專利名稱:有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法,并且更具體地涉及一種可使用具有多種功函數(shù)的材料作為陽極和陰極材料并且當(dāng)上電極(upper electrode)形成時可防止有機(jī)材料層受損害的有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法。本申請要求2009年3月17日在KIPO提交的韓國專利申請No. 10-2009-0022810 的優(yōu)先權(quán),該申請的公開內(nèi)容通過援引而全文納入本說明書。
背景技術(shù):
有機(jī)發(fā)光器件(OLED)通常是由兩個電極(一個陽極和一個陰極)和置于電極間的一個或多個有機(jī)材料層組成。在具有該結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中,如果在兩個電極之間施加電壓,則來自陽極的空穴和來自陰極的電子流入一個有機(jī)材料層,它們彼此進(jìn)行重組形成激子(exciton),并發(fā)射對應(yīng)于能量差的光子,而激子降回至基態(tài)。采用該原理,有機(jī)發(fā)光器件發(fā)射可見光,并且信息顯示器件或照明器件可使用該有機(jī)發(fā)光器件而制造。然而,有機(jī)發(fā)光器件的制備方法中,當(dāng)置于有機(jī)材料層上的電極是由具有透明性的導(dǎo)電氧化物膜(例如IZO或ΙΤ0)形成時,如果使用電阻加熱蒸發(fā)方法,則氧化物的固有化學(xué)組成比例在熱蒸發(fā)過程中因熱分解而被熱破壞,使得其例如導(dǎo)電性和可見光透射性等性質(zhì)喪失。因此,當(dāng)導(dǎo)電氧化物膜沉積時,不能使用電阻加熱蒸發(fā)方法,并且大多數(shù)使用例如等離子體濺射(sputtering)的方法。然而,當(dāng)電極是通過例如濺射的方法在有機(jī)材料層上形成時,所述有機(jī)材料層可被在濺射方法中所使用的等離子體中存在的電荷粒子損害。因此,為了制備良好的發(fā)光器件,應(yīng)使通過例如濺射的方法在有機(jī)材料層上形成電極時發(fā)生的有機(jī)材料層的損害消除或最小化。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明致力于提供一種有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法,所述有機(jī)發(fā)光器件可通過使用具有高功函數(shù)的材料形成陽極和陰極而在兩側(cè)發(fā)光,因?yàn)榫哂卸喾N功函數(shù)的材料可用作陽極和陰極材料,并且當(dāng)上電極形成時可防止有機(jī)材料層受損害。技術(shù)方案本發(fā)明的一個示例性實(shí)施方案提供了一種有機(jī)發(fā)光器件,其包含第一電極;第二電極;和置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層,其中所述有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)一步包含與第一電極接觸的第一有機(jī)材料層和與第二電極接觸的第二有機(jī)材料層,所述第一和第二有機(jī)材料層包含由下式1所表示的化合物;并且包含位于發(fā)光層和與第二電極接觸的第二有機(jī)材料層之間且包含η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層[式1]
權(quán)利要求
1. 一種有機(jī)發(fā)光器件,包含 第一電極; 第二電極;和置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層,其中所述有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)一步包含與第一電極接觸的第一有機(jī)材料層和與第二電極接觸的第二有機(jī)材料層,所述第一和第二有機(jī)材料層包含一種由下式1所表示的化合物; 并且包括位于發(fā)光層和與第二電極接觸的第二有機(jī)材料層之間且包含η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層
2.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述第一和第二有機(jī)材料層為彼此相同的材料。
3.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述包含η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層的η型摻雜劑包括含有選自以下的一種物質(zhì)的材料堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、金屬化合物、環(huán)戊二烯、環(huán)庚三烯、6元雜環(huán)和包括所述環(huán)的代償性環(huán)。
4.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述包含η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層的η型摻雜劑的含量為l-50Wt%。
5.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述包含η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層包括具有選自以下的官能團(tuán)的一種化合物咪唑基團(tuán)、噁唑基團(tuán)和噻唑基團(tuán)。
6.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述包含η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層的 LUMO (最低未占分子軌道)能級相對于與第二電極接觸的第二有機(jī)材料層的LUMO能級的能量差為4eV或更低。
7.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,進(jìn)一步包含位于發(fā)光層和第一有機(jī)材料層之間與第一有機(jī)材料層接觸的P型有機(jī)材料層。
8.權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述ρ型有機(jī)材料層的HOMO(最高占據(jù)分子軌道) 能級為5eV或更高。
9.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述第一電極和第二電極各自包含一種功函數(shù)為 2eV至6eV的材料。
10.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述第一電極和第二電極由相同的金屬氧化物或不同的金屬氧化物形成。
11.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述第一電極和第二電極由相同的材料形成。
12.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述第一電極和第二電極中的至少一者包含一種透明材料。
13.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,其中所述有機(jī)發(fā)光器件具有下述通常的結(jié)構(gòu),其中所述第一電極為下電極作為陽極并且第二電極為上電極作為陰極。
14.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,進(jìn)一步包含位于第一電極和與第一電極接觸的第一有機(jī)材料層之間的界面上的金屬或其合金的薄膜或金屬氧化物層。
15.權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光器件,進(jìn)一步包含位于與第二電極接觸的第二有機(jī)材料層和包含η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層之間的界面上的金屬氧化物層或金屬鹽層。
16.一種制備權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件的方法,包含 形成第一電極的步驟;形成與第一電極接觸并包含一種下式1化合物的第一有機(jī)材料層的步驟;在第一有機(jī)材料層上形成發(fā)光層的步驟;在發(fā)光層上形成包含η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層的步驟;在第三有機(jī)材料層上形成包含一種下式1化合物的第二有機(jī)材料層的步驟;和形成第二電極使得第二電極與第二有機(jī)材料層相接觸的步驟;
17.權(quán)利要求16的制備有機(jī)發(fā)光器件的方法,進(jìn)一步包含形成P型有機(jī)材料層的步驟,所述P型有機(jī)材料層位于發(fā)光層和第一有機(jī)材料層之間且與第一有機(jī)材料層相接觸。
18.權(quán)利要求16的制備有機(jī)發(fā)光器件的方法,進(jìn)一步包含在第一電極和與第一電極接觸的第一有機(jī)材料層之間的界面上形成金屬或其合金的薄膜、或金屬氧化物層的步驟。
19.權(quán)利要求16的制備有機(jī)發(fā)光器件的方法,進(jìn)一步包含在與第二電極接觸的第二有機(jī)材料層和含有η型摻雜劑的第三有機(jī)材料層之間的界面上形成金屬氧化物層或金屬鹽層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件,包含第一電極;第二電極;和置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層,其中所述有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)一步包含與第一電極接觸的第一有機(jī)層和與第二電極接觸的第二有機(jī)層。所述第一有機(jī)層和第二有機(jī)層包含由化學(xué)式1所表示的化合物。所述有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)一步包括在發(fā)光層和與第二電極接觸的第二有機(jī)層之間形成的包含一種n型摻雜劑的第三有機(jī)層。
文檔編號H05B33/14GK102414295SQ201080019663
公開日2012年4月11日 申請日期2010年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月17日
發(fā)明者盧正權(quán), 朱文奎, 金鐘碩 申請人:株式會社Lg化學(xué)