專利名稱：超長單晶β-SiC納米線無金屬催化劑的制備方法
技術領域：
本發(fā)明屬于單晶β-SiC納米線的制備領域，涉及一種超長單晶β-SiC納米線無金屬催化劑的制備方法。
背景技術：
碳化硅納米線具有優(yōu)異的機械、光學、電學、半導體特性、場發(fā)射、物理化學穩(wěn)定性、高溫穩(wěn)定性等性能，是制備藍光發(fā)光二極管、激光二極管和大功率晶體管等納米光電子 器件的理想材料，同時也是金屬基、陶瓷基和聚合物等復合材料的理想增強相材料，因而越 來越多的受到廣大科研工作者和企業(yè)的關注。大規(guī)模、大面積制備超長碳化硅納米線是實現(xiàn)其工業(yè)化生產(chǎn)和實際應用的首要問 題。2009年國防科技大學gong-yi Li等報道了采用CVD法，以二茂鐵、L-Ps和活性炭的混 合物為起始材料，制備長度達厘米級的β-SiC納米線。(Large Areasof Centimeters-Long SiC Nanowires Synthesized by Pyrolysis of a PolymerPrecursor by a CVD Route(CVD 高溫分解聚合物前驅體大面積制備幾厘米長SiC納米線).J. Phys. Chem. C 2009,113， 17655-17660)，上述制備方法采用金屬催化劑通過氣-液-固生長機理生長碳化硅納米線， 產(chǎn)物中含金屬催化劑等雜質較多，會對碳化硅納米線造成污染，影響了碳化硅納米線的本 征結構和性能研究，為后續(xù)處理和實際應用帶來了困難并提高了技術要求。^；^"Y. Yao, S. T. Lee, F. H. Li, Direct synthesis of 2H-SiC nanowhiskers (1 接合成 2H-SiC 納米線)，Chemical Physics Letters 2003，381，628-633” 公開了一種以 甲烷和SiO為起始原料，在300Torr的反應氣壓條件下制備2H_SiC納米晶須的方法。文獻 “J. Z. Guo, Y. Zuo, Z. J. Li, W. D. Gao, J. L. Zhang, Preparation of SiCnanowires with fins by chemical vapor exposition (化學氣相沉積法制備含鰭碳化硅納米線)，Physica E， 2007，39，262-266”公開了一種以甲烷、氧化硅和硅的混合物為起始原料，在200Torr的反 應氣壓條件下制備β-SiC納米線的方法。但以上制備方法的產(chǎn)量較低，且制備的碳化硅納 米線長徑比較小、直徑分布不均，難以實現(xiàn)其工業(yè)化生產(chǎn)和實際應用。近年來，碳化硅納米 線的研究已取得了一定的成果，然而，仍然存在許多不足。如存在溫度過高；工藝復雜，需多 步合成；產(chǎn)量偏低、長徑比較小，難以規(guī)?；a(chǎn)；有些不可避免地生成大量碳化硅顆粒， 存在較難分離的問題，特別是，許多方法需要添加金屬催化劑，金屬催化劑的存在大大影響 了碳化硅納米材料的性能。

發(fā)明內容
本發(fā)明的所要解決的技術問題是，為了克服現(xiàn)有技術大都需要采用金屬催化劑和 模板，長徑比小，以及產(chǎn)量小，難以實現(xiàn)其工業(yè)化生產(chǎn)的不足，本發(fā)明提出一種超長單晶碳 化硅納米線無金屬催化劑的制備方法，該方法無需添加金屬催化劑、無需生長模板，工藝過 程簡單、易于操作控制、成本低、無污染、直徑小、分布均勻、長度達厘米級、可大規(guī)模生長單 晶β-SiC納米線。
本發(fā)明的技術解決方案如下—種超長單晶β-SiC納米線無金屬催化劑的制備方法，其特征在于，在真空管式 爐或化學氣相沉積爐中，以含碳氣體為碳源，一氧化硅、硅與氧化硅混合物為硅源，Ar或N2 為載氣，于溫度為1350-1600°C、碳源氣體流量為10-80SCCm、載氣流量為20-80sCCm、在超 大氣壓條件下保溫數(shù)小時，在襯底上沉積生長得到長度達厘米級的單晶β -SiC納米線。升溫過程為采用5-10°C /min的速度升溫到300°C，保溫10分 鐘，再以5_10°C / min的速度升溫到1350-1600°C，再保溫l_6h ；降溫過程分為兩階段，先以10_15°C /min的 速度降溫到1200°C，保溫lh，再以6-8°C /min的速度降溫到600°C，然后關閉電源自然冷卻 至室溫。硅與氧化硅混合物的混合比例為1:1-1: 3。所述的保溫時間為l_6h。總反應氣壓為1. 1-1. 5atm。襯底為瓷舟、剛玉片或硅片。在這些參數(shù)中，總反應氣壓、溫度、含碳氣體流量和第二次保溫的設置是關鍵參 數(shù)。本發(fā)明中碳化硅納米線的生長是以氣-固生長機理生長的。具體的反應生長過程是按 如下反應方程式進行，其中如以SiO為硅源時只需進行(2)、(3)和(4)反應Si(solid)+Si02(solid) = 2Si0(gas)(1)CH4(gas) = C(gas)+2H2(gas)(2)Si0(gas)+2C(gas) = SiC(solid)+C0(gas)(3)Si0(gas)+3C0(gas) = SiC(solid)+C02(gas)(4)由于反應(1)或SiO氣化的溫度在1250°C以上，所以反應溫度的下限為1250， 同時當反應溫度不超過1400°C時，反應(4)不能進行，碳化硅納米線的生長只能通過反應 (3)進行，這樣使得碳化硅納米線的生長速率降低，產(chǎn)量減少，長度較短。另外，現(xiàn)有的技 術都是在不超過一個大氣壓條件下進行的，創(chuàng)造這樣的環(huán)境主要是通過真空泵來控制或 直接通過載氣在爐內流動使得爐內外氣壓都為一個大氣壓，使得大量的SiO、C、CO和CO2 氣體隨載氣的排出而流失。這樣在溫度較低和反應氣壓不超過一個大氣壓的條件下要達 到過飽和條件就比較困難，因而生長的碳化硅納米線產(chǎn)量低，長度較短，最長在毫米級范 圍。有研究表明當爐內CO氣體的壓強達到過飽和條件時，反應(4)就能進行(Y.H.Gao， Y. Bando, K. Kurashima, Τ. Sato, J. Mater. Sci. 37, 2023 (2002) ;J. Wei, K. Z. Li, H. J. Li, Q.G.Fu，L. Zhang, Mater. Chem. Phys. 95，140 (2006))。因此，為 了解決這一問題，我們采用 適當較高的溫度和總的反應氣壓來實現(xiàn)。其中提高反應氣壓是通過減少排氣量來實現(xiàn)，一 方面可以減少SiO氣體的流失，另一方面可以使C和CO2充分發(fā)生如下反應C(gas)+CO2fes) =2C0(gas)，這樣即使在溫度較小的情況下也能使SiO和CO氣體很快達到過飽和狀態(tài)，從而 使反應(4)順利進行，這一點在現(xiàn)有技術中沒有考慮過。但考慮實驗的成本和安全性，即 溫度太低時將延長反應時間，而溫度和氣壓太高時將可能超出設備的安全使用范圍或要求 設備具有更高的性能，從而大大提高技術成本(國內常規(guī)CVD沉積設備的正常使用條件是 溫度低于1800°C、總氣壓不超過0. 5MPa)，因此對總反應氣壓和溫度兩個關鍵參數(shù)我們選 擇的范圍分別為總反應氣壓在1. 1-1. 5atm之間，溫度在1350_1600°C之間。另一方面，如 果含碳氣體流量超過80SCCm時，在1350-1600°C的溫度和1. 1-1. 5atm的總反應氣壓條件下，碳源將過量，因此剩余的碳將沉積在碳化硅納米線表面而成為污染物，所以我們選取含 碳氣體流量在lO-SOsccm之間。在本發(fā)明中我們設置了在1200°C處進行第二次保溫，其目 的是為了其他類型的碳化硅納米線(如2H-SiC等)有足夠的時間轉化為β-SiC納米線 和清除反應過程中可能多余的碳源，同時為了避免在保溫過程SiO氣體發(fā)生歧化分解反應 (SiO(g) — Si (g)+SiO2 (g)，分解溫度大于1250°C)所產(chǎn)生的物質污染碳化硅納米線。為此 我們采用較快的降溫速率降溫至1200 V的方式進行解決。有益效果本發(fā)明的有益效果是(1).合成工藝方法簡單、可控，無需添加金屬催化劑、無需 生長模板，避免金屬催化劑對產(chǎn)物的污染；(2).由于生長過程中是氣態(tài)的碳源與氣態(tài)的硅 源反應，反應充分，且生成物與原材料如硅源是分開的，因而合成的單晶β -SiC納米線不 受固體硅源的污染，而且在溫度控制曲線1200°C處設置了第二次保溫時間(如圖1所示)， 有利于其他類型的碳化硅納米線(如2H-SiC等)有足夠的時間轉化為β-SiC納米線，同 時避免了 SiO發(fā)生歧化分解反應(SiO(g) — Si(g)+Si02(g))所產(chǎn)生的物質污染碳化硅納米 線，從而保證了單晶β-SiC納米線的純度達到95%以上。從圖2和圖3可以看到產(chǎn)物非常 潔凈，沒有其他物質存在。EDS (圖4) ,XRD (圖5),Raman (圖6)和FTIR(圖7)分析也證明 了產(chǎn)物中沒有金屬催化劑和未反應的原材料存在。而現(xiàn)有技術制備的碳化硅納米線一股都 受到金屬催化劑和未反應完全的原材料的污染，其純度一股低于90% ； (3).還有一個突出 的特點是可通過增加初始硅源材料的量、適當提高反應溫度和延長保溫時間來有效控制單 晶β-SiC納米線的長度和產(chǎn)量。因為增加硅源材料的量可以長時間提供足夠的硅源氣體， 適當提高反應溫度可以使得反應(3)和(4)更容易進行，從而提高碳化硅納米線的轉化率， 提高產(chǎn)量，延長時間可以使反應(3)和(4)的進行時間加長，從而使得碳化硅納米線能夠持 續(xù)生長，因而可以保證大規(guī)模厘米級單晶β-SiC納米線的合成。這些優(yōu)點使該方法具有大 規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的能力。


圖1為設置的程序控制溫度曲線；圖2為單晶β -SiC納米線的低倍和高倍SEM圖；圖3為單晶β -SiC納米線的低倍和高倍TEM、HRTEM和SAED圖；圖4為單晶β -SiC納米線的EDS圖；圖5為單晶β -SiC納米線的XRD圖；圖6為單晶β -SiC納米線的Ramam光譜圖；圖7為單晶β -SiC納米線的FTIR光譜圖。
具體實施例方式本發(fā)明是采用下述方案實現(xiàn)的采用化學氣相沉積法，以真空管式爐為實驗設 備，以含碳氣體為碳源，一氧化硅或氧化硅與硅的混合物為硅源，惰性氣體為載氣，按程序 設置的溫度曲線舉行升降溫度(如圖1所示)，于溫度為1350-1600°C、碳源氣體流量為 10-80sccm、載氣流量為20-80sccm、爐內氣壓為11-1. 5atm的條件下保溫1_6小時，在瓷舟、 剛玉片和硅片等襯底上大規(guī)模沉積生長長度達厘米級的單晶β -SiC納米線。
經(jīng)過上述制備過程，從管式爐中取出瓷舟等襯底，可以看到在襯底表面大量覆蓋 一層淡藍色或淡綠色的產(chǎn)物，長度可達數(shù)厘米。SEM、TEM、HRTEM、SEAD, EDS、X-ray衍射、 RamaruFTIR等分析表明制備出來的是一種單晶β-SiC納米線(如圖2_7所示)。碳源氣體 流量低于40sCCm時納米線的表面光滑，直徑均勻，平均直徑約40-50nm。隨著反應溫度的升 高，碳化硅納米線的沉積面積增大、產(chǎn)量增加、長度增加、納米線的直徑也稍有增加。同時， 隨碳源氣體流量增加至SOsccm時，碳化硅納米線表面附著一層表面比較粗糙的碳，純度下 降，但所得產(chǎn)物經(jīng)過空氣中燃燒后，可以得到純凈的淡藍的碳化硅納米線，長度也可達厘米 級。以下將結合圖和具體實施過程對本發(fā)明做進一步詳細說明實施例1.將4.0g SiO分成三份裝入瓷舟，置于臥式真空管式高溫爐的中心后， 采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方式充入高純氬氣 (99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在SOsccm，待流量穩(wěn)定后開始按圖1所 示溫度曲線升溫至1400°C，充入20SCCm的高純CH4，調整爐腔內氣壓至1. 1-1. 5atm，保溫3 小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度曲線降至600°C，關 閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積了平均尺寸為40-50nm、長度達厘米 級的單晶β-SiC納米線。實施例2.將4. Og SiO分成三份裝入瓷舟，置于臥式真空管式高溫爐的中心后， 采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方式充入高純氬氣 (99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在SOsccm，待流量穩(wěn)定后開始按圖1所 示溫度曲線升溫至1400°C，充入40SCCm的高純CH4，調整爐腔內氣壓至1. 1-1. 5atm，保溫3 小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度曲線降至600°C，關 閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積了平均尺寸為40-50nm、長度達厘米 級的單晶β-SiC納米線。實施例3.將4. Og SiO分成三份裝入瓷舟，置于臥式真空管式高溫爐的中心后， 采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方式充入高純氬氣 (99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在SOsccm，待流量穩(wěn)定后開始按圖1所 示溫度曲線升溫至1400°C，充入80SCCm的高純CH4，調整爐腔內氣壓至1. 1-1. 5atm，保溫3 小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度曲線降至600°C，關 閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積了大量表面呈黑色和大量淡藍色的 產(chǎn)物，將表面黑色長產(chǎn)物在空氣中燃燒后，得到淡藍色產(chǎn)物，產(chǎn)物為平均尺寸為50-70nm、長 度達厘米級的單晶β-SiC納米線。實施例4.將4. Og SiO分成二份、2. OgSi和3. OgSiO2混合物分成二份裝入瓷舟，置于臥式真空管式高溫爐的中心后，采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量 流量計以清洗的方式充入高純氬氣(99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在 20SCCm，待流量穩(wěn)定后開始按圖1所示溫度曲線升溫至1500°C，充入40sCCm的高純CH4，調 整爐腔內氣壓至1. 1-1. 5atm，保溫3小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫 1小時，再按溫度曲線降至600°C，關閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管內大量沉 積了平均尺寸為40-50nm、長度達厘米級的單晶β -SiC納米線。實施例5.將2. OgSi和3. OgSiO2混合物分成二份裝入瓷舟，置于臥式真空管式高溫爐的中心后，采用機械泵將管式爐抽真空至-ο. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方式充入高純氬氣(99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在80sCCm，待流量穩(wěn) 定后開始按圖1所示溫度曲線升溫至1250°C，充入20sCCm的高純CH4，調整爐腔內氣壓至 1. 1-1. 5atm，保溫3小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度 曲線降至600°C，關閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沒有β-SiC納米線沉 積。實施例6.將2. OgSi和3. OgSiO2混合物分成二份裝入瓷舟，置于臥式真空管式 高溫爐的中心后，采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方 式充入高純氬氣(99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在80sCCm，待流量穩(wěn) 定后開始按圖1所示溫度曲線升溫至1300°C，充入20sCCm的高純CH4，調整爐腔內氣壓至 1. 1-1. 5atm，保溫3小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度 曲線降至600°C，關閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積了少量平均尺寸 為40-50nm、長度達毫米級的單晶β -SiC納米線。實施例7.將2. OgSi和3. OgSiO2混合物分成二份裝入瓷舟，置于臥式真空管式 高溫爐的中心后，采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方 式充入高純氬氣(99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在80sCCm，待流量穩(wěn) 定后開始按圖1所示溫度曲線升溫至1350°C，充入20sCCm的高純CH4，調整爐腔內氣壓至 1. l-1.5atm，保溫1小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度 曲線降至600°C，關閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積了大量平均尺寸 為40-50nm、長度達厘米級的單晶β -SiC納米線。實施例8.將2. OgSi和3. OgSiO2混合物分成二份裝入瓷舟，置于臥式真空管式 高溫爐的中心后，采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方 式充入高純氬氣(99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在80sCCm，待流量穩(wěn) 定后開始按圖1所示溫度曲線升溫至1400°C，充入40sCCm的高純C2H2，調整爐腔內氣壓至 1. 1-1. 5atm，保溫6小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度 曲線降至600°C，關閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積了大量平均尺寸 為40-50nm、長度達厘米級的單晶β -SiC納米線。實施例9.將4. Og SiO分成二份、2. OgSi和3. OgSiO2混合物分成二份裝入瓷舟， 置于臥式真空管式高溫爐的中心后，采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量 流量計以清洗的方式充入高純氮氣(99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在 40SCCm，待流量穩(wěn)定后開始按圖1所示溫度曲線升溫至1500°C，充入40sCCm的高純CH4，調 整爐腔內氣壓至1. 1-1. 5atm，保溫3小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫 1小時，再按溫度曲線降至600°C，關閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積 了平均尺寸為50-60nm、長度達厘米級的單晶β -SiC納米線。實施例10.將2. OgSi和3. OgSiO2混合物分成二份裝入瓷舟，置于臥式真空管式 高溫爐的中心后，采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方 式充入高純氬氣(99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在80sCCm，待流量穩(wěn) 定后開始按圖1所示溫度曲線升溫至1400°C，充入40sCCm的高純CH4，調整爐腔內氣壓至 1. 1-1. 5atm，保溫3小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度曲線降至600°C，關閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積了大量平均尺寸 為40-50nm、長度達厘米級的單晶β -SiC納米線。實施例11.將2.0g SiO2分成二份裝入瓷舟，置于臥式真空管式高溫爐的中心 后，采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量流量計以清洗的方式充入高純氬氣 (99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在SOsccm，待流量穩(wěn)定后開始按圖1所 示溫度曲線升溫至1400°C，充入40SCCm的高純CH4，調整爐腔內氣壓至1. 1-1. 5atm，保溫3 小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫1小時，再按溫度曲線降至600°C，關 閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管表面沉積了少量直徑較粗長度達毫米級的單 晶β-SiC納米線。實施例12.將4. Og SiO分成二份、2. OgSi和3. 0gSi02混合物分成二份裝入瓷舟， 置于臥式真空管式高溫爐的中心后，采用機械泵將管式爐抽真空至-0. IMpa，再通過質量 流量計以清洗的方式充入高純氬氣(99. 999% )至Iatm并清洗20分鐘后，將流量控制在 20SCCm，待流量穩(wěn)定后開始按圖1所示溫度曲線升溫至1600°C，充入40sCCm的高純CH4，調 整爐腔內氣壓至1. 1-1. 5atm，保溫3小時，然后按程序設置的溫度曲線降溫至1200°C，保溫 1小時，再按溫度曲線降至600°C，關閉電源，自然降溫至室溫，瓷舟表面和剛玉管內大量沉 積了平均尺寸為60-80nm、長度達厘米級的單晶β -SiC納米線。
權利要求
一種超長單晶β-SiC納米線無金屬催化劑的制備方法，其特征在于，在真空管式爐或化學氣相沉積爐中，以含碳氣體為碳源，一氧化硅或硅與氧化硅的混合物為硅源，Ar或N2為載氣，于溫度為1350-1600℃、碳源氣體流量為10-80sccm、載氣流量為20-80sccm、在超大氣壓條件下保溫數(shù)小時，在襯底上沉積生長得到長度達厘米級的單晶碳化硅納米線。
2.根據(jù)權利要求1所述的超長單晶碳化硅納米線無金屬催化劑的制備方法，其特征在 于，所述的含碳氣體為甲烷、乙炔或乙烯。
3.根據(jù)權利要求1所述的超長單晶碳化硅納米線無金屬催化劑的制備方法，其特征在 于，升溫過程為采用5-10°C /min的速度升溫到300°C，保溫10分鐘，再以5_10°C /min的 速度升溫到1350-1600°C，再保溫l_6h ；降溫過程分為兩階段，先以10_15°C /min的速度降 溫到1200°C，保溫lh，再以6-8°C /min的速度降溫到600°C，然后關閉電源自然冷卻至室溫。
4.根據(jù)權利要求1所述的超長單晶碳化硅納米線無金屬催化劑的制備方法，其特征在 于，硅與氧化硅的混合質量比例為1 1-1 3。
5.根據(jù)權利要求1所述的超長單晶碳化硅納米線無金屬催化劑的制備方法，其特征在 于，所述的保溫時間為l_6h。
6.根據(jù)權利要求1所述的超長單晶碳化硅納米線無金屬催化劑的制備方法，其特征在 于，所述的超大氣壓為1. 1-1. 5atm。
7.根據(jù)權利要求1 6任一項所述的超長單晶碳化硅納米線無金屬催化劑的制備方 法，其特征在于，襯底為瓷舟、剛玉片或硅片。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種超長單晶β-SiC納米線無金屬催化劑的制備方法，采用化學氣相沉積法，在真空管式爐或化學氣相沉積爐中，以含碳氣體為碳源，一氧化硅或氧化硅與硅的混合物為硅源，Ar或N2為載氣，于溫度為1350-1600℃、碳源氣體流量為10-80sccm、載氣流量為20-80sccm、氣壓為1.1-1.5atm條件下保溫1-6h，在瓷舟、剛玉片或硅片上沉積生長得到長度達厘米級的單晶β-SiC納米線。本發(fā)明完全在無添加金屬催化劑、無生長模板的條件下，采用簡單、易于操作控制、成本低、無污染的工藝過程合成單晶β-SiC納米線，合成的單晶β-SiC納米線具有直徑小、分布均勻、長度達厘米級、產(chǎn)量高等特點，有利于進行工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號C30B29/36GK101812730SQ201010154550
公開日2010年8月25日 申請日期2010年4月23日 優(yōu)先權日2010年4月23日
發(fā)明者林良武 申請人:中南大學