專利名稱：外延片生產(chǎn)用承載平臺的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種外延片生產(chǎn)用承載平臺。
背景技術：
外延片的生產(chǎn)方法，是在襯底上生長單晶硅薄膜。如圖1所示為一種承載平臺的 俯視圖，其包括圓形的盤體1，盤體1表面設置有用于承載襯底的凹槽11，多個凹槽11分布 在盤體1的表面?；瘜W氣相法生產(chǎn)外延片時，使氣態(tài)的硅單晶沉積在襯底表面。單晶硅的 沉積是在石英罩內(nèi)進行。生產(chǎn)時，使氣態(tài)的單晶硅經(jīng)過輸送管輸送至石英罩內(nèi)，在盤體1的 上方釋放出氣態(tài)單晶硅。為保證各個襯底上均能均勻生長單晶薄膜，輸送管的氣體出口位 于盤體1的圓心上方。這樣設置，雖然能夠起到一定的效果，但對于遠離圓心的襯底來說， 其仍然難以確保與靠近圓心的襯底表面生長均勻厚度的單晶薄膜。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術中的不足，提供一種可確保各處的襯底生 長均勻厚度單晶薄膜的外延片生產(chǎn)用承載平臺。為實現(xiàn)以上目的，本實用新型通過以下技術方案實現(xiàn)外延片生產(chǎn)用承載平臺，其特征在于，包括盤體，盤體表面邊緣設置有突出于盤體 表面的擋環(huán)。優(yōu)選地是，所述的擋環(huán)的內(nèi)圈表面為直線斜面。優(yōu)選地是，所述的擋環(huán)的內(nèi)圈表面為弧形面。本實用新型中的外延片生產(chǎn)用承載平臺，可利用設置在盤體四周的擋環(huán)阻擋一部 分氣態(tài)單晶硅，使其反射后落在襯底表面，因此，可使遠離盤體圓心的襯底上能夠生長出與 靠近圓心的襯底上的單晶薄膜厚度相當?shù)谋∧?。可確保同一批次生產(chǎn)的外延片具有相當?shù)?性能。

圖1為現(xiàn)有技術在的一種外延片生產(chǎn)用承載平臺的俯視圖；圖2為本實用新型實施例1的俯視圖；圖3為實施例1中的圖2的A-A剖視圖；圖4為實施例2中的圖2的A-A剖視圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型進行詳細的描述實施例1如圖2、圖3所示，外延片生產(chǎn)用承載平臺，包括盤體1，盤體1為圓形，盤體1表面 邊緣設置有突出于盤體1表面的擋環(huán)2。[0016]擋環(huán)2的內(nèi)圈表面21為直線斜面。實施例2其與實施例1的不同之處在于，所述的擋環(huán)2的內(nèi)圈表面21為弧形面，其余結構 與實施例1相同。本實用新型中的實施例僅用于對本實用新型進行說明，并不構成對權利要求范圍 的限制，本領域內(nèi)技術人員可以想到的其他實質(zhì)上等同的替代，均在本實用新型保護范圍 內(nèi)。
權利要求外延片生產(chǎn)用承載平臺，其特征在于，包括盤體，盤體表面邊緣設置有突出于盤體表面的擋環(huán)。
2.根據(jù)權利要求1所述的外延片生產(chǎn)用承載平臺，其特征在于，所述的擋環(huán)的內(nèi)圈表 面為直線斜面。
3.根據(jù)權利要求1所述的外延片生產(chǎn)用承載平臺，其特征在于，所述的擋環(huán)的內(nèi)圈表 面為弧形面。
專利摘要本實用新型公開了一種外延片生產(chǎn)用承載平臺，其特征在于，包括盤體，盤體表面邊緣設置有突出于盤體表面的擋環(huán)。本實用新型中的外延片生產(chǎn)用承載平臺，可利用設置在盤體四周的擋環(huán)阻擋一部分氣態(tài)單晶硅，使其反射后落在襯底表面，因此，可使遠離盤體圓心的襯底上能夠生長出與靠近圓心的襯底上的單晶薄膜厚度相當?shù)谋∧??？纱_保同一批次生產(chǎn)的外延片具有相當?shù)男阅堋?br> 文檔編號C30B29/06GK201770800SQ20102024655
公開日2011年3月23日 申請日期2010年7月1日 優(yōu)先權日2010年7月1日
發(fā)明者顧昱 申請人:上海晶盟硅材料有限公司