專利名稱：一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于照明技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種電子鎮(zhèn)流器，尤其是一種具有有源功率 因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器。
背景技術(shù)：
目前，現(xiàn)有的技術(shù)中日光燈鎮(zhèn)流器大多數(shù)是電子鎮(zhèn)流器。電子鎮(zhèn)流器具有節(jié)能、無 交流頻閃和蜂音、低壓起輝好、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。它通常由整流電路、觸發(fā)電路、高頻開關(guān)振蕩 器和LC諧振回路等組成。在日光燈管管腳接觸不良、燈管燈絲斷裂、燈管衰弱放電閃爍不 起輝以及電源開關(guān)沖擊等異?，F(xiàn)象出現(xiàn)時(shí)，因電流突變引起電感線圈出現(xiàn)異常的過電壓， 損壞電子元件，特別是開關(guān)振蕩器功率管，致使電子鎮(zhèn)流器損壞。因而提高電子鎮(zhèn)流器的可 靠性是當(dāng)前生產(chǎn)和推廣應(yīng)用的技術(shù)關(guān)鍵。
目前常用的熔斷保險(xiǎn)絲反應(yīng)速度慢，可靠性差，對異常損壞不能起到保護(hù)作用。近 年來，一些廠家提出了新方案，采用日光燈起輝器吸收過壓脈沖，它把兩只串接的日光燈起 輝器并聯(lián)于諧振電容上，出現(xiàn)異常高壓后，起輝器放電和兩電極接通，但這種方案的起輝器 電極是通斷動作的，自身又造成一個(gè)高頻電流，電壓的沖擊，不利于保護(hù)電子鎮(zhèn)流器，影響 燈管壽命，而且功率因數(shù)不高，對出現(xiàn)過流、欠壓、燈絲斷、接觸不良等故障后并恢復(fù)正常時(shí) 鎮(zhèn)流器無法自啟動。因此有必要研發(fā)出一種新型的電子鎮(zhèn)流器，使其具有高功率因數(shù)，能變 頻預(yù)熱，并且可以有效地在出現(xiàn)異常故障時(shí)進(jìn)行自我保護(hù)并在故障消除后自動重啟動的功 效。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的問題，提供了一種具有高功率因數(shù)，能變頻預(yù)熱，并且 可以有效地在出現(xiàn)異常故障時(shí)進(jìn)行自我保護(hù)并在故障消除后自動重啟動的有源功率因數(shù) 校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的所述的一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器，包括芯片型號是IR2166 的功率因數(shù)校正電路和鎮(zhèn)流器控制電路，具有高功率因數(shù)和低總諧波失真(THD)以及強(qiáng)大 的保護(hù)功能大大延長鎮(zhèn)流器使用壽命。在以下異常故障條件下，鎮(zhèn)流器能自動保護(hù)并具有 重啟動功能。所述功率因數(shù)校正電路是由啟動電阻RsumY、電容CVCC2、M0SFET管MHS、MLS、MPFC 組成，分別與芯片IR2166的VCC、HO、LO及PPC腳連接，用于升壓和調(diào)節(jié)直流輸出電壓，通 過控制MOSFET管的通斷產(chǎn)生正弦電流(低THD)并使電流與交流輸入電壓同相(高功率因 數(shù))；所述鎮(zhèn)流器控制電路包括振蕩器、半橋驅(qū)動電路、芯片IR2166和故障保護(hù)電路。 所述的振蕩器由電阻RT、RPH和電容CT組成，電阻RT、RPH并聯(lián)與電容CT連接到地、與芯 片IR2166的RT、RPH、CT腳連接組成；所述的半橋驅(qū)動電路是由電容CSUNB、C17、二極管DCP1、DCP2組成的充電泵以及MOSFET管MHS、MLS組成，所述的MOSFET管MHS、MLS分別與芯片IR2166的HO、LO腳連接；所述的故障保護(hù)電路是由低端MOSFET管源極通過電阻RCS 與IR2166的CS腳連接，由電阻RPU、RSD和電容CSDl組成分壓、濾波的網(wǎng)絡(luò)與芯片IR2166 的SD腳連接組成。進(jìn)一步地，所述的鎮(zhèn)流器還包括有整流電路。進(jìn)一步地，所述的功率因數(shù)校正電路是通過控制MOSFET管的通斷產(chǎn)生正弦電流， 提高功率因數(shù)。進(jìn)一步地，所述的鎮(zhèn)流器控制電路是通過由電阻RT、RPH和電容CT組成的振蕩器 控制預(yù)熱振蕩頻率。進(jìn)一步地，所述的鎮(zhèn)流器控制電路是通過檢測CS腳上的電壓判斷燈是否出現(xiàn)硬 開關(guān)、欠壓、過流的故障，若出現(xiàn)故障則控制鎮(zhèn)流器停止工作。進(jìn)一步地，所述的鎮(zhèn)流器控制電路是通過檢測SD腳上的電壓判斷燈是否出現(xiàn)燈 壽結(jié)束故障，若出現(xiàn)故障則控制鎮(zhèn)流器停止工作。進(jìn)一步地，所述的鎮(zhèn)流器控制電路是通過檢測SD腳上的電壓判斷出現(xiàn)故障后是 否已更換燈管，更換后能控制鎮(zhèn)流器自動重啟動。進(jìn)一步地，所述的鎮(zhèn)流器控制電路是通過檢測VBUS腳上的電壓判斷是否出現(xiàn)欠 電壓故障，若出現(xiàn)故障則控制鎮(zhèn)流器停止工作。本實(shí)用新型所述的一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器的工作原理 是當(dāng)鎮(zhèn)流器上電后，芯片IR2166VCC腳通過電阻電容充電，達(dá)到欠壓門限后驅(qū)動振蕩器和 MOSFET管工作，充電泵電路繼續(xù)給電容充電進(jìn)而驅(qū)動M0SFET，實(shí)現(xiàn)升壓和調(diào)節(jié)直流電壓。 然后進(jìn)入預(yù)熱模式，控制振蕩器工作，在適應(yīng)的頻率下控制半橋驅(qū)動電路輸出足夠的電流 預(yù)熱燈絲，并給電容CPH充電，當(dāng)充電達(dá)到觸發(fā)閥值后進(jìn)入觸發(fā)模式。此時(shí)頻率下降至LC 負(fù)載的頻率，燈兩端電壓大幅上升直到達(dá)到觸發(fā)電壓并觸發(fā)燈起動，鎮(zhèn)流器進(jìn)入運(yùn)行模式。 運(yùn)行過程中，芯片IR2166實(shí)時(shí)檢測其各引腳上的電壓，判斷是否出現(xiàn)過流、欠壓、硬開關(guān)、 燈壽結(jié)束等故障，當(dāng)檢測到故障時(shí)進(jìn)入故障模式而使鎮(zhèn)流器停止工作，直到檢測到故障已 消除后重新啟動鎮(zhèn)流器。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于提供了一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流 器，采用的IR2166芯片設(shè)計(jì)的電路結(jié)構(gòu)可獲得較高的功率因數(shù)、預(yù)熱頻率和運(yùn)行頻率可 調(diào)，過流門限電壓可調(diào)。同時(shí)還具有燈管觸發(fā)失敗保護(hù)，燈絲故障保護(hù)，燈壽保護(hù)，且直流母 線欠壓復(fù)位及自動重啟動功能。

圖1是本實(shí)用新型所述的一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器的系 統(tǒng)結(jié)構(gòu)方框圖；圖2是本實(shí)用新型所述的一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器的電 路原理圖。附圖中分述標(biāo)記如下1、整流電路；2、功率因數(shù)校正電路；3、震蕩電路；4、燈管； 5、芯片IR2166 ；6、半橋驅(qū)動電路；7、故障保護(hù)電路；8、鎮(zhèn)流器控制電路。
具體實(shí)施方式
如附圖1和2所示，一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器的結(jié)構(gòu)方框圖，以芯片型號是IR2166為核心結(jié)合外圍電路構(gòu)成，包括功率因數(shù)校正電路2和鎮(zhèn)流器控 制電路8。所述的功率因數(shù)校正電路2是由啟動電阻RsumY、電容CVCC2、MOSFET管MHS、 MLS、MPFC組成，分別與芯片IR2166的VCC、HO、LO及PPC腳連接。經(jīng)過整流電路1整流后 的交流電壓通過啟動電阻Rsuppw與IR2166的VCC腳連接，所述的VCC腳接電容CVCC2到地， MOSFET 管 MHS 基極、MOSFET 管 MLS 基極、MOSFET 管 MPFC 分別與 IR2166 的 H0、L0、PFC 腳連 接，MOSFET管MHS源極與MOSFET管MLS漏極連接。所述鎮(zhèn)流器控制電路8包括振蕩電路 3、半橋驅(qū)動電路6和故障保護(hù)電路7。所述振蕩電路3由電阻RT、RPH、電容CT組成，分別 和IR2166的RT、RPH、CT腳連接；所述半橋驅(qū)動電路6是由電容CSUNB、C17、二極管DCP1、 DCP2組成的充電泵以及MOSFET管MHS、MLS組成，所述的電容CSUNB分別與IR2166的VCC、 COM腳連接，二極管DCPl負(fù)極與IR2166的VCC腳連接，正極與二極管DCP2的負(fù)極及電容 C17連接，電容C17與MOSFET管MHS源極連接。所述的故障保護(hù)電路7包括MOSFET管MLS 源極通過電阻RCS、RPU、RSD、電容CSDl組成分壓、濾波的網(wǎng)絡(luò)和IR2166，MOSFET管MLS源 極與電阻RCS連接，電阻RCS、電容CSDl與IR2166的CS、SD腳連接，電容CSDl與電阻RSD、 RPU連接，電阻RSD、RPU分別與燈管4的兩端連接。
權(quán)利要求1.一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，包括功率因數(shù)校正 電路(2)和鎮(zhèn)流器控制電路⑶；所述的功率因數(shù)校正電路O)由啟動電阻&υΡΡ Υ、電容CVCC2、M0SFET管MHS、MLS、MPFC 組成，分別與芯片IR2166 (5)的VCC、HO、LO及PPC腳連接；所述的鎮(zhèn)流器控制電路(8)包括振蕩電路(3)、半橋驅(qū)動電路(6)、芯片頂2166(5) 和故障保護(hù)電路⑵；所述的振蕩電路(3)由電阻RT、RPH和電容CT組成，分別與芯片 IR2166(5)的RT、RPH、CT腳連接；所述的半橋驅(qū)動電路(6)是由電容CSUNB、C17、二極管 DCP1、DCP2組成的充電泵以及MOSFET管MHS、MLS組成，所述的MOSFET管MHS、MLS分別與 芯片IR2166 (5)的HO、LO腳連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器，其特征在于， 所述的故障保護(hù)電路(7)是由低端MOSFET管源極通過電阻RCS與芯片頂2166(5)的CS腳 連接，由電阻RPU、RSD和電容CSDl組成分壓、濾波的網(wǎng)絡(luò)與芯片頂2166 (5)的SD腳連接組 成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器，其特征在于， 還包括整流電路(1)。
專利摘要本實(shí)用新型屬于照明技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種電子鎮(zhèn)流器，尤其是一種具有有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器。該電子鎮(zhèn)流器包括芯片型號是IR2166的功率因數(shù)校正電路和鎮(zhèn)流器控制電路，具有高功率因數(shù)和低總諧波失真以及強(qiáng)大的保護(hù)功能大大延長鎮(zhèn)流器使用壽命。在異常故障條件下，鎮(zhèn)流器能自動保護(hù)并具有重啟動功能。本實(shí)用新型提供了一種具有高功率因數(shù)，能變頻預(yù)熱，并且可以有效地在出現(xiàn)異常故障時(shí)進(jìn)行自我保護(hù)并在故障消除后自動重啟動的有源功率因數(shù)校正自保護(hù)的電子鎮(zhèn)流器。
文檔編號H05B41/36GK201878407SQ20102062114
公開日2011年6月22日 申請日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者羅文強(qiáng) 申請人:江蘇石諾節(jié)能科技股份有限公司