專利名稱：一種寶石單晶片的生長設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及寶石加工領(lǐng)域，尤其涉及一種寶石單晶片的生長設(shè)備。
技術(shù)背景藍(lán)寶石晶體具有強(qiáng)度硬、耐高溫耐磨擦，耐腐蝕能力強(qiáng)、光透性能、電絕緣性能優(yōu) 良等一系列特性，因此做為重要的技術(shù)晶體材料，藍(lán)寶石已被廣泛應(yīng)用在國防、軍事、科研 等一系列高科技技術(shù)領(lǐng)域，同時(shí)在民用工業(yè)上也有大量的應(yīng)用。由于藍(lán)寶石生長溫度高，生長環(huán)境要求真空度高、溫場復(fù)雜，輔助時(shí)間長(裝爐、 抽真空、升溫、生產(chǎn)結(jié)束降溫、冷卻等輔助時(shí)間占到整個(gè)工藝時(shí)間的三分之一)，導(dǎo)致生長成 本居高不下。而導(dǎo)模法則具有晶體生長速度快，尺寸可以精確控制，簡化了晶體的加工程 序，大大降低了晶體加工難度，節(jié)省了材料、時(shí)間和能源，降低生產(chǎn)成本，提高經(jīng)濟(jì)效益，是 人工藍(lán)寶石當(dāng)前最主要的生長方法。本實(shí)用新型在導(dǎo)模法工藝、自動(dòng)加料的基礎(chǔ)上，主要通過拉晶設(shè)備改造實(shí)現(xiàn)了拉 晶片的連續(xù)生長，縮短了藍(lán)寶石單晶片的生長周期，提高了生產(chǎn)效率
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種寶石單晶片的生長設(shè)備，有效地解決了先前的藍(lán)寶 石單晶片生長周期長的缺陷。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下—種寶石單晶片的生長設(shè)備，包括底座、下腔室、上腔室，其特征在于所述的底座 上固定有下腔室，所述的下腔室上側(cè)安裝有上腔室，所述的上腔室與下腔室之間安裝有閥 門。所述的寶石單晶片的生長設(shè)備，其特征在于所述的下腔室、上腔室外壁上均安裝 有真空機(jī)。所述的寶石單晶片的生長設(shè)備，其特征在于所述的下腔室內(nèi)安裝有坩堝，所述的 上腔室的上方固定有伸入上腔室內(nèi)的籽晶，所述的籽晶下端連接有晶體。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是本實(shí)用新型通過對寶石單晶片的生長設(shè)備設(shè)有上下兩個(gè)真空腔室，實(shí)現(xiàn)了藍(lán)寶石 拉晶片的連續(xù)生長，有效地縮短了生長周期，提高了生產(chǎn)率。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
一種寶石單晶片的生長設(shè)備，包括底座1、下腔室2、上腔室3，底座11上固定有下 腔室，下腔室2上側(cè)安裝有上腔室3，上腔室3與下腔室2之間安裝有閥門4，下腔室2、上腔室3外壁上均安裝有真空機(jī)5，下腔室2內(nèi)安裝有坩堝6，上腔室3的上方固定有伸入上腔室3內(nèi)的籽晶7，籽晶7下端連接有晶體8。 藍(lán)寶石生長過程的操作原理坩堝6內(nèi)盛放的藍(lán)寶石原料生長成為拉晶片，當(dāng)拉 晶片生長到規(guī)定長度用手動(dòng)裝置使其脫離生長界面，(由于藍(lán)寶石晶片散熱面積大、退火時(shí) 間短，能夠經(jīng)受較大的熱沖擊)將拉晶設(shè)備外的提升電機(jī)打到快速檔，30分鐘左右將拉晶 片提拉離下腔室2，再將下腔室2與上腔室3之間的閥門4關(guān)緊；打開上腔室3用戴好石棉 手套將晶體取出，重新裝好籽晶7關(guān)緊上腔室并將上腔室3抽成和下腔室2同等真空度，再 將閥門4打開將籽晶7緩緩降下進(jìn)行下一輪生長。
權(quán)利要求1.一種寶石單晶片的生長設(shè)備，包括底座、下腔室、上腔室，其特征在于所述的底座 上固定有下腔室，所述的下腔室上側(cè)安裝有上腔室，所述的上腔室與下腔室之間安裝有閥 門。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寶石單晶片的生長設(shè)備，其特征在于所述的下腔室、上腔室 外壁上均安裝有真空機(jī)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寶石單晶片的生長設(shè)備，其特征在于所述的下腔室內(nèi)安裝 有坩堝，所述的上腔室的上方固定有伸入上腔室內(nèi)的籽晶，所述的籽晶下端連接有晶體。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種寶石單晶片的生長設(shè)備，包括底座、下腔室、上腔室，底座上固定有下腔室，下腔室上側(cè)安裝有上腔室，上腔室與下腔室之間安裝有閥門，下腔室、上腔室外壁上均安裝有真空機(jī)，下腔室內(nèi)安裝有坩堝，上腔室的上方固定有伸入上腔室內(nèi)的籽晶，籽晶下端連接有晶體。本實(shí)用新型通過對寶石單晶片的生長設(shè)備設(shè)有上下兩個(gè)真空腔室，實(shí)現(xiàn)了藍(lán)寶石拉晶片的連續(xù)生長，有效地縮短了生長周期，提高了生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)C30B29/20GK201850328SQ20102059901
公開日2011年6月1日 申請日期2010年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月8日
發(fā)明者梁志安 申請人:鴻福晶體科技(安徽)有限公司