專利名稱：單晶硅生長爐加熱控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及的是一種單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，特別涉及的是一種單晶硅生長爐加熱 控制裝置的改進。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的太陽能單晶硅生長爐的加熱由電磁閥進行控制，電磁閥的工作電壓為 220V，由于工作電壓較高，所以傳統(tǒng)的太陽能單晶硅生長爐加熱控制裝置耗能較大，其電磁 閥的使用壽命較短，一般在1年左右(以工作60小時停10小時周期計算)。
發(fā)明內(nèi)容鑒于目前公知技術(shù)存在的問題，本實用新型要解決的技術(shù)問題是在于提供一種具 有節(jié)能、使用壽命長特點的單晶硅生長爐加熱控制裝置。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型是采取如下技術(shù)方案來完成的單晶硅生長爐加熱控制裝置，包括生長爐加熱控制電磁閥，其特征在于所述控制 裝置設(shè)有220V延時電路和降壓電路，220V延時電路和降壓電路分別與加熱控制電磁閥連 通。所述降壓電路降壓后的電壓為110V。本實用新型的有益效果是設(shè)備通電后首先220V延時電路投入工作，電磁閥的吸 合動作電壓為220V，電磁閥吸合后，單晶硅生長爐的加熱器就可投入工作，當(dāng)生長爐加熱器 正常工作后，220V延時電路延時斷開，同時降壓電路投入工作，降壓電路降壓后的電壓只有 Iiovaiov電壓就能使電磁閥維持吸合狀態(tài)，有效地降低電磁閥的吸合功率，產(chǎn)生了節(jié)能的 效果，另外，由于電磁閥吸合功率變小，所以產(chǎn)生的熱能變小，電磁閥的使用壽命得以提高， 在相同使用時間(以工作60小時停10小時周期計算)內(nèi)，電磁閥的使用壽命可以達到2年 以上，是以前的2倍多。

本實用新型有如下附圖。圖1為本實用新型的工作原理框圖。圖2為本實用新型的電路圖。
具體實施方式
附圖表示了本實用新型的技術(shù)方案及其實施例，下面再結(jié)合附圖進一步描述其實 施例的各有關(guān)細節(jié)及其工作原理。參照附圖1，該種單晶硅生長爐加熱控制裝置，包括生長爐加熱控制電磁閥3， 220V延時電路1和IlOV降壓電路2，220V延時電路和IlOV降壓電路分別與加熱控制電磁 閥連通。附圖2表示的是實施本實用新型的一種電路圖，包括點動按鈕SB1、SB2、中間繼電器KA、KM、延時繼電器KT及變壓線圈4，OB間電壓220V，0A間電壓110V，電磁閥3通過KMl 連通220V電壓電路，通過KM2連通IlOV電壓電路。 本實用新型工作過程是這樣的按下SB2，KA通電，觸頭KA1、KA2、KA3、KA4全部閉 合，KM、KT導(dǎo)通，KMl閉合，電壓電磁閥導(dǎo)通220V電路，電磁閥的吸合動作電壓為220V，電 磁閥吸合后，單晶硅生長爐的加熱器就可投入工作，接著KT延時3-5秒后動作，KTl斷開， KM同時斷開，于是KMl恢復(fù)斷開，KM2閉合，電磁閥導(dǎo)通IlOV電壓電路，IlOV電壓使電磁閥 維持吸合狀態(tài)，有效地降低電磁閥的吸合功率，產(chǎn)生了節(jié)能的效果，另外，由于電磁閥吸合 功率變小，所以產(chǎn)生的熱能變小，電磁閥的使用壽命得以提高。
權(quán)利要求1.單晶硅生長爐加熱控制裝置，包括生長爐加熱控制電磁閥，其特征在于所述控制 裝置設(shè)有220V延時電路和降壓電路，220V延時電路和降壓電路分別與加熱控制電磁閥連ο
2.如權(quán)利要求1所述的單晶硅生長爐加熱控制裝置，其特征在于所述降壓電路降壓 后的電壓為110V。
專利摘要本實用新型公開了一種單晶硅生長爐加熱控制裝置，包括生長爐加熱控制電磁閥，其特征在于所述控制裝置設(shè)有220V延時電路和降壓電路，220V延時電路和降壓電路分別與加熱控制電磁閥連通。上述單晶硅生長爐加熱控制裝置具有節(jié)能、使用壽命長的特點。
文檔編號C30B15/20GK201842898SQ20102059909
公開日2011年5月25日 申請日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者孫慶真, 李國迪, 蔣明霞 申請人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司