專利名稱：超聲波發(fā)生器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種超聲波發(fā)生器，特別是關(guān)于一種功率連續(xù) 可調(diào)的超聲波發(fā)生器。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的超聲波發(fā)生器，一般采用的方式有1，自激振蕩電路組成，存在輸出功率 受限制，且不能頻率自動跟蹤等不足；2，采用高頻逆變單元，阻抗匹配系統(tǒng)，變壓器耦合輸 出組成，因變壓器頻率特性局限性，存在輸出功率受限制等不足。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種功率連續(xù)可調(diào)，頻率連續(xù)可調(diào)的 超聲波發(fā)生器。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種超聲波發(fā)生器，其包括電 源模塊，振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊，換能器，功率調(diào)整模塊以及頻率調(diào)整模 塊，所述的電源模塊分別與該振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器相連，該 振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器依次相連。本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是所述的電源模塊提供其他各個模塊的電源 供應(yīng)，同時給換能器提供轉(zhuǎn)換電能。本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是所述的硬件延時模塊包括電容(C111， Cl 12)，該硬件延時模塊用于在高頻狀態(tài)下，正常開關(guān)MOSFET推挽管，避免因MOSFET關(guān)斷延 時造成推挽管同時打開，造成電源短路，延時的長短由電容(C111，C112)決定。本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是所述的功率調(diào)整模塊包括第一可調(diào)電阻 (R104)，通過調(diào)整第一可調(diào)電阻(R104)，使得開關(guān)可控硅導(dǎo)通角的角度發(fā)生改變，使得提供 給換能器的電壓發(fā)生變化。本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是所述的頻率調(diào)整模塊包括第二可調(diào)電阻 (Rl 19)，并通過調(diào)整第二可調(diào)電阻(Rl 19)，實現(xiàn)頻率連續(xù)變化。本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是一種超聲波發(fā)生器，其包括電源模塊，振蕩 模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊，換能器，MCU控制器，功率調(diào)整模塊，電流檢測模塊以及 頻率調(diào)整模塊，所述的電源模塊分別與該振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能 器相連，該振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器依次相連。所述的MCU控制 器分別與該功率調(diào)整模塊，電流檢測模塊以及頻率調(diào)整模塊相連本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是所述的電源模塊提供其他各個模塊的電源 供應(yīng)，同時給換能器提供轉(zhuǎn)換電能。本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是所述的硬件延時模塊包括電容(C111， Cl 12)，該硬件延時模塊用于在高頻狀態(tài)下，正常開關(guān)MOSFET推挽管，避免因MOSFET關(guān)斷延 時造成推挽管同時打開，造成電源短路，延時的長短由電容(C111，C112)決定。本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是所述的MCU控制器包括人機界面，自動檢測負(fù)載功率，自動調(diào)整可控硅導(dǎo)通角，調(diào)整功率，通過數(shù)字電位器，調(diào)整振蕩頻率。本發(fā)明解決進(jìn)一步技術(shù)問題的方案是通過電流檢測模塊以及所述的MCU控制器 智能分析控制，計算換能器轉(zhuǎn)換功率。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的超聲波發(fā)生器設(shè)置功率調(diào)整模塊以及頻率調(diào)整模塊， 實現(xiàn)了不需要阻抗匹配系統(tǒng)，克服現(xiàn)有技術(shù)中無變壓器頻率特性局限性，因此可適用于超 聲波頻率范圍更寬的場合，實現(xiàn)輸出功率以及輸出頻率不受限制，并且可以同時實現(xiàn)功率 以及頻率連續(xù)可調(diào)。


圖1是本發(fā)明的超聲波發(fā)生器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明的一實施例提供一種超聲波發(fā)生器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明的另一實施例提供一種超聲波發(fā)生器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式以下內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定 本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫 離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù) 范圍。如圖1以及圖2所示，本發(fā)明的一實施例提供一種超聲波發(fā)生器，其包括電源模塊 A，振蕩模塊B，硬件延時模塊C，推挽電路模塊D，換能器E，功率調(diào)整模塊G以及頻率調(diào)整模 塊I。所述的電源模塊A分別與該振蕩模塊B，硬件延時模塊C，推挽電路模塊D以及換能器 E相連。該振蕩模塊B，硬件延時模塊C，推挽電路模塊D以及換能器E依次相連。工作原理電源模塊A提供其他各個模塊的電源供應(yīng)，同時給換能器E提供轉(zhuǎn)換 電能；振蕩模塊B產(chǎn)生換能器所需要的振蕩頻率；硬件延時模塊C包括電容Clll與C112， 該硬件延時模塊C用于在高頻狀態(tài)下，能夠正常開關(guān)MOSFET推挽管，避免因MOSFET關(guān)斷延 時造成推挽管同時打開，造成電源短路，延時的長短由電容Clll與C112決定；推挽電路模 塊D提供換能器轉(zhuǎn)換所需要的能量，電路中加入了去MOSFET結(jié)電容電路TR101，TR106，提 高關(guān)斷MOSFET的速度；換能器E將電能轉(zhuǎn)換為機械能；功率調(diào)整模塊G包括第一可調(diào)電阻 R104，通過調(diào)整第一可調(diào)電阻R104，使得開關(guān)可控硅導(dǎo)通角的角度發(fā)生改變，使得提供給換 能器E的電壓發(fā)生變化，改變換能器E功率，調(diào)整第一可調(diào)電阻R104實現(xiàn)功率連續(xù)調(diào)整；頻 率調(diào)整模塊I包括第二可調(diào)電阻R119，并通過調(diào)整第二可調(diào)電阻R119，實現(xiàn)頻率連續(xù)變化。如圖3所示，本發(fā)明的另一實施例提供一種超聲波發(fā)生器，其包括電源模塊A，振 蕩模塊B，硬件延時模塊C，推挽電路模塊D，換能器E，MCU控制器F，功率調(diào)整模塊G，電流 檢測模塊H以及頻率調(diào)整模塊I。所述的電源模塊A分別與該振蕩模塊B，硬件延時模塊C， 推挽電路模塊D以及換能器E相連。該振蕩模塊B，硬件延時模塊C，推挽電路模塊D以及 換能器E依次相連。所述的MCU控制器F分別與該功率調(diào)整模塊G，電流檢測模塊H以及頻 率調(diào)整模塊I相連。工作原理電源模塊A提供各個模塊的電源供應(yīng)，同時給換能器提供轉(zhuǎn)換電能；振 蕩模塊B產(chǎn)生換能器所需要的振蕩頻率；硬件延時模塊C包括電容Clll與C112，該硬件延時模塊C用于在高頻狀態(tài)下，能夠正常開關(guān)MOSFET推挽管，避免因MOSFET關(guān)斷延時造成推挽管同時打開，造成電源短路，延時的長短由電容Clll與C112決定；推挽電路模塊D 提供換能器轉(zhuǎn)換所需要的能量，電路中加入了去MOSFET結(jié)電容電路TR101，TR106,提高關(guān) 斷MOSFET的速度；換能器E將電能轉(zhuǎn)換為機械能；MCU控制器F包括人機界面，自動檢測負(fù) 載功率，自動調(diào)整可控硅導(dǎo)通角，調(diào)整功率，通過數(shù)字電位器，調(diào)整振蕩頻率；功率調(diào)整模塊 G，通過MCU控制器F使得開關(guān)可控硅導(dǎo)通角的角度發(fā)生改變，從而使得提供給換能器E的 電壓發(fā)生變化，改變換能器E功率，實現(xiàn)功率連續(xù)調(diào)整；電流檢測模塊H，通過電流檢測模塊 H以及所述的MCU控制器F智能分析控制，計算換能器E轉(zhuǎn)換功率，實現(xiàn)自動控制；頻率調(diào) 整模塊I，數(shù)字電位器通過MCU控制器F，實現(xiàn)頻率連續(xù)變化。 本發(fā)明的超聲波發(fā)生器設(shè)置功率調(diào)整模塊以及頻率調(diào)整模塊，實現(xiàn)了不需要阻抗 匹配系統(tǒng)，克服現(xiàn)有技術(shù)中無變壓器頻率特性局限性，因此可適用于超聲波頻率范圍更寬 的場合，實現(xiàn)輸出功率以及輸出頻率不受限制，并且可以同時實現(xiàn)功率以及頻率連續(xù)可調(diào)。
權(quán)利要求
一種超聲波發(fā)生器，其特征在于其包括電源模塊，振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊，換能器，功率調(diào)整模塊以及頻率調(diào)整模塊，所述的電源模塊分別與該振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器相連，該振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器依次相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波發(fā)生器，其特征在于所述的電源模塊提供其他各個 模塊的電源供應(yīng)，同時給換能器提供轉(zhuǎn)換電能。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超聲波發(fā)生器，其特征在于所述的硬件延時模塊包括電容 (Cl 11，Cl 12)，該硬件延時模塊用于在高頻狀態(tài)下，正常開關(guān)MOSFET推挽管，避免因MOSFET 關(guān)斷延時造成推挽管同時打開，造成電源短路，延時的長短由電容(C111，C112)決定。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超聲波發(fā)生器，其特征在于所述的功率調(diào)整模塊包括第一 可調(diào)電阻(R104)，通過調(diào)整第一可調(diào)電阻(R104)，使得開關(guān)可控硅導(dǎo)通角的角度發(fā)生改 變，使得提供給換能器的電壓發(fā)生變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超聲波發(fā)生器，其特征在于所述的頻率調(diào)整模塊包括第二 可調(diào)電阻(R119)，并通過調(diào)整第二可調(diào)電阻(R119)，實現(xiàn)頻率連續(xù)變化。
6.一種超聲波發(fā)生器，其特征在于其包括電源模塊，振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽 電路模塊，換能器，MCU控制器，功率調(diào)整模塊，電流檢測模塊以及頻率調(diào)整模塊，所述的電 源模塊分別與該振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器相連，該振蕩模塊，硬 件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器依次相連。所述的MCU控制器分別與該功率調(diào)整模 塊，電流檢測模塊以及頻率調(diào)整模塊相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超聲波發(fā)生器，其特征在于所述的電源模塊提供其他各個 模塊的電源供應(yīng)，同時給換能器提供轉(zhuǎn)換電能。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波發(fā)生器，其特征在于所述的硬件延時模塊包括電容 (Clll，Cl 12)，該硬件延時模塊用于在高頻狀態(tài)下，正常開關(guān)MOSFET推挽管，避免因MOSFET 關(guān)斷延時造成推挽管同時打開，造成電源短路，延時的長短由電容(C111，C112)決定。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超聲波發(fā)生器，其特征在于所述的MCU控制器包括人機界 面，自動檢測負(fù)載功率，自動調(diào)整可控硅導(dǎo)通角，調(diào)整功率，通過數(shù)字電位器，調(diào)整振蕩頻 率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超聲波發(fā)生器，其特征在于通過電流檢測模塊以及所述的 MCU控制器智能分析控制，計算換能器轉(zhuǎn)換功率。
全文摘要
本發(fā)明提供一種超聲波發(fā)生器，其包括電源模塊，振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊，換能器，功率調(diào)整模塊以及頻率調(diào)整模塊，所述的電源模塊分別與該振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器相連，該振蕩模塊，硬件延時模塊，推挽電路模塊以及換能器依次相連。本發(fā)明的超聲波發(fā)生器設(shè)置功率調(diào)整模塊以及頻率調(diào)整模塊，實現(xiàn)了不需要阻抗匹配系統(tǒng)，克服現(xiàn)有技術(shù)中無變壓器頻率特性局限性，因此可適用于超聲波頻率范圍更寬的場合，實現(xiàn)輸出功率以及輸出頻率不受限制，并且可以同時實現(xiàn)功率以及頻率連續(xù)可調(diào)。
文檔編號B06B1/04GK101884974SQ20101021302
公開日2010年11月17日 申請日期2010年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月29日
發(fā)明者曾建汝, 秦宏武, 首召兵 申請人:深圳和而泰智能控制股份有限公司