專利名稱：蝕刻方法及使用該蝕刻方法的pcb制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蝕刻方法以及使用該蝕刻方法的PCB制造方法。
背景技術(shù)：
同步于電子產(chǎn)品趨于更小型化和更高集成度的發(fā)展趨勢(shì)，用在電子產(chǎn)品中的印刷 電路板的電路圖案在尺寸上也變得更小。在制造印刷電路板時(shí)，細(xì)微的電路圖案需要精確的蝕刻工藝。然而，由于蝕刻根據(jù) 蝕刻溶液的濃度和溫度而在質(zhì)量上變化，所以執(zhí)行精確蝕刻是非常困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種可以執(zhí)行精確蝕刻的蝕刻方法，以及使用該蝕刻方法制造印刷 電路板的方法。本發(fā)明的一個(gè)方面提供了 一種蝕刻方法。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的蝕刻方法可以包 括提供蝕刻對(duì)象；在蝕刻對(duì)象上堆疊抗蝕層，其中，該抗蝕層具有形成于其上的熔絲圖案 和狹縫，并且該狹縫將熔絲圖案分開(kāi)(sever)；以及蝕刻所述蝕刻對(duì)象，直到在形成對(duì)應(yīng)于 熔絲圖案的熔絲之后被狹縫暴露的熔絲分開(kāi)。熔絲可以包括將被分開(kāi)部和一對(duì)電極，其中，將被分開(kāi)部在蝕刻時(shí)被分開(kāi)，而一對(duì) 電極中的每個(gè)電極連接至將被分開(kāi)部的其中一個(gè)端部，以及在對(duì)所述蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻 時(shí)，可通過(guò)檢測(cè)一對(duì)電極之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)熔絲的分開(kāi)。在提供蝕刻對(duì)象時(shí)，可以設(shè)置RF組件，其中，RF組件接合至蝕刻對(duì)象并連接至一 對(duì)電極，以及在對(duì)蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻時(shí)，可以通過(guò)檢測(cè)RF組件的信號(hào)來(lái)檢測(cè)熔絲的分開(kāi)。熔絲可以包括將被分開(kāi)部和多個(gè)電極，其中，將被分開(kāi)部在蝕刻時(shí)被分開(kāi)，并且多 個(gè)電極連接至將被分開(kāi)部，抗蝕層可以包括具有不同間隙的多個(gè)狹縫，其中，多個(gè)狹縫設(shè)置 在將被分開(kāi)部上以使多個(gè)電極中的每個(gè)電極分離。在對(duì)蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻時(shí)，可以通過(guò)檢 測(cè)多個(gè)電極之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)熔絲的分開(kāi)。在提供蝕刻對(duì)象時(shí)，可以設(shè)置RF組件，其中，RF組件接合至蝕刻對(duì)象并連接至多 個(gè)電極，以及在對(duì)蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻時(shí)，可以通過(guò)檢測(cè)RF組件的信號(hào)來(lái)檢測(cè)熔絲的分開(kāi)。熔絲可以形成在蝕刻對(duì)象的虛設(shè)區(qū)域(dummy area)中。對(duì)蝕刻對(duì)象進(jìn)行的蝕刻可以包括在蝕刻對(duì)象上涂覆蝕刻溶液和在熔絲分開(kāi)時(shí)安 裝阻擋膜，其中，阻擋膜阻擋蝕刻溶液。本發(fā)明的另一方面提供了一種制造印刷電路板的方法。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的方 法可以包括提供其上形成有金屬層的基底；在金屬層上堆疊抗蝕層，其中，抗蝕層具有形成于其上的熔絲圖案和狹縫，并且狹縫將熔絲圖案分開(kāi)；以及通過(guò)將金屬層蝕刻到在形成 對(duì)應(yīng)于熔絲圖案的熔絲之后被狹縫暴露的熔絲分開(kāi)，來(lái)形成電路圖案。熔絲可以包括將被分開(kāi)部和一對(duì)電極，其中，將被分開(kāi)部在蝕刻時(shí)被分開(kāi)，而一對(duì) 電極中的每個(gè)電極連接至將被分開(kāi)部的其中一個(gè)端部，并且在形成電路圖案時(shí)，可以通過(guò) 檢測(cè)一對(duì)電極之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)熔絲的分開(kāi)。基底可以進(jìn)一步包括連接至一對(duì)電極的RF組件，并且在形成電路圖案時(shí)，可以通 過(guò)檢測(cè)RF組件的信號(hào)來(lái)檢測(cè)熔絲的分開(kāi)。熔絲可以包括將被分開(kāi)部和多個(gè)電極，其中，將被分開(kāi)部在蝕刻時(shí)被分開(kāi)，而多個(gè) 電極連接至將被分開(kāi)部，并且抗蝕層可以包括具有不同間隙的多個(gè)狹縫，其中多個(gè)狹縫設(shè) 置在將被分開(kāi)部上以使多個(gè)電極中的每個(gè)電極分離。在形成電路圖案時(shí)，可以通過(guò)檢測(cè)多 個(gè)電極之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)熔絲的分開(kāi)。基底可以設(shè)置有連接至多個(gè)電極的RF組件，并且在形成電路圖案時(shí)，可以通過(guò)檢 測(cè)RF組件的信號(hào)來(lái)檢測(cè)熔絲的分開(kāi)。熔絲可以形成在基底的虛設(shè)區(qū)域中。電路圖案的形成可以包括在基底上涂覆蝕刻溶液以及在熔絲分開(kāi)時(shí)安裝阻擋膜， 其中，阻擋膜阻擋蝕刻溶液。本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)一部分將在隨后的說(shuō)明書中進(jìn)行闡明，而一部分從本說(shuō) 明書中是顯而易見(jiàn)的，或者可以通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明來(lái)獲知。


圖1是示出了使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的蝕刻方法制造印刷電路板的方法的流 程圖。圖2至圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造印刷電路板的方法的示圖。圖7至圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的制造印刷電路板的方法的示圖。
具體實(shí)施例方式通過(guò)下面的附圖和描述，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。圖1是示出了使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的蝕刻方法來(lái)制造印刷電路板的方法的 流程圖，圖2至圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造印刷電路板的方法的示圖。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造印刷電路板的方法包括提供基底(SllO)、堆疊抗蝕層 (S120)以及形成電路圖案(S130)，該方法的特征在于檢測(cè)形成電路圖案12時(shí)所需要的蝕 刻量。在提供基底的步驟(SllO)中，提供了其上形成有金屬層10(蝕刻對(duì)象)的基底5。如圖2所示，本實(shí)施方式的基底5是由多個(gè)單元基底區(qū)11組成并具有形成在其一 個(gè)表面上的金屬層10的平板基底，該金屬層被分成多個(gè)單元基底區(qū)11。在堆疊抗蝕層的步驟(S120)中，在金屬層10上堆疊其上形成有熔絲圖案31和 狹縫33的抗蝕層30。熔絲圖案31對(duì)應(yīng)于要形成的熔絲20的形狀覆蓋金屬層10，并且 狹縫33將熔絲圖案31分開(kāi)。這里，對(duì)應(yīng)于要形成的電路圖案12而被穿透的直通圖案 (through-pattern) 36 形成在抗蝕層 30 上。
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在下文將描述的形成電路圖案的步驟(S130)中，通過(guò)蝕刻來(lái)保留與熔絲圖案31 相對(duì)應(yīng)的熔絲20，然后通過(guò)狹縫33暴露并分開(kāi)所形成的熔絲20。此外，可以通過(guò)直通圖案 36暴露金屬層10上沒(méi)有形成電路圖案12的部分，并通過(guò)蝕刻來(lái)將該部分去除。這里，本實(shí)施方式的熔絲20可以形成在基底5的虛設(shè)區(qū)域15中，該虛設(shè)區(qū)域在制 造印刷電路板之后通過(guò)將其分開(kāi)而被分離。即，由于熔絲20形成在將與基底5分離的多余 的區(qū)域中，所以可以不存在用于熔絲20所不必要浪費(fèi)的印刷電路板的空間。本實(shí)施方式的熔絲20可以包括將被分開(kāi)部22，其在蝕刻期間被暴露并被分開(kāi)； 一對(duì)電極M，每個(gè)電極連接至將被分開(kāi)部22的其中一個(gè)端部，從而可以在形成電路圖案的 步驟(S130)中通過(guò)檢測(cè)電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)熔絲20的分開(kāi)。如圖2所示，本實(shí)施方式的抗蝕層30具有熔絲圖案31，其設(shè)置在虛設(shè)區(qū)域15中并 與形成在虛設(shè)區(qū)域上的虛設(shè)圖案17分離。于是，熔絲圖案31由對(duì)應(yīng)于將被分開(kāi)部22的分 開(kāi)部圖案32和對(duì)應(yīng)于一對(duì)電極M的電極圖案34構(gòu)成。此外，用于分開(kāi)熔絲圖案31的狹 縫33被形成為將分開(kāi)部圖案32分開(kāi)。在形成電路圖案的步驟(S130)中，通過(guò)將金屬層10蝕刻到形成對(duì)應(yīng)于熔絲圖案 31的熔絲20之后被狹縫33暴露的熔絲20分開(kāi)，來(lái)形成電路圖案12。如圖3所示，由于通過(guò)蝕刻到金屬層10達(dá)到預(yù)期的蝕刻量時(shí)，熔絲20被形成為分 開(kāi)，所以可以直接確定在金屬層10上進(jìn)行的蝕刻量。具體地，如圖4所示，在執(zhí)行蝕刻時(shí)，通過(guò)熔絲圖案31來(lái)最初形成具有將被分開(kāi)部 22的熔絲20。然后，在進(jìn)行進(jìn)一步蝕刻時(shí)，熔絲20的將被分開(kāi)部22被蝕刻并且通過(guò)狹縫 33而被分開(kāi)。即，可以這樣設(shè)置狹縫33使得當(dāng)金屬層10達(dá)到預(yù)期的蝕刻量時(shí)熔絲20被分 開(kāi)。因此，由于直接檢測(cè)蝕刻量，并且可以停止蝕刻過(guò)程，所以可以通過(guò)執(zhí)行精確的蝕 刻過(guò)程來(lái)形成細(xì)微的電路圖案12，而與蝕刻溶液的濃度或溫度的偏差無(wú)關(guān)。特別地，在本實(shí)施方式中，可以通過(guò)檢測(cè)一對(duì)電極M之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)熔絲20 的分開(kāi)。具體地，當(dāng)一對(duì)電極M彼此電連接時(shí)，在通過(guò)蝕刻來(lái)將熔絲20分開(kāi)時(shí)，可以通過(guò) 檢測(cè)電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)熔絲20的分開(kāi)。這里，如圖5所示，可以將傳輸無(wú)線信號(hào)的RF組件沈連接至該對(duì)電極24。因此， 如果在檢測(cè)到該對(duì)電極M之間的電斷開(kāi)之后，RF組件沈傳輸信號(hào)或改變正傳輸?shù)男盘?hào)， 則可以容易地檢測(cè)熔絲20的分開(kāi)。為此，將RF組件沈接合至金屬層10，并且金屬層10接 合至RF組件沈的部分可以通過(guò)蝕刻而變?yōu)槿劢z20。此外，熔絲20可以包括連接至將被分開(kāi)部22的多個(gè)電極(未示出)，并且可以在 將被分開(kāi)部22上設(shè)置多個(gè)狹縫33a、33b、33c和33d，使得多個(gè)狹縫33a、33b、33c和33d可 以使多個(gè)電極彼此分離。具體地，多個(gè)狹縫33a、33b、33c和33d可以設(shè)置在將被分開(kāi)部中 多個(gè)電極連接至的部分上，從而可以通過(guò)蝕刻來(lái)切斷多個(gè)電極之間的電連接。為此，如圖7和圖8所示，可以通過(guò)將分開(kāi)部圖案32分開(kāi)而將分別使電極圖案 35a、35b、35c、35d和35e隔離的多個(gè)狹縫33a、33b、33c和33d形成在抗蝕層30上。這里，可以將多個(gè)狹縫33a、33b、33c和33d之間的間隙(即，多個(gè)狹縫之間的寬 度)設(shè)定為彼此不同，使得可以以不同的蝕刻量來(lái)分開(kāi)將被分開(kāi)部22。具體地，介于狹縫 33a(具有較窄的寬度)間的電極之間的電斷開(kāi)遲于介于狹縫33b(具有較寬的寬度)之間
6的電極之間的電斷開(kāi)發(fā)生。換而言之，根據(jù)蝕刻的量而不同地執(zhí)行電極的電斷開(kāi)。因此，在 通過(guò)以不同的蝕刻量將多個(gè)狹縫33a、33b、33c和33d電斷開(kāi)的方式設(shè)定多個(gè)狹縫33a、33b、 33c和33d之后，可以通過(guò)檢測(cè)以預(yù)期蝕刻量被電斷開(kāi)的電極來(lái)確定蝕刻量。這里，如圖9所示，可以將傳輸無(wú)線信號(hào)的RF組件27連接至多個(gè)電極。因此，如 果在檢測(cè)到多個(gè)電極之間的電斷開(kāi)之后，RF組件27傳輸信號(hào)或改變正傳輸?shù)男盘?hào)，那么可 容易地檢測(cè)熔絲20的分開(kāi)。同時(shí)，在本實(shí)施方式中，如圖6所示，可以通過(guò)經(jīng)由噴射器(spray)60在基底5上 涂覆蝕刻溶液來(lái)執(zhí)行蝕刻過(guò)程。在這種情況下，當(dāng)熔絲20分開(kāi)時(shí)，可以在噴射器60的前方 安裝阻擋蝕刻溶液的阻擋膜70，從而在通過(guò)傳送帶50傳送基底5的同時(shí)，可以停止在基底 5上涂覆蝕刻溶液。這可以停止蝕刻過(guò)程。通過(guò)利用如上闡述的本發(fā)明的特定實(shí)施方式，由于在達(dá)到期望的蝕刻量時(shí)，可以 通過(guò)直接檢測(cè)蝕刻量來(lái)停止蝕刻過(guò)程，所以可通過(guò)執(zhí)行精確的蝕刻過(guò)程來(lái)形成細(xì)微的電路 圖案。盡管已經(jīng)參考特定實(shí)施方式詳細(xì)地描述了本發(fā)明的精神，但這些實(shí)施方式僅是用 于說(shuō)明性目的，而不應(yīng)當(dāng)限制本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不背離本發(fā)明的范 圍和精神的前提下，可以改變或修改這些實(shí)施方式。如此，與以上闡述的實(shí)施方式不同的許多實(shí)施方式可以在所附權(quán)利要求中找到。
權(quán)利要求
1.一種蝕刻方法，包括 提供蝕刻對(duì)象；在所述蝕刻對(duì)象上堆疊抗蝕層，所述抗蝕層具有形成在其上的熔絲圖案和狹縫，所述 狹縫將所述熔絲圖案分開(kāi)；以及蝕刻所述蝕刻對(duì)象，直到在形成對(duì)應(yīng)于所述熔絲圖案的熔絲之后被所述狹縫暴露的熔 絲分開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熔絲包括將被分開(kāi)部和一對(duì)電極，所述將被分開(kāi)部在蝕刻時(shí)被分開(kāi)，而所述一對(duì) 電極中的每個(gè)電極連接至所述將被分開(kāi)部的其中一個(gè)端部；以及在對(duì)所述蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻時(shí)，通過(guò)檢測(cè)所述一對(duì)電極之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)所述熔絲 的分開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在提供所述蝕刻對(duì)象時(shí)，設(shè)置RF組件，所述RF組件接合至所述蝕刻對(duì)象，并連接至所 述一對(duì)電極；以及在對(duì)所述蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻時(shí)，通過(guò)檢測(cè)所述RF組件的信號(hào)來(lái)檢測(cè)所述熔絲的分開(kāi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熔絲包括將被分開(kāi)部和多個(gè)電極，所述將被分開(kāi)部在蝕刻時(shí)被分開(kāi)，所述多個(gè)電 極連接至所述將被分開(kāi)部；所述抗蝕層包括具有不同間隙的多個(gè)狹縫，所述多個(gè)狹縫設(shè)置在所述將被分開(kāi)部上， 以使所述多個(gè)電極中的每個(gè)電極分離；以及在對(duì)所述蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻時(shí)，通過(guò)檢測(cè)所述多個(gè)電極之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)所述熔絲 的分開(kāi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在提供所述蝕刻對(duì)象時(shí)，設(shè)置RF組件，所述RF組件接合至所述蝕刻對(duì)象并連接至所述 多個(gè)電極；以及在對(duì)所述蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻時(shí)，通過(guò)檢測(cè)所述RF組件的信號(hào)來(lái)檢測(cè)所述熔絲的分開(kāi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述熔絲形成在所述蝕刻對(duì)象的虛設(shè)區(qū)域中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，對(duì)所述蝕刻對(duì)象進(jìn)行的蝕刻包括 在所述蝕刻對(duì)象上涂覆蝕刻溶液；以及在所述熔絲分開(kāi)時(shí)安裝阻擋膜，所述阻擋膜被配置為用于阻擋所述蝕刻溶液。
8.—種制造印刷電路板的方法，所述方法包括 提供其上形成有金屬層的基底；在所述金屬層上堆疊抗蝕層，所述抗蝕層具有形成在其上的熔絲圖案和狹縫，所述狹 縫將所述熔絲圖案分開(kāi)；以及通過(guò)蝕刻所述金屬層到在形成對(duì)應(yīng)于所述熔絲圖案的熔絲之后被所述狹縫暴露的熔 絲分開(kāi)來(lái)形成電路圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述熔絲包括所述將被分開(kāi)部和一對(duì)電極，所述將被分開(kāi)部在蝕刻時(shí)被分開(kāi)，而所述 一對(duì)電極中的每個(gè)電極連接至所述將被分開(kāi)部的其中一個(gè)端部；以及在形成所述電路圖案時(shí)，通過(guò)檢測(cè)所述一對(duì)電極之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)所述熔絲的分開(kāi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述基底進(jìn)一步包括連接至所述一對(duì)電極的RF組件；以及在形成所述電路圖案時(shí)，通過(guò)檢測(cè)所述RF組件的信號(hào)來(lái)檢測(cè)所述熔絲的分開(kāi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述熔絲包括將被分開(kāi)部和多個(gè)電極，所述將被分開(kāi)部在蝕刻時(shí)被分開(kāi)，而所述多個(gè) 電極連接至所述將被分開(kāi)部；所述抗蝕層包括具有不同間隙的多個(gè)狹縫，所述多個(gè)狹縫設(shè)置在所述將被分開(kāi)部上， 以使所述多個(gè)電極中的每個(gè)電極分離；以及在形成所述電路圖案時(shí)，通過(guò)檢測(cè)所述多個(gè)電極之間的電斷開(kāi)來(lái)檢測(cè)所述熔絲的分開(kāi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述基底設(shè)置有連接至所述多個(gè)電極的RF組件；以及在形成所述電路圖案時(shí)，通過(guò)檢 測(cè)所述RF組件的信號(hào)來(lái)檢測(cè)所述熔絲的分開(kāi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述熔絲形成在所述基底的虛設(shè)區(qū)域中。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述電路圖案的形成包括 在所述基底上涂覆蝕刻溶液；以及在所述熔絲分開(kāi)時(shí)安裝阻擋膜，所述阻擋膜被配置為用于阻擋所述蝕刻溶液。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種蝕刻方法和使用該蝕刻方法制造印刷電路板的方法。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的蝕刻方法可以包括提供蝕刻對(duì)象；在蝕刻對(duì)象上堆疊抗蝕層，其中，該抗蝕層具有形成于其上的熔絲圖案和狹縫，并且該狹縫將該熔絲圖案分開(kāi)；以及對(duì)蝕刻對(duì)象進(jìn)行蝕刻，直到在形成與熔絲圖案對(duì)應(yīng)的熔絲之后被狹縫暴露的熔絲分開(kāi)。因此，由于直接檢測(cè)蝕刻的量，并且可以停止蝕刻過(guò)程，所以可以通過(guò)執(zhí)行精確的蝕刻過(guò)程來(lái)形成細(xì)微的電路圖案。
文檔編號(hào)H05K3/06GK102115888SQ20101025168
公開(kāi)日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2010年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者崔昌煥, 李東煥, 李宇鎮(zhèn), 李珍旭 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社