專利名稱：電感耦合型等離子體發(fā)生源電極及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電感耦合型等離子體發(fā)生源電極及具備該電感耦合型等離子體發(fā)生源電極的基板處理裝置。更具體而言，涉及如下的電感耦合型等離子體發(fā)生源電極及具備該電感耦合型等離子體發(fā)生源電極的基板處理裝置其通過向待處理基板的前面及后面施加朝向不同方向的射頻信號，能夠在全區(qū)域得到均勻的等離子體密度，并能夠防止信號衰減。
背景技術(shù)：
利用由高頻能量產(chǎn)生的等離子體的工藝被稱作“高頻等離子體方法(RF Plasma !Processes) ”或“高頻等離子體處理(RF Plasma Processing)”。在大規(guī)模集成電路等的半導體制造技術(shù)中，采用等離子體的蝕刻及蒸鍍等的技術(shù)中使用該工藝，特別是在液晶顯示裝置(IXD :Liquid Crystal Display)那樣的顯示裝置的制造中該工藝非常實用。此外，近年來，隨著要求半導體元件的細微化及晶片的大口徑化，該使用等離子體的工藝發(fā)揮更重要的作用。在該工藝中使用高頻是為了降低與集成等級的提高及半導體元件的微細化密切相關(guān)的工藝壓力。另一方面，為了提高工藝速度及生產(chǎn)率，一般要求增加等離子體的密度即等離子體內(nèi)的帶電粒子的密度。但是，提高工藝速度和降低工藝壓力是相互相反的關(guān)系。那是因為，雖然氣體粒子的數(shù)量隨著壓力的降低而減少，但是這使等離子體密度減少。因此，為了在降低工藝壓力的情況下維持充分高的等離子體密度，認為提高等離子體發(fā)生效率是非常重要的，因此，在射頻等離子體工藝中采用高頻信號。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題在這樣的等離子體發(fā)生方法中，有電容耦合方式和電感耦合方式，其中，電感耦合型等離子體(ICP dnductively Coupled Plasma)的發(fā)生方法能夠在低壓力下動作且能夠生成高密度的等離子體，所以正在替代已有的電容耦合型等離子體(CCP =Capacitively Coupled Plasma)的發(fā)生方法。電感耦合型等離子體(ICP)的發(fā)生方法是由供給高頻電壓的射頻電源在放電氣體內(nèi)生成電磁場，由此激勵氣體來生成和維持氣體等離子體的方式，具有能夠在安裝于腔內(nèi)的晶片的上部產(chǎn)生等離子體來直接用于反應(yīng)的優(yōu)點。圖1 圖6是表示現(xiàn)有的半導體制造用的一般的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖1是表示基板處理裝置100的整體結(jié)構(gòu)的圖，圖2是圖1的基板處理裝置100 中只表示等離子體發(fā)生源(Source)電極120的結(jié)構(gòu)的示意圖。此外，圖3是表示由多個電極220構(gòu)成的基板處理裝置200的整體結(jié)構(gòu)的圖，圖4 是圖3的基板處理裝置200中只表示等離子體發(fā)生源電極220的結(jié)構(gòu)的示意圖。此外，圖5是表示由多個電極220a構(gòu)成的另一基板處理裝置200a的整體結(jié)構(gòu)的圖，圖6是圖5的基板處理裝置200a中只表示等離子體發(fā)生源電極220a的結(jié)構(gòu)的示意圖。首先，如圖1及圖2所示，使用等離子體的基板處理裝置100具備腔110，提供基板處理空間；等離子體發(fā)生源電極120，在腔110內(nèi)產(chǎn)生電感耦合型等離子體(ICP)；射頻 (RF)天線130，連接在等離子體發(fā)生源電極120的一端，通過高頻電流在等離子體發(fā)生源電極120產(chǎn)生電磁場；地線140，連接在等離子體發(fā)生源電極120的另一端；以及基座150，用于在腔內(nèi)載放基板160。此外，如圖3及圖4所示，在基板處理裝置200上能夠具備多個等離子體發(fā)生源電極220，此時，隨著電極220的長度增大，會發(fā)生電力衰減。即，射頻天線230使用由射頻電源施加的高頻電流產(chǎn)生電磁場，但是當電極220的長度變長時，由射頻天線230產(chǎn)生的電磁場的強度隨著遠離射頻天線230而減少。如上所述，在基板處理裝置中，通過電磁場生成等離子體，但是當電磁場的強度減少時，所生成的等離子體的密度也自然減少。因此，在圖4中，在標注有標記A的區(qū)域，即遠離射頻天線230且靠近地線MO的區(qū)域，存在有等離子體密度相對減少的問題。為了解決該問題，開發(fā)了具備如圖5所示方式配置的等離子體發(fā)生源電極的基板處理裝置200a。如圖5及圖6所示，在基板處理裝置200a中，在多個等離子體發(fā)生源電極220a的兩端設(shè)置的射頻天線230a和地線MOa的位置交替相反。即，若在特定的等離子體發(fā)生源電極220a的左側(cè)端形成射頻天線230a，在右側(cè)端形成地線240a，則在相鄰的等離子體發(fā)生源電極220a的左側(cè)端形成地線240a，在右側(cè)端形成射頻天線230a。據(jù)此，在等離子體發(fā)生源電極220a中，即使是從射頻天線230a遠離的區(qū)域，也會位于形成在相鄰的等離子體發(fā)生源電極220a的一端上的射頻天線230a較近距離的位置處，所以在橫向上不存在具有相對較弱的電磁場的特定區(qū)域。但是，來自由相鄰的等離子體發(fā)生源電極220a傳遞的射頻天線230a的信號的方向相互相反，所以在等離子體發(fā)生源電極220a之間發(fā)生信號的相互抵消。即，由特定的等離子體發(fā)生源電極220a產(chǎn)生的電磁場被相鄰的等離子體發(fā)生源電極220a產(chǎn)生的電磁場相抵消。由此，在發(fā)生信號的相互抵消的等離子體發(fā)生源電極220a之間的區(qū)域(在圖6中， 標注了標記B的區(qū)域)，產(chǎn)生等離子體密度減少的現(xiàn)象。因此，需要加快開發(fā)能夠在所有區(qū)域得到均勻的等離子體密度，并且能夠防止信號的相抵消現(xiàn)象的電感耦合型等離子體發(fā)生技術(shù)。解決問題的手段 本發(fā)明的目的是解決上述的現(xiàn)有技術(shù)的問題。此外，本發(fā)明的另一目的在于，在使用電感耦合型等離子體的基板處理裝置中，使產(chǎn)生電磁場的射頻信號在基板的前面和后面朝向相反方向施加，由此在基板的全區(qū)域能夠得到均勻的等離子體密度。另一方面，另一目的在于，本發(fā)明在使用了電感耦合型等離子體的基板處理裝置中，通過將互為反向的射頻信號分別施加到基板的前面和后面，在任何一個區(qū)域都不會發(fā)生信號衰減。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在使用了電感耦合型等離子體的基板處理裝置中，由于生成電磁場的射頻信號在反向上施加到基板的前面和后面，所以在基板的全區(qū)域能夠得到均勻的等離子體密度。此外，根據(jù)本發(fā)明，在使用了電感耦合型等離子體的基板處理裝置中，反向的射頻信號分別施加到基板的前面和后面，所以具有在任何區(qū)域均不會發(fā)生信號的衰減的效果。


圖1是表示現(xiàn)有的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示現(xiàn)有的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示現(xiàn)有的由多個電極構(gòu)成的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示現(xiàn)有的由多個電極構(gòu)成的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖5是表示現(xiàn)有的另一由多個電極構(gòu)成的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖6是表示現(xiàn)有的另一由多個電極構(gòu)成的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖7是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖8是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖9是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖10是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖11是示意性地表示本發(fā)明的一實施方式的射頻信號在基板處理裝置內(nèi)流通的狀態(tài)的圖。圖12是表示連接在等離子體發(fā)生源電極上的射頻天線外圍結(jié)構(gòu)的圖。

10基板
300基板處理裝置
310腔
311門
312基板檢測傳感器
313蓋子開放鉸鏈
314真空測量儀
315觀察窗
316預(yù)備端口
317隔熱構(gòu)件
321氣體注入部
322氣體分配部
323中央氣體分配控制部
324側(cè)面氣體分配控制部
325抽吸部
326溫度測定部
327抽吸擋板
330加熱器
340冷卻部
5
350基座
360等離子體發(fā)生源電極
361第一電極部
362彎折部
363第二電極部
370射頻天線
371管
372絕緣部
373凸緣
374襯墊
375射頻天線密封蓋
376射頻天線密封套圈
3770環(huán)
380地線
具體實施例方式用于實現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的代表結(jié)構(gòu)如下。根據(jù)本發(fā)明的一方式，提供一種產(chǎn)生基板處理用的電感耦合型等離子體(ICP Inductively Coupled Plasma)的等離子體發(fā)生源電極，該等離子體發(fā)生源電極具備彎折部，具有1個以上的彎折點；第一電極部，以上述彎折部為基準位于待處理的基板的上部； 以及第二電極部，以上述彎折部為基準位于上述基板的下部。上述第一電極部的末端與射頻(RF =Radio Frequency)天線連接，向該射頻天線施加射頻信號，該射頻信號產(chǎn)生用于生成等離子體的電磁場，上述第二電極部的末端能夠連接到地線。上述彎折部具有2個彎折點，上述等離子體發(fā)生源電極在它們之間設(shè)置了上述基板的狀態(tài)下，具有“ >=，，或反向的“ C=，，形狀。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種電感耦合型等離子體基板處理裝置， 其中，包括產(chǎn)生電感耦合型等離子體的等離子體發(fā)生源電極，該等離子體發(fā)生源電極具備彎折部，該彎折部具有1個以上的彎折點，能夠在上述彎折部設(shè)置待處理的基板。上述等離子體發(fā)生源電極能夠具備第一電極部，以上述彎折部為基準位于上述基板的上部；以及第二電極部，以上述彎折部為基準位于上述基板的下部。上述第一電極部的末端能夠與射頻天線連接，而上述第二電極部的末端連接到地線，其中，該射頻信號產(chǎn)生電磁場以生成等離子體。上述彎折部能夠具有2個彎折點，上述等離子體發(fā)生源電極之間設(shè)置有上述基板，上述等離子體發(fā)生源電極具有“ C=，，形狀或反向的“ C=，，形狀。參照能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的特定的實施方式的附圖，對后述的本發(fā)明進行詳細說明。 詳細說明上述實施方式，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠充分實施本發(fā)明。本發(fā)明各種實施方式相互不同，但是也沒有必要相互排斥，例如，關(guān)于一實施方式，在此記載的特定的形狀、結(jié)構(gòu)及特性在不脫離本發(fā)明的精神及范圍的情況下，能夠通過其他實施方式實現(xiàn)。此外，各公開的實施方式的各個構(gòu)成要素的位置或配置應(yīng)該理解為能夠在不脫離本發(fā)明的精神及范圍的范圍內(nèi)進行變更。因此，后述的詳細說明不應(yīng)理解為限定，在適當說明的情況下，本發(fā)明的范圍只由與權(quán)利要求所主張的范圍均等的范圍和此說明書所附加的權(quán)利要求來限定。 在附圖中，類似的標記在各種側(cè)面，表示相同或類似的功能。以下，為了使具有本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠容易實施本發(fā)明，參照附圖來詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。實施方式圖7 圖10是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300的結(jié)構(gòu)的圖。首先，圖7及圖8是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300的外部結(jié)構(gòu)的立體圖。更具體而言，圖7是表示基板處理裝置300的正面和右側(cè)面的立體圖，圖8是表示基板處理裝置300的后面和左側(cè)面的立體圖。接著，圖9是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。接著，圖10是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300的基板10和等離子體發(fā)生源電極360的第一電極部361及第二電極部363的配置狀態(tài)的立體圖。首先，在基板處理裝置300被處理的基板10的材質(zhì)優(yōu)選為玻璃基板10，但是不限定于此。因此，當然能夠用本發(fā)明的基板處理裝置300處理塑料、聚合物、硅晶片、不銹鋼等多種材質(zhì)的基板10。此外，所謂基板處理裝置300的基板處理過程應(yīng)該理解為包括如下的全部的各種過程在上述的基板10上蒸鍍金屬膜、絕緣膜、金屬合金膜、氧化物膜、氮化物膜、聚合物膜等不特別限定的多種材料的膜的過程；以及使用不特別限定的多種圖案的膜對蒸鍍在上述基板10上的膜進行蝕刻的過程。參照圖7 圖10，本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300能夠具備腔310。腔 310構(gòu)成為在進行工序的期間，內(nèi)部空間實際上構(gòu)成為密閉，具有提供用于處理基板10的空間的功能。如圖7及圖8所示，腔310優(yōu)選具有直方體的形狀，但是不一定限定于此。此外，參照圖7 圖10，腔310能夠具備門311，能夠裝載或卸載基板10 ；基板檢測傳感器312，檢測腔310內(nèi)是否存在基板10 ；蓋子開放鉸鏈313，能夠開放腔310的蓋子 (LID)；真空測量儀314，檢測腔310內(nèi)的真空的程度；觀察窗315，通過該觀察窗315能夠目視識別腔310的內(nèi)部；多個預(yù)備端口 316，測定腔310內(nèi)的物理狀態(tài)；以及隔熱構(gòu)件317，阻止向腔310外部的熱傳遞。此外，腔310能夠具備用于將基板10的處理所需的工藝氣體向腔310的內(nèi)部供給和排出的機構(gòu)。更具體而言，參照圖7 圖10，能夠具備用于向腔310內(nèi)注入工藝氣體的氣體注入部321 ；用于分配所注入的工藝氣體的氣體分配部322 ；中央氣體分配控制部323， 在腔310的中央控制或調(diào)節(jié)工藝氣體的分配；側(cè)面氣體分配控制部324，在腔310的側(cè)部控制或調(diào)節(jié)工藝氣體的分配；抽吸部325，形成在腔310的下部，用于抽吸腔310內(nèi)的工藝氣體；溫度測定部326，在工藝中，檢測腔310內(nèi)的溫度；抽吸擋板327，使流出到抽吸部325的工藝氣體的流動均勻，從而使腔310內(nèi)的氣流均勻，并且劃分等離子體的反應(yīng)空間和非反應(yīng)空間；工藝氣體閥(未圖示)，控制流入腔310的內(nèi)部的工藝氣體流量。能夠向腔310的內(nèi)部供給的工藝氣體的種類不特別限制，根據(jù)進行等離子體工序的目的，能夠使用多種工藝氣體。
另一方面，在圖7 圖10中，例示了多種腔310的構(gòu)成要素的配置，但是該腔310 的構(gòu)成要素的配置不限定于圖7 圖10所示的配置。例如，在圖9中，使腔310內(nèi)的氣體流動順利且用于劃分等離子體的反應(yīng)空間和非反應(yīng)空間的抽吸擋板327配置在第二電極部 363和基座350之間，但是不限定于此，也可以配置在第二電極部363和加熱器330之間。接著，參照圖7 圖10，本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300能夠具備加熱器 330。加熱器330能夠設(shè)置在腔310的內(nèi)部或外部，具有將等離子體工藝所需的熱供給到基板10。如圖9所示，該加熱器330能夠設(shè)置在第二電極部363的下側(cè)，能夠由多個在石英管的內(nèi)部插入了發(fā)熱體的棒狀的單位加熱器(未圖示)構(gòu)成。接著，參照圖7 圖10，本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300具備冷卻部 340。冷卻部340能夠具有對結(jié)束了等離子體工序的基板10進行冷卻的功能。因此，冷卻部340能夠采用包含水冷式及空冷式的公知的各種冷卻方式的構(gòu)成原理。接著，參照圖7 圖10，本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300能夠具備基座 350。基座350能夠具有如下效果在等離子體工序中，在基座350上載放基板10并進行支撐?；?50優(yōu)選由石英或陶瓷等耐熱性優(yōu)良的材料構(gòu)成。接著，參照圖8 圖10，本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300具備等離子體發(fā)生源電極360。等離子體發(fā)生源電極360能夠具有如下功能利用電感耦合型等離子體 (ICP)的發(fā)生方法生成等離子體的功能，即，通過施加供給高頻電壓的射頻電源而生成電磁場，由此生成和維持等離子體。本發(fā)明的等離子體發(fā)生源電極360具有隔著基板10被彎折的特征。因此，本發(fā)明的等離子體發(fā)生源電極360具備第一電極部361，彎折部362以及第二電極部363。更具體而言，等離子體發(fā)生源電極360具備第一電極部361和第二電極部363，該第一電極部 361以彎折部362為基準存在于基板10的上部，第二電極部363以彎折部362為基準存在于基板10的下部。該彎折部362能夠具有1個以上的彎折點，優(yōu)選如圖8及圖9所示能夠具有2個彎折點。在彎折點為2個的情況下，如圖8及圖9所示，等離子體發(fā)生源電極360 可以是“[，，形狀或反向的“[，，形狀。此時，基板10能夠配置在“<=，，形狀或反向的“<=，，形狀之間。接著，參照圖7 圖10，本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置300具備射頻天線 370及地線380。射頻天線370能夠具有將射頻信號施加到等離子體發(fā)生源電極360上的功能，而地線380能夠具有使所施加的射頻信號在等離子體發(fā)生源電極360流通的功能。此外，射頻天線370能夠連接到位于基板10的上部的第一電極部361的末端，地線380能夠連接到位于基板10的下部的第二電極部363的末端。圖11是示意地表示本發(fā)明的一實施方式的、射頻信號在基板處理裝置300內(nèi)流動的狀態(tài)的圖。參照圖11，能夠向位于基板10的上部的等離子體發(fā)生源電極360的第一電極部 361施加射頻信號，射頻信號流向位于基板10的下部的等離子體發(fā)生源電極360的第二電極部363。即，從射頻天線370施加的射頻信號在被施加到基板10的上部之后，沿著等離子體發(fā)生源電極360移動，在基板10的下部通過地線380流出，通過該過程能夠發(fā)生和維持等離子體。據(jù)此，由于來自射頻天線370的信號在第一電極部361及第二電極部363中流通的方向相反，不會出現(xiàn)在某個特定區(qū)域，射頻信號減弱而等離子體密度減少的現(xiàn)象。即，在基板10配置的位置，在離地線380較近的區(qū)域，電磁場的強度有可能變小，但是由于該區(qū)域又是離射頻天線370較近的區(qū)域，所以電磁場的強度得到補償，在離彎折部362較近的區(qū)域，由第一電極部361的電磁場和第二電極部363的電磁場相互起補償作用，由此，在整個基板10上能夠得到均勻的等離子體密度。此外，在從射頻天線370施加的信號的方向相反時有可能相互抵消，但是，根據(jù)本發(fā)明，由于通過了第一電極部361和第二電極部363的信號的傳遞是在基板10的不同的面上進行，所以不會出現(xiàn)信號的衰減現(xiàn)象，能夠維持電磁場的強度。即，經(jīng)由第一電極部361 而傳遞的信號的方向和經(jīng)由第二電極部363而傳遞的信號的方向相反，但是由于在2個電極部之間配置基板10，所以能夠防止反向的信號傳遞的衰減現(xiàn)象。即，根據(jù)本發(fā)明，在使用了電感耦合型等離子體的基板處理裝置300中，將用于產(chǎn)生電磁場的射頻信號的施加方向隔著基板10形成相反方向，由此能夠在全區(qū)域得到均勻的等離子體密度，并且在任何區(qū)域都能夠防止信號衰減現(xiàn)象，由此，能夠降低獲得所希望的等離子體密度所需要的射頻電力的大小，因此能夠減少耗電量。另一方面，圖12是表示連接在等離子體發(fā)生源電極360上的射頻天線370外圍結(jié)構(gòu)的圖。如圖12所示，在射頻天線370的外部形成有包圍射頻天線370的管371，在管371 的外周面可以形成絕緣部372。此外，絕緣部372與基板處理裝置300的腔310相接，可由用于固定射頻天線370的凸緣373及襯墊(washer) 374進行固定。另一方面，管371利用射頻天線密封蓋375及射頻天線密封套圈(ferrule) 376與凸緣373相接，由此能夠固定到基板處理裝置300上。該射頻天線密封蓋375及射頻天線密封套圈376能夠由絕緣物質(zhì)構(gòu)成。并且，為了對射頻天線370及用于包圍射頻天線370的管371和腔310之間進行密封， 還能夠具備1個以上的0環(huán)377。最后，除了等離子體發(fā)生源電極360的電感耦合型基板處理裝置300的各結(jié)構(gòu)及使用了電感耦合型基板處理裝置300的基板處理過程是公知的技術(shù)，所以在本說明書中， 省略與此有關(guān)的詳細內(nèi)容。如上所示，在本發(fā)明中，利用限定為具體的構(gòu)成要素等特定的事項的實施方式及附圖進行了說明，這是為了幫助更全面了解本發(fā)明而提供的，本發(fā)明不限定于上述的實施方式，只要數(shù)具有本發(fā)明所屬的領(lǐng)域的通常的知識的人員，就能夠根據(jù)這樣的記載來進行多種修改和變形。因此，本發(fā)明的思想不限定于上述說明的實施方式，不僅是后述的權(quán)利要求的范圍，與該權(quán)利要求均等或等價地變形的所有內(nèi)容均屬于本發(fā)明的思想的范疇。
權(quán)利要求
1.一種等離子體發(fā)生源電極，產(chǎn)生基板處理用的電感耦合型等離子體，其特征在于，具備彎折部，具有1個以上的彎折點；第一電極部，以上述彎折部為基準位于待處理的基板的上部；以及第二電極部，以上述彎折部為基準位于上述基板的下部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生源電極，其特征在于，上述第一電極部的末端與用于施加射頻信號的射頻天線連接，而上述第二電極部的末端連接到地線，其中，該射頻信號產(chǎn)生電磁場以生成等離子體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生源電極，其特征在于， 上述彎折部具有2個彎折點，上述等離子體發(fā)生源電極具有“[，，形狀或反向的“[，，形狀，并且上述等離子體發(fā)生源電極之間設(shè)置有上述基板。
4.一種電感耦合型等離子體基板處理裝置，其特征在于， 包括用于產(chǎn)生電感耦合型等離子體的等離子體發(fā)生源電極，該等離子體發(fā)生源電極具備彎折部，該彎折部具有1個以上的彎折點， 該等離子體發(fā)生源電極能夠在上述彎折部設(shè)置待處理的基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電感耦合型等離子體基板處理裝置，其特征在于，上述等離子體發(fā)生源電極具備第一電極部，以上述彎折部為基準位于上述基板的上部；以及第二電極部，以上述彎折部為基準位于上述基板的下部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電感耦合型等離子體基板處理裝置，其特征在于，上述第一電極部的末端與用于施加射頻信號的射頻天線連接，而上述第二電極部的末端連接到地線，其中，該射頻信號產(chǎn)生電磁場以生成等離子體。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電感耦合型等離子體基板處理裝置，其特征在于， 上述彎折部具有2個彎折點，上述等離子體發(fā)生源電極具有“[，，形狀或反向的“[，，形狀，并且上述等離子體發(fā)生源電極之間設(shè)置有上述基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了電感耦合型等離子體發(fā)生源電極及具備該電感耦合型等離子體發(fā)生源電極的基板處理裝置。本發(fā)明的等離子體發(fā)生源電極(360)，產(chǎn)生基板處理用的電感耦合型等離子體(ICPInductively Coupled Plasma)，具備彎折部(362)，具有1個以上的彎折點；第一電極部(361)，以上述彎折部(362)為基準位于待處理的基板(10)的上部；以及第二電極部(363)，以上述彎折部(362)為基準位于上述基板(10)的下部。根據(jù)本發(fā)明，能夠在待處理基板的全區(qū)域得到均勻的等離子體密度，還能夠防止信號衰。
文檔編號H05H1/30GK102301834SQ201080006296
公開日2011年12月28日 申請日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月2日
發(fā)明者李慶鎬 申請人:泰拉半導體株式會社