專利名稱：線路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路板及其制造方法，特別是涉及一種具有多顆觸媒顆粒 (catalyst particle)的線路板及其制造方法。
背景技術(shù)：
線路板是手機、電腦與數(shù)碼相機等電子裝置(electronic device)，以及電視、洗衣機與冰箱等家電用品所需要的元件。詳細(xì)而言，線路板能承載及組裝芯片(chip)、被動兀件(passive component)與主動兀件(activecomponent)等多禾中電子兀件(electronic component)，并讓這些電子元件彼此電性連接。如此，電信號可以在電子元件與線路板之間傳遞，而讓上述電子裝置及家電用品得以運作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種線路板，其能與至少一個電子元件組裝。本發(fā)明另提供一種線路板的制造方法，用來制造線路板。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種線路板的制造方法。首先，提供一復(fù)合基板。復(fù)合基板包括一導(dǎo)體層以及一覆蓋導(dǎo)體層的活化絕緣層(activated insulationlayer)，而活化絕緣層包括多顆第一觸媒顆粒。 接著，在活化絕緣層的一上表面上形成一凹刻圖案(intaglio pattern)以及至少一與凹刻圖案相通的盲孔，其中一些第一觸媒顆粒活化并裸露在凹刻圖案內(nèi)與盲孔內(nèi)，而盲孔局部暴露導(dǎo)體層。接著，將這些活化的第一觸媒顆粒置換成多個第二觸媒顆粒。接著，利用這些第二觸媒顆粒，在凹刻圖案內(nèi)形成一線路層，以及在盲孔內(nèi)形成一導(dǎo)電柱，其中導(dǎo)電柱連接在導(dǎo)體層與線路層之間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的線路板的制造方法，其中形成凹刻圖案與盲孔以及活化這些第一觸媒顆粒的方法包括激光燒蝕(laser ablation)、等離子體蝕刻(plasmaetching)或機械加工法。前述的線路板的制造方法，其中形成線路層與導(dǎo)電柱的方法包括化學(xué)鍍 (chemical plating)與化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD) 二者至少其中之一。前述的線路板的制造方法，在形成盲孔之后，更包括對盲孔進(jìn)行去膠渣 (desmear)0前述的線路板的制造方法，在將這些活化的第一觸媒顆粒置換成這些第二觸媒顆粒之后，更包括對盲孔所暴露的導(dǎo)體層進(jìn)行微蝕刻(micro-etching)。前述的線路板的制造方法，其中將這些活化的第一觸媒顆粒置換成這些第二觸媒顆粒的方法包括將活化絕緣層浸泡在一化學(xué)藥液中?；瘜W(xué)藥液包括多個帶電粒子，而這些帶電粒子與其所接觸的這些第一觸媒顆粒產(chǎn)生置換反應(yīng)(displacement reaction)。前述的線路板的制造方法，其中這些第一觸媒顆粒的材料選自于由鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、鈦、錫、鉛、鉻、鋁以及鉬所組成的群組之一。前述的線路板的制造方法，其中這些第二觸媒顆粒的材料選自于由鈀、鋅、銅、 銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、鈦、錫、鉛、鉻、鋁以及鉬所組成的群組之一。這些第二觸媒顆粒的材料不同于這些第一觸媒顆粒的材料，且這些第二觸媒顆粒的標(biāo)準(zhǔn)還原電位(standard reduction potential)高于這些第一觸媒顆粒的標(biāo)準(zhǔn)還原電位。前述的線路板的制造方法，其中所述的活化絕緣層更包括一高分子化合物，而這些第一觸媒顆粒分布在高分子化合物中。前述的線路板的制造方法，其中所述的復(fù)合基板更包括一主體層，而導(dǎo)體層位在主體層與活化絕緣層之間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種線路板，其包括一導(dǎo)體層、一活化絕緣層、一線路層、至少一導(dǎo)電柱以及多個第二觸媒顆粒?；罨^緣層覆蓋導(dǎo)體層，并包括多個第一觸媒顆粒，其中活化絕緣層具有一凹刻圖案以及至少一與凹刻圖案相通的盲孔。線路層配置在凹刻圖案內(nèi)。導(dǎo)電柱配置在盲孔內(nèi)，并連接在線路層與導(dǎo)體層之間。這些第二觸媒顆粒位在凹刻圖案內(nèi)與盲孔內(nèi)，并且固設(shè)于活化絕緣層，其中這些第二觸媒顆粒接觸線路層與導(dǎo)電柱，而這些第二觸媒顆粒的材料不同于這些第一觸媒顆粒的材料。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的線路板，更包括一主體層，其中導(dǎo)體層位在主體層與活化絕緣層之間。前述的線路板，其中所述的活化絕緣層更包括一高分子化合物，這些第一觸媒顆粒分布在高分子化合物中，而這些第二觸媒顆粒固設(shè)于高分子化合物。前述的線路板，其中這些第一觸媒顆粒的材料選自于由鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、 鎘、鈦、錫、鉛、鉻、鋁以及鉬所組成的群組之一。前述的線路板，其中這些第二觸媒顆粒的材料選自于由鈀、鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、 錳、鎘、鈦、錫、鉛、鉻、鋁以及鉬所組成的群組之一。這些第二觸媒顆粒的材料不同于這些第一觸媒顆粒的材料，且這些第二觸媒顆粒的標(biāo)準(zhǔn)還原電位高于這些第一觸媒顆粒的標(biāo)準(zhǔn)還原電位。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明線路板及其制造方法至少具有下列優(yōu)點及有益效果在本發(fā)明的線路板完成制作之后，利用上述線路層，可以供至少一個電子元件組裝，并使多個電子元件能彼此電性連接。如此， 電信號能在電子元件與本發(fā)明的線路板之間傳遞，促使電子裝置與家電用品可以運作。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖ID是本發(fā)明一實施例的線路板的制造方法的流程剖面示意圖。100 線路板102 復(fù)合基板110:導(dǎo)體層112:接墊112a、132:表面 120 活化絕緣層
122:第一觸媒顆粒124:高分子化合物130:線路層140:導(dǎo)電柱150:第二觸媒顆粒160:主體層Dl 深度Hl 盲孔Pl 凹刻圖案Sl 上表面Tl 厚度
具體實施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的線路板及其制造方法其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖式的實施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實施方式
的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。圖IA至圖ID是本發(fā)明一實施例的線路板的制造方法的流程剖面示意圖。請先參閱圖ID所示，在此先介紹本實施例線路板100的結(jié)構(gòu)特征。線路板100包括一導(dǎo)體層110、 一活化絕緣層120以及一線路層130?；罨^緣層120覆蓋導(dǎo)體層110，而線路層130配置在活化絕緣層120中，其中線路層130相對于導(dǎo)體層110而配置，而活化絕緣層120位在線路層130與導(dǎo)體層110之間。導(dǎo)體層110例如是線路層，且可以是由金屬箔片經(jīng)蝕刻(etching)后而形成，其中金屬箔片例如是銅箔或鋁箔?；罨^緣層120具有一凹刻圖案P1，而線路層130配置在凹刻圖案Pl內(nèi)。凹刻圖案Pl的深度Dl小于活化絕緣層120的厚度Tl，所以凹刻圖案Pl不會暴露出導(dǎo)體層110。此外，在本實施例中，線路板100可以是一種內(nèi)埋式線路板(embedded wiringboard)，而線路層130的表面132實質(zhì)上可以與活化絕緣層120的上表面Sl切齊?；罨^緣層120包括多個第一觸媒顆粒122，而這些第一觸媒顆粒122可以是多個納米顆粒(nanoparticle)，且可以是金屬顆粒(metal particle)或是含有金屬配位化合物(metal coordination compound)的顆粒。因此，這些第一觸媒顆粒122的成分可以含有金屬原子或金屬離子，且第一觸媒顆粒122的材料可以選自于鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、 鈦、錫、鉛、鉻、鋁、鉬或這些金屬的任意組合。舉例而言，當(dāng)?shù)谝挥|媒顆粒122為金屬顆粒時，第一觸媒顆粒122例如是銅顆粒、 鎳顆?；蜩F顆粒。當(dāng)?shù)谝挥|媒顆粒122為含有金屬配位化合物的顆粒時，此金屬配位化合物例如是金屬氧化物、金屬氮化物、金屬錯合物(metal complex)或金屬螯合物(metal chelation)。金屬配位化合物所含有的金屬成分可以是鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、鈦、錫、 鉛、鉻、鋁、鉬或這些金屬的任意組合。舉例而言，第一觸媒顆粒122可以是氧化銅、氮化鈦或鈷鉬雙金屬氮化物 (Co2Mo3Nx)顆粒。此外，第一觸媒顆粒122可以包括多種金屬配位化合物，例如這些第一觸媒顆粒122可以同時包括金屬氧化物與金屬錯合物，或是同時包括金屬氮化物、金屬錯合物與金屬螯合物。
活化絕緣層120可以更包括一高分子化合物124，而這些第一觸媒顆粒122分布在高分子化合物IM中，其中高分子化合物IM的材料例如選自于由環(huán)氧樹脂、改質(zhì)的環(huán)氧樹月旨、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亞苯基氧化物、聚酰亞胺、酚醛樹脂、聚砜、硅素聚合物、 雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯樹脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龍、 共聚聚甲醛、聚苯硫醚、環(huán)狀烯烴共聚高分子或這些材料的任意組合。線路板100更包括至少一導(dǎo)電柱140，而活化絕緣層120更具有至少一盲孔Hl，其中盲孔Hl與凹刻圖案Pl相通，且盲孔Hl位在凹刻圖案Pl的下方。導(dǎo)電柱140配置在盲孔Hl內(nèi)，并且連接在線路層130與導(dǎo)體層110之間，其中導(dǎo)電柱140可以連接導(dǎo)體層110 的一接墊112。如此，線路層130能經(jīng)由導(dǎo)電柱140而電性連接導(dǎo)體層110，以使電信號可以在導(dǎo)體層110與線路層130之間傳遞。須說明的是，在圖IA至圖ID所示的實施例中，導(dǎo)電柱140與盲孔Hl僅繪示一個， 但是在其他實施例中，線路板100所包括的導(dǎo)電柱140與盲孔Hl 二者的數(shù)量可以是多個， 所以圖IA至圖ID所示的導(dǎo)電柱140與盲孔Hl 二者的數(shù)量僅供舉例說明，并非限定本發(fā)明。線路板100更包括多個第二觸媒顆粒150，而這些第二觸媒顆粒150位在凹刻圖案 Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)，并固設(shè)于活化絕緣層120，例如第二觸媒顆粒150固設(shè)于高分子化合物 124，其中這些第二觸媒顆粒150接觸線路層130與導(dǎo)電柱140。第二觸媒顆粒150的材料選自于由鈀、鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、鈦、錫、鉛、鉻、 鋁以及鉬所組成的群組之一，其中第二觸媒顆粒150的材料不同于第一觸媒顆粒122的材料。舉例而言，在本實施例中，第二觸媒顆粒150例如是鈀顆粒，而第一觸媒顆粒122例如是銅顆粒。在線路板100的制造過程中，第二觸媒顆粒150的功用在于促使線路層130與導(dǎo)電柱140的形成，而有關(guān)第二觸媒顆粒150的功用將會在后續(xù)內(nèi)容中說明。另外，就線路層的數(shù)目而言，線路板100可以是具有三層以上線路層的多層線路板(multilayer wiring board)。詳細(xì)而言，線路板100可以更包括一主體層160，而導(dǎo)體層110位在主體層160與活化絕緣層120之間，其中主體層160可以具有至少一線路層(未繪示)，而導(dǎo)體層110能電性連接此線路層。如此，利用導(dǎo)電柱140，導(dǎo)體層110、線路層130 與主體層160的線路層三者得以電性導(dǎo)通。然而，須說明的是，在其他實施例中，線路板100也可以是僅具有二層線路層的雙面線路板(double sided circuit board)，其中這二層線路層分別是導(dǎo)體層110與線路層 130，而主體層160僅為線路板100的選擇元件，并非是必要元件。換句話說，線路板100并不一定要包括主體層160，所以圖IA至圖ID所繪示的主體層160僅供舉例說明，并非限定本發(fā)明。以上僅介紹線路板100的結(jié)構(gòu)特征，至于線路板100的制造方法，以下將配合圖IA 至圖ID來進(jìn)行詳細(xì)的說明。請參閱圖IA所示，在線路板100的制造方法中，首先，提供一復(fù)合基板102，而復(fù)合基板102包括導(dǎo)體層110以及活化絕緣層120，其中這時候的活化絕緣層120已經(jīng)覆蓋導(dǎo)體層110，并包括多顆第一觸媒顆粒122與高分子化合物124。當(dāng)導(dǎo)體層110為線路層時，復(fù)合基板102可為線路基板(wiring substrate)，且可以具有一層或多層線路層。詳細(xì)而言，當(dāng)復(fù)合基板102具有多層線路層時，復(fù)合基板102可以包括主體層160，而此時導(dǎo)體層Iio會位在主體層160與活化絕緣層120之間。反之，當(dāng)復(fù)合基板102僅具有一層線路層時，復(fù)合基板102則不包括主體層160，且復(fù)合基板102所具有的線路層僅為導(dǎo)體層110。活化絕緣層120可以是利用壓合(lamination)或涂布(applying)的方式來形成。詳細(xì)而言，活化絕緣層120可以是液態(tài)材料或是具有粘性的固態(tài)膜層。當(dāng)活化絕緣層 120為液態(tài)材料時，活化絕緣層120可以經(jīng)由涂布的方式來形成。當(dāng)活化絕緣層120為固態(tài)膜層時，活化絕緣層120可以經(jīng)由壓合的方式來形成。請參閱圖IA與圖IB所示，接著，在活化絕緣層120的上表面Sl上形成凹刻圖案 Pl與至少一盲孔H1，其中盲孔Hl局部暴露導(dǎo)體層110，而且是暴露接墊112。此外，在形成凹刻圖案Pl與盲孔Hl的過程中，一些第一觸媒顆粒122會活化并裸露在凹刻圖案Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)。形成凹刻圖案Pl與盲孔Hl以及活化第一觸媒顆粒122的方法有多種，而在本實施例中，凹刻圖案Pl與盲孔Hl 二者的形成以及活化第一觸媒顆粒122的方法可以包括激光燒蝕、等離子體蝕刻或機械加工法。上述激光燒蝕所采用的激光光源，其所發(fā)出的激光光束(laser beam)的波長可以位在可見光(visible light)、紅外光(infrared light)或紫外光(ultraviolet light) 的范圍內(nèi)，而激光光源可以采用紅外線激光、紫外線激光、石榴石激光(Yttrium Aluminum Garnet, YAG laser)、二氧化碳激光、準(zhǔn)分子激光(excimer laser)或遠(yuǎn)紅外線激光。承上所述，在進(jìn)行上述激光燒蝕或等離子體蝕刻的過程中，激光光束或等離子體不僅能移除部分活化絕緣層120，以形成凹刻圖案Pl與盲孔H1，同時更可以打斷裸露在凹刻圖案Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)的這些第一觸媒顆粒122的化學(xué)鍵(chemical bond)，以活化這些第一觸媒顆粒122。另外，在以激光燒蝕的方法來形成盲孔Hl之后，本實施例可以對盲孔Hl進(jìn)行去膠渣，以清潔接墊112的表面11加，從而清除殘留在表面11 上的膠渣與異物。如此，可以維持或提升后續(xù)所形成的導(dǎo)電柱140 (請參閱圖ID所示)與接墊112 二者之間的電性連接品質(zhì)，進(jìn)而減少導(dǎo)電柱140與接墊112之間發(fā)生接觸不良或斷路的情形。請參閱圖IB與圖IC所示，接著，將這些活化的第一觸媒顆粒122，即原先裸露在凹刻圖案Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)的第一觸媒顆粒122，置換成多個第二觸媒顆粒150，其中活化的第一觸媒顆粒122與第二觸媒顆粒150之間的置換是經(jīng)由置換反應(yīng)來達(dá)成。將這些活化的第一觸媒顆粒122置換成這些第二觸媒顆粒150的方法可以是將活化絕緣層120浸泡在含有多個帶電粒子的化學(xué)藥液中，而這些帶電粒子可以是金屬離子(例如鈀離子)或是被離子團(tuán)包覆的金屬顆粒(例如錫鈀膠體)。承上所述，當(dāng)活化絕緣層120浸泡在上述化學(xué)藥液中時，帶電粒子會接觸這些活化并裸露在凹刻圖案Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)的第一觸媒顆粒122，并且與這些第一觸媒顆粒122 產(chǎn)生置換反應(yīng)。詳細(xì)而言，這些第二觸媒顆粒150的標(biāo)準(zhǔn)還原電位高于這些第一觸媒顆粒 122的標(biāo)準(zhǔn)還原電位，以至于帶電粒子能與活化的第一觸媒顆粒122產(chǎn)生置換反應(yīng)。如此， 凹刻圖案Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)的第一觸媒顆粒122得以被置換成第二觸媒顆粒150。在將這些活化的第一觸媒顆粒122置換成這些第二觸媒顆粒150之后，可以對盲孔Hl所暴露的導(dǎo)體層110，也就是接墊112，進(jìn)行微蝕刻，以清潔接墊112的表面11 ，進(jìn)而去除位在表面11 的氧化物等雜質(zhì)。如此，可以維持或提升后續(xù)形成的導(dǎo)電柱140(請參閱圖ID所示)與接墊112 二者之間的電性連接品質(zhì)。此外，在進(jìn)行微蝕刻時，經(jīng)由置換反應(yīng)而形成的第二觸媒顆粒150可以抵抗蝕刻藥液的侵蝕，促使第二觸媒顆粒150在微蝕刻后仍可以保留在凹刻圖案Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)。請參閱圖ID所示，接著，利用這些第二觸媒顆粒150，在凹刻圖案Pl內(nèi)形成線路層 130，以及在盲孔Hl內(nèi)形成導(dǎo)電柱140。具體而言，形成線路層130與導(dǎo)電柱140的方法有多種，而在本實施例中，形成線路層130與導(dǎo)電柱140的方法可以包括化學(xué)鍍或化學(xué)氣相沉積，其中此化學(xué)鍍又可稱為無電電鍍(electroless plating)。當(dāng)線路層130與導(dǎo)電柱140是以化學(xué)鍍來形成時，活化絕緣層120會浸泡在一化學(xué)鍍藥液中，而化學(xué)鍍藥液會與第二觸媒顆粒150接觸，并且產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，以在這些第二觸媒顆粒150裸露的地方，也就是在凹刻圖案Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)，產(chǎn)生沉積物，進(jìn)而形成線路層130與導(dǎo)電柱140。當(dāng)線路層130與導(dǎo)電柱140是以化學(xué)氣相沉積來形成時，化學(xué)氣相沉積所采用的反應(yīng)氣體會與第二觸媒顆粒150產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，例如氧化還原反應(yīng)(redox reaction)，其中在這化學(xué)反應(yīng)中，第二觸媒顆粒150可以作為反應(yīng)物(reactant)或催化物(catalysis)。 如此，線路層130與導(dǎo)電柱140得以形成。另外，須說明的是，在線路層130與導(dǎo)電柱140 二者的形成方法中，可以采用多種技術(shù)手段來進(jìn)行，例如線路層130與導(dǎo)電柱140 二者可以同時利用化學(xué)鍍與化學(xué)氣相沉積這二種技術(shù)手段來形成。舉例而言，在第二觸媒顆粒150形成之后，可先進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，以在凹刻圖案Pl內(nèi)與盲孔Hl內(nèi)形成種子層(seed layer)。之后，進(jìn)行化學(xué)鍍，以在種子層上形成沉積物，進(jìn)而形成線路層130與導(dǎo)電柱140。由此可知，形成線路層130與導(dǎo)電柱140的方法可以包括化學(xué)鍍與化學(xué)氣相沉積二者至少其中之一。綜上所述，本發(fā)明的線路板可以供至少一個電子元件來裝設(shè)，而線路層能電性連接電子元件，讓多個電子元件彼此電性連接，其中電子元件例如是芯片、被動元件或主動元件。如此，電信號能在本發(fā)明的線路板與電子元件之間傳遞，讓手機、電腦與數(shù)碼相機等電子裝置，以及電視、洗衣機與冰箱等家電用品可以運作。以上所述，僅是本發(fā)明的實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種線路板的制造方法，其特征在于包括提供一復(fù)合基板，該復(fù)合基板包括一導(dǎo)體層以及一覆蓋該導(dǎo)體層的活化絕緣層，其中該活化絕緣層包括多顆第一觸媒顆粒；在該活化絕緣層的一上表面上形成一凹刻圖案以及至少一與該凹刻圖案相通的盲孔， 其中一些第一觸媒顆?；罨⒙懵对谠摪伎虉D案內(nèi)與該盲孔內(nèi)，而該盲孔局部暴露該導(dǎo)體層；將該些活化的第一觸媒顆粒置換成多個第二觸媒顆粒；以及利用該些第二觸媒顆粒，在該凹刻圖案內(nèi)形成一線路層，以及在該盲孔內(nèi)形成一導(dǎo)電柱，其中該導(dǎo)電柱連接在該導(dǎo)體層與該線路層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的制造方法，其特征在于其中形成該凹刻圖案與該盲孔以及活化該些第一觸媒顆粒的方法包括激光燒蝕、等離子體蝕刻或機械加工法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板及其制造方法，其特征在于其中形成該線路層與該導(dǎo)電柱的方法包括化學(xué)鍍與化學(xué)氣相沉積二者至少其中之
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板及其制造方法，其特征在于在形成該盲孔之后，更包括對該盲孔進(jìn)行去膠渣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板及其制造方法，其特征在于在將該些活化的第一觸媒顆粒置換成該些第二觸媒顆粒之后，更包括對該盲孔所暴露的該導(dǎo)體層進(jìn)行微蝕刻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板及其制造方法，其特征在于其中將該些活化的第一觸媒顆粒置換成該些第二觸媒顆粒的方法包括將該活化絕緣層浸泡在一化學(xué)藥液中，該化學(xué)藥液包括多個帶電粒子，而該些帶電粒子與其所接觸的該些第一觸媒顆粒產(chǎn)生置換反應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板及其制造方法，其特征在于其中該些第一觸媒顆粒的材料選自于由鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、鈦、錫、鉛、鉻、鋁以及鉬所組成的群組之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的線路板及其制造方法，其特征在于其中該些第二觸媒顆粒的材料選自于由鈀、鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、鈦、錫、鉛、鉻、鋁以及鉬所組成的群組之一， 該些第二觸媒顆粒的材料不同于該些第一觸媒顆粒的材料，且該些第二觸媒顆粒的標(biāo)準(zhǔn)還原電位高于該些第一觸媒顆粒的標(biāo)準(zhǔn)還原電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板及其制造方法，其特征在于其中所述的活化絕緣層更包括一高分子化合物，而該些第一觸媒顆粒分布在該高分子化合物中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板及其制造方法，其特征在于其中所述的復(fù)合基板更包括一主體層，該導(dǎo)體層位在該主體層與該活化絕緣層之間。
11.一種線路板，其特征在于其包括一導(dǎo)體層；一活化絕緣層，覆蓋該導(dǎo)體層，并包括多個第一觸媒顆粒，其中該活化絕緣層具有一凹刻圖案以及至少一與該凹刻圖案相通的盲孔；一線路層，配置在該凹刻圖案內(nèi)；至少一導(dǎo)電柱，配置在該盲孔內(nèi)，并連接在該線路層與該導(dǎo)體層之間；以及多個第二觸媒顆粒，位在該凹刻圖案內(nèi)與該盲孔內(nèi)，并且固設(shè)于該活化絕緣層，其中該些第二觸媒顆粒接觸該線路層與該導(dǎo)電柱，而該些第二觸媒顆粒的材料不同于該些第一觸媒顆粒的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的線路板，其特征在于更包括一主體層，其中該導(dǎo)體層位在該主體層與該活化絕緣層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的線路板，其特征在于其中所述的活化絕緣層更包括一高分子化合物，該些第一觸媒顆粒分布在該高分子化合物中，而該些第二觸媒顆粒固設(shè)于該高分子化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的線路板，其特征在于其中該些第一觸媒顆粒的材料選自于由鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、鈦、錫、鉛、鉻、鋁以及鉬所組成的群組之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的線路板，其特征在于其中該些第二觸媒顆粒的材料選自于由鈀、鋅、銅、銀、鎳、鈷、鐵、錳、鎘、鈦、錫、鉛、鉻、鋁以及鉬所組成的群組之一，該些第二觸媒顆粒的材料不同于該些第一觸媒顆粒的材料，且該些第二觸媒顆粒的標(biāo)準(zhǔn)還原電位高于該些第一觸媒顆粒的標(biāo)準(zhǔn)還原電位。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種線路板及其制造方法。該線路板的制造方法。首先，提供一復(fù)合基板，其包括一導(dǎo)體層以及一覆蓋導(dǎo)體層的活化絕緣層。活化絕緣層包括多顆第一觸媒顆粒。接著，在活化絕緣層上形成一凹刻圖案以及至少一盲孔。一些第一觸媒顆粒活化并裸露在凹刻圖案內(nèi)與盲孔內(nèi)，而盲孔局部暴露導(dǎo)體層。接著，將這些活化的第一觸媒顆粒置換成多個第二觸媒顆粒。接著，利用這些第二觸媒顆粒，在凹刻圖案內(nèi)形成一線路層，以及在盲孔內(nèi)形成一導(dǎo)電柱。
文檔編號H05K3/10GK102480847SQ201010586309
公開日2012年5月30日 申請日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者余丞博, 徐嘉良 申請人:欣興電子股份有限公司