專利名稱：多晶硅制絨槽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多晶硅制絨槽。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)光電(photovoltaic，PV)行業(yè)中，多晶硅片的制絨需要在低溫狀態(tài)下進(jìn)行， 因其反應(yīng)會(huì)放出大量的反應(yīng)熱，為使反應(yīng)液維持在低溫恒定狀態(tài)，采用大量溶液循環(huán)制冷 的方式帶走反應(yīng)熱?，F(xiàn)有技術(shù)中，反應(yīng)液的進(jìn)液量和溢流量相互獨(dú)立，對(duì)反應(yīng)槽進(jìn)液量沒有 進(jìn)行控制，外槽的溢流量無法根據(jù)外槽的進(jìn)液量的大小進(jìn)行相應(yīng)調(diào)節(jié)。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是如何對(duì)反應(yīng)槽進(jìn)液量進(jìn)行控制，并使外槽的溢 流量可根據(jù)外槽的進(jìn)液量的大小自行進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié)。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種多晶硅制絨槽，包括反應(yīng)槽、外槽、 安裝在所述反應(yīng)槽上的進(jìn)液管路、以及安裝于所述外槽上的溢流管路，所述反應(yīng)槽部分置 于所述外槽中，其中，所述進(jìn)液管路上設(shè)有調(diào)節(jié)閥。其中，所述反應(yīng)槽底部鋪設(shè)設(shè)有若干勻流孔的勻流板，所述反應(yīng)槽側(cè)壁低于所述 外槽處設(shè)有若干勻流孔。其中，所述進(jìn)液管路包括側(cè)方進(jìn)液管路和下方進(jìn)液管路，所述下方進(jìn)液管路設(shè)于 所述勻流板下，所述側(cè)方進(jìn)液管路設(shè)于所述反應(yīng)槽側(cè)壁上所述若干勻流孔處。其中，還包括高位傳感器和低位傳感器，所述高位傳感器設(shè)于所述外槽側(cè)壁，所 述低位傳感器設(shè)于所述外槽側(cè)壁且低于所述高位傳感器處。其中，所述溢流管路包括低位溢流管路，所述低位溢流管路設(shè)置于所述外槽底部。其中，所述反應(yīng)槽與外槽之間設(shè)有至少兩個(gè)保護(hù)隔板。其中，所述溢流管路還包括高位溢流管路，所述高位溢流管路設(shè)于所述外槽側(cè)壁 且位于高位傳感器和低位傳感器水平位置之間處。其中，所述反應(yīng)槽底端還設(shè)有反應(yīng)槽排放管路。其中，所述外槽底端還設(shè)有外槽排放管路。(三)有益效果本實(shí)用新型通過在進(jìn)液管路上設(shè)置調(diào)節(jié)閥，可對(duì)反應(yīng)槽進(jìn)液量進(jìn)行控制，并通過 在外槽上設(shè)置液位傳感器，使外槽的溢流量可根據(jù)外槽的進(jìn)液量的大小自行進(jìn)行相應(yīng)的調(diào) 節(jié)。

圖1是依照本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的多晶硅制絨槽的結(jié)構(gòu)示意圖；[0018]圖2是圖1所示多晶硅制絨槽的正視圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下 實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。圖1是依照本實(shí)用新型的 一種實(shí)施方式的多晶硅制絨槽的結(jié)構(gòu)示意圖，包括外槽1、反應(yīng)槽2、安裝在所述反應(yīng)槽2 上的進(jìn)液管路、以及安裝于所述外槽1上的溢流管路，反應(yīng)槽2部分置于外槽1中，所述進(jìn) 液管路上設(shè)有調(diào)節(jié)閥(未示出)，所述進(jìn)液管路與進(jìn)液磁力泵一端相連，可通過所述調(diào)節(jié)閥 配合所述進(jìn)液磁力泵方便地對(duì)反應(yīng)槽2的進(jìn)液量進(jìn)行調(diào)節(jié)，所述進(jìn)液磁力泵連有進(jìn)液磁力 泵控制器，所述進(jìn)液磁力泵另一端連接冷卻槽的出口，所述溢流管路連接所述冷卻槽的進(jìn) 口。優(yōu)選地，所述反應(yīng)槽2底部鋪設(shè)有若干勻流孔11的勻流板10，側(cè)壁上低于外槽1處設(shè) 有若干勻流孔11。所述進(jìn)液管路包括側(cè)方進(jìn)液管路12和下方進(jìn)液管路13，下方進(jìn)液管路 13設(shè)于反應(yīng)槽2底部，勻流板10下，側(cè)方進(jìn)液管路12設(shè)于反應(yīng)槽2側(cè)壁上所述若干勻流孔 11處。為使外槽1的溢流量可根據(jù)外槽1的進(jìn)液量的大小自行進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié)，優(yōu)選地， 多晶硅制絨槽還包括高位傳感器4和低位傳感器5，所述高位傳感器4設(shè)于所述外槽1側(cè) 壁，所述低位傳感器5設(shè)于所述外槽1側(cè)壁且低于所述高位傳感器4處，所述溢流管路包括 低位溢流管路9，設(shè)于外槽1底部，所述低位溢流管路9與溢流磁力泵一端相連，所述溢流磁 力泵另一端與冷卻槽進(jìn)口相連，所述溢流磁力泵連有溢流磁力泵控制器，所述高位傳感器4 和低位傳感器5均與所述磁力泵控制器相連。為防止所述溢流管路溢流時(shí)產(chǎn)生的液位波 動(dòng)，而造成的誤動(dòng)作，優(yōu)選地，反應(yīng)槽2與外槽1之間于高位傳感器4和低位傳感器5處設(shè) 有至少兩個(gè)保護(hù)隔板(未示出)。為提高溢流效率，所述溢流管路還包括高位溢流管路6， 所述高位溢流管路6設(shè)于所述外槽1側(cè)壁且位于高位傳感器4和低位傳感器5水平位置之 間處。為使當(dāng)循環(huán)溶液不再使用需更換溶液時(shí)方便將反應(yīng)液排出，優(yōu)選地，反應(yīng)槽2還設(shè)有 反應(yīng)槽排放管路8，外槽1還設(shè)有外槽排放管路7。上述多晶硅制絨槽的工作原理為所述進(jìn)液磁力泵將所述冷卻槽內(nèi)的溶液通過進(jìn) 液管路注入反應(yīng)槽2，溶液注滿后，溢流至外槽1，外槽1的溶液通過溢流管路回流至冷卻 槽。硅片在完成若干循環(huán)達(dá)到工藝溫度后放入，工藝開始后，無論此時(shí)槽中是否放有硅片， 此循環(huán)都在進(jìn)行。根據(jù)放入硅片的數(shù)量，可通過調(diào)節(jié)進(jìn)液磁力泵控制器和進(jìn)液管路上的調(diào) 節(jié)閥來調(diào)節(jié)進(jìn)液流量。根據(jù)外槽1進(jìn)液量的大小，溢流磁力泵控制器根據(jù)高位傳感器4和 低位傳感器5發(fā)來的信號(hào)，控制低位溢流管路9，通過低位溢流管路9和高位溢流管路6相 配合，使液面始終保持在高位傳感器4和低位傳感器5之間。高位溢流管路6通過重力排 出溶液，只要外槽1的液位超過高位溢流管路6，則高位溢流管路6自動(dòng)排液，并將排出的溶 液輸送至所述冷卻槽。若外槽1的進(jìn)液量較小，可只通過高位溢流管路6進(jìn)行排液。若外 槽1的進(jìn)液量較大，使外槽1的溶液液位超過了高位傳感器4，高位溢流管路6由于重力的 關(guān)系排出一部分溶液，所述溢流磁力泵控制器接收到高位傳感器4的信號(hào)，則啟動(dòng)所述溢 流磁力泵，將溶液自低位溢流管路9抽出，直至液位低于低位傳感器5，所述溢流磁力泵控 制器接收到低位傳感器5的信號(hào)，關(guān)閉所述溢流磁力泵，低位溢流管路9的溢流量大小可通 過所述溢流磁力泵控制器來調(diào)節(jié)，當(dāng)?shù)臀灰缌鞴苈?通過所述溢流磁力泵將溶液輸送至所 述冷卻槽時(shí)，高位溢流管路6同時(shí)通過重力將溶液輸送至所述冷卻槽。當(dāng)循環(huán)溶液不再使用，需要更換時(shí)，則通過反應(yīng)槽排放管路8和外槽排放管路7將反應(yīng)液排出。 以上實(shí)施方式僅用于說明本實(shí)用新型，而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員， 在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和 變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng) 由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.一種多晶硅制絨槽，包括反應(yīng)槽(2)、外槽(1)、安裝在所述反應(yīng)槽(2)上的進(jìn)液管 路、以及安裝于所述外槽(1)上的溢流管路，所述反應(yīng)槽(2)部分置于所述外槽(1)中，其 特征在于，所述進(jìn)液管路上設(shè)有調(diào)節(jié)閥。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅制絨槽，其特征在于，所述反應(yīng)槽(2)底部鋪設(shè)設(shè)有若 干勻流孔(11)的勻流板(10)，所述反應(yīng)槽⑵側(cè)壁低于所述外槽⑴處設(shè)有若干勻流孔 (11)。
3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅制絨槽，其特征在于，所述進(jìn)液管路包括側(cè)方進(jìn)液管路 (12)和下方進(jìn)液管路(13)，所述下方進(jìn)液管路(13)設(shè)于所述勻流板(10)下，所述側(cè)方進(jìn) 液管路(12)設(shè)于所述反應(yīng)槽(2)側(cè)壁上所述若干勻流孔(11)處。
4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅制絨槽，其特征在于，還包括高位傳感器(4)和低位傳 感器(5)，所述高位傳感器(4)設(shè)于所述外槽(1)側(cè)壁，所述低位傳感器(5)設(shè)于所述外槽 (1)側(cè)壁且低于所述高位傳感器(4)處。
5.如權(quán)利要求4所述的多晶硅制絨槽，其特征在于，所述溢流管路包括低位溢流管路 (9)，所述低位溢流管路設(shè)置于所述外槽(1)底部。
6.如權(quán)利要求4所述的多晶硅制絨槽，其特征在于，所述反應(yīng)槽⑵與外槽⑴之間設(shè) 有至少兩個(gè)保護(hù)隔板。
7.如權(quán)利要求4所述的多晶硅制絨槽，其特征在于，所述溢流管路還包括高位溢流管 路(6)，所述高位溢流管路(6)設(shè)于所述外槽(1)側(cè)壁且位于高位傳感器(4)和低位傳感器 (5)水平位置之間處。
8.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的多晶硅制絨槽，其特征在于，所述反應(yīng)槽(2)底端還 設(shè)有反應(yīng)槽排放管路(8)。
9.如權(quán)利要求8所述的多晶硅制絨槽，其特征在于，所述外槽(1)底端還設(shè)有外槽排放 管路(7)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅制絨槽，包括反應(yīng)槽(2)、外槽(1)、安裝在所述反應(yīng)槽(2)上的進(jìn)液管路、和安裝于所述外槽(1)上的溢流管路，所述反應(yīng)槽(2)部分置于所述外槽(1)中，所述進(jìn)液管路上設(shè)有調(diào)節(jié)閥，可對(duì)反應(yīng)槽(2)進(jìn)液量進(jìn)行控制，并通過在外槽(1)上設(shè)置液位傳感器，使外槽(1)的溢流量可根據(jù)外槽(1)的進(jìn)液量的大小自行進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié)。
文檔編號(hào)C30B33/10GK201864794SQ201020629838
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者于皓潔, 張琳 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司