，參照圖3，說明 電路基板12的結(jié)構(gòu)。圖3是電路基板12的分解立體圖。電路基板12是所謂的多層印刷基板，包含絕緣體層30a 30d、外部電極32、34、 38、40、布線36、以及過孔導(dǎo)體Vl V10、接地導(dǎo)體G，在ζ軸方向的正方向側(cè)具有主面Si。 在圖3中，關(guān)于外部電極32、34、38、40、布線36、以及過孔導(dǎo)體Vl V10，僅對代表性部分標(biāo)
注參考標(biāo)號。絕緣體層30a 30d成長方形形狀，由環(huán)氧玻璃等構(gòu)成。另外，絕緣體層30a 30d 也可由陶瓷構(gòu)成。下面，將絕緣體層30a 30d的ζ軸方向的正方向側(cè)的主面稱為表面，將 絕緣體層30a 30d的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱為背面。在絕緣體層30a的表面設(shè)置16個外部電極32。在外部電極32上安裝有電子元器 件14a。在絕緣體層30a的表面設(shè)置4個外部電極34。在外部電極34上安裝有電子元器 件 14b。
過孔導(dǎo)體Vl設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層30a，在ζ軸方向的正方向側(cè)的端部 與外部電極32相連接。過孔導(dǎo)體V2設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層30a，在ζ軸方向的正 方向側(cè)的端部與外部電極34相連接。接地導(dǎo)體G是覆蓋絕緣體層30b的表面的大體整個表面的導(dǎo)體層。所以，如圖3 所示，接地導(dǎo)體G與絕緣體層30b的四條邊相接。但是，在接地導(dǎo)體G上設(shè)置有空白部Bi、 B2，該空白部B1、B2沒有設(shè)置導(dǎo)體層。過孔導(dǎo)體V4、V5設(shè)置成分別在沿ζ軸方向俯視時、與 空白部Bi、Β2重疊的位置沿ζ軸方向貫穿絕緣體層30b。由此，過孔導(dǎo)體V4、V5與接地導(dǎo) 體G絕緣。過孔導(dǎo)體V4、V5的ζ軸方向的正方向側(cè)的端部分別與在沿ζ軸方向俯視時重疊 的過孔導(dǎo)體VI、V2相連接。此外，與過孔導(dǎo)體V4、V5相連接的過孔導(dǎo)體V1、V2以外的過孔 導(dǎo)體V1、V2的負(fù)方向側(cè)的端部與接地導(dǎo)體G相連接。過孔導(dǎo)體V3、V6設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層30b，在ζ軸方向的正方向側(cè)的 端部與接地導(dǎo)體G相連接。此外，過孔導(dǎo)體V3、V6分別設(shè)置在沿ζ軸方向俯視時與過孔導(dǎo) 體V1、V2重疊的位置。過孔導(dǎo)體V7設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層30c，在ζ軸方向的正方向側(cè)的端部 與過孔導(dǎo)體V3或過孔導(dǎo)體V4相連接。此外，過孔導(dǎo)體V8設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層 30c，在ζ軸方向的正方向側(cè)的端部與過孔導(dǎo)體V5或過孔導(dǎo)體V6相連接。布線36設(shè)置于絕緣體層30c的表面，將過孔導(dǎo)體V7彼此之間或過孔導(dǎo)體V7、V8 之間連接。過孔導(dǎo)體V9設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層30d，在ζ軸方向的正方向側(cè)的端部 與過孔導(dǎo)體V7相連接。此外，過孔導(dǎo)體VlO設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層30d，在ζ軸方 向的正方向側(cè)的端部與過孔導(dǎo)體V8相連接。在絕緣體層30d的背面設(shè)置16個外部電極38。外部連接38與過孔導(dǎo)體V9的ζ 軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部相連接。此外，在絕緣體層30d的背面設(shè)置4個外部電極40。外 部連接40與過孔導(dǎo)體VlO的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部相連接。在將電路基板12安裝在 母板上時，外部電極38、40與母板的外部電極相連接。而且，對與接地導(dǎo)體G電連接的外部 電極38、40施加接地電位。另外，對于電路基板12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，由于除設(shè)置有接地導(dǎo)體G這一點以外，不是特 別重要，因此，省略進(jìn)一步的說明。但是，電路基板12例如也可內(nèi)置電容器、線圈、微帶線寸。電子元器件14a例如是半導(dǎo)體集成電路，像圖1和圖2所示的那樣，安裝在電路基 板12的主面Sl上。在電子元器件14a的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面上設(shè)置有多個(例如 16個)外部電極(未圖示)，通過焊料等與圖3的外部電極32相連接。電子元器件14b例如是噪聲濾波器等貼片型電子元器件，像圖1和圖2所示的那 樣，安裝在電路基板12的主面Sl上。在電子元器件14b的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面上 設(shè)置有多個(例如4個)外部電極(未圖示)，通過焊料等與圖3的外部電極34相連接。絕緣體層16由絕緣性樹脂(例如環(huán)氧樹脂)形成，像圖1和圖2所示的那樣，覆 蓋電路基板12的主面Sl和電子元器件14a、14b。絕緣體層16起到如下作用保護電路基 板12的主面Sl和電子元器件14a、14b，并且，將電子元器件14a、14b與后述的屏蔽層18絕 緣。
而且，在位于絕緣體層16的ζ軸方向的正方向側(cè)的主面S2上設(shè)置有凹凸。更詳 細(xì)而言，凹凸由沿y軸方向延伸的多個槽20和多個突起22形成。槽20和突起22設(shè)置成 在χ軸方向交替排列。此外，多個槽20像圖2所示的那樣，在與y軸方向垂直的截面具有 相同形狀，多個突起22像圖2所示的那樣，在與y軸方向垂直的截面形成相同形狀。而且， 多個槽20和多個突起22在χ軸方向等間隔排列。即，在主面S2上設(shè)置有具有周期性結(jié)構(gòu) 的凹凸。另外，在圖1和圖2中，為了易于理解凹凸的情況，將槽20和突起22的起伏畫得 比實際要夸張。屏蔽層18由設(shè)置在絕緣體層的主面S2上的導(dǎo)電性樹脂形成。由于屏蔽層18具 有較薄的膜厚，因此，在屏蔽層18的主面上形成與絕緣體層16的主面的凹凸相仿的凹凸。 此外，屏蔽層18覆蓋絕緣體層16的位于χ軸方向兩側(cè)的側(cè)面。此外，屏蔽層18覆蓋電路基板12的位于χ軸方向兩側(cè)的部分側(cè)面。具體而言，在 電路基板12的主面Sl的χ軸方向的兩側(cè)，設(shè)置有像圖1和圖2所示那樣的高低差。即，通 過將主面Sl的χ軸方向的兩側(cè)的一部分削掉，來形成像圖2所示那樣的面S4、S5，該面S4、 S5位于主面Sl的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)，且朝著ζ軸方向的正方向側(cè)。面S4位于χ軸方向 的負(fù)方向側(cè)，面S5位于χ軸方向的正方向側(cè)。此外，形成面S6來連接主面Sl和面S4，并 且，形成面S7來連接主面Sl和面S5。面S6、S7是與χ軸方向正交的面。另外，在面S6與 絕緣體層16的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的側(cè)面之間處于不存在高低差的一個面的狀態(tài)。同樣 地，在面S7與絕緣體層16的χ軸方向的正方向側(cè)的側(cè)面之間處于不存在高低差的一個面 的狀態(tài)。如圖2所示，接地導(dǎo)體G從這些面S6、S7露出。而且，屏蔽層18覆蓋面S4 S7。 由此，屏蔽層18與接地導(dǎo)體G相連接。即，對接地導(dǎo)體G施加接地電位。其結(jié)果是，屏蔽層 18防止噪聲輻射到電路模塊10外、或噪聲侵入到電路模塊10內(nèi)。(電路模塊的制造方法)下面，參照

電路模塊10的制造方法。圖4至圖6、圖8、以及圖10是制作 電路模塊10時的外觀立體圖。圖7、圖9、以及圖11是電路模塊10時的工序剖視圖。首先，準(zhǔn)備圖4所示的母基板112。母基板112是將多個電路基板12配置成矩陣 狀的集合基板。在圖4中，排列M個電路基板12。另外，母基板112可通過制作來準(zhǔn)備，也 可通過購買成品來準(zhǔn)備。另外，由于母基板112是一般的基板，因此，省略對其制造方法的 說明。接下來，如圖4所示，在母基板112的主面Sl上安裝多個電子元器件14a、14b。具 體而言，通過點劃線將母基板112劃分成多個電路基板12。在圖4的點劃線中，沿χ軸方向 延伸的點劃線是切割線CLx，沿y軸方向延伸的點劃線是切割線CLy。切割線CLx、CLy表示 母基板112的分割線。然后，在各電路基板12的主面Sl上各將一個電子元器件14a、14b 進(jìn)行焊料安裝。接下來，如圖5所示，形成絕緣體層116以覆蓋母基板112的主面Sl和多個電子 元器件14a、14b。具體而言，通過涂布器(dispenser)在母基板112的主面Sl和多個電子 元器件14a、14b上涂布絕緣性樹脂。然后，將絕緣性樹脂加熱，使其硬化。接下來，如圖6和圖7所示，對絕緣體層116進(jìn)行切削，以在絕緣體層116的主面 S2上形成凹凸，且使得絕緣體層116的厚度成為預(yù)定厚度H。在本實施方式中，如圖7所示，在絕緣體層116的主面S2上形成沿y軸方向延伸的多條槽20和多條突起22。而且，如圖 7所示，多條槽20的間隔L2和多條突起22的間隔L2小于電路模塊10在χ軸方向的寬度 Li。進(jìn)一步具體地說明對絕緣體層116的切削。在切削絕緣體層116的工序中，如圖 6所示，在絕緣體層116的主面S2上使切割機Dl朝y軸方向的負(fù)方向側(cè)移動。之后，將切 割機Dl朝χ軸方向的正方向側(cè)挪動。然后，在絕緣體層116的主面S2上，使切割機Dl朝 y軸方向的負(fù)方向側(cè)移動。通過重復(fù)該工序，對絕緣體層116的主面S2的整個表面進(jìn)行切 削。這里，如圖7所示，切割機Dl的切削面F具有凹凸，具體而言，具有凸部Fl和凹部 F2。凸部Fl朝ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)相對突出，凹部F2朝ζ軸方向的正方向側(cè)相對凹陷。而 且，凹部F2位于凸部Fl的χ軸方向的正方向側(cè)。切割機Dl的切削面F具有這種結(jié)構(gòu)的理 由如下。切割機Dl的切削面F在新品的狀態(tài)下是平坦的。然而，切割機Dl如上述那樣，朝 y軸方向的負(fù)方向側(cè)移動，且朝χ軸方向的正方向側(cè)挪動。因而，切割機Dl在最開始切削 絕緣體層116時，與絕緣體層116的主面S2的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊相接觸。此時，切 割機Dl并非以整個切削面F與絕緣體層116相接觸，而以位于χ軸方向的負(fù)方向側(cè)的凹部 F2與絕緣體層116相接觸。因此，凹部F2比凸部Fl更先磨損。其結(jié)果是，如圖7所示，切 削面F具有凸部Fl和凹部F2。在通過具有上述那樣的切削面F的切割機Dl來切削絕緣體層116時，用凸部Fl 對絕緣體層116相對多削掉一點而形成槽20。此外，用凹部F2對絕緣體層116相對少削掉 一點而形成突起22。此外，如圖7所示，切割機Dl在χ軸方向的寬度L4小于電路模塊10在χ軸方向 的寬度Li。由此，對電路模塊10形成具有周期性結(jié)構(gòu)的多條槽20和多條突起22。此外， 如圖7所示，將切割機Dl朝χ軸方向的正方向側(cè)挪動的寬度L3小于切割機Dl在χ軸方向 的寬度L4。由此，切割機Dl通過絕緣體層116的主面S 1的區(qū)域有重復(fù)。由此，防止殘留 未切削絕緣體層116的區(qū)域。另外，在圖7中，絕緣體層116的厚度H是從母基板112的主面Sl到絕緣體層116 的主面S2的距離的平均值。接下來，如圖8所示，利用具有比切割機Dl要窄的寬度的切割機D2，形成沿y軸 方向延伸的多個槽42。具體而言，沿圖6的切割線CLy，使切割機D2朝y軸方向的負(fù)方向 側(cè)行進(jìn)。這時，如圖9所示，以槽42的底面未到達(dá)母基板112的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的主 面、且比接地導(dǎo)體G更位于ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的方式形成槽42。由此，在槽42的內(nèi)周面 露出接地導(dǎo)體G。接下來，如圖10和圖11所示，在絕緣體層116的主面S2上和槽42的內(nèi)周面涂布 導(dǎo)電性樹脂，形成屏蔽層118。通過旋涂法來涂布導(dǎo)電性樹脂。具體而言，在旋轉(zhuǎn)臺上配置 母基板112，并使母基板112以預(yù)定角速度旋轉(zhuǎn)。然后，將漿料狀的導(dǎo)電性樹脂滴下到絕緣 體層116的中心。由此，導(dǎo)電性樹脂因離心力而較薄地擴展到絕緣體層116的整個主面S2。 此時，導(dǎo)電性樹脂滯留在槽20內(nèi)，或被突起22掛住，同時慢慢地擴展到絕緣體層116的整 個主面S2。由此，防止導(dǎo)電性樹脂過度延伸、而在屏蔽層118上產(chǎn)生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域。之后，使屏蔽層118硬化。另外，在屏蔽層118的主面S3上形成與主面S2的凹 凸相仿的凹凸。接下來，對形成有絕緣體層116和屏蔽層118的母基板112進(jìn)行分割，得到多個電 路模塊10。具體而言，使具有比切割機D2的寬度要窄的寬度的切割機沿切割線CLx、CLy行 進(jìn)，對母基板112進(jìn)行切割。經(jīng)過以上的工序，完成圖1和圖2所示的電路模塊10。(效果)根據(jù)以上那樣的電路模塊10及其制造方法，能減少在屏蔽層18上產(chǎn)生沒有涂布 導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域。更詳細(xì)而言，在專利文獻(xiàn)1所記載的電路模塊500的制造方法中， 如圖14所示，形成有屏蔽層510的絕緣層506的主面是平坦的。若在這樣平坦的絕緣層 506上涂布糊狀的導(dǎo)電性樹脂，則會過薄地延伸。其結(jié)果是，在電路模塊500的制造方法中， 在屏蔽層510上有可能產(chǎn)生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域。另一方面，在電路模塊10及其制造方法中，在絕緣體層116的主面S2上形成凹凸 (槽20和突起2 。因此，例如在通過旋涂法將導(dǎo)電性樹脂涂布在絕緣體層116的主面S2 上時，導(dǎo)電性樹脂被凹凸掛住，并擴展到整個主面S2。因此，減少導(dǎo)電性樹脂過度延伸、而在 屏蔽層118上產(chǎn)生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域。此外，在電路模塊10及其制造方法中，根據(jù)以下理由也能減少產(chǎn)生缺陷區(qū)域。更 詳細(xì)而言，若槽20和突起22的間隔過寬，則導(dǎo)電性樹脂有可能過分延伸。因此，在電路模 塊10及其制造方法中，如圖7所示，切割機Dl在χ軸方向的寬度L4小于電路模塊10在χ 軸方向的寬度Li。此外，將切割機Dl沿χ軸方向挪動的寬度L3小于切割機Dl在χ軸方向 的寬度L4。由此，在一個電路基板12上形成多條槽20和突起22。其結(jié)果是，防止槽20和 突起22的間隔過寬而導(dǎo)致導(dǎo)電性樹脂過分延伸，減少產(chǎn)生缺陷區(qū)域。此外，在電路模塊10及其制造方法中，像下面所說明的那樣，減少在電子元器件 14a、14b與電路基板12之間產(chǎn)生斷路的情況。更詳細(xì)而言，在電路模塊10及其制造方法 中，切割機Dl在χ軸方向的寬度L4小于電路模塊10在χ軸方向的寬度Li。這樣，若利用 較窄寬度的切割機Dl對絕緣體層116進(jìn)行切削，則對絕緣體層116的每單位時間的切削量 較少。因此，在對絕緣體層116進(jìn)行切削時給母基板112施加的負(fù)荷較小。其結(jié)果是，減少 在對絕緣體層116進(jìn)行切削時對母基板112施加負(fù)荷、而在母基板112與電子元器件14a、 14b之間產(chǎn)生斷路的情況。(變形例)下面，參照附圖，對變形例所涉及的電路模塊及其制造方法進(jìn)行說明。圖12是變 形例所涉及的電路模塊IOa的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖13是變形例所涉及的電路模塊IOa的工序 剖視圖。電路模塊IOa與電路模塊10的不同之處在于絕緣體層16的主面S2的凹凸形狀 不同。這是由于電路模塊IOa的制造方法中的切割機D1’與電路模塊10的制造方法中的 切割機D1不同。下面，以所述不同點為中心進(jìn)行說明。如圖2和圖12所示，電路模塊IOa的絕緣體層16的主面S2具有比電路模塊10 的絕緣體層16的主面S2要小的凹凸。這是由于在電路模塊IOa的制造方法中，作為切割 機D1’是使用用于切削金屬的較大的切割機。更詳細(xì)而言，由于切割機D1’是用于切削金 屬的切割機，因此，與切割機Dl相比，具有較高的硬度。所以，與切割機Dl相比，由于切割機D1’不易磨損，因此，不會具有切割機Dl那樣的凸部Fl和凹部F2。取而代之，切割機D1’ 即使處于沒有磨損的狀態(tài)，也具有較粗的切削面F’。而且，在電路模塊IOa的制造方法中， 利用該切削面F’在絕緣體層116的主面S2上形成凹凸(槽120和突起12 。由此，能在 電路模塊IOa的絕緣體層16的主面S2上，得到比電路模塊10的絕緣體層16的主面S2要 小的凹凸。根據(jù)以上那樣的電路模塊IOa及其制造方法，由于絕緣體層16的主面S2的凹凸 變小，因此，容易利用屏蔽層18填充主面S2的凹凸。其結(jié)果是，屏蔽層18的主面S3形成 平坦面。即使是這種較大的切割機D1’，通過利用表面較粗的切割機D1’，也能在絕緣體層 16的主面上形成凹凸，減少產(chǎn)生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域。另外，在電路模塊10的制造方法中，也可利用具有平坦的切削面F的切割機D1，對 絕緣體層116的主面S2進(jìn)行切削。但是，在該情況下，為了在絕緣體層116的主面S2上形 成凹凸，需要改變切割機Dl對絕緣體層116的切入深度。工業(yè)上的實用性本發(fā)明可用于電路模塊及其制造方法，特別是其優(yōu)點在于，能減少在屏蔽層上產(chǎn) 生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域的情況。標(biāo)號說明F、F，切削面Fl 凸部F2 凹部G接地導(dǎo)體Sl S3 主面IOUOa 電路模塊12電路基板14a、14b 電子元器件16、116絕緣體層18、118 屏蔽層20、42、120 槽22、122 突起D1、D1，、D2 切割機112母基板
權(quán)利要求
1.一種電路模塊的制造方法，其特征在于，包括 準(zhǔn)備母基板的工序；在所述母基板的主面上安裝多個電子元器件的工序；以覆蓋所述母基板的主面和所述多個電子元器件的方式形成絕緣體層的工序； 對該絕緣體層進(jìn)行切削的工序，以在所述絕緣體層的主面上形成凹凸，且使得該絕緣 體層的厚度成為預(yù)定厚度；在所述絕緣層的主面上涂布導(dǎo)電性樹脂以形成屏蔽層的工序；以及 對形成有所述絕緣體層和所述屏蔽層的所述母基板進(jìn)行分割以得到多個電路模塊的 工序。
2.如權(quán)利要求1所述的電路模塊的制造方法，其特征在于，在對所述絕緣體層進(jìn)行切削的工序中，在該絕緣體層的主面上形成沿第一方向延伸的 多條槽和多條突起。
3.如權(quán)利要求2所述的電路模塊的制造方法，其特征在于，所述多條槽的間隔或所述多條突起的間隔比所述電路模塊在與所述第一方向正交的 第二方向的寬度要窄。
4.如權(quán)利要求2或3所述的電路模塊的制造方法，其特征在于，在對所述絕緣體層進(jìn)行切削的工序中，在該絕緣體層的主面上，重復(fù)如下動作使切割 機沿所述第一方向移動之后，在與該第一方向正交的第二方向?qū)⒃撉懈顧C挪動，再沿該第 一方向移動。
5.如權(quán)利要求4所述的電路模塊的制造方法，其特征在于，所述切割機在所述第二方向的寬度小于所述電路模塊在該第二方向的寬度。
6.如權(quán)利要求4或5所述的電路模塊的制造方法，其特征在于，在對所述絕緣體層進(jìn)行切削的工序中，將所述切割機在所述第二方向挪動的寬度小于 該切割機在所述第二方向的寬度。
7.如權(quán)利要求4至6的任一項所述的電路模塊的制造方法，其特征在于， 所述切割機的切削面具有凹凸。
8.如權(quán)利要求1至7的任一項所述的電路模塊的制造方法，其特征在于，在形成所述屏蔽層的工序中，通過旋涂法將導(dǎo)電性樹脂涂布在所述絕緣體層的主面上。
9.一種電路模塊，其特征在于，包括 基板；安裝在所述基板的主面上的電子元器件；覆蓋所述基板的主面和所述電子元器件、且在主面上設(shè)置有凹凸的絕緣體層；以及 由設(shè)置在所述絕緣體層的主面上的導(dǎo)電性樹脂構(gòu)成的屏蔽層。
10.如權(quán)利要求9所述的電路模塊，其特征在于， 所述凹凸是沿第一方向延伸的槽或突起。
11.如權(quán)利要求10所述的電路模塊，其特征在于， 以預(yù)定間隔設(shè)置多個所述槽或所述突起。
12.如權(quán)利要求9至11所述的電路模塊，其特征在于，在所述屏蔽層的主面上形成與所述絕緣體層的主面的凹凸相仿的凹凸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能減少在屏蔽層上產(chǎn)生沒有涂布導(dǎo)電性樹脂的缺陷區(qū)域的電路模塊及其制造方法。準(zhǔn)備母基板(112)。在母基板(112)的主面(S1)上安裝多個電子元器件(14a)。以覆蓋母基板(112)的主面(S1)和電子元器件(14a)的方式形成絕緣體層(116)。對絕緣體層(116)進(jìn)行切削，以在絕緣體層(116)的主面(S2)上形成槽(20)和突起(22)，且使得絕緣體層(116)的厚度成為厚度(H)。在絕緣層(116)的主面(S2)上涂布導(dǎo)電性樹脂以形成屏蔽層(118)。對形成有絕緣體層(116)和屏蔽層(118)的母基板(112)進(jìn)行分割，得到多個電路模塊。
文檔編號H05K3/28GK102077700SQ20098012480
公開日2011年5月25日 申請日期2009年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者川原史圣, 藤田真, 西川博 申請人:株式會社村田制作所