專利名稱:多層配線基板及其制造方法
技術領域:
本發(fā)明涉及一種多層配線基板(其是多個樹脂基底的堆疊體)及其制造方法,尤其涉及這樣一種多層配線基板及其制造方法,該多層配線基板是多個樹脂基底的堆疊體, 其中每一個樹脂基底均具有構(gòu)成無源元件的配線圖案。
背景技術:
近來,伴隨著電子儀器的集成密度越來越高的趨勢,對于密集地安裝有無源元件 (例如,電感器和線圈天線)的柔性配線基板的需求應運而生。典型地,如同專利文件1(日本特許專利公開號H11-54934)中所描述的,柔性配線基板上的更高集成密度可以通過堆疊多個樹脂基底來實現(xiàn),每個樹脂基底均具有形成在樹脂基底一個表面上的配線圖案,同時在樹脂基底之間設置粘著劑層,從而形成多層結(jié)構(gòu)。除了專利文件1之外,關于多層結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術文件的例子可以是專利文件2 (日本特許專利公開號2008-103640)和專利文件3 (日本特許專利公開號2007-096121)。專利文件2中公開的多層結(jié)構(gòu)具有這樣一種結(jié)構(gòu)其中,每一個均具有配線圖案(導電圖案) 的配線基板和多層樹脂層交替堆疊,每一多層樹脂層包括由熱塑性樹脂組成的第一層、由熱固性樹脂組成的第二層以及貫穿所述第一層和第二層的連接導體。另一方面,專利文件3公開了一種由絕緣基底以及導電膏構(gòu)成的配線基板,所述絕緣基底的表面上形成有導體圖案,并且絕緣基底由熱塑性樹脂組成,在形成為貫穿絕緣基底的通孔中填充有所述導電膏。專利文件3中公開的多層結(jié)構(gòu)是通過熱接合來共同或順次堆疊多個這種配線基板而構(gòu)成的。專利文件1日本特許專利公開號Hl1-5493專利文件2日本特許專利公開號2008-103640專利文件3日本特許專利公開號2007-09612
發(fā)明內(nèi)容
為了將適用于高頻器件的無源元件形成為多層結(jié)構(gòu),重要的是將介電材料引起的能量損耗抑制到低水平。由于能量損耗(介電損耗)是與損耗正切(tan δ)和介電常數(shù) (ε )的乘積成比例的,因此,損耗正切和介電常數(shù)都低是較佳的,此外吸濕率低也是較佳的。盡管如上描述的專利文件1中公開了使用粘著劑層的多層結(jié)構(gòu),然而不能將該多層結(jié)構(gòu)理解為適用于高頻器件,因為粘著劑層的損耗正切大。實現(xiàn)低損耗正切、低介電常數(shù)和低吸濕率的一種可能的方法涉及使用有機樹脂材料(例如熱塑性樹脂)作為組成多層結(jié)構(gòu)的材料。如同專利文件3中所公開的,可以通過熱接合表面上分別形成有配線圖案的多個熱塑性樹脂基底進而將它們集成為一體,來制成多層結(jié)構(gòu)??梢酝ㄟ^適當?shù)剡x擇配線圖案的幾何形狀和組合來將用于高頻器件的無源元件 (電感器、線圈天線等)形成為多層結(jié)構(gòu)。然而,由于熱接合工藝中熱塑性樹脂基底的熔化或軟化,形成在熱塑性樹脂基底上的配線圖案可能會變形。在這種情況下,配線圖案的大的變形程度可能導致鄰近的配線圖案短路,或者導致形成引起故障的不希望的無源元件??紤]到上述情況,因此,本發(fā)明的一個目的是提供一種多層配線基板,其在高頻范圍內(nèi)具有極其出色的電氣特性,并且包括能夠保證良好幾何形狀精度的配線圖案。根據(jù)本發(fā)明,提供了一種多層配線基板,包括多個堆疊的樹脂基底,同時樹脂基底之間分別設置間隔物;多個配線圖案,形成在所述多個樹脂基底中的每個樹脂基底的一個表面上;以及導電凸塊,形成為貫穿所述樹脂基底和所述間隔物,以將所述多個配線圖案電連接。所述樹脂基底與所述間隔物熱接合。所述間隔物由具有第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第一熱塑性樹脂材料組成。每個所述樹脂基底由具有第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第二熱塑性樹脂材料組成,所述第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度高于所述第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度。根據(jù)本發(fā)明,還提供了一種多層配線基板的制造方法,包括分別將導電凸塊通過埋入而形成到N個樹脂基底中的N-I個樹脂基底中的步驟,N是2或者更大的整數(shù);分別在所述N個樹脂基底中的每個樹脂基底的一個表面上形成配線圖案的步驟;通過堆疊所述 N個樹脂基底,同時分別在所述樹脂基底之間設置間隔物,并且同時將所述N個樹脂基底中沒有導電凸塊的樹脂基底設置在最外側(cè),來布置所述N個樹脂基底的步驟;以及在所述N個樹脂基底被堆疊并將所述間隔物設置在所述樹脂基底之間后,通過熱接合所述N個樹脂基底和所述間隔物并進而將它們集成為一體,從而將所述多個配線圖案經(jīng)由所述導電凸塊電連接的步驟。所述間隔物由具有第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第一熱塑性樹脂材料組成。每個所述樹脂基底由具有第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第二熱塑性樹脂材料組成,所述第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度高于所述第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度。在所述N個樹脂基底和所述間隔物的熱接合步驟中,在高于所述第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度并且低于所述第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度的溫度下,將所述N個樹脂基底和所述間隔物熱接合。如上所述,本發(fā)明的多層配線基板具有由表面上形成有配線圖案的多個樹脂基底以及間隔物組成的多層結(jié)構(gòu),樹脂基底和間隔物彼此之間是熱接合的。由于作為組成樹脂基底材料的熱塑性樹脂的玻璃轉(zhuǎn)移溫度高于作為組成間隔物材料的熱塑性樹脂的玻璃轉(zhuǎn)移溫度,因此,本發(fā)明的多層配線基板提供了一種能夠防止樹脂基底上的配線圖案發(fā)生任何幾何形狀變形的結(jié)構(gòu),因為樹脂基底和間隔物之間的熱接合是在不會使得樹脂基底熔化或軟化、但是會使得間隔物熔化或軟化的溫度下進行的。相應地,本發(fā)明可以成功地提供一種多層配線基板,該多層配線基板在高頻范圍具有極其出色的電氣特性(介電常數(shù)低并且介電損耗低),并且包括能夠保證良好幾何形狀精度的配線圖案。根據(jù)本發(fā)明的多層配線基板的制造方法,由于表面上形成有配線圖案的多個樹脂基底以及間隔物可以在高于間隔物的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度)并且低于樹脂基底的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度)的溫度下被熱接合,因此,間隔物可以被熔化或軟化,而樹脂基底不會被熔化或軟化。結(jié)果就是,本發(fā)明可以成功地制造一種多層配線基板, 該多層配線基板在高頻范圍具有極其出色的電氣特性(介電常數(shù)低并且介電損耗低),并且包括能夠保證良好幾何形狀精度的配線圖案。
本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點將從如下結(jié)合附圖對某些優(yōu)選實施例的描述中變得更清楚。
圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實施例一的多層配線基板的堆疊結(jié)構(gòu)的圖。圖2是用于解釋實施例一的多層配線基板的制造方法的圖。圖3的(A)和(B)是示意性示出組成用于電感器或線圈天線的螺旋狀配線的示例性配線圖案的平面圖。圖4是示出螺旋狀配線的示意圖。圖5是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實施例二的多層配線基板的堆疊結(jié)構(gòu)的圖。圖6是示出實施例二的示例性配線圖案的示意圖。圖7是示出根據(jù)實施例二的變型例的示例性配線圖案的示意圖。
具體實施例方式以下將參照附圖解釋本發(fā)明的實施例。(實施例一)圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實施例一的多層配線基板1的堆疊結(jié)構(gòu)的圖。如
圖ι所示,多層配線基板1包括堆疊的并且之間設置有間隔物121;......,12N_i的樹脂基
底IO1,......,10N,分別形成在樹脂基底IO1,......,IOn中每個樹脂基底的一個表面上的
配線圖案Il1,......,11N,以及將配線圖案Il1到IIn電連接的導電凸塊201;212,......,
π導電凸塊20i到20N_i形成為貫穿樹脂基底IO1到IO1^1和間隔物1 到12^。換句話說,每相鄰的配線圖案Ilk和11 之間的導電凸塊20k(k表示1到N-I中的任意一個) 形成為從一個配線圖案Ilk起朝向另一個配線圖案IIm突出。組成導電凸塊201到201<_1的材料可以是從如下材料組成的組中選擇的一種或多種金屬材料金、銀、鎳、錫、鉛、鋅、鉍、銻和銅。高頻無源元件可以通過配線圖案Il1到IIn和導電凸塊20i到20η構(gòu)成。高頻無源元件可以例如是電阻器、電感器、電容器、線圈天線以及這些元件的組合。間隔物A到12N_i由熱塑性樹脂材料組成,而且樹脂基底IO1到IOn也是由熱塑性樹脂材料組成。組成樹脂基底IO1到IOn的熱塑性樹脂材料的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg2比組成間隔物%到12N_i的熱塑性樹脂材料的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tgl高。通過將樹脂基底IO1到IOn與間隔物%到12N_i在高于Tgl并且低于Tg2的溫度范圍中加熱而接合,可以制成多層配線基板1。換句話說,通過在不會使得樹脂基底IO1到IOn熔化或軟化、但是會使得間隔物U1 到12N_i熔化或軟化的溫度下進行加熱,從而將樹脂基底IO1到IOn與間隔物A到12N_i接合進而集成為一體,可以防止樹脂基底IO1到IOn上的配線圖案Il1到11,在熱接合工藝中發(fā)生幾何形狀變形。組成樹脂基底IO1到IOn的熱塑性樹脂材料和組成間隔物A到12吣的熱塑性樹脂材料分別由具有不同玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg2、Tgl的環(huán)烯烴樹脂組合物(cyclic olefinic resin composition)作為它們的主要組成成分而構(gòu)成。環(huán)烯烴樹脂包含環(huán)烯烴單體的 (共)聚合物作為主要組成成分??梢酝ㄟ^改變聚合條件從而控制環(huán)烯烴樹脂的分子量和交聯(lián)密度(density of crosslinkage)來獲得預期的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg2、Tgl。可以通過增大聚合度或者拉長環(huán)烯烴樹脂的側(cè)鏈(side chain)來提高玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg2、Tgl。就獲取高頻范圍的出色電氣特性(損耗因數(shù)(dissipation factor)低,介電常數(shù)低)這一點而言,環(huán)烯烴樹脂組合物中的降冰片烯樹脂(norbornene resin)是特別優(yōu)選的。降冰片烯樹脂在IOGHz下可以達到介電常數(shù)大約為2、損耗因數(shù)為10_3到10_4量級的電氣特性。具有IOGHz下介電常數(shù)大約為2、損耗因數(shù)為10_4量級的電氣特性的降冰片烯樹脂的例子包括“T0PAS8007” (玻璃轉(zhuǎn)移溫度等于78。C )、“T0PAS6013” (玻璃轉(zhuǎn)移溫度等于138°C )、“T0PAS6015”(玻璃轉(zhuǎn)移溫度等于158°C )、“T0PAS5013”(玻璃轉(zhuǎn)移溫度等于 134°C )以及“T0PAS6017”(玻璃轉(zhuǎn)移溫度等于178°C),所有這些都可以從泰科那(Ticona) 以商業(yè)方式獲得??紤]到允許間隔物A到12N_i在熱接合工藝中熔化或軟化,而不使樹脂基底IO1 到IOn熔化或軟化,樹脂基底IO1到IOn與間隔物A到12N_i之間玻璃轉(zhuǎn)移溫度的差值(等于Tg2-Tgl)優(yōu)選地為50°C左右。樹脂基底IO1到IOn和間隔物U1到的組合可以例如是“T0PAS5013”和“T0PAS8007”,同時也不限于此。接下來,將解釋多層配線基板1的優(yōu)選制造工藝。首先,在N個樹脂基底IO1到IOn中每個樹脂基底的一個表面上形成銅箔。接下來,將導電凸塊20i到20N_i通過埋入而形成到N個樹脂基底IO1到IOn中的樹脂基底IO1到 IiV1中。更具體地,末端位于銅箔上的通孔是從樹脂基底IO1到ICV1的相對表面鉆成孔的。 然后,通過電解電鍍或焊膏印刷(paste printing),在通孔中形成導電突出物,進而從通孔中突出來。例如,導電突出物可以由銅構(gòu)成??梢酝ㄟ^激光微細加工容易地在樹脂基底IO1 到IiV1中形成高精度通孔。接下來,導電突出物露出來的表面被金屬或合金覆蓋。金屬可以由從如下材料組成的組中選擇出的至少一種組成金、銀、鎳、錫、鉛、鋅、鉍和銻,并且可以由單層組成,或者可以由兩層或更多層組成。合金的例子可以是由從如下材料組成的組中選擇出的至少兩種或更多種金屬組成的焊料錫、鉛、銀、鋅、鉍、銻和銅。焊料的例子可以是錫_鉛基、錫_銀基、錫_鋅基、錫_鉍基、錫_銻基、錫-銀-鉍基和錫_銅基的焊料,同時也不限于此,并且允許選擇最適合的。當然,上述列舉的金屬和合金具有遠高于樹脂基底 IO1到IOn或間隔物A到12N_i的玻璃轉(zhuǎn)移溫度的熔點,在熱接合工藝中不會熔化。接下來,通過蝕刻形成在N個樹脂基底IO1到10,上的銅箔形成配線圖案Il1到 11N。配線圖案Il1到IIn典型地例如是預先設計為構(gòu)成高頻無源元件(例如電感器、電阻器、電容器或匹配電路)的圖案。該工藝中形成的配線圖案Il1到IIn的至少一部分優(yōu)選地可以是環(huán)繞角度(angle of turn)超過360°的渦卷狀(spiral)配線圖案,具體將在后文描述。接下來,如圖2所示,在成型機中堆疊樹脂基底IO1,......,IOn同時在樹脂基底之
間設置間隔物121;......,12N_i。在該工藝中,布置樹脂基底IO1到10N,以使所有配線圖案
Il1到IIn指向相同方向,同時將其上沒有形成導電凸塊的樹脂基底IOn設置在最外側(cè)。接下來,在高于間隔物Α到12N_i的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tgl并低于樹脂基底IO1到IOn 的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg2的溫度范圍內(nèi)加熱,擠壓在成型機中布置的樹脂基底IO1到IOn和間隔物A到12N_i。通過加熱,樹脂基底IO1到IOn和間隔物Α到12吣熱接合。導電凸塊
201;......,20N_i貫穿熔化了的或軟化了的間隔物121;......,12N_i,并且接合到配線圖案
Il2,......,IIn 的表面。圖3㈧和圖3(B)是示出組成用于電感器或線圈天線的螺旋狀(helical)配線的配線圖案llk、llm&平面圖。螺旋狀配線可以由圖3(A)中示出的配線圖案Ilk和圖3(B)中示出的配線圖案Ilm的組合來構(gòu)成。圖3(A)中示出的配線圖案Ilk是渦卷狀配線,該渦卷狀配線的端部具有凸塊連接點21k、22k,并且配線圖案Ilk具有約360°的環(huán)繞角度。圖3 (B) 中示出的配線圖案Ilm是渦卷狀配線,該渦卷狀配線的端部具有凸塊連接點21m、22m,并且配線圖案Ilm具有超過360°的環(huán)繞角度。雖然圖3中示出的配線圖案IlkUlm中的每一個均是以曲線和直線組合的形式給出,但它們也可以是只以曲線構(gòu)成,或者只以直線構(gòu)成。注意,此處的“螺旋狀”是指例如在多層配線基板1的厚度方向上旋轉(zhuǎn)式上升或下降的幾何形狀。另一方面,此處的“渦卷狀”是指例如在離開或接近多層配線基板1的平面的中心軸線的同時回旋的幾何形狀。可以經(jīng)由導電凸塊,將形成在圖3(A)示出的配線圖案Ilk的一端的凸塊連接點22k 與形成在圖3(B)示出的配線圖案Ilm的一端的凸塊連接點2 連接,來形成螺旋狀配線。 可替代地,可以經(jīng)由導電凸塊,將形成在圖3(A)示出的配線圖案Ilk的另一端的凸塊連接點21k與形成在圖3(B)示出的配線圖案Ilm的另一端的凸塊連接點21m連接,來形成螺旋狀配線。圖4是示出通過使用圖3(A)、(B)中示出的配線圖案IlkUlm形成的螺旋狀配線的
示意圖。第奇數(shù)層中的配線圖案Il1,113,......,IV1 (其中N表示偶數(shù))具有與圖3(A)
中示出的配線圖案Ilk相同的幾何形狀,而第偶數(shù)層中的配線圖案112,114,......,仏具
有與圖3(B)中示出的配線圖案Ilm相同的幾何形狀。在將由導電凸塊201到20,_1構(gòu)成的層間連接線23i到23N_i分別設置到配線圖案Il1到IIn之間的同時,配線圖案Il1到IIn被電連接。根據(jù)實施例一的多層配線基板1及其制造方法表現(xiàn)的效果如下。在制造多層配線基板1的工藝中,在高于間隔物A到12N_i的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tgl 并且低于樹脂基底IO1到IOn的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg2的溫度下,具有形成在樹脂基底表面上的配線圖案Il1到IIn的樹脂基底IO1到IOn與間隔物U1到12吣熱接合,使得組成間隔物
到12N_i的熱塑性樹脂可以熔化或軟化,而組成樹脂基底IO1到IOn的熱塑性樹脂既不會熔化也不會軟化。由于間隔物%到12N_i和樹脂基底IO1到IOn是在這樣的條件下加熱而壓合,
使得形成在樹脂基底IO1到IOn上并保持既不熔化也不軟化的導電凸塊20”......,20N_i在
貫穿熔化了或軟化了的間隔物121;......,12N_i之后,可以被接合到配線圖案112,......,
IIn的表面。通過這種方式,可以避免熱接合工藝中配線圖案Il1到IIn的幾何形狀變化。相應地,本發(fā)明可以成功地提供在高頻范圍具有極其出色的電氣特性(介電常數(shù)低,并且介電損耗低)的多層配線基板1,并且該多層配線基板1包括能夠保證良好幾何形狀精度的配線圖案Il1到11N。第偶數(shù)層的配線圖案112,114,......,IIn的環(huán)繞角度超過360°,同時在與配置
在其上側(cè)和下側(cè)的第奇數(shù)層的配線圖案Il1,113,......,llN-i相對的部分幾乎為圓形的幾
何形狀。如果配線圖案Il1到IIn的環(huán)繞角度小于360°,則對應于環(huán)繞角度不足360°,圈數(shù)會減少,從而螺旋狀配線的電感(inductance)會降低。換句話說,可以形成本實施例中的螺旋狀配線而不降低電感。(實施例二)接下來,解釋本發(fā)明的實施例二。圖5是示意性示出實施例二的多層配線基板2的堆疊結(jié)構(gòu)的圖。圖6是示出示例性配線圖案Il1到Il17的示意圖,配線圖案Il1到Il17組成形成在多層配線基板2中的螺旋狀配線。除了導電凸塊20i到2016的位置和配線圖案Il1 到Il17的幾何形狀之外,實施例二的多層配線基板2具有與實施例一的多層配線基板1相同的結(jié)構(gòu),并可以通過與實施例一的多層配線基板1的工藝相同的工藝來制造。配線圖案Il1到Il17中的每一個均是環(huán)繞角度超過360°的渦卷狀配線圖案。形
成在第奇數(shù)層的樹脂基底IO1,103,......,IO17上的配線圖案Il1,113,......,1117,與形成
在第偶數(shù)層的樹脂基底102,IO4,......,IO16上的配線圖案112,114,......,Il16互為翻轉(zhuǎn)
后的幾何形狀(have geometries turned over from the other)。換句話說,由于樹月旨基
底IO1, IO3,......,IO17和樹脂基底102,IO4,......,IO16是交替布置的,因此,配線圖案Il1
到Il17是面朝上和面朝下交替堆疊的。當然,配線圖案Il1到Il17在其兩端經(jīng)由導電凸塊連接。在實施例一中,如圖1和圖4所示,第奇數(shù)層的導電凸塊201; 203,......,20^ (其
中,N表示偶數(shù))的形成位置從堆疊方向上看去彼此重疊,而且第偶數(shù)層的導電凸塊202,
204,......,20N_2的形成位置從堆疊方向上看去彼此重疊。結(jié)果,依賴于所采用的熱塑性樹
脂的類型或者加熱或壓合條件,實施例一的多層結(jié)構(gòu)可能導致厚度不均勻。相反,根據(jù)實施例二,由于配線圖案Il1到Il17是面朝上和面朝下交替堆疊的,因而使得導電凸塊20i到2016的形成位置從堆疊方向上看去不會重疊。由于有其中埋入了導電凸塊20i到2016的十六個樹脂基底IO1到1016,因而,通過形成配線圖案Il1到Il17同時將配線圖案的環(huán)繞角度調(diào)整到(360° +360° /16),層間連接線231到2316可以圍繞配線圖案Il1到Il17的中心軸線以均等角度間隔布置。更具體地,如圖6所示,配線圖案Il1到 Il17通過由導電凸塊20i到2016形成的層間連接線23i到2316電連接。層間連接線23i到 2316圍繞配線圖案Il1到Il17的中心軸線以大約22. 5°的角度間隔布置。如上所述,由于實施例二的多層配線基板2的導電凸塊20i到2016的形成位置從堆疊方向上看去不重疊,因而可以避免厚度不均勻。相應地,可以改善多層配線基板2的剛度均衡性,從而改善其強度。盡管實施例二的多層配線基板2中的層數(shù)為17,然而數(shù)目不限于此,因而,多層配線基板2可以改型為具有十八層或更多層。對于多層配線基板2中的層數(shù)是N的示例性情況,其中埋入了導電凸塊20的樹脂基底10的數(shù)目是N-1,因而,通過在形成配線圖案11的同時將配線圖案11的環(huán)繞角度調(diào)整到(360° +360° /N-1),層間連接線23可以圍繞配線圖案11的中心軸線以均等角度間隔布置。實施例二的一個變形例可以通過圖7所示的具有螺旋狀配線的多層配線基板而給出。圖7中清楚地示出,第奇數(shù)條層間連接線231; 233,235,237形成為圍繞配線圖案Il1 到Il8的中心軸線以大約45°的角度間隔布置,并且第偶數(shù)條層間連接線232,234,236形成為圍繞配線圖案Il1到Il8的中心軸線以均等角度間隔布置。如上參照附圖描述的本發(fā)明的實施例只是為了示例性的目的,除了上述描述的以外,同時允許采用各種配置。例如,盡管實施例一和實施例二涉及到具有六層或更多層配線圖案的情況,然而本發(fā)明不限于此。可以給出具有至少兩層配線圖案的多層配線基板的實施例作為實施例一的變形例,并且可以給出具有至少兩層配線圖案的多層配線基板的實施例作為實施例二的變形例??梢酝ㄟ^如圖4和圖6所示的以螺旋方式連接的多個渦卷狀配線圖案來實現(xiàn)電感器,其中,配線圖案的幾何形狀不限于此??蛇x地,幾何形狀可以是類弧形(arc-like)、類方形(square-like)或者多邊形。而且,在與本發(fā)明的特征不抵觸的情況下,本發(fā)明的多層配線基板可以設置有除了組成上述的配線圖案、樹脂基底和間隔物的層之外的層。本申請要求于2008年10月30日遞交、申請?zhí)枮?008-279732的日本專利申請的優(yōu)先權,其內(nèi)容通過參考的方式整體并入于此。
權利要求
1.一種多層配線基板,包括多個堆疊的樹脂基底,同時樹脂基底之間分別設置間隔物;多個配線圖案,形成在所述多個樹脂基底中的每個樹脂基底的一個表面上;以及導電凸塊,形成為貫穿所述樹脂基底和所述間隔物,以將所述多個配線圖案電連接;所述樹脂基底與所述間隔物熱接合;所述間隔物由具有第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第一熱塑性樹脂材料組成;以及每個所述樹脂基底由具有第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第二熱塑性樹脂材料組成,所述第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度高于所述第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度。
2.根據(jù)權利要求1所述的多層配線基板,其中,每個所述導電凸塊形成為從所述多個配線圖案中的相鄰配線圖案中的一個朝向另一個突出。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的多層配線基板,其中,所述第一和第二熱塑性樹脂材料分別由具有不同玻璃轉(zhuǎn)移溫度的環(huán)烯烴樹脂組合物作為它們的主要組成成分而構(gòu)成。
4.根據(jù)權利要求3所述的多層配線基板,其中,所述環(huán)烯烴樹脂組合物是降冰片烯樹脂。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一權利要求所述的多層配線基板,其中,所述導電凸塊由從如下材料組成的組中選擇出的一種或多種金屬材料組成金、銀、鎳、錫、鉛、鋅、鉍、銻和銅。
6.根據(jù)權利要求1至5中任一權利要求所述的多層配線基板,其中,所述多個配線圖案和所述導電凸塊構(gòu)成無源元件。
7.根據(jù)權利要求6所述的多層配線基板,其中,所述無源元件包含從電阻器、電感器和電容器中選擇出的電路中的任意一個或多個。
8.根據(jù)權利要求6所述的多層配線基板,其中,所述多個配線圖案經(jīng)由所述導電凸塊連接而在整體上形成螺旋結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權利要求8所述的多層配線基板,其中,所述配線圖案分別形成在三個或更多個樹脂基底上;并且從堆疊方向上看去,所述導電凸塊形成在不同的位置。
10.根據(jù)權利要求9所述的多層配線基板,其中,所述多個配線圖案的至少一部分是環(huán)繞角度超過360°的渦卷狀配線圖案;并且所述渦卷狀配線圖案的一端經(jīng)由一個導電凸塊與一個配線圖案連接,另一端經(jīng)由另一個導電凸塊與另一個配線圖案連接。
11.根據(jù)權利要求10所述的多層配線基板,其中,所述多個渦卷狀配線圖案以交替翻轉(zhuǎn)的方式堆疊,其各個端部經(jīng)由所述導電凸塊彼此連接。
12.根據(jù)權利要求11所述的多層配線基板,其中,內(nèi)部埋入有所述導電凸塊的所述樹脂基底的數(shù)量是M,M是自然數(shù);并且所述渦卷狀配線圖案的環(huán)繞角度是(360° +360° /M)。
13.一種多層配線基板的制造方法,包括分別將導電凸塊通過埋入而形成到N個樹脂基底中的N-I個樹脂基底中,N是2或者更大的整數(shù);分別在所述N個樹脂基底中的每個樹脂基底的一個表面上形成配線圖案;通過堆疊所述N個樹脂基底,并分別在所述樹脂基底之間設置間隔物,并且將所述N個樹脂基底中沒有導電凸塊的樹脂基底設置在最外側(cè),來布置所述N個樹脂基底;以及在所述N個樹脂基底被堆疊并將所述間隔物設置在所述樹脂基底之間后,通過熱接合所述N個樹脂基底和所述間隔物進而將它們集成為一體,從而將所述多個配線圖案經(jīng)由所述導電凸塊電連接;所述間隔物由具有第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第一熱塑性樹脂材料組成;每個所述樹脂基底由具有第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第二熱塑性樹脂材料組成,所述第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度高于所述第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度;以及在所述N個樹脂基底和所述間隔物的所述熱接合中,在高于所述第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度并且低于所述第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度的溫度下,將所述N個樹脂基底和所述間隔物熱接合。
14.根據(jù)權利要求13所述的多層配線基板的制造方法,其中,在所述的通過埋入而形成所述導電凸塊的過程中,將所述導電凸塊形成為從所述N-I個樹脂基底中的每個樹脂基底的一個表面朝向另一個表面突出。
15.根據(jù)權利要求13或14所述的多層配線基板的制造方法,其中,所述第一和第二熱塑性樹脂材料分別由具有彼此不同的玻璃轉(zhuǎn)移溫度的環(huán)烯烴樹脂組合物構(gòu)成。
16.根據(jù)權利要求15所述的多層配線基板的制造方法,其中,所述環(huán)烯烴樹脂組合物是降冰片烯樹脂。
17.根據(jù)權利要求13至16中任一權利要求所述的多層配線基板的制造方法,其中, 所述導電凸塊由從如下材料組成的組中選擇出的一種或多種金屬材料組成金、銀、鎳、錫、 鉛、鋅、鉍、銻和銅。
18.根據(jù)權利要求13至17中任一權利要求所述的多層配線基板的制造方法,其中,在所述的形成所述配線圖案的過程中,在所述N個樹脂基底的至少一部分上形成環(huán)繞角度為 360°或者大于360°的渦卷狀配線圖案;以及在所述N個樹脂基底和所述間隔物的所述熱接合中,所述渦卷狀配線圖案的一端經(jīng)由一個導電凸塊與一個配線圖案連接,另一端經(jīng)由另一個導電凸塊與另一個配線圖案連接。
19.根據(jù)權利要求18所述的多層配線基板的制造方法,其中,在所述的形成所述配線圖案的過程中,在第一樹脂基底上形成所述渦卷狀配線圖案,在第二樹脂基底上形成與所述渦卷狀配線圖案的翻轉(zhuǎn)后圖案等同的配線圖案;在所述的布置所述樹脂基底的過程中,交替布置所述第一樹脂基底和所述第二樹脂基底;以及在所述N個樹脂基底和所述間隔物的所述熱接合中,所述第一樹脂基底上的所述配線圖案的一端與所述第二樹脂基底上的配線圖案的一端經(jīng)由所述導電凸塊連接。
20.根據(jù)權利要求19所述的多層配線基板的制造方法,其中,在所述N個樹脂基底和所述間隔物的所述熱接合中,將所述渦卷狀配線圖案中的每一個均形成為具有 (360° +360° /N-1)的環(huán)繞角度。
全文摘要
一種多層配線基板(1),包括堆疊的樹脂基底(101到10N),同時樹脂基底(101到10N)之間設置間隔物(121到12N-1);配線圖案(111到11N),分別形成在樹脂基底(101到10N)中的每個樹脂基底的一個表面上;以及導電凸塊(201到20N-1),將配線圖案(111到11N)電連接。樹脂基底(101到10N)與間隔物(121到12N-1)熱接合,間隔物(121到12N-1)由具有第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第一熱塑性樹脂材料組成,樹脂基底(101到10N)由具有第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度的第二熱塑性樹脂材料組成,第二玻璃轉(zhuǎn)移溫度高于第一玻璃轉(zhuǎn)移溫度。
文檔編號H05K1/16GK102204421SQ20098014378
公開日2011年9月28日 申請日期2009年10月28日 優(yōu)先權日2008年10月30日
發(fā)明者及川昭 申請人:住友電木株式會社