專利名稱：電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路板。
背景技術(shù)：
在多層高速電路板上，電源層的邊緣通常存在射頻電流，由于磁通的連接，使得射頻電流向低阻抗處(接地層)耦合，稱之為邊緣效應(fringing)。此時會產(chǎn)生較大的電磁輻射。減少邊緣效應的一個方法是依照20H法則，如電源層與接地層之間的距離為H，則將接地層的邊緣向外延伸20H的距離，此時可減少邊緣效應70%的電磁干擾。然而，當電源層與接地層之間的距離H較大時，將接地層的邊緣向外延伸20H的距離比較難以實施。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種能較好地抑制邊緣效應的電路板。一種電路板，包括層疊設(shè)置的若干信號層、電源層及接地層，沿每一信號層及電源層的邊緣均設(shè)置有一閉合的走線，沿走線每隔一段距離設(shè)有貫穿上述信號層、電源層及接地層的過孔，每個過孔均與信號層、電源層上的走線及接地層電性連接。上述電路板通過若干過孔貫穿層疊設(shè)置的若干信號層、電源層及接地層。所述若干過孔、信號層、電源層及接地層形成一封閉的屏蔽網(wǎng)，以防止電磁干擾，抑制所述電路板的邊緣效應。


圖1是本發(fā)明電路板的較佳實施方式的立體示意圖。圖2是本發(fā)明電路板的較佳實施方式的俯視圖。主要元件符號說明電路板100
第— 信號層Sl
第— 接地層Gl
第二.信號層S2
電源層Pl
第二.接地層G2
第三信號層S3
走線TR
過孔Vl
具體實施例方式下面結(jié)合附圖及較佳實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述請參考圖1，本發(fā)明電路板100的較佳實施方式包括層疊的一第一信號層Sl、一第一接地層G1、一第二信號層S2、一電源層P1、一第二接地層G2及一第三信號層S3。其他實施方式中，所述信號層、接地層及電源層數(shù)量及分布可由設(shè)計者設(shè)置，只要符合電路板的一般設(shè)計規(guī)則即可。請同時參考圖2，所述第一信號層Si、第二信號層S2、電源層Pl及第三信號層S3 的邊緣均設(shè)置一閉合的走線TR。本實施方式中，所述走線TR的寬度為20mil。所述第一信號層Sl上的走線TR上每隔一段距離，如40mil，開設(shè)一過孔VI。所述過孔Vl貫穿所述第一接地層G1、第二信號層S2、電源層P1、第二接地層G2及第三信號層 S3。所述過孔Vl的直徑小于所述走線TR的寬度。每個過孔Vl的內(nèi)壁渡有一銅箔層，所述銅箔層與所述第一信號層Si、第二信號層 S2、電源層Pl及第三信號層S3的走線TR及第一接地層G1、第二接地層G2電性連接。所述第一信號層Si、第二信號層S2、電源層Pl及第三信號層S3的走線TR與所述過孔Vl及所述第一接地層G1、所述第二接地層G2組成一封閉的屏蔽網(wǎng)，從而有效地防止了電磁干擾，抑制了所述電路板100的邊緣效應，并且所述電路板100不必依照20H法則將所述第一接地層G1、所述第二接地層G2的邊緣向外延伸很大的距離。上述電路板100通過在所述第一信號層Si、第二信號層S2、電源層Pl及第三信號層S3的邊緣設(shè)置一閉合的走線TR，所述走線TR上每隔一段距離開設(shè)一過孔VI。所述過孔 Vl貫穿所述第一接地層G1、第二信號層S2、電源層P1、第二接地層G2及第三信號層S3。所述過孔Vl與所述第一信號層Si、第二信號層S2、電源層Pl及第三信號層S3的走線TR及第一接地層G1、第二接地層G2電性連接，形成一封閉的屏蔽網(wǎng)，從而有效地防止了電磁干擾，抑制電路板100的邊緣效應，并且不必依照20H法則將所述第一接地層Gl、所述第二接地層G2的邊緣向外延伸很大的距離。
權(quán)利要求
1.一種電路板，包括層疊設(shè)置的若干信號層、電源層及接地層，沿每一信號層及電源層的邊緣均設(shè)置有一閉合的走線，沿走線每隔一段距離設(shè)有貫穿上述信號層、電源層及接地層的過孔，每個過孔均與信號層、電源層上的走線及接地層電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于所述走線的寬度為20mil。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于所述走線上相鄰的兩個過孔之間的距離為 40mil。
4.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于所述過孔的直徑小于所述走線的寬度。
全文摘要
一種電路板包括層疊設(shè)置的若干信號層、電源層及接地層，沿每一信號層及電源層的邊緣均設(shè)置有一閉合的走線，沿走線每隔一段距離設(shè)有貫穿上述信號層、電源層及接地層的過孔，每個過孔均與信號層、電源層上的走線及接地層電性連接，形成一封閉的屏蔽網(wǎng)。所述屏蔽網(wǎng)防止了電磁干擾，抑制所述電路板的邊緣效應。
文檔編號H05K1/02GK102271455SQ201010191279
公開日2011年12月7日 申請日期2010年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月3日
發(fā)明者謝澤亮 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司