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硅片制絨用片架的制作方法

文檔序號:8038751閱讀:374來源:國知局
專利名稱:硅片制絨用片架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太陽能電池制作設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種硅片制絨 用片架。
背景技術(shù)
硅單體太陽能電池的主要生產(chǎn)工藝包括表面制備、擴(kuò)散制結(jié)、減反射膜和制作電 極等工序。其中硅片的表面制備是制造太陽能電池的第一步,主要包括對硅片的化學(xué)清洗 和表面腐蝕。在硅片的生產(chǎn)過程中,通常由單晶棒切割制成的硅片表面具有污染雜質(zhì),比如油 脂、松香等有機(jī)物或者含有金屬離子的無機(jī)化合物。在太陽能電池的制作過程中需要將上 述雜質(zhì)去除,保證硅片表面的干凈。目前常用的去污劑是過氧化氫溶液,在對硅片進(jìn)行初步 的去污后,還需要對硅片的表面進(jìn)行腐蝕制絨,主要是因?yàn)閱尉О暨M(jìn)行機(jī)械切割后會(huì)對硅 片的表面造成30 50mm的損傷層,將損傷層去除的過程就是腐蝕制絨的過程。硅片進(jìn)行 制絨的原理是,利用硅的各向異性對其進(jìn)行腐蝕,在硅片表面形成無數(shù)的四面方錐體。上述 制絨的過程中通常使用的是熱的堿性溶液,也可以使用廉價(jià)的氫氧化鈉溶液來制絨,溫度 在80°C,為了獲得均勻的制絨面,還可以在溶液中添加醇類作為絡(luò)合劑,加快硅片的腐蝕。上述硅片進(jìn)行制絨時(shí)需要放置在片架中進(jìn)行,目前常用的片架主要結(jié)構(gòu)是片架的 側(cè)壁上設(shè)置用于放置硅片的通槽,將整個(gè)硅片放置在通槽中進(jìn)行制絨,但是上述片架中,硅 片的兩側(cè)全部設(shè)置在通槽中,導(dǎo)致了硅片放置在通槽中的側(cè)邊與通槽的接觸面積過大,使 得硅片側(cè)邊很大一部分不能與溶液充分接觸,導(dǎo)致邊緣制絨效果不理想,出現(xiàn)邊緣色斑等 情況,導(dǎo)致了硅片的合格率下降,通常采用的方法是通過增加腐蝕液溶液來改善效果,這無 疑增加了硅片的制絨成本。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此,本實(shí)用新型提供了一種硅片制絨用片架,以減少硅片制絨過程中出現(xiàn) 的邊緣色斑,提高硅片制絨的質(zhì)量。為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型實(shí)施例提供如下技術(shù)方案—種硅片制絨用片架,包括設(shè)置有第一卡梳的第一側(cè)壁;與所述第一側(cè)壁相對,且設(shè)置有與所述第一卡梳配合的第二卡梳的第二側(cè)壁。優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁相互平行。優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述第一側(cè)壁上靠近其底部的部位還設(shè)置有與 所述第一卡梳相配合的第三卡梳,所述第二側(cè)壁靠近其底部的部位還設(shè)置有與所述第二卡 梳相配合的第四卡梳。優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述第一卡梳、第二卡梳、第三卡梳和第四卡梳 上的卡槽均為V型槽。[0013]優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述第一卡梳的卡槽和第三卡梳的卡槽的縱截 面均與所述第一側(cè)壁垂直;第二卡梳的卡槽和第四卡梳的卡槽的縱截面均與所述第二側(cè)壁垂直。優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述第一卡梳與所述第二卡梳位于同一高度,所 述第三卡梳和第四卡梳位于同一高度。優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁的底端均設(shè)置有底板, 所述底板上設(shè)置有通道。優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述通道的截面為矩形、方形或者圓形。優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述第三卡梳和第四卡梳的卡槽均與所述通道 相通。優(yōu)選的,上述硅片制絨用片架中,所述第一側(cè)壁的底板上設(shè)置有第一支撐槽,所述 第二側(cè)壁的底板上設(shè)置有第二支撐槽。由上述技術(shù)方案可知,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的硅片制絨用片架中,在第一側(cè)壁 上設(shè)置第一卡梳,在第二側(cè)壁上設(shè)置第二卡梳,在硅片制絨的過程中,將硅片的兩側(cè)安裝在 第一卡梳和第二卡梳中。本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的硅片制絨用片架中,改變了現(xiàn)有的片 架在側(cè)壁上設(shè)置通槽的結(jié)構(gòu)形式,在第一側(cè)壁上設(shè)置第一卡梳,在第二側(cè)壁上設(shè)置第二卡 梳,第一卡梳和第二卡梳在制絨的過程中將硅片的部分邊緣卡住,與現(xiàn)有的通槽的結(jié)構(gòu)形 式相比,減小了硅片邊緣與片架的接觸面積,增大了硅片邊緣與溶液的接觸面積,使得制絨 更加充分,減少了邊緣色斑,提高了硅片制絨的質(zhì)量。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的硅片制絨用片架的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖1中A部分的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了更清楚地了解本實(shí)用新型中的技術(shù)方案,現(xiàn)在就申請文件中的技術(shù)名詞進(jìn)行 解釋如下片架,指的是在制絨時(shí)用于裝載硅片的耐酸堿的專用器具??ㄊ?,指的是設(shè)置有多個(gè)卡槽,類似于梳子的裝置。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行 清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例,而不是全部 的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前 提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種硅片制絨用片架,減少了硅片制絨過程中出現(xiàn)的邊 緣色斑,提高了硅片制絨的質(zhì)量。請參考附圖1-2,圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的硅片制絨用片架的結(jié)構(gòu)示意 圖,圖2為圖1中A部分的放大結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的硅片制絨用片架,包括第一側(cè)壁2、第二側(cè)壁3和連接壁 1,其中[0029]第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3通過連接壁1連接,且相對設(shè)置;第一側(cè)壁2上設(shè)置有第一卡梳21,第二側(cè)壁3上設(shè)置有第二卡梳31,且第二卡梳 31和第一卡梳21相對配合用于放置硅片,硅片放置在該片架中,其兩側(cè)分別由第一卡梳21 和第二卡梳31進(jìn)行定位,硅片的底部放置在第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3的底部,將硅片放置 在上述片架上后,進(jìn)行硅片的清洗制絨工作?,F(xiàn)有的硅片制絨用片架中,在片架的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上設(shè)置有通槽,硅片進(jìn) 行制絨處理時(shí),硅片的兩個(gè)側(cè)邊放置在通槽中,由于整個(gè)硅片的兩個(gè)側(cè)邊全部與通槽進(jìn)行 接觸,使得硅片與通槽的接觸面積增大,而在制絨時(shí)硅片的兩側(cè)與溶液的接觸不充分,造成 邊緣色斑大量出現(xiàn)的情況,降低了硅片制絨的質(zhì)量。而本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的硅片制 絨用片架中,對現(xiàn)有的硅片制絨用片架進(jìn)行改進(jìn),在第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3上分別設(shè)置第 一卡梳21和第二卡梳31,第一卡梳21和第二卡梳31只與硅片兩側(cè)的部分邊緣進(jìn)行接觸, 減少了片架與硅片的接觸面積,即增大了硅片在制絨過程中與溶液的接觸面積,使得整個(gè) 硅片制絨更加充分,減少了邊緣色斑的數(shù)量,提高了硅片制絨的質(zhì)量。第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3是整個(gè)片架的支撐架,硅片是由設(shè)置在第一側(cè)壁2上的 第一卡梳21和設(shè)置在第二側(cè)壁3上的第二卡梳31進(jìn)行定位,第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3相 互之間可以呈一定的傾角設(shè)置,也可以平行設(shè)置。優(yōu)選的,上述第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3平 行設(shè)置,在保證整個(gè)片架在實(shí)現(xiàn)其功能的前提下,減少了整個(gè)片架的占用空間。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的硅片制絨用片架中,在第一側(cè)壁2上靠近其底部的部位 還設(shè)置有與第一卡梳21相互配合的第三卡梳22,在第二側(cè)壁靠近其底部的部位還設(shè)置有 與第二卡梳31相互配合的第四卡梳(圖中未示出)。上述改進(jìn),使得第一側(cè)壁上2具有兩 件卡梳,分別為第一卡梳21和第三卡梳22 ;第二側(cè)壁3上具有兩件卡梳,分別為第二卡梳 31和第四卡梳,雖然上述改進(jìn)中,增加卡梳的數(shù)量在一定程度上減少了本實(shí)施例中硅片與 制絨溶液的接觸面積,但是相對于現(xiàn)有技術(shù)的片架,其結(jié)果還是使得硅片與制絨溶液的接 觸面積增大,同時(shí)在第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3上均設(shè)置有兩件卡梳,使得硅片更加穩(wěn)定地設(shè) 置在片架上進(jìn)行制絨。上述實(shí)施例中提供的硅片制絨用片架中,第一卡梳21、第二卡梳31、第三卡梳22 和第四卡梳上的卡槽可以為各種形狀的槽,如弧形槽,V型槽、梯形槽。優(yōu)選的,上述第一卡 梳21、第二卡梳31、第三卡梳22和第四卡梳上的卡槽為V型槽,因?yàn)楣杵哂幸欢ǖ暮穸龋?在向片架放置后,V型槽使得硅片側(cè)邊的邊緣與V型槽接觸,此時(shí)V型槽與硅片的接觸為線 接觸,進(jìn)一步減少了硅片與上述卡梳的接觸面積,制絨時(shí)硅片與溶液的接觸更加充分,進(jìn)一 步減少了邊緣色斑的數(shù)量。上述實(shí)施例中提供的硅片制絨用片架中,第一卡梳21、第二卡梳31、第三卡梳22 和第四卡梳的卡槽為V型槽,更優(yōu)選的,第一卡梳21和第三卡梳22的卡梳的縱截面均與第 一側(cè)壁2垂直;第二卡梳31和第四卡梳的卡槽的縱截面均與第二側(cè)壁3垂直,如圖1即為 片架的工作放置狀態(tài),上述結(jié)構(gòu)關(guān)系,第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3平行,使得在整個(gè)片架在相 同的側(cè)壁長度內(nèi)布置更多的卡槽,增加了片架卡裝硅片的數(shù)量。上述實(shí)施例中提供的硅片制絨用片架中,第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3相對設(shè)置。優(yōu) 選的,上述第一側(cè)壁2上的第一卡梳21與第二側(cè)壁3上的第二卡梳31位于同一高度,第一 側(cè)壁2上的第三卡梳22和第二側(cè)壁3上的第四卡梳位于同一高度,這樣可以將第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3設(shè)計(jì)成一樣的結(jié)構(gòu),在整個(gè)片架的制作過程中,第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3進(jìn)行 同規(guī)格的生產(chǎn),無需分開制造,節(jié)約工序,降低了部件的生產(chǎn)成本。在硅片安裝到上述實(shí)施例所述的硅片制絨用片架中時(shí),硅片的兩側(cè)靠第一側(cè)壁2 和第二側(cè)壁3上的卡梳進(jìn)行定位,而硅片的底側(cè)通過第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3的底板進(jìn)行 支撐,可以在第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3的底板上設(shè)置各種形式的定位裝置,例如在底板上設(shè) 置各種夾子,從而實(shí)現(xiàn)對硅片進(jìn)行支撐并相互隔離。請參考附圖2,本實(shí)施例中提供的硅片 制絨用片架中,在第一側(cè)壁2上設(shè)置有第一支撐槽23,在第二側(cè)壁3上設(shè)置有第二支撐槽 (圖中未示出),實(shí)現(xiàn)各個(gè)硅片的支撐和相互隔離。本實(shí)施例中提供的硅片制絨用片架中,為了提高硅片在整個(gè)制絨過程中與溶液的 接觸和溶液的流動(dòng),上述第一側(cè)壁2和第二側(cè)壁3的底板上設(shè)置有通道,當(dāng)然通道的截面形 狀可以為各種形狀,優(yōu)選的,上述通道的截面形狀為圓形、矩形或者方形等規(guī)則的形狀,結(jié) 構(gòu)簡單,制造方便。更優(yōu)選的方案,當(dāng)上述通道為規(guī)則形狀時(shí),例如第一側(cè)壁2的底板的方 形通道對,在設(shè)計(jì)時(shí),可以使得通道的中心軸線與第一卡梳21、第二卡梳31、第三卡梳22和 第四卡梳的卡槽的軸線重合,使得硅片的底側(cè)邊緣不受通道端口的邊緣影響,實(shí)現(xiàn)硅片的 底側(cè)與溶液更加充分地接觸。對所公開的實(shí)施例的上述說明,使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新 型。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的,本文中所定 義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下,在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因 此,本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例,而是要符合與本文所公開的原理 和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種硅片制絨用片架,其特征在于,包括 設(shè)置有第一卡梳(21)的第一側(cè)壁(2);與所述第一側(cè)壁(2)相對,且設(shè)置有與所述第一卡梳(21)配合的第二卡梳(31)的第二側(cè)壁⑶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述第一側(cè)壁(2)和第二側(cè)壁 (3)相互平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述第一側(cè)壁(2)上靠近其底 部的部位還設(shè)置有與所述第一卡梳(21)相配合的第三卡梳(22),所述第二側(cè)壁(3)靠近其 底部的部位還設(shè)置有與所述第二卡梳(31)相配合的第四卡梳。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述第一卡梳(21)、第二卡梳 (31)、第三卡梳(22)和第四卡梳上的卡槽均為V型槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述第一卡梳(21)的卡槽和 第三卡梳(22)的卡槽的縱截面均與所述第一側(cè)壁(2)垂直;第二卡梳(31)的卡槽和第四 卡梳的卡槽的縱截面均與所述第二側(cè)壁(3)垂直。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述第一卡梳(21)與所述第 二卡梳(31)位于同一高度,所述第三卡梳(22)和第四卡梳位于同一高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述第一側(cè)壁(2)和第二側(cè)壁 (3)的底端均設(shè)置有底板,所述底板上設(shè)置有通道。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述通道的截面為矩形、方形 或者圓形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述第三卡梳(22)和第四卡 梳的卡槽均與所述通道相通。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅片制絨用片架,其特征在于,所述第一側(cè)壁(2)的底板上 設(shè)置有第一支撐槽(23),所述第二側(cè)壁(3)的底板上設(shè)置有第二支撐槽。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種硅片制絨用片架,包括設(shè)置有第一卡梳(21)的第一側(cè)壁(2);與所述第一側(cè)壁(2)相對,且設(shè)置有與所述第一卡梳(21)配合的第二卡梳(31)的第二側(cè)壁(3)。本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的硅片制絨用片架中,改變了現(xiàn)有的片架在側(cè)壁上設(shè)置通槽的結(jié)構(gòu)形式,在第一側(cè)壁上設(shè)置第一卡梳,在第二側(cè)壁上設(shè)置第二卡梳,第一卡梳和第二卡梳在制絨的過程中將硅片的部分邊緣卡住,與現(xiàn)有的通槽的結(jié)構(gòu)形式相比,減小了硅片邊緣與片架的接觸面積,增大了硅片邊緣與溶液的接觸面積,使得制絨更加充分,減少了邊緣色斑,提高了硅片制絨的質(zhì)量。
文檔編號C30B33/10GK201853732SQ201020601160
公開日2011年6月1日 申請日期2010年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月10日
發(fā)明者李建飛, 楊征, 樊選東, 郭建東, 黃鎮(zhèn) 申請人:江陰浚鑫科技有限公司
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