專利名稱：全板鍍金板的制作工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種全板鍍金板的制作工藝。
背景技術：
現(xiàn)有的全板鍍金板的制作工藝采用圖形前鍍金工藝，其工藝流程如下下 料_內層加工_層壓-鉆孔_沉銅_電鍍_外層圖形(用大銅面做鍍金導線，將鍍金區(qū) 域顯影出來進行鍍金)_全板鍍金-外堿蝕(去掉所有保護膜，蝕刻掉非鍍金區(qū)域)_外 檢-阻焊-字符_表面涂覆_外形_電測_成檢-包裝。然而，圖形前工藝具有以下缺陷a.容易鍍金滲鍍和蝕刻不凈用大銅面作為鍍金導線，用干膜覆蓋非鍍金區(qū)域 因為干膜和銅面結合力存在一定的問題，鍍金時，鍍金區(qū)域周圍干膜容易脫落或藥水容 易滲入干膜下，造成與鍍金區(qū)域周圍相連接的大銅面出現(xiàn)滲鍍金，在蝕刻時容易出現(xiàn)鍍 金區(qū)域銅面因鍍金而蝕刻不凈；b.鍍金質量差，容易出現(xiàn)鍍金區(qū)域塌陷鍍金周圍區(qū)域因為和銅層連接，當進 行外蝕蝕刻板內圖形時，容易出現(xiàn)鍍金層下面的銅層被咬蝕掉，出現(xiàn)鍍金面塌陷；C.工藝局限性因存在滲鍍和鍍金塌陷的問題，當板件線路較密時容易出現(xiàn)滲 鍍短路，而當PAD尺寸精度要求高時，因為滲鍍和塌陷問題，會出現(xiàn)實際尺寸不滿足或 超出客戶要求的情況。故此種圖形前鍍金工藝生產不了高密度線路和高精度尺寸的板 件。

發(fā)明內容
本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種全板鍍金板的制作工藝，該工藝能夠克 服鍍金滲鍍、蝕刻不凈、鍍金質量差、鍍金區(qū)域塌陷和工藝局限性的缺陷。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是提供一種全板鍍金板的 制作工藝，包括以下步驟a.在電路板上一次性做出具有鍍金區(qū)域和非鍍金區(qū)域的所有板內圖形；b.在做好所有板內圖形的整板電路板上沉覆上一層厚度為0.3um 0.8um的金屬 導電層；C.在沉覆有金屬導電層上的非鍍金區(qū)域上貼上保護干膜以保護非鍍金區(qū)域，而 裸露出沉覆有金屬導電層的鍍金區(qū)域；d.利用沉覆的金屬導電層導電，在電路板上的鍍金區(qū)域進行鍍金；e.用3% -5%的NaOH沖洗浸泡2_5min去掉非鍍金區(qū)域上的保護干膜；f.采用過硫酸鈉溶液微蝕去掉非鍍金區(qū)域上沉覆的金屬導電層。其中，在步驟a與步驟b之間還包括對做出的所有板內圖形進行外檢的步驟。其中，在步驟f之后還包括對整板進行阻焊的步驟。其中，在對整板進行阻焊的步驟之后，還包括印刷字符的步驟。
其中，在印刷字符的步驟之后，還包括外形檢測并進行電測試的步驟。其中，在外形檢測并進行電測試的步驟之后，還包括進行成品檢測的步驟。其中，上述步驟b中沉覆的金屬導電層為薄銅層。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術的鍍金滲鍍、蝕刻不凈、鍍金質量差、 鍍金區(qū)域塌陷和工藝局限性的缺陷，本發(fā)明具有如下優(yōu)點第一、解決了鍍金滲鍍和蝕刻不凈的技術問題因為薄銅工藝是通過薄銅層進 行導電，其鍍金區(qū)域周圍均是0.3-0.8um的薄銅層，即使出現(xiàn)鍍金滲鍍，因為薄銅層上的 鎳金孔隙率非常大，在蝕刻時，也能把此多余的鎳金和沉銅層蝕刻的干干凈凈；第二、解決了鍍金金面塌陷的問題因為薄銅工藝是先把其他非鍍金銅層蝕刻 掉，通過薄銅層進行導電，然后通過微蝕去除薄銅層，金鎳層下的銅層雖然沒有被鍍金 層保護但也不會被蝕刻掉，不會出現(xiàn)金面塌陷；第三、突破生產工藝的局限因薄銅工藝是先把其他所有圖形蝕刻出來，對 PAD尺寸精度要求高和線路密集性板件一次性做出來圖形，鍍金時出現(xiàn)的滲鍍也能被蝕 刻去除，不存在鍍金后短路或尺寸滿足不了要求的情況。


圖1是本發(fā)明全板鍍金板的制作工藝實施例的工藝流程圖；圖2是本發(fā)明實施例中做出鍍金區(qū)域和非鍍金區(qū)域的圖形步驟后的鍍金板示意 圖；圖3是本發(fā)明實施例中覆蓋金屬導電層步驟后的鍍金板示意圖；圖4是本發(fā)明實施例中貼上保護干膜保護非鍍金區(qū)域步驟后的鍍金板示意圖；圖5是本發(fā)明實施例中對鍍金區(qū)域進行鍍金步驟后的鍍金板示意圖；圖6是本發(fā)明實施例中去掉保護干膜步驟后的鍍金板示意圖；圖7是本發(fā)明實施例中微蝕去掉金屬導電層步驟后的鍍金板示意圖。
具體實施例方式為詳細說明本發(fā)明的技術內容、構造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結合實施 方式并配合附圖詳予說明。請參閱圖1 圖7，本發(fā)明全板鍍金板的制作工藝，包括以下步驟a.在電路板上一次性做出具有鍍金區(qū)域10和非鍍金區(qū)域11的所有板內圖形；b.在做好所有板內圖形的整板電路板上沉覆上一層厚度為0.3um 0.8um的金屬 導電層；這時，鍍金區(qū)域變成覆蓋上金屬導電層的金屬導電層13，非鍍金區(qū)域11變成覆 蓋上金屬導電層的金屬導電層12 ；c.在沉覆有金屬導電層上的非鍍金區(qū)域上貼上保護干膜以保護非鍍金區(qū)域，而 裸露出沉覆有金屬導電層的鍍金區(qū)域；這時，鍍金區(qū)域還是覆蓋上金屬導電層的金屬導 電層13，非鍍金區(qū)域變成覆蓋上干膜的不導電層14;d.利用沉覆的金屬導電層導電，在電路板上的鍍金區(qū)域進行鍍金；這時，鍍金 區(qū)域變成覆蓋上金的鍍金層15，非鍍金區(qū)域還是覆蓋上干膜的不導電層14 ；e.用3% -5%的NaOH沖洗浸泡2_5min去掉非鍍金區(qū)域上的保護干膜；這時，鍍金區(qū)域還是覆蓋上金的鍍金層15，非鍍金區(qū)域變成金屬導電層的金屬導電層12 ；f.采用過硫酸鈉溶液微蝕去掉非鍍金區(qū)域上沉覆的金屬導電層；這時，鍍金區(qū) 域還是覆蓋上金的鍍金層15，非鍍金區(qū)域變成不導電的非鍍金區(qū)域11。區(qū)別于現(xiàn)有技術的鍍金滲鍍、蝕刻不凈、鍍金質量差、鍍金區(qū)域塌陷和工藝局 限性的缺陷，本發(fā)明具有如下優(yōu)點第一、解決了鍍金滲鍍和蝕刻不凈因為薄銅工藝是通過薄銅層進行導電，其 鍍金區(qū)域周圍均是0.3-0.8um的薄銅層，即使出現(xiàn)鍍金滲鍍，因為薄銅層上的鎳金孔隙率 非常大，在蝕刻時，也能把此多余的鎳金和沉銅層蝕刻的干干凈凈；第二、解決了鍍金金面塌陷的問題因為薄銅工藝是先把其他非鍍金銅層蝕刻 掉，通過薄銅層進行導電，然后通過微蝕去除薄銅層，金鎳層下的銅層雖然沒有被鍍金 層保護但也不會被蝕刻掉，不會出現(xiàn)金面塌陷；第三、解決了生產工藝的局限因薄銅工藝是先把其他所有圖形蝕刻出來，對 PAD尺寸精度要求高和線路密集性板件一次性做出來圖形，鍍金時出現(xiàn)的滲鍍也能被蝕 刻去除，不存在鍍金后短路或尺寸滿足不了要求的情況。在一實施例中，在步驟a與步驟b之間還包括對做出的所有板內圖形進行外檢 的步驟。外檢為正常的檢驗步驟，包括開段路等缺陷。在一實施例中，在步驟f之后還包括對整板進行阻焊的步驟。正常的阻焊， 是印綠色阻焊油墨，其作用為阻止焊接時的錫膏造成線路之間的短路，不是刷漆，所有 PCB板均需要阻焊。在一實施例中，在對整板進行阻焊的步驟之后，還包括印刷字符的步驟。在一實施例中，在印刷字符的步驟之后，還包括外形檢測并進行電測試的步驟。在一實施例中，在外形檢測并進行電測試的步驟之后，還包括進行成品檢測的步驟。在一實施例中，上述步驟b中所述沉覆的金屬導電層為薄銅層。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本 發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關 的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
權利要求
1.一種全板鍍金板的制作工藝，其特征在于，包括以下步驟a.在電路板上一次性做出具有鍍金區(qū)域和非鍍金區(qū)域的所有板內圖形；b.在做好所有板內圖形的整板電路板上沉覆上一層厚度為0.3um 0.8um的金屬導電層；c.在沉覆有金屬導電層上的非鍍金區(qū)域上貼上保護干膜以保護非鍍金區(qū)域，而裸露 出沉覆有金屬導電層的鍍金區(qū)域；d.利用沉覆的金屬導電層導電，在電路板上的鍍金區(qū)域進行鍍金；e.用3%-5%的NaOH沖洗浸泡2_5min去掉非鍍金區(qū)域上的保護干膜；f.采用過硫酸鈉溶液微蝕去掉非鍍金區(qū)域上沉覆的金屬導電層。
2.根據權利要求1所述的全板鍍金板的制作工藝，其特征在于在步驟a與步驟b之 間還包括對做出的所有板內圖形進行外檢的步驟。
3.根據權利要求2所述的全板鍍金板的制作工藝，其特征在于 括對整板進行阻焊的步驟。
4.根據權利要求3所述的全板鍍金板的制作工藝，其特征在于 的步驟之后，還包括印刷字符的步驟。
5.根據權利要求4所述的全板鍍金板的制作工藝，其特征在于 之后，還包括外形檢測并進行電測試的步驟。
6.根據權利要求5所述的全板鍍金板的制作工藝，其特征在于 電測試的步驟之后，還包括進行成品檢測的步驟。
7.根據權利要求1 6任一項所述的全板鍍金板的制作工藝，其特征在于在步驟b 中所述沉覆的金屬導電層為薄銅層。在步驟f之后還包 在對整板進行阻焊 在印刷字符的步驟 在外形檢測并進行
全文摘要
本發(fā)明公開了一種全板鍍金板的制作工藝，包括以下步驟a.在電路板上一次性做出具有鍍金區(qū)域和非鍍金區(qū)域的所有板內圖形；b.在做好所有板內圖形的整板電路板上沉覆上一層厚度為0.3μm～0.8μm的金屬導電層；c.在沉覆有金屬導電層上的非鍍金區(qū)域上貼上保護干膜以保護非鍍金區(qū)域，而裸露出沉覆有金屬導電層的鍍金區(qū)域；d.利用沉覆的金屬導電層導電，在電路板上的鍍金區(qū)域進行鍍金；e.用3％-5％的NaOH沖洗浸泡2-5min去掉非鍍金區(qū)域上的保護干膜；f.采用過硫酸鈉溶液微蝕去掉非鍍金區(qū)域上沉覆的金屬導電層。本發(fā)明能夠克服現(xiàn)有技術鍍金滲鍍、蝕刻不凈、鍍金質量差、鍍金區(qū)域塌陷和工藝局限性的缺陷。
文檔編號H05K3/18GK102026491SQ20101057708
公開日2011年4月20日 申請日期2010年12月7日 優(yōu)先權日2010年12月7日
發(fā)明者劉寶林, 崔榮, 武鳳伍, 王成勇, 羅斌 申請人:深南電路有限公司