專利名稱：長壽命晶體硅太陽電池的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽電池的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的晶體硅太陽能電池，由于硼氧復(fù)合對的影響，在10年中輸出功率下降約 10%，20年中輸出功率下降約20%，使用壽命短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可有效減少硼氧復(fù)合對的產(chǎn)生，使用壽命長的長壽命晶體硅太陽電池的制造方法。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是一種長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，包括擴(kuò)磷處理步驟，其特征是在擴(kuò)磷處理步驟的通磷源前，先將硅片在氮?dú)夥罩袩崽幚?0 40分鐘，再在氧氮?dú)夥罩袩崽幚?20 40分鐘，熱處理溫度為500 1200°C，氧氮?dú)夥罩械獨(dú)馀c氧氣的重量比為氮?dú)庋鯕?=100 2 3。熱處理時，采用高溫、低溫配合處理的方法。采用高溫、低溫配合處理的方法是先在氮?dú)夥罩杏?00 900°C下進(jìn)行，再在氧氮?dú)夥罩杏?000 1200°C下進(jìn)行。采用高溫、低溫配合處理的方法是先在氮?dú)夥罩杏?000 1200°C下進(jìn)行10 18分鐘，氮?dú)夥罩衅溆鄷r間的熱處理在500 900°C下進(jìn)行，再在氧氮?dú)夥罩杏?000 1200°C下進(jìn)行。采用高溫、低溫配合處理的方法是先在氮?dú)夥罩杏?000 1200°C下進(jìn)行，再在氧氮?dú)夥罩杏?00 900°C下進(jìn)行W 18分鐘，氧氮?dú)夥罩衅溆鄷r間于1000 1200°C下進(jìn)行。本發(fā)明可有效保證電池的表面形成潔凈區(qū)，使體內(nèi)過多的氧成核，有效減少硼氧復(fù)合對的產(chǎn)生，使用壽命長；特別是采用高溫、低溫配合處理的熱處理方法，有效促進(jìn)過多的氧低溫成核。下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 一種長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，包括擴(kuò)磷處理步驟，在擴(kuò)磷處理步驟的通磷源前，先將硅片在氮?dú)夥罩杏?00 900°C (例500°C、70(TC、90(rC )下進(jìn)行熱處理 20 40分鐘(例20、30、40分鐘)，再在氧氮?dú)夥罩杏?000 1200°C (例1000°C > IlOO0C > 12000C )下進(jìn)行熱處理20 40分鐘(例20、30、40分鐘)，氧氮?dú)夥罩械獨(dú)馀c氧氣的重量比為氮?dú)庋鯕?100 2 3(例100 2,100 2.4,100 3)。其余步驟按常規(guī)晶體硅太陽電池的制造步驟進(jìn)行，即得產(chǎn)品。實(shí)施例2:一種長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，包括擴(kuò)磷處理步驟，在擴(kuò)磷處理步驟的通磷源前，先在氮?dú)夥罩杏?000 1200°C (例1000°C、110(TC、120(rC )下進(jìn)行10 18 分鐘，氮?dú)夥罩衅溆鄷r間的熱處理在500 900°C (例500°c、700°c、90(rc )下進(jìn)行，再在氧氮?dú)夥罩杏?000 1200°C (例1000°c、1100°c、120(rc )下進(jìn)行。其余同實(shí)施例1。實(shí)施例3:一種長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，包括擴(kuò)磷處理步驟，在擴(kuò)磷處理步驟的通磷源前，先在氮?dú)夥罩杏?000 1200°C (例1000°C、1100°C、1200°C )下進(jìn)行，再在氧氮?dú)夥罩杏?00 900°C (例500°c、700°c、90(rc )下進(jìn)行10 18分鐘，氧氮?dú)夥罩衅溆鄷r間于1000 12000C (例IOOO0CUlOO0C>1200°C )下進(jìn)行。其余同實(shí)施例1。
權(quán)利要求
1.一種長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，包括擴(kuò)磷處理步驟，其特征是在擴(kuò)磷處理步驟的通磷源前，先將硅片在氮?dú)夥罩袩崽幚?0 40分鐘，再在氧氮?dú)夥罩袩崽幚?20 40分鐘，熱處理溫度為500 1200°C，氧氮?dú)夥罩械獨(dú)馀c氧氣的重量比為氮?dú)庋鯕?=100 2 3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，其特征是熱處理時，采用高溫、低溫配合處理的方法。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，其特征是采用高溫、 低溫配合處理的方法是；先在氮?dú)夥罩杏?00 900°C下進(jìn)行，再在氧氮?dú)夥罩杏?000 1200°C下進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，其特征是采用高溫、低溫配合處理的方法是先在氮?dú)夥罩杏?000 1200°C下進(jìn)行10 18分鐘，氮?dú)夥罩衅溆鄷r間的熱處理在500 900°C下進(jìn)行，再在氧氮?dú)夥罩杏?000 1200°C下進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，其特征是采用高溫、 低溫配合處理的方法是先在氮?dú)夥罩杏?000 1200°C下進(jìn)行，再在氧氮?dú)夥罩杏?00 900°C下進(jìn)行10 18分鐘，氧氮?dú)夥罩衅溆鄷r間于1000 1200°C下進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種長壽命晶體硅太陽電池的制造方法，本發(fā)明可有效減少硼氧復(fù)合對的產(chǎn)生，電池使用壽命長。
文檔編號C30B33/02GK102468362SQ20101053559
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者張松 申請人:張松