專利名稱：電路板制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板制作領(lǐng)域，尤其涉及電路板制作方法。
技術(shù)背景
所謂的原電池效應(yīng)是指活動性(即氧化性)不同的兩種金屬或金屬和其他導(dǎo)電材料(如非金屬、氧化物等)通過導(dǎo)線連接之后，浸在電解質(zhì)溶液(如硫酸、雙氧水等酸性物質(zhì))中，發(fā)生氧化還原反應(yīng)，使得活動性較強(即還原性較強)的金屬發(fā)生氧化反應(yīng)而導(dǎo)致不斷被腐蝕的現(xiàn)象。
在制作基板過程中，對基板進(jìn)行選擇性鎳金處理之后，基板中同一個焊盤所在的線路網(wǎng)絡(luò)的表面裸露有金層和銅層。當(dāng)需要對基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理時，需要對種子層進(jìn)行微蝕處理，以對基板的表面進(jìn)行清潔處理，增加板面的粗糙度；但是用于微蝕處理的微蝕液的主要成分為硫酸和雙氧水，該微蝕液是一種較強的電解質(zhì)；而基板的焊盤所在的線路網(wǎng)絡(luò)中的金層和銅層通過鎳層相連，且浸入在微蝕液時，會產(chǎn)生較強的原電池效應(yīng)，使得活動性較強的銅層被腐蝕；當(dāng)線路層的銅層被腐蝕嚴(yán)重時，可能會導(dǎo)致線路層銅層厚度較薄，從而影響到基板的電性能，繼而可能導(dǎo)致基板出現(xiàn)功能性缺陷，嚴(yán)重的還可能會導(dǎo)致基板報廢。發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明實施例提供電路板制作方法，以解決在對基板進(jìn)行微蝕處理過程中，由于活動性不同的金層和銅層產(chǎn)生原電池效應(yīng)而使得活動性較強的銅層被腐蝕，從而導(dǎo)致該銅層厚度偏低，繼而導(dǎo)致基板報廢的問題，以降低基板的報廢率。
一種電路板制作方法，包括
對完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；
對所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜，或者在所述銅層表面形成保護干膜；
對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。
較佳地，對所述基板進(jìn)行干膜處理，包括
在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對覆蓋在所述基板的種子層表面的干膜進(jìn)行曝光；對所述基板進(jìn)行顯影；對所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護部分；在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜；
或者，
在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的干膜進(jìn)行曝光；對所述基板進(jìn)行顯影；對所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護部分；在所述銅層的表面上形成保護干膜。
較佳地，對所述基板進(jìn)行退膜，可包括采用退膜液對已經(jīng)完成電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，裸露所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面。較優(yōu)地，退膜液采用堿性的退膜液，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等。
較佳地，對所述基板進(jìn)行顯影，可包括采用顯影液對曝光后的干膜進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護部分。
較佳地，對所述基板進(jìn)行微蝕處理，可包括采用微蝕液對所述基板進(jìn)行微蝕處理。較優(yōu)地，微蝕液采用酸性液體，如硫酸和雙氧水的混合液、硫酸和過硫酸鈉混合液等。
較佳地，對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理，包括將所述種子層中露出的部蝕刻掉。
較佳地，對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理之后，還包括對所述基板進(jìn)行保護干膜退膜處理。
較佳地，對所述基板進(jìn)行干膜處理，具體為對所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理；
在所述基板的金層表面和銅層表面或者在銅層表面，形成保護干膜，所述保護干膜為水干膜。
較佳地，所述基板為基于加成法或半加成法工藝形成的基板。
采用本發(fā)明技術(shù)方案，對基板的種子層進(jìn)行蝕刻的處理流程中，在對種子層進(jìn)行蝕刻之前，在基板的金層和銅層表面形成保護干膜，或者在銅層表面形成保護干膜；再對基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，由于銅層表面和金層表面覆蓋有保護干膜或者銅層表面覆蓋有保護干膜，從而防止了銅層和金層在微蝕液的作用下發(fā)生原電池效應(yīng)而使得銅層被腐蝕的問題，從而避免了基板的銅層被腐蝕而導(dǎo)致銅層厚度變薄而影響基板電性能的問題，繼而在一定程度上降低了基板的報廢率。
圖1為本發(fā)明實施例中電路板的制作方法流程圖2為本發(fā)明實施例中對完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明實施例中對基板進(jìn)行絲印水干膜處理后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖4A為本發(fā)明實施例中對基板進(jìn)行曝光、顯影處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖之
圖4B為本發(fā)明實施例中對基板進(jìn)行曝光、顯影處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖之 --；
圖5A為本發(fā)明實施例中對基板的水干膜進(jìn)行蝕刻處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
圖5B為本發(fā)明實施例中對基板的水干膜進(jìn)行蝕刻處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二；
圖6為本發(fā)明實施例中對基板進(jìn)行水印退膜處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種電路板制作方法，以解決在對基板進(jìn)行微蝕處理時，由于活動性不同的金層和銅層產(chǎn)生原電池效應(yīng)而使得活動性較強的銅層被腐蝕，從而導(dǎo)致銅層厚度偏低，繼而導(dǎo)致基板報廢的問題，從而降低基板的報廢率。該方法包括對完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；對所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜，或者在所述銅層表面形成保護干膜；對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，對基板的種子層進(jìn)行蝕刻的處理流程中，在對種子層進(jìn)行蝕刻之前，在基板的金層和銅層表面形成保護干膜，或者在銅層表面形成保護干膜；再對基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，由于銅層表面和金層表面覆蓋有保護干膜或者銅層表面覆蓋有保護干膜， 從而防止了銅層和金層在微蝕液的作用下發(fā)生原電池效應(yīng)而使得銅層被腐蝕的問題，從而避免了基板的銅層被腐蝕而導(dǎo)致銅層厚度變薄而影響基板電性能的問題，繼而在一定程度上降低了基板的報廢率。
本發(fā)明提供一種電路板制作方法，其特征在于，包括
對完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；
對所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜，或者在所述銅層表面形成保護干膜；
對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。
此后，可通過進(jìn)行與現(xiàn)有技術(shù)大致相同的工藝進(jìn)行處理，最終制成電路板。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述基板進(jìn)行干膜處理，包括
在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對覆蓋在所述基板的種子層表面的干膜進(jìn)行曝光；對所述基板進(jìn)行顯影；對所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護部分；在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜；
或者，
在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的干膜進(jìn)行曝光；對所述基板進(jìn)行顯影；對所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護部分；在所述銅層的表面上形成保護干膜。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對基板進(jìn)行退膜處理，包括采用退膜液對所述基板進(jìn)行退膜處理，裸露所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面，所述退膜液優(yōu)選為堿性退膜液。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述基板進(jìn)行顯影，包括采用顯影液對曝光后的干膜進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護部分。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述基板進(jìn)行微蝕處理，包括采用微蝕液對所述基板進(jìn)行微蝕處理，所述微蝕液優(yōu)選為酸性液體。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，所述微蝕液為硫酸和雙氧水的混合液，或者為硫酸和過硫酸鈉的混合液。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理，包括將所述種子層中露出的部分蝕刻掉。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，還包括
對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理之后，對所述基板進(jìn)行保護干膜退膜處理。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述基板進(jìn)行干膜處理，包括
對所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理；
在所述基板的金層表面和銅層表面或者在銅層表面，形成保護干膜，所述保護干膜為水干膜。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，所述基板為基于加成法或半加成法工藝所形成的基板。
在一個實施例中，所述基板可以用于非銅基電路板(例如鋁基電路板)，這樣相應(yīng)地可在非銅基材料層上形成保護干膜，以實現(xiàn)防腐蝕的作用。
下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。
參見圖1，為本發(fā)明實施例中制作電路板的方法，該方法包括
步驟101、對完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層。
該步驟中，可采用退膜液(如堿性退膜液，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等)對已經(jīng)完成電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，以裸露基板的金層表面、銅層表面和種子層表面。
步驟102、對所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述基板的金層和銅層表面形成保護干膜，或者在銅層表面形成保護干膜。
步驟103、對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。
較佳地，上述流程步驟102中，在所述基板的金層和銅層表面形成保護干膜，可包括
步驟1)、在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；
步驟2、、對覆蓋在所述基板的種子層表面的干膜進(jìn)行曝光；
步驟幻、對所述基板進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護部分(如種子層表面覆蓋的保護干膜)；
步驟4)對所述基板進(jìn)行微蝕處理；
步驟幻在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜。
上述流程步驟102中，在所述基板的銅層表面形成保護干膜，可包括
步驟1’)在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；
步驟2’ )對覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的干膜進(jìn)行曝光；
步驟3’ )對所述基板進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護部分(如種子層表面和金層表面的保護干膜)；
步驟4’)對所述基板進(jìn)行微蝕處理；
步驟5 ’)在所述銅層的表面上形成保護干膜。
較佳地，上述步驟幻和步驟3’)中，采用顯影液對曝光后的干膜進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護部分。
較佳地，上述步驟4)和步驟4’)中，可采用微蝕液(微蝕液可以是酸性液體，如硫酸和雙氧水的混合物、硫酸和過硫酸鈉混合液等)對所述基板進(jìn)行微蝕處理。
步驟103中，對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理，包括將所述種子層中裸露的部分種子層蝕刻掉。
較佳地，上述流程還可以包括6
步驟104、對所述基板進(jìn)行保護干膜退膜處理。
較佳地，由于絲印水干膜得到的水干膜的密度較大、覆蓋效果較好，上述步驟102 中對所述基板進(jìn)行干膜處理，包括對所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理；在所述基板的金層表面和銅層表面，或者在所述銅層表面，形成的干膜為水干膜。
后續(xù)步驟2、和步驟2’ )進(jìn)行曝光、步驟幻和步驟3’ )進(jìn)行顯影，都是針對水干膜而言。
較佳地，本發(fā)明實施例中的基板為基于加成法或半加成法工藝所形成的基板。
本發(fā)明實施例中，完成選擇性電鍍鎳金的基板如圖2所示，基板包括種子層1、銅層2、鎳層3和金層4，其中，種子層1作為基板在電鍍時的導(dǎo)通層(功能類似于傳統(tǒng)流程中的沉銅)，即作為線路層的基礎(chǔ)層，當(dāng)對基板完成電鍍鎳金后需要將該種子層中裸露的部分種子層(如圖2中的11和12部分)去除，以避免線路層短路的問題；鎳層3連接金層4和銅層2。
對基板進(jìn)行絲印水干膜處理，在基板的金層4表面、銅層2表面和種子層1表面形成的水干膜5，如圖3所示。
對基板進(jìn)行曝光和顯影，包括對覆蓋在所述基板的種子層1表面和金層4表面的水干膜進(jìn)行曝光并顯影，保留銅層2表面上的水干膜，如圖4A所示；對覆蓋在所述基板的種子層1表面的水干膜進(jìn)行曝光并顯影，保留在金層4表面和銅層2表面的水干膜，如圖4B 所示。
對如圖4A和圖4B所示的基板的種子層1進(jìn)行蝕刻處理時，將種子層1中裸露的部分種子層11和種子層12進(jìn)行蝕刻處理，得到如圖5A和圖5B所示的基板。
在對圖5A和如5B所示的基板進(jìn)行水干膜退膜處理之后，得到如圖6所示的基板。
本發(fā)明實施例中，對完成選擇性電鍍鎳金后的基板退膜，所述基板的鎳層連接金層和銅層；對退膜后的所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理，并在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成水干膜；對覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的水干膜進(jìn)行曝光，或者，對覆蓋在所述基板的種子層表面的水干膜進(jìn)行曝光；對所述基板進(jìn)行顯影；對所述基板進(jìn)行微蝕處理；對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，在采用微蝕液對該基板進(jìn)行微蝕處理時，由于銅層表面，或者銅層表面和金層表面覆蓋有水干膜，從而避免了銅層和金層在微蝕液的作用下發(fā)生原電池效應(yīng)而使得銅層被腐蝕的問題，從而避免了基板的銅層被腐蝕而導(dǎo)致銅層厚度變薄而影響基板電性能的問題，繼而在一定程度上降低了基板的報廢率。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電路板制作方法，其特征在于，包括對完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；對所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜，或者在所述銅層表面形成保護干膜；對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述基板進(jìn)行干膜處理，包括在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對覆蓋在所述基板的種子層表面的干膜進(jìn)行曝光；對所述基板進(jìn)行顯影；對所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護部分；在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜；或者，在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的干膜進(jìn)行曝光；對所述基板進(jìn)行顯影；對所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護部分；在所述銅層的表面上形成保護干膜。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，對基板進(jìn)行退膜處理，包括采用退膜液對所述基板進(jìn)行退膜處理，裸露所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面，所述退膜液優(yōu)選為堿性退膜液。
4.如權(quán)利要求1 3任一項所述的方法，其特征在于，對所述基板進(jìn)行顯影，包括采用顯影液對曝光后的干膜進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護部分。
5.如權(quán)利要求1 4任一項所述的方法，其特征在于，對所述基板進(jìn)行微蝕處理，包括 采用微蝕液對所述基板進(jìn)行微蝕處理，所述微蝕液優(yōu)選為酸性液體。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述微蝕液為硫酸和雙氧水的混合液，或者為硫酸和過硫酸鈉的混合液。
7.如權(quán)利要求1 6任一項所述的方法，其特征在于，對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理，包括將所述種子層中露出的部分蝕刻掉。
8.如權(quán)利要求1 7任一項所述的方法，其特征在于，還包括對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理之后，對所述基板進(jìn)行保護干膜退膜處理。
9.如權(quán)利要求1 8任一項所述的方法，其特征在于，對所述基板進(jìn)行干膜處理，包括對所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理；在所述基板的金層表面和銅層表面或者在銅層表面，形成保護干膜，所述保護干膜為水干膜。
10.如權(quán)利要求1 9任一項所述的方法，其特征在于，所述基板為基于加成法或半加成法工藝所形成的基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了電路板制作方法，以降低基板的報廢率。該方法包括對完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；對所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護干膜，或者在所述銅層表面形成保護干膜；對所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，防止了銅層和金層在微蝕液的作用下發(fā)生原電池效應(yīng)而使得銅層被腐蝕的問題，從而避免了基板的銅層被腐蝕而導(dǎo)致銅層厚度變薄而影響基板電性能的問題，繼而在一定程度上降低了基板的報廢率。
文檔編號H05K3/28GK102548231SQ201010620498
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月23日
發(fā)明者朱興華, 蘇新虹 申請人:北大方正集團有限公司