專利名稱：圓片的二氧化硅腐蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圓片的二氧化硅腐蝕方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有腐蝕液溫度較低，導(dǎo)致圓片腐蝕效率比較低，若提高溫度，則產(chǎn)生過腐蝕，合 格率又降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種圓片的二氧化硅腐蝕方法。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案本發(fā)明圓片的二氧化硅腐蝕方法，通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在36 40°C，然 后將圓片放入腐蝕液內(nèi)腐蝕8 12分鐘，最后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F,所述 圓片為氧化后的硅片。本發(fā)明減少了腐蝕時間，提高了生產(chǎn)效率，并且減少了腐蝕線條的毛刺，提高了化 學(xué)試劑的活性。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在40°C，然后將圓片放入腐蝕液內(nèi)腐蝕8分鐘，最 后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F,所述圓片為氧化后的硅片。實(shí)施例2 通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在36°C，然后將圓片放入腐蝕液內(nèi)腐蝕12分鐘，最 后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F,所述圓片為氧化后的硅片。
權(quán)利要求
一種圓片的二氧化硅腐蝕方法，其特征在于所述方法如下通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在36～40℃，然后將圓片放入腐蝕液內(nèi)腐蝕8～12分鐘，最后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F，所述圓片為氧化后的硅片。
全文摘要
本發(fā)明公布了一種圓片的二氧化硅腐蝕方法，通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在36～40℃，然后將圓片放入腐蝕液內(nèi)腐蝕8～12分鐘，最后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F，所述圓片為氧化后的硅片。本發(fā)明減少了腐蝕時間，提高了生產(chǎn)效率，并且減少了腐蝕線條的毛刺，提高了化學(xué)試劑的活性。
文檔編號C30B33/10GK101906667SQ20101025348
公開日2010年12月8日 申請日期2010年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月13日
發(fā)明者張春華, 張馨月 申請人:無錫春輝科技有限公司