專利名稱：可控晶粒取向的鎂合金制備裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種合金熔煉裝置，特別涉及一種能夠控制晶粒取向的熔煉凝固裝置。
背景技術(shù)：
鎂合金由于具有密度小、比強(qiáng)度高、導(dǎo)熱導(dǎo)電性好的性質(zhì)，同時(shí)具有良好的阻尼減 震和電磁屏蔽性能，因而將廣泛應(yīng)用于電子裝置的殼體結(jié)構(gòu)件和對輕、薄、小型化，高集成 度等要求較高的領(lǐng)域。鎂合金為六方晶系的晶體結(jié)構(gòu)特征，常規(guī)熔煉的多晶鎂合金，其鑄件 強(qiáng)度、硬度很低，綜合力學(xué)性能差；因此，為了得到綜合性能好的鎂合金鑄錠和鑄件，鎂合金 的凝固過程尤為重要?，F(xiàn)有技術(shù)中，在對于鎂合金的熔煉設(shè)備，一般包括控制電路和熔煉爐，其主要用于 熔煉出一般合金且對晶粒取向沒有特別要求的鑄錠和鑄件；近年來定向凝固技術(shù)也在鎂合 金中得到應(yīng)用，但一般的定向凝固工藝設(shè)備只能通過變化凝固速度、溫度梯度來控制晶粒的生長，且隨著定向凝固過程的進(jìn)行，生長進(jìn)入穩(wěn)定后，晶粒呈現(xiàn)出較明顯單一的[10 J 0]擇優(yōu)取向生長，晶粒生長方向也與軸向偏差較大，鎂合金性能的提高受到限制。然而，隨著 科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，鎂合金的大量應(yīng)用要求其各項(xiàng)性能不斷的提高，欲得到研究所需要的晶 粒生長方向的晶粒以及非擇優(yōu)取向生長的鎂合金鑄錠，以往的熔煉凝固設(shè)備已經(jīng)不能滿足 實(shí)驗(yàn)的要求。因此，需要一種鎂合金熔煉設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡單緊湊，操作方便和安全，能夠根據(jù)需要 選擇合適晶粒取向的合金，控制鎂合金的凝固速度和溫度梯度，可以從凝固速度和溫度梯 度的角度去控制凝固后的組織及性能，在凝固時(shí)能夠得到與坩堝底部合金晶粒取向匹配的 不同凝固速度和溫度梯度條件下的固液凝固界面，從而根據(jù)需要得到不同晶粒取向的鎂合^^ ο

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，結(jié)構(gòu)簡單 緊湊，操作方便和安全，能夠根據(jù)需要選擇合適晶粒取向的合金，控制鎂合金的凝固速度和 溫度梯度，從凝固速度和溫度梯度的角度去控制凝固后的組織及性能，在凝固時(shí)能夠得到 與坩堝底部合金晶粒取向匹配的不同凝固速度和溫度梯度條件下的固液凝固界面，從而根 據(jù)需要得到不同晶粒取向的鎂合金。本發(fā)明的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，包括爐體和設(shè)置在爐體內(nèi)的坩堝組 件，所述爐體由上至下依次設(shè)置熔煉段和凝固段，所述熔煉段設(shè)置加熱裝置，凝固段豎直設(shè) 置柱狀冷卻夾套，一坩堝托柱以可上下滑動(dòng)的方式同軸內(nèi)套于柱狀冷卻夾套，坩堝托柱頂 端設(shè)置冷卻盤，坩堝組件置于冷卻盤上。進(jìn)一步，所述坩堝組件包括由上至下依次設(shè)置的漏斗形坩堝和U形坩堝，所述U形坩堝置于冷卻盤上，所述U形坩堝包括坩堝體和坩堝底，所述坩堝底以可拆卸的方式設(shè)置 于坩堝體下端且至少上表面由所需晶粒取向的金屬材料制成；進(jìn)一步，所述爐體包括中心管和包在中心管外部的保溫層，中心管上段為熔煉段，下段 為凝固段，柱狀冷卻夾套內(nèi)套于中心管凝固段；進(jìn)一步，還包括爐架，所述爐體固定安裝于爐架，爐架上固定設(shè)置環(huán)形托盤，所述中心 管底部端面和柱狀冷卻夾套底部端面密封支撐于環(huán)形托盤，一托柱托盤內(nèi)套于環(huán)形托盤并 支撐于坩堝托柱下端面，所述托柱托盤外圓設(shè)置外環(huán)形凸臺(tái)，所述外環(huán)形凸臺(tái)上表面與環(huán) 形托盤密封接觸；進(jìn)一步，還包括托柱驅(qū)動(dòng)裝置，所述托柱驅(qū)動(dòng)裝置包括與爐架上下往復(fù)滑動(dòng)配合的支 撐板和用于驅(qū)動(dòng)支撐板上下滑動(dòng)的動(dòng)力裝置，所述動(dòng)力裝置包括絲杠組件和電機(jī)，絲杠組 件的螺母與支撐板固定連接，絲杠組件的絲杠沿上下方向與電機(jī)的轉(zhuǎn)子軸同軸固定連接， 電機(jī)殼體固定設(shè)置于爐架；進(jìn)一步，所述坩堝底通過螺紋連接設(shè)置于坩堝體下端；進(jìn)一步，所述支撐板設(shè)置直徑大于坩堝和坩堝托柱直徑的下落孔，下落孔橫向設(shè)置拔 插板，所述坩堝托柱支撐于拔插板；進(jìn)一步，還包括中心處理器和顯示器，所述中心管熔煉段和凝固段分別設(shè)置溫度傳感 器，所述溫度傳感器的信號(hào)輸出至中心處理器，所述中心處理器的命令輸出端連接電機(jī)的 控制電路和顯示器；進(jìn)一步，所述柱狀冷卻夾套和冷卻盤均為循環(huán)水冷結(jié)構(gòu)；柱狀冷卻夾套的循環(huán)水進(jìn)口 管和出口管均徑向穿過中心管壁和保溫層連通于供水站；冷卻盤的循環(huán)水進(jìn)口管和出口管 均沿軸向依次穿過坩堝托柱、托柱托盤和拔插板，通過快速接頭連通于軟管并通過軟管連 通于供水站；所述拔插板沿拔插方向設(shè)置用于使冷卻盤的循環(huán)水進(jìn)口管和出口管通過的開 口槽；進(jìn)一步，所述保溫層分為熔煉段保溫層和凝固段保溫層，所述熔煉段保溫層和凝固段 保溫層之間設(shè)置隔熱層；所述中心管頂端設(shè)置保溫密封蓋，一攪拌裝置的攪拌軸轉(zhuǎn)動(dòng)密封 配合穿過保溫密封蓋并伸入漏斗形坩堝，所述攪拌裝置為可升降式結(jié)構(gòu)；所述中心管為真 空石英管；所述環(huán)形托盤內(nèi)圓設(shè)置內(nèi)環(huán)形凸臺(tái)，托柱托盤由下向上嵌入環(huán)形托盤，使托柱托 盤的外環(huán)形凸臺(tái)上表面與內(nèi)環(huán)形凸臺(tái)下表面密封接觸；所述電機(jī)為步進(jìn)電機(jī)。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，采用分段熔煉 和冷卻的爐體結(jié)構(gòu)，能夠根據(jù)需要選擇合適晶粒取向的合金并置于靠近水冷盤的坩堝底， 并根據(jù)需要控制鎂合金的凝固速度，從凝固速度的角度去控制凝固后的組織及性能，在凝 固時(shí)能夠得到與坩堝底部合金晶粒取相匹配的不同凝固速度和溫度梯度條件下的固液凝 固界面，從而根據(jù)需要得到不同晶粒取向的鎂合金；本發(fā)明可在結(jié)晶前沿隨設(shè)計(jì)的晶種取 向生長，能夠根據(jù)需要控制溫度梯度和選擇合適晶粒取向的合金，因而可以從熔體的溫度 梯度和合金的晶粒取向來控制凝固后的組織及性能，能夠得到軸向或徑向方向上綜合性能 較強(qiáng)的鎂合金鑄件和鑄錠，裝置結(jié)構(gòu)簡單緊湊，操作方便和安全。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為拔插板結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為U形坩堝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為拔插板結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示本實(shí)施例的可 控晶粒取向的鎂合金制備裝置，包括爐體和設(shè)置在爐體內(nèi)的坩堝組件，所述爐體由上至下 依次設(shè)置熔煉段和凝固段，所述熔煉段設(shè)置加熱裝置25，凝固段豎直設(shè)置柱狀冷卻夾套8， 一坩堝托柱10以可上下滑動(dòng)的方式同軸內(nèi)套于柱狀冷卻夾套8，坩堝托柱10頂端設(shè)置冷卻 盤沈，坩堝組件置于冷卻盤沈上。本實(shí)施例中，所述坩堝組件包括由上至下依次設(shè)置的漏斗形坩堝2和U形坩堝5， 所述U形坩堝5置于冷卻盤沈上，所述U形坩堝5包括坩堝體51和坩堝底52，所述坩堝 底52以可拆卸的方式設(shè)置于坩堝體下端且至少上表面由所需晶粒取向的金屬材料制成； 采用不同的金屬材料作為鎂合金結(jié)晶的引晶合金，并作為在坩堝底的上表面，用于誘導(dǎo)鎂 合金向所需要的晶粒方向凝固生長；根據(jù)需要將坩堝底拆下?lián)Q上所需材料的坩堝底，排除 現(xiàn)有技術(shù)中在坩堝內(nèi)直接放置晶種出現(xiàn)的意外干擾，保證最終產(chǎn)品的質(zhì)量，并且，更換坩堝 底就能達(dá)到更換所需任意晶粒取向合金的目的，具有互換性，操作簡單，通用性強(qiáng)；當(dāng)然，除 了坩堝底上表面一體設(shè)置所需晶粒取向的金屬材料以外，還可以將整個(gè)坩堝底都由所需材 料制成，均能達(dá)到發(fā)明目的。漏斗形坩堝將融化后的鎂合金澆注在U形坩堝5內(nèi)的晶種底面面上，由于水冷盤 的作用，再通過控制固液界面前沿液體中的溫度梯度和晶體的生長速度，金屬熔液就會(huì)從 一定晶粒取向的合金被熔化的部分開始沿金屬液中生長，直到引導(dǎo)U型坩堝內(nèi)的金屬液沿 設(shè)計(jì)的晶粒生長方式生長，并最終形成晶體取向與坩堝底部合金晶粒取相匹配的均勻柱狀 晶；由此可見，本實(shí)施例可通過選擇合適的晶粒取向的合金坩堝底材料，再通過控制固液界 面前沿液體中的溫度梯度和晶體的生長速度來得到不同取向的晶粒。本實(shí)施例中，所述爐體包括中心管1和包在中心管1外部的保溫層，中心管1上段 為熔煉段，下段為凝固段，柱狀冷卻夾套8內(nèi)套于中心管凝固段；采用中心管結(jié)構(gòu)，具有較 好的密封性能，保證熔煉過程不受外界干擾。本實(shí)施例中，還包括爐架19，所述爐體固定安裝于爐架19，爐架19上固定設(shè)置環(huán) 形托盤11，所述中心管1底部端面和柱狀冷卻夾套8底部端面密封支撐于環(huán)形托盤11，一 托柱托盤17內(nèi)套于環(huán)形托盤11并支撐于坩堝托柱10下端面，所述托柱托盤17外圓設(shè)置 外環(huán)形凸臺(tái)17a，所述外環(huán)形凸臺(tái)17a上表面與環(huán)形托盤11密封接觸；采用組合式托盤結(jié) 構(gòu)，利于坩堝組件冷卻時(shí)自由上下滑動(dòng)，較方便的控制冷卻速度。本實(shí)施例中，還包括托柱驅(qū)動(dòng)裝置，所述托柱驅(qū)動(dòng)裝置包括與爐架上下往復(fù)滑動(dòng) 配合的支撐板12和用于驅(qū)動(dòng)支撐板12上下滑動(dòng)的動(dòng)力裝置，所述動(dòng)力裝置包括絲杠組件 和電機(jī)15，絲杠組件的螺母與支撐板12固定連接，本實(shí)施例中，支撐板12直接加工有與四 缸組件的絲杠配合的螺紋，結(jié)構(gòu)簡單緊湊；絲杠組件的絲杠14沿上下方向與電機(jī)15的轉(zhuǎn)子 軸同軸固定連接，電機(jī)15殼體固定設(shè)置于爐架19 ；本實(shí)施例中，爐架19上設(shè)置至少兩個(gè)穿 過支撐板并與其滑動(dòng)配合的滑桿，圖中分別為滑桿13和滑桿16 ；滑桿13和滑桿16利于保持支撐板12整體平衡；通過絲杠結(jié)構(gòu)和電機(jī)結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，能夠方便的控制坩堝組件經(jīng)過 凝固段的速度，配合于冷卻溫度，能夠較好的控制鎂合金的凝固速度。本實(shí)施例中，所述中心管1頂端設(shè)置保溫密封蓋3，一攪拌裝置的攪拌軸4轉(zhuǎn)動(dòng)密 封配合穿過保溫密封蓋3并伸入漏斗形坩堝2 ；保證漏斗形坩堝內(nèi)的鎂合金能夠充分熔融， 并可使添加的其它微量元素充分均勻混合。本實(shí)施例中，還包括中心處理器23和顯示器對，所述中心管1熔煉段和凝固段分 別設(shè)置溫度傳感器，圖中分別為溫度傳感器7和溫度傳感器9，所述溫度傳感器7和溫度傳 感器9的信號(hào)輸出至中心處理器23，所述中心處理器23的命令輸出端連接電機(jī)15的控制 電路和顯示器M ；中心處理器23根據(jù)采集的信號(hào)控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，從而有效控制坩堝組件 經(jīng)過冷卻區(qū)域的速度，達(dá)到控制冷卻速度的目的，同時(shí)，在顯示器上顯示出溫度和冷卻速度 等參數(shù)。本實(shí)施例中，所述坩堝底52通過螺紋連接設(shè)置于坩堝體51下端；拆卸安裝方便， 互換性強(qiáng)。本實(shí)施例中，所述支撐板12設(shè)置直徑大于U形坩堝和坩堝托柱10直徑的下落孔 27，下落孔27橫向設(shè)置拔插板觀，所述坩堝托柱10支撐于拔插板觀；冷卻完畢后，拔出拔 插板觀，坩堝組件等部件直接落入下部的淬火池中，操作簡單方便，動(dòng)作迅速，盡量避免外 界的干擾；如用于實(shí)驗(yàn)設(shè)備，則得到較為客觀的結(jié)果。本實(shí)施例中，所述柱狀冷卻夾套8和冷卻盤沈均為循環(huán)水冷結(jié)構(gòu)；柱狀冷卻夾套 8的循環(huán)水進(jìn)口管18和出口管21均徑向穿過中心管1壁和保溫層連通于供水站；冷卻盤沈 的循環(huán)水進(jìn)口管30和出口管四均沿軸向依次穿過坩堝托柱10、托柱托盤17和拔插板28， 通過快速接頭連通于軟管并通過軟管連通于供水站，所述拔插板沿拔插方向設(shè)置用于使冷 卻盤的循環(huán)水進(jìn)口管和出口管通過的開口槽觀⑴使拔插板拔插和水管之間不互相干擾，順 利完成整套工藝流程，結(jié)構(gòu)簡單緊湊。本實(shí)施例中，所述保溫層分為熔煉段保溫層6和凝固段保溫層20，所述熔煉段保 溫層6和凝固段保溫層20之間設(shè)置隔熱層22 ；所述攪拌裝置為可升降式結(jié)構(gòu)，如圖所示， 包括升降電機(jī)如和攪拌軸4，可根據(jù)需要升降攪拌裝置，或者與保溫密封蓋3 —起上升；所 述中心管1為真空石英管；所述環(huán)形托盤11內(nèi)圓設(shè)置內(nèi)環(huán)形凸臺(tái)11a，托柱托盤17由下向 上嵌入環(huán)形托盤11，使托柱托盤17的外環(huán)形凸臺(tái)17a上表面與內(nèi)環(huán)形凸臺(tái)1 Ia下表面密封 接觸，結(jié)構(gòu)緊湊穩(wěn)定，密封性能好；所述電機(jī)15為步進(jìn)電機(jī)，易于控制，保證工藝過程的可 控性。本發(fā)明在使用時(shí)，將保溫密封蓋3打開，將所需晶粒取向的合金坩堝底旋入U(xiǎn)形坩 堝內(nèi)，再將實(shí)驗(yàn)鑄錠放于漏斗形坩堝內(nèi)，抽取真空，放入保護(hù)氣，開始加熱到720V，直到鎂 合金全部熔化落入U(xiǎn)形坩堝內(nèi)，此時(shí)，熔體在720°C保溫30min，使溶質(zhì)在熔體內(nèi)均勻分布； 然后開始按照設(shè)計(jì)的溫度梯度、拉晶速度開始從下向上凝固，根據(jù)凝固的需要開啟水冷盤 和水冷套，根據(jù)需要調(diào)整冷卻水循環(huán)量和下降速度；凝固的開始是部分熔化的一定晶粒取 向的坩堝底的內(nèi)表面開始凝固(或者坩堝為一體式，在內(nèi)表面布置所需晶粒取向的合金，也 能實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的，但是不能完全排除工藝過程中外來因素的干擾)，然后是鎂合金根據(jù)底部 晶粒取向開始凝固，凝固的鑄錠和鑄件幾乎是均勻同取向的柱狀晶，在軸向或徑向方向上 有較強(qiáng)綜合性能。
最后說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較 佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技 術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本 發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于包括爐體和設(shè)置在爐體內(nèi)的坩 堝組件，所述爐體由上至下依次設(shè)置熔煉段和凝固段，所述熔煉段設(shè)置加熱裝置，凝固段豎 直設(shè)置柱狀冷卻夾套，一坩堝托柱以可上下滑動(dòng)的方式同軸內(nèi)套于柱狀冷卻夾套，坩堝托 柱頂端設(shè)置冷卻盤，坩堝組件置于冷卻盤上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于所述坩堝組 件包括由上至下依次設(shè)置的漏斗形坩堝和U形坩堝，所述U形坩堝置于冷卻盤上，所述U形 坩堝包括坩堝體和坩堝底，所述坩堝底以可拆卸的方式設(shè)置于坩堝體下端且至少上表面由 所需晶粒取向的金屬材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于所述爐體包 括中心管和包在中心管外部的保溫層，中心管上段為熔煉段，下段為凝固段，柱狀冷卻夾套 內(nèi)套于中心管凝固段。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于還包括爐架， 所述爐體固定安裝于爐架，爐架上固定設(shè)置環(huán)形托盤，所述中心管底部端面和柱狀冷卻夾 套底部端面密封支撐于環(huán)形托盤，一托柱托盤內(nèi)套于環(huán)形托盤并支撐于坩堝托柱下端面， 所述托柱托盤外圓設(shè)置外環(huán)形凸臺(tái)，所述外環(huán)形凸臺(tái)上表面與環(huán)形托盤密封接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于還包括托柱 驅(qū)動(dòng)裝置，所述托柱驅(qū)動(dòng)裝置包括與爐架上下往復(fù)滑動(dòng)配合的支撐板和用于驅(qū)動(dòng)支撐板上 下滑動(dòng)的動(dòng)力裝置，所述動(dòng)力裝置包括絲杠組件和電機(jī)，絲杠組件的螺母與支撐板固定連 接，絲杠組件的絲杠沿上下方向與電機(jī)的轉(zhuǎn)子軸同軸固定連接，電機(jī)殼體固定設(shè)置于爐架。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于所述坩堝底 通過螺紋連接設(shè)置于坩堝體下端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于所述支撐板 設(shè)置直徑大于坩堝和坩堝托柱直徑的下落孔，下落孔橫向設(shè)置拔插板，所述坩堝托柱支撐 于拔插板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于還包括中心 處理器和顯示器，所述中心管熔煉段和凝固段分別設(shè)置溫度傳感器，所述溫度傳感器的信 號(hào)輸出至中心處理器，所述中心處理器的命令輸出端連接電機(jī)的控制電路和顯示器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于所述柱狀冷 卻夾套和冷卻盤均為循環(huán)水冷結(jié)構(gòu)；柱狀冷卻夾套的循環(huán)水進(jìn)口管和出口管均徑向穿過中 心管壁和保溫層連通于供水站；冷卻盤的循環(huán)水進(jìn)口管和出口管均沿軸向依次穿過坩堝托 柱、托柱托盤和拔插板，通過快速接頭連通于軟管并通過軟管連通于供水站；所述拔插板沿 拔插方向設(shè)置用于使冷卻盤的循環(huán)水進(jìn)口管和出口管通過的開口槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，其特征在于所述保溫層 分為熔煉段保溫層和凝固段保溫層，所述熔煉段保溫層和凝固段保溫層之間設(shè)置隔熱層； 所述中心管頂端設(shè)置保溫密封蓋，一攪拌裝置的攪拌軸轉(zhuǎn)動(dòng)密封配合穿過保溫密封蓋并伸 入漏斗形坩堝，所述攪拌裝置為可升降式結(jié)構(gòu)；所述中心管為真空石英管；所述環(huán)形托盤 內(nèi)圓設(shè)置內(nèi)環(huán)形凸臺(tái)，托柱托盤由下向上嵌入環(huán)形托盤，使托柱托盤的外環(huán)形凸臺(tái)上表面 與內(nèi)環(huán)形凸臺(tái)下表面密封接觸；所述電機(jī)為步進(jìn)電機(jī)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可控晶粒取向的鎂合金制備裝置，包括爐體和設(shè)置在爐體內(nèi)的坩堝組件，爐體由上至下依次設(shè)置熔煉段和凝固段，熔煉段設(shè)置加熱裝置，凝固段豎直設(shè)置柱狀冷卻夾套，一坩堝托柱以可上下滑動(dòng)的方式同軸內(nèi)套于柱狀冷卻夾套，坩堝托柱頂端設(shè)置冷卻盤，坩堝組件置于冷卻盤上，本發(fā)明能夠根據(jù)需要選擇置于坩堝底合適晶粒取向的合金，并通過控制鎂合金的凝固速度，從凝固速度的角度去控制凝固后的組織及性能，在凝固時(shí)能夠得到與坩堝底部合金晶粒取向匹配的不同凝固速度和溫度梯度條件下的固液凝固界面，從而根據(jù)需要得到不同晶粒取向的鎂合金，能夠得到軸向或徑向方向上綜合性能較強(qiáng)的鎂合金鑄件和鑄錠，裝置結(jié)構(gòu)簡單緊湊，操作方便和安全。
文檔編號(hào)C30B28/06GK102051678SQ20101027179
公開日2011年5月11日 申請日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者吳裕, 李瑞紅, 楊青山, 潘復(fù)生, 蔣斌 申請人:重慶大學(xué)