專利名稱：磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法。
背景技術(shù)：
近年來，II-VI族半導體納米棒由于其優(yōu)異的光學性質(zhì)，無論從基礎(chǔ)研究的角度還 是從實際應用的角度都引起了人們極大的興趣。CdS納米棒作為一種重要的II-VI族半導 體材料，在光發(fā)射二極管(LEDs)、太陽能電池、非線性光學器件和光催化等方面有著潛在的 廣泛用途。由于磁性離子(如Mn2+、Co2+)具有很強的局域自旋磁矩，磁性離子的局域磁矩 與價帶電子之間存在強的自旋_自旋交換相互作用，使得磁性離子摻雜的半導體納米棒具 有一系列與普通半導體截然不同的特性，如巨法拉第效應、大的激子分裂、巨塞曼分裂等， 展現(xiàn)出奇異的磁學、電學、光學性質(zhì)及許多新的物理效應；因此，用磁性離子摻雜CdS納米 棒成為目前研究的主要方向。Mn2+離子和Cd2+離子的電荷相等，離子半徑近似(相差約10 % )，所以Mn離子可以 較好的摻入CdS晶格而不會對晶格產(chǎn)生較大的影響。早期Mn摻雜CdS納米棒的報道多采 用共沉淀法，但所得到的納米晶存在較多缺陷，僅有少量Mn離子進入晶格內(nèi)部，大部分Mn 離子附著在納米晶表面或形成MnS沉淀。還有采用化學氣相沉積方法制備Mn摻雜的CdS 納米棒，這種方法不但需要大型設備且其制備溫度高，而且由于Mn離子的摻雜，CdS納米晶 熒光壽命顯著降低(從590ps降至20 30ps)。采用高溫熱解法雖然可以制備出高質(zhì)量的 Mn摻雜CdS納米棒，但條件苛刻，必須同時滿足(1)高的單體濃度；(2)高的反應溫度(> 3000C )和高的攪拌速度；(3)使用結(jié)構(gòu)導向劑和兩種以上的表面活性劑，而且反應必須在 無水無氧的條件下進行。與Mn離子相比較Co具有更強的磁性耦合作用，Co離子摻雜的納米晶可能產(chǎn)生新 的磁光效應，但由于離子間較大的晶格匹配差異(Co離子半徑為0. 074nm，Cd離子半徑為 0. 097nm)以及納米材料的高比表面效應，使得Co離子在CdS納米晶晶格內(nèi)部的摻雜難以實 現(xiàn)。采用共沉淀法或反膠束法制備Co摻雜的CdS納米棒，Co離子主要附著在納米晶表面， 而且未形成均勻的納米棒。最近，Ogale及其同事采用脈沖高能電子誘導反應制備了 Co摻 雜的CdS納米晶，但該方法需要特殊的設備，制備復雜，而且產(chǎn)物的形貌及光學性質(zhì)難于控 制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了磁性元素(Co、Mn)摻雜CdS納米棒的制備方法，采用含鎘硫無機分 子簇((Me4N) JS4Cdltl(SPh)16])與磁性元素的前體直接在高沸點溶劑中熱解合成，解決了磁 性元素摻雜CdS納米棒反應條件苛刻，需要特殊設備，制備復雜，產(chǎn)物的形貌及光學性質(zhì)難 于控制等問題。本發(fā)明提供的方法簡單、易于控制，反應時間短，具有溶劑可選擇性，適合大 量制備磁性元素摻雜的CdS納米棒。本發(fā)明磁性元素Co摻雜CdS納米棒按下述步驟制備
一、將高沸點溶劑在120°C條件下真空脫氣2小時，然后將降溫至60士3°C，在氬 氣氣氛下進行加熱回流，加熱回流升溫速率為1.0°c /min，體系升溫至60 100°C加入 (Me4N)4[S4Cd10(SPh) 16]粉末，待體系呈乳白色渾濁狀再加入(Me4N) JCo4(SC6H5)ici]粉末，體 系呈黑色混濁狀；二、繼續(xù)保持1. O0C /min的升溫速率加熱至200°C 280°C并保溫0. 5 1小時，之后自然冷卻至60°C，并加入無水甲醇進行沉淀和離心，得到的固相物再次用無 水甲醇沉淀離心2次；三、將步驟二得到的固相物溶于甲苯，再加入無水甲醇離心分離，然 后真空干燥得到高沸點溶劑表面覆蓋的CdS:Co納米棒粉末；四、用吡啶進行表面配體交 換，即得到磁性元素Co摻雜CdS納米棒；其中步驟一中(Me4N)4[S4Cdltl(SPh)16]粉末的加 入量為高沸點溶劑質(zhì)量的1/20 1/40 ；步驟一中(Me4N) JCo4(SC6H5)ici]粉末的加入量為 (Me4N)4 [S4Cd10 (SPh) 16]粉末質(zhì)量的 1/3 1/5。本發(fā)明磁性元素Mn摻雜CdS納米棒按下述步驟制備一、將高沸點溶劑在120°C條件下真空脫氣2小時，然后將降溫至60士3°C，在氬 氣氣氛下進行加熱回流，加熱回流升溫速率為1.0°c /min，體系升溫至60 100°C加入 (Me4NUS4Cdici(SPh)16]粉末，待體系呈乳白色渾濁狀再加入MnCl2粉末，體系呈黑色混濁狀； 二、繼續(xù)保持1. O0C /min的升溫速率加熱至200°C 250°C并保溫0. 5 1小時，之后自然 冷卻至60°C，并加入無水甲醇進行沉淀和離心，得到的固相物再次用無水甲醇沉淀離心2 次；三、將步驟二得到的固相物溶于甲苯，再加入無水甲醇離心分離，然后真空干燥得到高 沸點溶劑表面覆蓋的CdS:Co納米棒粉末；四、用吡啶進行表面配體交換，即得到磁性元素 Co摻雜CdS納米棒；其中步驟一中(Me4N)4[S4Cdltl (SPh)16]粉末的加入量為高沸點溶劑質(zhì)量 的1/20 1/40 ；步驟一中MnCl2粉末的加入量為(Me4N) 4[S4Cdltl (SPh) 16]粉末質(zhì)量的1/2 1/5。本發(fā)明磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法步驟一中體系呈黑色混濁狀時，體系 溫度將降低5°c左右。本發(fā)明磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法步驟二中用無水甲醇反 復沉淀離心，可將反應過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)去除。本發(fā)明方法用含鎘硫無機分子簇((Me4N)4 [S4Cdltl (SPh)16])與鈷的前體 ((Me4N) JCo4(SC6H5)10])或錳的前體(MnCl2)之間的離子交換性質(zhì)，直接在高沸點溶劑(如 十六烷基胺、三辛基氧膦或油酸)中熱解實現(xiàn)磁性元素離子摻雜的CdS納米棒，具有操作安 全、簡便、成本低的優(yōu)點；而且可以進行大劑量CdS納米棒的合成。由于反應在單一溶劑體 系中進行，無需模板或大型設備，且易于分離提純；并且反應條件溫和，反應過程中不產(chǎn)生 有害氣體。本發(fā)明方法中使用的高沸點溶劑(如十六烷基胺、三辛基氧膦或油酸)不需提純， 價格低，能在納米棒表面形成包覆層，避免了磁性元素的前體高溫下溶解于溶劑的問題，不 必使用真空線設備和手套箱。量子點是準零維(quasi-zero-dimensional)的納米材料，由少量的原子所構(gòu)成； 又可稱為納米晶，是一種由II-VI族或III-V族元素組成的納米顆粒。量子點的粒徑一股 介于1 IOnm之間。納米棒屬一維納米材料，一股是指長度較短、縱向形態(tài)較直的一維圓 柱狀(或其截面成多角狀)實心納米材料。同種材料的量子點和納米棒之間有不同的形成 條件。本發(fā)明方法嚴格控制升溫速率、高溫熱解溫度和反應體系中各成分之間的比例關(guān)系，才獲得了形貌均勻、尺寸相近納米棒的同時，提高了離子交換率，實現(xiàn)了高濃度磁性元 素摻雜CdS納米棒的制備。(Me4N)4[S4Cdltl(SPh)16]粉末的加入量低于高沸點溶劑質(zhì)量的 1/40，則不能形成納米棒，而(Me4N)4[S4Cdltl (SPh)16]粉末的加入量高于高沸點溶劑質(zhì)量的 1/20，則納米棒出現(xiàn)大量分支并導致尺寸和形貌不均。因此，(Me4N)4[S4Cdltl (SPh)16]粉末與 高沸點溶劑的加入比例對納米棒的質(zhì)量(形貌)影響巨大。本發(fā)明方法高溫熱解溫度不得 低于200°C，否則無法形成納米棒，而是形成納米粒子，但高溫熱解溫度不能過高，否則納米 棒將出現(xiàn)交聯(lián)；同時本發(fā)明方法在200°C以上的高溫條件中進行，快速的實現(xiàn)了磁性元素 離子和Cd離子的交換，縮短了納米棒的制備時間，不然高溫熱解保溫時間超過1小時，納米 棒將有分支形成且形貌不均勻。本發(fā)明方法嚴格控制升溫速率(1. O0C /min)是形成形貌均 勻、尺寸相近納米棒的關(guān)鍵，而且能夠提高了離子交換率。本發(fā)明方法所制備的磁性元素摻雜CdS納米棒可用電感耦合等離子體原子發(fā)射 光譜(ICP-OES)測定其中磁性元素離子的摻雜濃度。


圖1 是 Cd0.921Co0.079S 納米棒的 TEM 圖；圖 2 是 Cd0.890Co0.110S 納米棒的 TEM 圖；圖 3 是Cda82tlCoa 180S納米棒的TEM圖；圖4是不同Co摻雜濃度CdS納米棒的X-射線衍射譜，其 中曲線a為Cda921Coatl79S納米棒X-射線衍射曲線，曲線b為Cda89tlCoanciS納米棒X-射線 衍射曲線，曲線c為Cda82tlCoai8tlS納米棒X-射線衍射曲線；圖5是Cda 935Mnatl65S納米棒的 TEM圖；圖6是Cd0.880Mn0.120S納米棒的TEM圖；圖7是Cda88tlMnai20S納米棒的TEM圖。
具體實施例方式本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉具體實施方式
，還包括各具體實施方式
間的 任意組合。
具體實施方式
一本實施方式磁性元素Co摻雜CdS納米棒按下述步驟制備一、將高沸點溶劑在120°C條件下真空脫氣2小時，然后將降溫至60士3°C，在氬 氣氣氛下進行加熱回流，加熱回流升溫速率為1.0°c /min，體系升溫至60 100°C加入 (Me4N)4[S4Cd10(SPh) 16]粉末，待體系呈乳白色渾濁狀再加入(Me4N) JCo4(SC6H5)ici]粉末，體 系呈黑色混濁狀；二、繼續(xù)保持1. O0C /min的升溫速率加熱至200°C 280°C并保溫0. 5 1小時，之后自然冷卻至60°C，并加入無水甲醇進行沉淀和離心，得到的固相物再次用無 水甲醇沉淀離心2次；三、將步驟二得到的固相物溶于甲苯，再加入無水甲醇離心分離，然 后真空干燥得到高沸點溶劑表面覆蓋的CdS:Co納米棒粉末；四、用吡啶進行表面配體交 換，即得到磁性元素Co摻雜CdS納米棒；其中步驟一中(Me4N)4[S4Cdltl(SPh)16]粉末的加 入量為高沸點溶劑質(zhì)量的1/20 1/40 ；步驟一中(Me4N) JCo4(SC6H5)ici]粉末的加入量為 (Me4N)4 [S4Cd10 (SPh) 16]粉末質(zhì)量的 1/3 1/5。本實施方式步驟一中高沸點溶劑為十六烷基胺、三辛基氧膦或油酸。本實施方式中采用吡啶進行表面配體交換，可剝離掉吸附在納米棒表面的Co離 子。電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀(ICP)測定，Cd的發(fā)射峰在214. 4nm測定；Co的發(fā) 射峰在228. 6nm和238. 9nm處測定，測定濃度誤差在0. 2 0. 4%。ICP測試結(jié)果表明Co摻雜CdS納米棒經(jīng)過吡啶配體交換后，Co離子摩爾濃度分別為0. 079 (Cda921Coatl79S)——以十六烷基胺為高沸點溶劑、0. IlO(Cda89ciCoaiiciS)——以三辛 基氧膦為高沸點溶劑和0. 185 (Cda82tlCoai8tlS)——以油酸為高沸點溶劑，而未進行吡啶剝離 樣品中Co離子濃度分別為0. 082,0. 117和0. 196。配體交換后Co離子濃度的降低表明在 所制備的CdS:Co納米棒樣品中，有5% 7%的Co離子吸附在CdS納米棒表面。吡啶剝離和ICP測試結(jié)果證實，大量的Co離子摻雜進了 CdS納米棒內(nèi)部，而且隨 著Co分子簇加入量的增加，Co摻雜濃度增大。不同Co摻雜濃度CdS納米棒的TEM圖如圖1 圖3所示；不同Co摻雜濃度CdS 納米棒的X-射線衍射譜如圖4所示。本實施方式制備的磁性元素Co摻雜CdS納米棒可均勻分散在有機溶劑(如甲苯、 正己烷、氯仿等)中，如圖1 圖3所示納米棒形貌均勻，尺寸分布窄。從圖4中可以觀察到三種納米棒的衍射峰具有明顯的寬化現(xiàn)象，表明樣品尺寸在 納米范圍之內(nèi)。從XRD圖中還可以觀察到纖鋅礦結(jié)構(gòu)的特征峰(002)、(110)、(103)和(112) 衍射峰，與標準JCPDS卡片相對照發(fā)現(xiàn)，所有衍射峰的位置和強度與纖鋅礦結(jié)構(gòu)(JCPDS No. 41-1049)相吻合，由此說明Co摻雜并未改變CdS納米晶的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，依然為纖鋅礦結(jié) 構(gòu)。由于沒有觀察到其它雜質(zhì)相衍射峰的存在，說明產(chǎn)物的純度高。本實施方式中Co離子在CdS晶格內(nèi)部的摻雜加快了納米棒的形成，縮短了反應時 間。
具體實施方式
二 本實施方式與具體實施方式
一的不同點是加熱回流過程中用 磁力攪拌子進行高速攪拌，磁力攪拌轉(zhuǎn)速為140 180r/min。其它步驟及參數(shù)與實施方式 一相同。
具體實施方式
三本實施方式與具體實施方式
一或二的不同點是步驟三中所加 入無水甲醇的體積為甲苯體積的1 2倍。其它步驟及參數(shù)與實施方式一或二相同。
具體實施方式
四本實施方式與具體實施方式
一至三之一的不同點是步驟三中 加入無水甲醇離心分離重復操作3次，離心時間為IOmin/次，離心轉(zhuǎn)速為8000 15000r/ min0其它步驟及參數(shù)與實施方式一至三之一相同。
具體實施方式
五本實施方式與具體實施方式
一至四之一的不同點是步驟三中 真空干燥的溫度為10 20°C，干燥時間為24h，真空度為0. IMPa0其它步驟及參數(shù)與實施 方式一至四之一相同。
具體實施方式
六本實施方式與具體實施方式
一至五之一的不同點是加熱至 245°C 280°C并保溫0. 5 0. 7小時。其它步驟及參數(shù)與實施方式一至五之一相同。
具體實施方式
七本實施方式磁性元素Mn摻雜CdS納米棒按下述步驟制備一、將高沸點溶劑在120°C條件下真空脫氣2小時，然后將降溫至60士3°C，在氬 氣氣氛下進行加熱回流，加熱回流升溫速率為1.0°c /min，體系升溫至60 100°C加入 (Me4NUS4Cdici(SPh)16]粉末，待體系呈乳白色渾濁狀再加入MnCl2粉末，體系呈黑色混濁狀； 二、繼續(xù)保持1. O0C /min的升溫速率加熱至200°C 250°C并保溫0. 5 1小時，之后自然 冷卻至60°C，并加入無水甲醇進行沉淀和離心，得到的固相物再次用無水甲醇沉淀離心2 次；三、將步驟二得到的固相物溶于甲苯，再加入無水甲醇離心分離，然后真空干燥得到高 沸點溶劑表面覆蓋的CdS:Co納米棒粉末；四、用吡啶進行表面配體交換，即得到磁性元素 Co摻雜CdS納米棒；其中步驟一中(Me4N)4[S4Cdltl (SPh)16]粉末的加入量為高沸點溶劑質(zhì)量的1/20 1/40 ；步驟一中MnCl2粉末的加入量為(Me4N) 4[S4Cdltl (SPh) 16]粉末質(zhì)量的1/2 1/5。本實施方式中MnCl2粉末的加入量影響納米棒的質(zhì)量(形貌)，MnCl2粉末的加入 量高于(Me4N)4[S4Cdltl(SPh)16]粉末質(zhì)量的1/2，則不能形成納米棒或納米晶。而且，高溫熱 解溫度高于250°C則納米棒將出現(xiàn)交聯(lián)，低于20(TC，否則無法形成納米棒，而是形成納米 粒子。本實施方式步驟一中高沸點溶劑為十六烷基胺、三辛基氧膦或油酸。本實施方式中采用吡啶進行表面配體交換，可剝離掉吸附在納米棒表面的Mn離 子。ICP測試結(jié)果表明Mn摻雜CdS納米棒經(jīng)過吡啶配體交換后，Mn離子摩爾濃度分別 為0. 065 (Cd0.935Mn0.065S)——以十六烷基胺為高沸點溶劑和0. 12 (Cda88tlMnai2tlS)——以油酸 為高沸點溶劑。吡啶剝離和ICP測試結(jié)果證實，大量的Mn離子摻雜進了 CdS納米棒內(nèi)部，而且隨 著Mn分子簇加入量的增加，Mn摻雜濃度增大。不同Mn摻雜濃度CdS納米棒的TEM圖如圖5 圖7所示。本實施方式制備的磁性元素Mn摻雜CdS納米棒可均勻分散在有機溶劑(如甲苯、 正己烷、氯仿等)中；由圖5可以觀察到Mn摻雜濃度較低時，產(chǎn)物為納米粒子及其鏈狀聚集 體和較短納米棒的混合物 ’增大Mn離子的摻雜濃度，所得納米棒的結(jié)晶性大為改善，如圖6 和圖7所示。說明Mn離子的摻雜也有利于均一 CdS納米棒的形成。本實施方式中Mn離子在CdS晶格內(nèi)部的摻雜加快了納米棒的形成，縮短了反應時 間；而且Mn離子摻雜濃度越大，越有利于均一 CdS納米棒的形成。
具體實施方式
八本實施方式與具體實施方式
七的不同點是加熱回流過程中用 磁力攪拌子進行高速攪拌，磁力攪拌轉(zhuǎn)速為140 180r/min。其它步驟及參數(shù)與實施方式 七相同。
具體實施方式
九本實施方式與具體實施方式
七或八的不同點是步驟三中所加 入無水甲醇的體積為甲苯體積的1 2倍。其它步驟及參數(shù)與實施方式七或八相同。
具體實施方式
十本實施方式與具體實施方式
七至九之一的不同點是步驟三中 加入無水甲醇離心分離重復操作3次，離心時間為IOmin/次，離心轉(zhuǎn)速為8000 15000r/ min0其它步驟及參數(shù)與實施方式七至九之一相同。
具體實施方式
十一本實施方式與具體實施方式
七至十之一的不同點是步驟三 中真空干燥的溫度為10 20°C，干燥時間為24h，真空度為0. IMPa0其它步驟及參數(shù)與實 施方式七至十之一相同。
具體實施方式
十二 本實施方式與具體實施方式
一至十一之一的不同點是加熱 至245°C 250°C并保溫0. 5 0. 6小時。其它步驟及參數(shù)與實施方式一至i^一之一相同。
權(quán)利要求
磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于磁性元素Co摻雜CdS納米棒按下述步驟制備一、將高沸點溶劑在120℃條件下真空脫氣2小時，然后將降溫至60±3℃，在氬氣氣氛下進行加熱回流，加熱回流升溫速率為1.0℃/min，體系升溫至60～100℃加入(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]粉末，待體系呈乳白色渾濁狀再加入(Me4N)2[Co4(SC6H5)10]粉末，體系呈黑色混濁狀；二、繼續(xù)保持1.0℃/min的升溫速率加熱至200℃～280℃并保溫0.5～1小時，之后自然冷卻至60℃，并加入無水甲醇進行沉淀和離心，得到的固相物再次用無水甲醇沉淀離心2次；三、將步驟二得到的固相物溶于甲苯，再加入無水甲醇離心分離，然后真空干燥得到高沸點溶劑表面覆蓋的CdS:Co納米棒粉末；四、用吡啶進行表面配體交換，即得到磁性元素Co摻雜CdS納米棒；其中步驟一中(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]粉末的加入量為高沸點溶劑質(zhì)量的1/20～1/40；步驟一中(Me4N)2[Co4(SC6H5)10]粉末的加入量為(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]粉末質(zhì)量的1/3～1/5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于步驟一中 高沸點溶劑為十六烷基胺、三辛基氧膦或油酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于步驟三中 所加入無水甲醇的體積為甲苯體積的1 2倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于步驟三中 加入無水甲醇離心分離重復操作3次，離心時間為IOmin/次，離心轉(zhuǎn)速為8000 15000r/ min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于步驟三中 真空干燥的溫度為10 20°C，干燥時間為24h，真空度為0. IMPa0
6.磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于磁性元素Mn摻雜CdS納米棒按下 述步驟制備一、將高沸點溶劑在120°C條件下真空脫氣2小時，然后將降溫至60士3°C，在氬氣 氣氛下進行加熱回流，加熱回流升溫速率為1.0°C /min，體系升溫至60 100°C加入 (Me4NUS4Cdici(SPh)16]粉末，待體系呈乳白色渾濁狀再加入MnCl2粉末，體系呈黑色混濁狀； 二、繼續(xù)保持1. O0C /min的升溫速率加熱至200°C 250°C并保溫0. 5 1小時，之后自然 冷卻至60°C，并加入無水甲醇進行沉淀和離心，得到的固相物再次用無水甲醇沉淀離心2 次；三、將步驟二得到的固相物溶于甲苯，再加入無水甲醇離心分離，然后真空干燥得到高 沸點溶劑表面覆蓋的CdS:Co納米棒粉末；四、用吡啶進行表面配體交換，即得到磁性元素 Co摻雜CdS納米棒；其中步驟一中(Me4N)4[S4Cdltl (SPh)16]粉末的加入量為高沸點溶劑質(zhì)量 的1/20 1/40 ；步驟一中MnCl2粉末的加入量為(Me4N) 4[S4Cd10 (SPh) 16]粉末質(zhì)量的1/2 1/5。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于步驟一中 高沸點溶劑為十六烷基胺、三辛基氧膦或油酸。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于步驟三中 所加入無水甲醇的體積為甲苯體積的1 2倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于步驟三中 加入無水甲醇離心分離重復操作3次，離心時間為IOmin/次，離心轉(zhuǎn)速為8000 15000r/min。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，其特征在于步驟三中 真空干燥的溫度為10 20°C，干燥時間為24h，真空度為0. IMPa0
全文摘要
磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法，它涉及磁性元素摻雜CdS納米棒的制備方法。它解決了磁性元素摻雜CdS納米棒反應條件苛刻，需要特殊設備，制備復雜，產(chǎn)物的形貌及光學性質(zhì)難于控制等問題。方法一、向高沸點溶劑中加入含鎘硫無機分子簇和磁性元素的前體；二、熱解合成，并沉淀離心；三、純化、真空干燥；四、用吡啶進行表面配體交換。本發(fā)明可用于制備磁性元素摻雜CdS納米棒。
文檔編號C30B29/50GK101994156SQ201010580798
公開日2011年3月30日 申請日期2010年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月9日
發(fā)明者李志國, 李曉麗, 蔡偉 申請人:東北林業(yè)大學