專利名稱：電路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有多層芯部的電路板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的電路板的芯部是兩片電路基板夾持粘接部件而構(gòu)成的。粘接部件具有填充了導(dǎo)電性糊劑的貫通孔。在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的電路板的芯部是兩片以上的基板層疊而構(gòu)成的，上述基板具有填充了導(dǎo)電性糊劑的貫通孔。專利文獻(xiàn)I :日本專利申請(qǐng)公開(kāi)平7-147464號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 :日本專利申請(qǐng)公開(kāi)平7-263828號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
_6] 發(fā)明要解決的問(wèn)題專利文獻(xiàn)I所記載的電路板沒(méi)有構(gòu)成考慮了布線空間的結(jié)構(gòu)。具體地說(shuō)，各層的形成在孔內(nèi)的導(dǎo)體(層間連接導(dǎo)體等)沒(méi)有構(gòu)成堆疊體結(jié)構(gòu)，因此認(rèn)為布線空間被壓縮，不利于形成高密度布線。另外，在專利文獻(xiàn)2所記載的電路板中，在所有層的孔內(nèi)填充導(dǎo)電性糊劑，因此認(rèn)為導(dǎo)通電阻變高。本發(fā)明是鑒于這種情形而完成的，目的在于容易地制造一種電特性優(yōu)異的電路板。用于解決問(wèn)題的方案本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的電路板將表面和背面中的一面設(shè)為第一面，將另一面設(shè)為第二面，該電路板具有從上述第一面向上述第二面依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層；第一導(dǎo)體，其是對(duì)貫通上述第一絕緣層的第一孔填充鍍膜而成的;第二導(dǎo)體，其是對(duì)貫通上述第二絕緣層的第二孔填充導(dǎo)電性糊劑而成的；以及第三導(dǎo)體，其是對(duì)貫通上述第三絕緣層的第三孔填充鍍膜而成的，其中，上述第一導(dǎo)體、上述第二導(dǎo)體以及上述第三導(dǎo)體同軸配置且相互導(dǎo)通。本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及的電路板的制造方法包括以下步驟準(zhǔn)備第一絕緣層，該第一絕緣層具有對(duì)貫通孔填充鍍膜而成的第一導(dǎo)體；準(zhǔn)備第二絕緣層，該第二絕緣層具有對(duì)貫通孔填充導(dǎo)電性糊劑而成的第二導(dǎo)體；準(zhǔn)備第三絕緣層，該第三絕緣層具有對(duì)貫通孔填充鍍膜而成的第三導(dǎo)體；以將上述第一導(dǎo)體、上述第二導(dǎo)體以及上述第三導(dǎo)體同軸配置的方式，由上述第一絕緣層和上述第三絕緣層夾持上述第二絕緣層來(lái)形成層疊體；以及對(duì)上述層疊體進(jìn)行加壓和加熱，來(lái)使上述第一導(dǎo)體、上述第二導(dǎo)體以及上述第三導(dǎo)體相互導(dǎo)通。此外，“準(zhǔn)備”除了購(gòu)買(mǎi)材料、部件來(lái)自己制造以外，還包括購(gòu)買(mǎi)成品來(lái)使用的情況
坐寸ο
另外，“加壓和加熱”可以同時(shí)進(jìn)行，也可以分開(kāi)進(jìn)行。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠容易地制造出電特性優(yōu)異的電路板。


圖I是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電路板的截面圖。圖2A是表示填充堆疊體的第一配置的俯視圖。圖2B是表示填充堆疊體的第二配置的俯視圖。圖3是用于說(shuō)明填充堆疊體的尺寸、形狀的截面圖。
圖4是用于說(shuō)明填充堆疊體的尺寸、形狀的俯視圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電路板的制造方法的流程圖。圖6A是用于說(shuō)明第二基板的制造方法的第一工序的圖。圖6B是用于說(shuō)明圖6A的工序的后續(xù)的第二工序的圖。圖6C是用于說(shuō)明圖6B的工序的后續(xù)的第三工序的圖。圖7是表示制造出的第二基板的圖。圖8A是用于說(shuō)明第一基板和第三基板的制造方法的第一工序的圖。圖8B是用于說(shuō)明圖8A的工序的后續(xù)的第二工序的圖。圖8C是用于說(shuō)明圖8B的工序的后續(xù)的第二工序的圖。圖9A是表示制造出的第一基板的圖。圖9B是表示制造出的第三基板的圖。圖10是用于說(shuō)明形成層疊體的工序的圖。圖11是用于說(shuō)明加壓工序的圖。圖12A是用于說(shuō)明在絕緣層中形成孔的工序的圖。圖12B是用于說(shuō)明鍍處理工序的圖。圖13是表示變更了填充堆疊體的數(shù)量的其它例的截面圖。圖14是表示圖13的例子的第一配置的俯視圖。圖15是表示圖13的例子的第二配置的俯視圖。圖16是表示沒(méi)有配置成同心圓狀的全棧結(jié)構(gòu)的截面圖。圖17是表示不是全棧結(jié)構(gòu)的電路板的截面圖。圖18是表示變更了填充堆疊體的尺寸的其它例的俯視圖。圖19A是表示填充導(dǎo)體等的橫截面的形狀的第一其它例的圖。圖19B是表示填充導(dǎo)體等的橫截面的形狀的第二其它例的圖。圖19C是表示填充導(dǎo)體等的橫截面的形狀的第三的其它例的圖。圖20是表示組合了非相似的圖形的填充導(dǎo)體及其連接盤(pán)的例子的圖。圖21是表示填充導(dǎo)體的縱截面的形狀的第一其它例的圖。圖22是表示填充導(dǎo)體的縱截面的形狀的第二其它例的圖。圖23是表示內(nèi)置有電子部件的電路板的一例的圖。圖24是表示表面安裝了電子部件的電路板的一例的圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，在圖中，箭頭Zl、Z2分別指與電路板的主面(表面和背面)的法線方向(或者芯基板的厚度方向)相當(dāng)?shù)碾娐钒宓膶盈B方向。另一方面，箭頭X1、X2以及Y1、Y2分別指與層疊方向正交的方向(與電路板的主面平行的方向)。電路板的主面為X-Y平面。另外，電路板的側(cè)面為X-Z平面或者Y-Z平面。關(guān)于填充導(dǎo)體或者其孔，將與Z方向正交的截面(X-Y平面)稱為橫截面。另外，將與Z方向平行的截面(X-Z平面或者Y-Z平面)稱為縱截面。在本實(shí)施方式中，將朝向相反的法線方向的兩個(gè)主面稱為第一面(Zl側(cè)的面)、第二面(Ζ2側(cè)的面)。即，第一面的相反側(cè)的主面為第二面，第二面的相反側(cè)的主面為第一面。在層疊方向上，將接近芯一側(cè)稱為下層(或者內(nèi)層側(cè))，將遠(yuǎn)離芯一側(cè)稱為上層(或者外層側(cè))。
除了將包括能夠作為電路等的布線(也包括接地)而發(fā)揮功能的導(dǎo)體圖案的層稱為布線層以外，還將僅由滿圖案形成的層稱為布線層。將在孔內(nèi)形成的導(dǎo)體中的形成于孔的壁面(側(cè)面和底面)上的導(dǎo)體膜稱為保形導(dǎo)體，將填充到孔內(nèi)的導(dǎo)體稱為填充導(dǎo)體。布線層除了包括上述導(dǎo)體圖案以外，有時(shí)還包括填充導(dǎo)體的連接盤(pán)等。鍍處理是指使導(dǎo)體(例如金屬)層狀地沉積在金屬、樹(shù)脂等的表面以及所沉積的導(dǎo)體層(例如金屬層)。鍍處理除了電解鍍、無(wú)電解鍍等濕式鍍以外，還包括PVD (PhysicalVapor Deposition :物理氣相沉積)、CVD (Chemical Vapor Deposition :化學(xué)氣相沉積)等干式鍍。如果沒(méi)有特別指定，則孔或者柱體(突起)的“寬度”在圓的情況下意味著直徑，在圓以外的情況下意味著2·/"(截面積/ η)。在孔或者柱體(突起)呈錐形的情況下，能夠比較對(duì)應(yīng)部位的值、平均值或者最大值等中與作用和效果相應(yīng)的最佳值，來(lái)判斷兩個(gè)以上的孔或者突起的“寬度”是否一致。關(guān)于形成在面上的線狀圖案，將與線正交的方向中的、與形成面平行的方向的尺寸稱為“寬度”，將與形成面正交的方向的尺寸稱為“高度”或者“厚度”。另外，將從線的一端至另一端的尺寸稱為“長(zhǎng)度”。但是，在明確記載是指其它尺寸的情況下，并不限定于這些。本實(shí)施方式的電路板100為印刷電路板。如圖I所示，電路板100具備第一基板
10、第二基板20、第三基板30、絕緣層40a、50a、布線層41、51以及填充導(dǎo)體42、52(第四導(dǎo)體)。第一基板10、第二基板20以及第三基板30相當(dāng)于芯部。芯部上層的絕緣層40a和50a等相當(dāng)于積層部。在電路板100中，芯部(第一基板10、第二基板20以及第三基板30)的填充導(dǎo)體以及積層部的填充導(dǎo)體42和52同軸配置(軸LI上、軸L2上)，填充堆疊體S1、S2沿Z方向延伸設(shè)置。填充堆疊體SI和S2分別與電路板100兩面的導(dǎo)體圖案、即第一面上的布線層41和第二面上的布線層51相互電連接。填充堆疊體SI和S2的配置、數(shù)量是任意的。填充堆疊體SI或者S2可以例如圖2A所示那樣在電路板100兩端分別各配置一個(gè)，也可以例如圖2B所示那樣在電路板100的四角分別各配置一個(gè)。填充堆疊體的數(shù)量也可以是一個(gè)(詳細(xì)參照后述的圖13 圖15)。第一基板10具有第一絕緣層10a、布線層11、12以及第一填充導(dǎo)體13(第一導(dǎo)體)。在第一絕緣層IOa中形成有貫通第一絕緣層IOa的第一孔13a。對(duì)第一孔13a填充鍍膜來(lái)構(gòu)成第一填充導(dǎo)體13。第一填充導(dǎo)體13的第一面?zhèn)扰c連接盤(pán)131相連接，第一填充導(dǎo)體13的第二面?zhèn)扰c連接盤(pán)132相連接。連接盤(pán)131包括在布線層11中，連接盤(pán)132包括在布線層12中。第一絕緣層IOa例如由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。環(huán)氧樹(shù)脂例如優(yōu)選通過(guò)樹(shù)脂浸潰處理而包括玻璃纖維(例如玻璃布或者玻璃無(wú)紡布)、芳族聚酰胺纖維(例如芳族聚酰胺無(wú)紡布)等加強(qiáng)材。加強(qiáng)材為熱膨脹率小于主材料(在本實(shí)施方式中為環(huán)氧樹(shù)脂)的材料。布線層11、12例如由銅箔和銅鍍膜構(gòu)成。另外，第一填充導(dǎo)體13例如由銅鍍膜構(gòu)成。后面說(shuō)明第一填充導(dǎo)體13的尺寸、形狀等。第三基板30具有第三絕緣層30a、布線層31、32以及第三填充導(dǎo)體33 (第三導(dǎo)體)。在第三絕緣層30a中形成有貫通第三絕緣層30a的第三孔33a。對(duì)第三孔33a填充鍍膜來(lái)構(gòu)成第三填充導(dǎo)體33。第三填充導(dǎo)體33的第一面?zhèn)扰c連接盤(pán)331相連接，第三填充導(dǎo)體33的第二面?zhèn)扰c連接盤(pán)332相連接。連接盤(pán)331包括在布線層31中，連接盤(pán)332包 括在布線層32中。第三絕緣層30a例如由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。環(huán)氧樹(shù)脂例如優(yōu)選通過(guò)樹(shù)脂浸潰處理而包括玻璃纖維(例如玻璃布或者玻璃無(wú)紡布)、芳族聚酰胺纖維(例如芳族聚酰胺無(wú)紡布)等加強(qiáng)材。加強(qiáng)材為熱膨脹率小于主材料(在本實(shí)施方式中為環(huán)氧樹(shù)脂)的材料。布線層31、32例如由銅箔和銅鍍膜構(gòu)成。另外，第三填充導(dǎo)體33例如由銅鍍膜構(gòu)成。后面說(shuō)明第三填充導(dǎo)體33的尺寸、形狀等。第二基板20具有第二絕緣層20a、第二填充導(dǎo)體21 (第二導(dǎo)體)。在第二絕緣層20a中形成有貫通第二絕緣層20a的第二孔21a。第二填充導(dǎo)體21的第一面?zhèn)扰c連接盤(pán)132相連接，第二填充導(dǎo)體21的第二面?zhèn)扰c連接盤(pán)331相連接。對(duì)第二孔21a填充導(dǎo)電性糊劑來(lái)構(gòu)成第二填充導(dǎo)體21。導(dǎo)電性糊劑是指將具有導(dǎo)電性的微顆粒以規(guī)定濃度混合至具有粘性的粘合劑中而得到的糊劑。粘合劑是指顆粒間相連接的樹(shù)脂等。導(dǎo)電性糊劑與鍍膜不同。第二絕緣層20a例如由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。環(huán)氧樹(shù)脂例如優(yōu)選通過(guò)樹(shù)脂浸潰處理而包括玻璃纖維(例如玻璃布或者玻璃無(wú)紡布)、芳族聚酰胺纖維(例如芳族聚酰胺無(wú)紡布)等加強(qiáng)材。加強(qiáng)材為熱膨脹率小于主材料(在本實(shí)施方式中為環(huán)氧樹(shù)脂)的材料。第二填充導(dǎo)體21的導(dǎo)電性糊劑例如為銅糊劑。后面說(shuō)明第二填充導(dǎo)體21的尺寸、形狀等。在第一絕緣層IOa的第一面?zhèn)葘盈B絕緣層40a，在第三絕緣層30a的第二面?zhèn)葘盈B絕緣層50a。絕緣層40a、50a相當(dāng)于層間絕緣層。在絕緣層40a中形成有貫通絕緣層40a的孔42a。另外，在絕緣層50a中形成有貫通絕緣層50a的孔52a。絕緣層40a具有填充導(dǎo)體42，絕緣層50a具有填充導(dǎo)體52。對(duì)孔42a填充鍍膜來(lái)構(gòu)成填充導(dǎo)體42，對(duì)孔52a填充鍍膜來(lái)構(gòu)成填充導(dǎo)體52。在絕緣層40a的第一面形成布線層41，在絕緣層50a的第二面形成布線層51。布線層41和51例如由銅箔和銅鍍膜構(gòu)成。另外，作為絕緣層40a和50a的材料，例如能夠使用使玻璃纖維或者芳族聚酰胺纖維等基材浸潰到環(huán)氧樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂(BT樹(shù)脂)、酰亞胺樹(shù)脂(聚酰亞胺)、酚醛樹(shù)脂或者烯丙基化苯醚樹(shù)脂(A-PPE樹(shù)脂)等樹(shù)脂而得到的材料。
填充導(dǎo)體42和52例如由銅鍍膜構(gòu)成。填充導(dǎo)體42的形狀例如為從第二面?zhèn)瘸虻谝幻鎮(zhèn)葦U(kuò)大的呈錐形的錐形圓柱(圓錐臺(tái))。填充導(dǎo)體52的形狀例如為從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)葦U(kuò)大的呈錐形的錐形圓柱(圓錐臺(tái))。填充導(dǎo)體42、第一填充導(dǎo)體13、第二填充導(dǎo)體21、第三填充導(dǎo)體33以及填充導(dǎo)體52在軸LI上和軸L2上從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)纫来螌盈B。相鄰的填充導(dǎo)體之間緊密接合(接觸)并相互導(dǎo)通。在軸LI上形成填充堆疊體SI，在軸L2上形成填充堆疊體S2。填充堆疊體SI和S2各自形成為所有層的填充導(dǎo)體同軸配置的結(jié)構(gòu)，即所謂的全棧結(jié)構(gòu)。因此，易于確保布線空間，布線圖案的設(shè)計(jì)自由度高。另外，能夠省略X方向或者Y方向的布線，因此能夠?qū)崿F(xiàn)縮短層間連接中的布線長(zhǎng)度。 此外，全棧結(jié)構(gòu)并非必須的結(jié)構(gòu)(參照后述的圖 17)。對(duì)于本實(shí)施方式的電路板100，作為芯部的中間層，具有第二基板20。并且，填充到第二基板20的第二填充導(dǎo)體21的導(dǎo)體并不僅是金屬，因此認(rèn)為電路板100對(duì)落下沖擊、熱沖擊的抵抗性強(qiáng)。另一方面，配置于第二基板20的兩側(cè)(第一面?zhèn)?、第二面?zhèn)?的第一基板10、第三基板30分別具有由鍍膜構(gòu)成的填充導(dǎo)體(第一填充導(dǎo)體13、第三填充導(dǎo)體33)。通常，鍍膜的電阻低于導(dǎo)電性糊劑的電阻。因此，認(rèn)為本實(shí)施方式的電路板100的電阻小于所有層具有導(dǎo)電性糊劑的電路板的電阻。因而，能夠期望能效的提高等。以下，參照?qǐng)D3 (截面圖)以及圖4(圖3的俯視圖)說(shuō)明第一填充導(dǎo)體13、第二填充導(dǎo)體21以及第三填充導(dǎo)體33的尺寸、形狀。在圖3中，芯部中的第一絕緣層IOa的厚度Tl I、第二絕緣層20a的厚度T12以及第三絕緣層30a的厚度T13例如分別為100 μ πΓ200 μ m。另一方面，積層部中的絕緣層40a的厚度T21和絕緣層50a的厚度T22例如分別為60 μ m。另外，芯部中的布線層11的厚度T2、布線層12的厚度T3、布線層31的厚度T4以及布線層32的厚度T5例如分別為30 μ m。另一方面，積層部中的布線層41的厚度Tl和布線層51的厚度T6例如分別為25 μ m。如上所述，在本實(shí)施方式的電路板100中，第一絕緣層IOa的厚度Tl I、第二絕緣層20a的厚度T12以及第三絕緣層30a的厚度T13中的任一個(gè)均大于絕緣層40a的厚度T21和絕緣層50a的厚度T22。另外，布線層11的厚度T2、布線層12的厚度T3、布線層31的厚度T4以及布線層32的厚度T5中的任一個(gè)均大于布線層41的厚度Tl和布線層51的厚度T6。當(dāng)設(shè)為這種尺寸時(shí)，有利于阻抗控制。以下，說(shuō)明該情況。在印刷電路板中，要求匹配為固定的阻抗值，需要對(duì)其進(jìn)行測(cè)量和管理。在測(cè)量實(shí)際的阻抗值時(shí)，在內(nèi)層形成帶狀線、微帶來(lái)進(jìn)行測(cè)量。在帶狀線、微帶中，絕緣體(絕緣層)的厚度越大阻抗越大，傳輸線路(布線層)的寬度、厚度越大阻抗越小，因此在設(shè)為使用薄絕緣層來(lái)進(jìn)行阻抗控制時(shí)，要求與此相應(yīng)地將成為測(cè)量對(duì)象的傳輸線路形成為細(xì)線。當(dāng)傳輸線路為細(xì)線時(shí)，其形成困難，因此阻抗處于允許范圍外的風(fēng)險(xiǎn)增加，擔(dān)心成品率下降。為了避免這些，還考慮在正上方的絕緣層設(shè)置沒(méi)有布線層的空白區(qū)域，使用兩層的絕緣層來(lái)模擬地進(jìn)行阻抗控制。但是，在這種方法中，包括空白區(qū)域在內(nèi)的阻抗控制所占據(jù)的電路板上的空間增加，因此有可能明顯阻礙高密度布線設(shè)計(jì)。對(duì)于這一點(diǎn)，在本實(shí)施方式的電路板100中，第一 第三絕緣層10a、20a、30a的厚度Tll T13大。如果厚度Τ1ΓΤ13大，則能夠與此相應(yīng)地增大成為測(cè)量對(duì)象的傳輸線路的寬度、厚度。其結(jié)果是，阻抗控制變得容易。而且，由于形成在這些絕緣層上的布線層的厚度即厚度T2 T5大，因此容易形成芯部中的布線層。此外，如果第一絕緣層IOa的厚度Τ11、第二絕緣層20a的厚度T12以及第三絕緣層30a的厚度T13中的至少一個(gè)大于絕緣層40a的厚度T21和絕緣層50a的厚度T22，則得到與上述效果相同的效果。但是，在該情況下效果減小。另外，如果布線層11的厚度T2、布線層12的厚度T3、布線層31的厚度T4以及布線層32的厚度T5中的至少一個(gè)大于布線層41的厚度Tl和布線層51的厚度T6，則得到與上述效果相同的效果。但是，在該情況下效果減小。如圖3以及圖4所示，第一填充導(dǎo)體13 (或者第一孔13a)和第三填充導(dǎo)體33 (或者第三孔33a)的形狀是圓柱。因此，第一填充導(dǎo)體13、第三填充導(dǎo)體33的寬度分別為均
勻的寬度D2、D7。因而，第一孔13a的第二面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 132a的寬度也為D2，第三孔33a的第一面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 331a的寬度也為D7。另一方面，第二填充導(dǎo)體21 (或者第二孔21a)的形狀為從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)葦U(kuò)大那樣形成錐形的錐形圓柱(圓錐臺(tái))。因而，第二孔21a的第二面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 212的寬度D5大于第二孔21a的第一面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 211的寬度D4。此外，并不限定于此，第一填充導(dǎo)體13等的形狀是任意的(參照后述的圖19A 圖22)。連接盤(pán)131的寬度Dl例如為250 μ m，第一填充導(dǎo)體13的寬度D2例如為75 μ m，連接盤(pán)132的寬度D3例如為350 μ m，第二孔21a的第一面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 211的寬度D4例如為130 μ m，第二孔21a的第二面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 212的寬度D5例如為200 μ m，連接盤(pán)331的寬度D6例如為350 μ m,第三填充導(dǎo)體33的寬度D7例如為75 μ m,連接盤(pán)332的寬度D8例如為250 μ m。第二孔21a的第一面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 211的寬度D4大于第一孔13a的第二面?zhèn)鹊拈_(kāi)口132a的寬度D2 (D4>D2)，并且，第二孔21a的第二面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 212的寬度D5大于第三孔33a的第一面?zhèn)鹊拈_(kāi)口 331a的寬度D7(D5>D7)。這樣，通過(guò)將需要雙面對(duì)準(zhǔn)的第二填充導(dǎo)體21的寬度設(shè)為較大，第一填充導(dǎo)體13、第二填充導(dǎo)體21以及第三填充導(dǎo)體33的定位變得容易。此外，這些關(guān)系“D4>D2”和“D5>D7”并不必須成立。在例如這些關(guān)系中的僅一個(gè)成立的情況下，也得到與上述效果相同的效果。但是，當(dāng)兩者成立時(shí)，效果成倍數(shù)增加。連接盤(pán)132的寬度D3大于連接盤(pán)131的寬度Dl (D3>D1)，連接盤(pán)331的寬度D6大于連接盤(pán)332的寬度D8 (D6>D8)。由于連接盤(pán)132的寬度D3和連接盤(pán)331的寬度D6大，因此在后述的加壓工序(圖11)中容易確保與第二填充導(dǎo)體21之間的連接面積。第一填充導(dǎo)體13、第二填充導(dǎo)體21以及第三填充導(dǎo)體33的定位也變得容易。另外，由于連接盤(pán)131的寬度Dl和連接盤(pán)332的寬度D8小，因此容易確保布線空間，布線圖案的設(shè)計(jì)自由度高。此外，這些關(guān)系“D3>D1”和“D6>D8”并非必須成立。在例如這些關(guān)系中的僅一個(gè)成立的情況下，也得到與上述效果相同的效果。但是，當(dāng)兩者成立時(shí)，效果成倍數(shù)增加。在通過(guò)鍍處理形成填充導(dǎo)體的情況下，在填充導(dǎo)體的表面容易產(chǎn)生凹部。在此，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明形成有這種凹部的情況。即，如圖3所示，在第一填充導(dǎo)體13的第一面?zhèn)榷嗣?連接盤(pán)131的表面)的中央部形成凹部131b，在第一填充導(dǎo)體13的第二面?zhèn)榷嗣?連接盤(pán)132的表面)的中央部形成凹部132b。在第三填充導(dǎo)體33的第一面?zhèn)榷嗣?連接盤(pán)331的表面)的中央部形成凹部331b，在第三填充導(dǎo)體33的第二面?zhèn)榷嗣?連接盤(pán)332的表面)的中央部形成凹部332b。這種凹部132b等容易導(dǎo)致產(chǎn)生空穴。然而，電路板100的芯部中的第二填充導(dǎo)體21由流動(dòng)性大的導(dǎo)電性糊劑構(gòu)成。并且，第二填充導(dǎo)體21的導(dǎo)電性糊劑進(jìn)入到凹部132b和331b。因此，使用導(dǎo)電性糊劑使凹部132b和331b平坦化，抑制產(chǎn)生空穴。如圖4所示，在本實(shí)施方式中，連接盤(pán)131、第一填充導(dǎo)體13、連接盤(pán)132、第二填充導(dǎo)體21 (開(kāi)口 211、開(kāi)口 212)、連接盤(pán)331、第三填充導(dǎo)體33以及連接盤(pán)332被配置成同心圓狀。由此，實(shí)現(xiàn)接觸面積的增加、布線長(zhǎng)度的縮短。其結(jié)果是得到良好的電特性。但是，它們的中心并不必須一致(參照后述的圖16、圖17)。例如通過(guò)圖5示出的過(guò)程來(lái)制造上述電路板100。在步驟Sll中，準(zhǔn)備第一基板10、第二基板20以及第三基板30。
圖 圖6C示出第二基板20的制造方法。首先，如圖6A所示，準(zhǔn)備第二絕緣層20a(初始材料)。在該階段中，第二絕緣層20a為預(yù)浸料(半固化狀態(tài)的粘接片)。第二絕緣層20a的材料如上所述例如是加入了加強(qiáng)材的環(huán)氧樹(shù)脂。接著，如圖6B所示，利用激光在第二絕緣層20a中形成第二孔21a。第二孔21a貫通第二絕緣層20a。之后，根據(jù)需要進(jìn)行去沾污、軟蝕刻。接著，如圖6C所示，使用刮板2001對(duì)第二絕緣層20a印刷導(dǎo)電性糊劑。由此，將導(dǎo)電性糊劑填充到第二孔21a，形成第二填充導(dǎo)體21。其結(jié)果是，如圖7所示那樣完成第二基板20。此外，也可以對(duì)雙面(第一面和第二面)粘貼脫模薄膜，或者在雙面形成粘接劑層，或者使用低粘度的導(dǎo)電性糊劑來(lái)填充第二孔21a并在其上面追加高粘度的導(dǎo)電性糊劑等來(lái)使導(dǎo)電性糊劑從雙面突出。圖8A 圖8C示出第一基板10和第三基板30的制造方法。首先，如圖8A所示，準(zhǔn)備雙面覆銅層疊板1000(初始材料)。雙面覆銅層疊板1000具有絕緣層1000a、銅箔1001和1002。在絕緣層IOOOa的第一面形成銅箔1001，在絕緣層IOOOa的第二面形成銅箔1002。絕緣層IOOOa的材料例如為加入了加強(qiáng)材的環(huán)氧樹(shù)脂。接著，如圖8B所示，利用激光在雙面覆銅層疊板1000中形成孔1003?？?003貫通雙面覆銅層疊板1000。之后，根據(jù)需要進(jìn)行去沾污、軟蝕刻。接著，如圖SC所示，通過(guò)銅的板面鍍(通孔鍍處理和整面鍍處理)在孔1003內(nèi)填充鍍膜1004。雖然省略圖示，但是在形成上述凹部131b、132b、331b、332b的情況下，在該時(shí)刻形成在鍍膜1004的表面(特別是孔1003的中央部)。在制造第一基板10和第三基板30中的任一個(gè)的情況下，到此為止的制造工序是相同的。在此，絕緣層IOOOa相當(dāng)于第一絕緣層IOa或者第三絕緣層30a。填充到孔1003中的鍍膜1004相當(dāng)于第一填充導(dǎo)體13或者第三填充導(dǎo)體33。接著，如圖9A或者圖9B所示，例如通過(guò)光刻技術(shù)來(lái)對(duì)第一基板10和第三基板30的各自的絕緣層IOOOa(第一絕緣層IOa或者第三絕緣層30a)兩面的導(dǎo)體層進(jìn)行圖案形成。各圖案形成為滿足上述尺寸等(參照?qǐng)D3以及圖4)。由此，在第一絕緣層IOa的第一面、第二面形成布線層11、12，在第三絕緣層30a的第一面、第二面形成布線層31、32。其結(jié)果是完成第一基板10和第三基板30。接著，在圖5的步驟S12中，如圖10所示，以將第一填充導(dǎo)體13、第二填充導(dǎo)體21以及第三填充導(dǎo)體33同軸配置(軸LI和軸L2)的方式，來(lái)層疊銅箔3001、絕緣層40a、第一基板10、第二基板20、第三基板30、絕緣層50a以及銅箔3002。由此，形成層疊體100a。第二絕緣層20a被第一絕緣層IOa和第三絕緣層30a夾持，進(jìn)一步，它們的層疊體被絕緣層40a和50a夾持。在該階段中，絕緣層40a和50a為預(yù)浸料(半固化狀態(tài)的粘接片)。但是，還能夠代替預(yù)浸料而使用RCF(Resin Coated copper Foil :涂樹(shù)脂銅箔)等。示出該階段中的各結(jié)構(gòu)部件的熱膨脹率的一例。第一填充導(dǎo)體13的熱膨脹率例如為17ppm/°C，第二填充導(dǎo)體21的熱膨脹率例如為30ppm/°C 40ppm/°C，第三填充導(dǎo)體33的熱膨脹率例如為17ppm/°C。第一絕緣層IOa和第三絕緣層30a的熱膨脹率例如為12ppm/°C 14ppm/°C,第二絕緣層20a的熱膨脹率例如為llppm/°C 13ppm/°C,絕緣層40a和50a的熱膨脹率例如為12ppm/°C 14ppm/°C。此外，在使用RCF的情況下，絕緣層40a和50a的熱膨脹率例如為60ppm/°C 80ppm/°C。接著，在圖5的步驟S13中，如圖11所示，對(duì)層疊體IOOa進(jìn)行集中加熱加壓。SP，同時(shí)進(jìn)行加壓和加熱處理。通過(guò)加壓和加熱，預(yù)浸料(第二絕緣層20a等)固化，部件彼此附著。其結(jié)果是層疊體IOOa —體化。相鄰的填充導(dǎo)體之間緊密接合(接觸)，第一填充導(dǎo) 體13、第二填充導(dǎo)體21以及第三填充導(dǎo)體33相互導(dǎo)通。第二填充導(dǎo)體21的導(dǎo)電性糊劑進(jìn)入到凹部132b和331b (圖3)。另外，通過(guò)剛性高的連接盤(pán)331和連接盤(pán)132來(lái)從兩側(cè)(Zl側(cè)和Z2側(cè))壓縮第二填充導(dǎo)體21。此外，也可以將加壓和加熱處理分多次來(lái)進(jìn)行。另外，也可以分開(kāi)進(jìn)行加熱處理和加壓，但是同時(shí)進(jìn)行效率高。也可以在加熱加壓之后另外進(jìn)行用于一體化的加熱處理。接著，在圖5的步驟S14中，形成填充導(dǎo)體42和52以及導(dǎo)體圖案(布線層41和51)。如圖12A所示，例如利用激光在絕緣層40a中形成孔42a，在絕緣層50a中形成孔52a。之后，根據(jù)需要進(jìn)行去沾污、軟蝕刻。接著，如圖12B所示，例如通過(guò)銅的板面鍍(例如化學(xué)鍍銅和電鍍銅)，對(duì)孔42a填充鍍膜3003，對(duì)孔52a填充鍍膜3004。由此，形成填充導(dǎo)體42和52。填充導(dǎo)體42和52被配置在與第一填充導(dǎo)體13、第二填充導(dǎo)體21以及第三填充導(dǎo)體33相同的軸(軸LI和軸L2)上。接著，例如通過(guò)光刻技術(shù)來(lái)對(duì)兩面的導(dǎo)體層進(jìn)行圖案形成。由此，如前面的圖I所示，在絕緣層40a上形成布線層41，在絕緣層50a上形成布線層51。其結(jié)果是完成電路板100。之后，能夠例如在最外層形成外部連接端子，通過(guò)該外部連接端子將電路板100與其它電路板相連接或者在電路板100上安裝電子部件。此外，導(dǎo)體圖案的形成方法是任意的。例如也可以通過(guò)使用抗鍍層來(lái)選擇性地僅對(duì)圖案部進(jìn)行鍍處理的方法即所謂的圖案鍍法，來(lái)形成布線層41和51。在本實(shí)施方式的電路板100的制造方法中，對(duì)芯部(第一基板10、第二基板20、第三基板30)和積層部的最下層的絕緣層(絕緣層40a、50a) —起進(jìn)行加壓(參照?qǐng)D10以及圖11)。因此，能夠以較少加壓次數(shù)來(lái)制造電路板100。另外，加熱加壓前的第二絕緣層20a由預(yù)浸料構(gòu)成，因此第二絕緣層20a與第一絕緣層10a、第三絕緣層30a之間的粘接性高。以上，說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電路板及其制造方法，但是本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。填充堆疊體的數(shù)量是任意的。例如圖13(截面圖)以及圖14(圖13的俯視圖)所示，填充堆疊體S的數(shù)量也可以是一個(gè)。填充堆疊體S可以如圖14所示那樣偏離電路板100的中央地進(jìn)行配置，也可以如圖15所示那樣配置在電路板100的中央(例如重心位置)。如圖16所示，即使不將連接盤(pán)131、第一填充導(dǎo)體13、連接盤(pán)132、第二填充導(dǎo)體21(開(kāi)口 211、開(kāi)口 212)、連接盤(pán)331、第三填充導(dǎo)體33以及連接盤(pán)332配置成同心圓狀，也能夠?qū)㈦娐钒?00設(shè)為全棧結(jié)構(gòu)。全棧結(jié)構(gòu)并非是必須的結(jié)構(gòu)。例如圖17所示，只要至少第一填充導(dǎo)體13、第二填充導(dǎo)體21以及第三填充導(dǎo)體33同軸配置，就得到上述的布線長(zhǎng)度縮短等效果。但是，全棧結(jié)構(gòu)的效果更大。 連接盤(pán)131的寬度Dl與連接盤(pán)332的寬度D8、第一填充導(dǎo)體13的寬度D2與第三填充導(dǎo)體33的寬度D7、連接盤(pán)132的寬度D3與連接盤(pán)331的寬度D6各組(對(duì))的尺寸并不必須相同。如圖18所示，也可以將這些組的尺寸設(shè)為不同。填充導(dǎo)體、其連接盤(pán)的橫截面(X-Y平面)的形狀并不限定于圓(真正的圓)而是任意的。這些面的形狀例如可以如圖19A所示那樣是正方形，也可以是正六邊形、正八邊形等其它正多邊形。此外，多邊形的角的形狀是任意的，例如可以是直角、銳角、銳角，也可以帶有圓角。但是，在防止熱應(yīng)力集中方面，優(yōu)選角帶有圓角。另外，上述橫截面的形狀可以是橢圓，也可以是長(zhǎng)方形、三角形等。上述圓、橢圓、正多邊形具有容易與孔的形狀相似這種優(yōu)點(diǎn)。另外，作為上述橫截面的形狀，如圖19B或者圖19C所示那樣，十字形或者正多角星形等從中心起放射狀地引出直線而得到的形狀(將多個(gè)葉片放射狀地配置而得到的形狀)也有效。作為填充導(dǎo)體及其連接盤(pán)的形狀，也可以將上述形狀任意地進(jìn)行組合來(lái)使用。例如圖20所示，對(duì)于填充導(dǎo)體及其連接盤(pán)，也可以組合非相似的圖形。填充導(dǎo)體的縱截面的形狀也是任意的。也可以例如圖21所示那樣，將第一填充導(dǎo)體13和第三填充導(dǎo)體33的形狀設(shè)為錐形圓柱(圓錐臺(tái))。另外，也可以將第二填充導(dǎo)體21的形狀設(shè)為圓柱。并且，也可以如圖22所示那樣，將第一填充導(dǎo)體13和第三填充導(dǎo)體33的形狀設(shè)為鼓形。另外，也可以將第二填充導(dǎo)體21的形狀設(shè)為鼓形。當(dāng)將孔的形狀設(shè)為鼓形時(shí)，開(kāi)口部的直徑大于孔的中間部的直徑，因此鍍處理的填充性提高。其結(jié)果是表面平坦性提聞。電路板100也可以具有電子部件而成為電子設(shè)備。可以例如圖23所示那樣，在電路板100中內(nèi)置多個(gè)電子部件4001。在圖23的例子中內(nèi)置了兩個(gè)電子部件4001，但是電子部件的數(shù)量是任意的。例如也可以在電路板100中僅內(nèi)置一個(gè)電子部件。根據(jù)內(nèi)置電子部件的電路板100，能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備的高功能化。另外，也可以例如圖24所示那樣，在電路板100表面安裝多個(gè)電子部件4002。在圖24的例子中安裝了兩個(gè)電子部件4002，但是電子部件的數(shù)量是任意的。例如也可以在電路板100上僅安裝一個(gè)電子部件。對(duì)于其它點(diǎn)也同樣地，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠任意地變更電路板100的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)要素的種類、性能、尺寸、材質(zhì)、形狀、層數(shù)或者配置等。電路板100的層數(shù)是任意的。例如為了實(shí)現(xiàn)高功能化等，例如也可以在完成圖I示出的結(jié)構(gòu)之后，進(jìn)一步層疊而設(shè)為更多層的電路板?；蛘咭部梢栽O(shè)為更少層(例如僅第一基板10、第二基板20以及第三基板30)的電路板。另外，芯部各面(第一面、第二面)的層數(shù)也可以不同。并且，也可以僅在芯部的單面形成(層疊)層(布線層、絕緣層)。各布線層的材料并不限定于上述材料，能夠根據(jù)用途等來(lái)變更。例如作為布線層的材料，也可以使用銅以外的金屬。另外，各絕緣層的材料也是任意的。但是，作為構(gòu)成絕緣層的樹(shù)脂，優(yōu)選使用熱固化性樹(shù)脂或者熱塑性樹(shù)脂。作為熱固化性樹(shù)脂，除了上述的環(huán)氧樹(shù)脂以外，例如還能夠使用酰亞胺樹(shù)脂(聚酰亞胺)、BT樹(shù)脂、烯丙基化苯醚樹(shù)脂(A-PPE樹(shù)脂)、芳族聚酰胺樹(shù)脂等。另外，作為熱可塑性樹(shù)脂，例如能夠使用液晶聚合物(LCP)、PEEK樹(shù)脂、PTFE樹(shù)脂(氟樹(shù)脂)等。期望從例如絕緣性、介電特性、耐熱性或者機(jī)械特性等觀點(diǎn)出發(fā)，根據(jù)需要來(lái)選擇這些材料。另外，在上述樹(shù)脂中作為添加劑而能夠含有固化劑、穩(wěn)定齊U、填料等。另外，各布線層和各絕緣層也可以由包含異種材料的多個(gè)層構(gòu)成。 在積層部中形成于孔內(nèi)的導(dǎo)體(填充導(dǎo)體42、52)也可以是保形導(dǎo)體。上述實(shí)施方式的工序并不限定于圖5的流程圖示出的順序、內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠任意地變更順序、內(nèi)容。另外，根據(jù)用途等，也可以省略不需要的工序。能夠組合上述實(shí)施方式、其它例等。不限于能夠?qū)Df圖12示出的實(shí)施方式局部替換為圖13 圖24示出的其它例，還能夠例如對(duì)于圖13 圖15示出的與填充堆疊體的數(shù)量有關(guān)的其它例、圖16以及圖17示出的與堆疊體結(jié)構(gòu)有關(guān)的其它例、圖18 圖20示出的與填充導(dǎo)體等的橫截面的尺寸和形狀有關(guān)的其它例、圖21以及圖22示出的與填充導(dǎo)體的縱截面的形狀有關(guān)的其它例以及圖23以及圖24示出的與具有電子部件的電路板有關(guān)的其它例，分別選擇任意的方式并將這些方式相互組合。優(yōu)選根據(jù)用途等來(lái)選擇適當(dāng)?shù)慕M合。以上，說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是應(yīng)理解為根據(jù)設(shè)計(jì)上的方便、其它原因所需的各種修改、組合包括在“權(quán)利要求書(shū)”所記載的發(fā)明、與“具體實(shí)施方式
”所記載的具體例對(duì)應(yīng)的發(fā)明的范圍內(nèi)。產(chǎn)業(yè)上的可利用件本發(fā)明所涉及的電路板適用于電子設(shè)備的電路基板。另外，本發(fā)明所涉及的電路板的制造方法適用于制造電子設(shè)備的電路基板。附圖標(biāo)記說(shuō)明10 :第一基板；IOa :第一絕緣層；11、12 :布線層；13 :第一填充導(dǎo)體(第一導(dǎo)體)；13a :第一孔；20 :第二基板；20a :第二絕緣層；21 :第二填充導(dǎo)體(第二導(dǎo)體)；21a :第二孔；30 :第三基板；30a :第三絕緣層；31、32 :布線層；33 :第三填充導(dǎo)體(第三導(dǎo)體)；33a 第三孔；40a、50a :絕緣層；41、51 :布線層；42、52 :填充導(dǎo)體(第四導(dǎo)體)；42a、52a :孔；100 :電路板；100a :層疊體；132a、331a :開(kāi)口 ;211、212 :開(kāi)口 ；131、132、331、332 :連接盤(pán)；1000 :雙面覆銅層疊板；IOOOa :絕緣層;1001、1002 :銅箔；1003 :孔；1004 :鍍膜；2001 :刮板;3001、3002 :銅箔;3003、3004 :鍍膜;4001、4002 :電子部件;S、S1、S2 :填充堆疊體。
權(quán)利要求
1.一種電路板，將表面和背面中的一面設(shè)為第一面，將另一面設(shè)為第二面，該電路板的特征在于，具有 從上述第一面向上述第二面依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層； 第一導(dǎo)體，其是對(duì)貫通上述第一絕緣層的第一孔填充鍍膜而成的； 第二導(dǎo)體，其是對(duì)貫通上述第二絕緣層的第二孔填充導(dǎo)電性糊劑而成的；以及 第三導(dǎo)體，其是對(duì)貫通上述第三絕緣層的第三孔填充鍍膜而成的， 其中，上述第一導(dǎo)體、上述第二導(dǎo)體以及上述第三導(dǎo)體同軸配置且相互導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路板，其特征在于， 在上述第一絕緣層的上述第一面?zhèn)群蜕鲜龅谌^緣層的上述第二面?zhèn)戎械闹辽僖粋?cè)層疊層間絕緣層， 上述第一絕緣層的厚度、上述第二絕緣層的厚度以及上述第三絕緣層的厚度中的至少一個(gè)厚度大于上述層間絕緣層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板，其特征在于， 上述第一絕緣層的厚度、上述第二絕緣層的厚度以及上述第三絕緣層的厚度均大于上述層間絕緣層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的電路板，其特征在于， 形成在上述第一絕緣層上的布線層的厚度、形成在上述第二絕緣層上的布線層的厚度以及形成在上述第三絕緣層上的布線層的厚度中的至少一個(gè)厚度大于形成在上述層間絕緣層上的布線層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板，其特征在于， 形成在上述第一絕緣層上的布線層的厚度、形成在上述第二絕緣層上的布線層的厚度以及形成在上述第三絕緣層上的布線層的厚度均大于形成在上述層間絕緣層上的布線層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求Γ5中的任一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于， 與上述第二導(dǎo)體的上述第一面?zhèn)认噙B接的連接盤(pán)的寬度大于與上述第一導(dǎo)體的上述第一面?zhèn)认噙B接的連接盤(pán)的寬度，或者/并且與上述第二導(dǎo)體的上述第二面?zhèn)认噙B接的連接盤(pán)的寬度大于與上述第三導(dǎo)體的上述第二面?zhèn)认噙B接的連接盤(pán)的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1飛中的任一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于， 上述第二孔的上述第一面?zhèn)鹊拈_(kāi)口寬度大于上述第一孔的上述第二面?zhèn)鹊拈_(kāi)口寬度，或者/并且上述第二孔的上述第二面?zhèn)鹊拈_(kāi)口寬度大于上述第三孔的上述第一面?zhèn)鹊拈_(kāi)口寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求Γ7中的任一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于， 在上述第一導(dǎo)體的上述第二面?zhèn)榷嗣婧蜕鲜龅谌龑?dǎo)體的上述第一面?zhèn)榷嗣嬷械闹辽僖粋€(gè)端面的中央部形成有凹部，上述第二導(dǎo)體的上述導(dǎo)電性糊劑進(jìn)入到該凹部。
9.根據(jù)權(quán)利要求Γ8中的任一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于， 在上述第一絕緣層的上述第一面?zhèn)群蜕鲜龅谌^緣層的上述第二面?zhèn)戎械闹辽僖粋?cè)層疊具有第四導(dǎo)體的層間絕緣層， 上述第四導(dǎo)體與上述第一導(dǎo)體至上述第三導(dǎo)體同軸配置，并且上述第四導(dǎo)體與上述第一導(dǎo)體至上述第三導(dǎo)體導(dǎo)通。
10.根據(jù)權(quán)利要求廣9中的任一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于， 上述電路板內(nèi)置電子部件而成為電子設(shè)備。
11.根據(jù)權(quán)利要求廣9中的任一項(xiàng)所述的電路板，其特征在于， 上述電路板的表面安裝有電子部件而成為電子設(shè)備。
12.—種電路板的制造方法，包括以下步驟 準(zhǔn)備第一絕緣層，該第一絕緣層具有對(duì)貫通孔填充鍍膜而成的第一導(dǎo)體； 準(zhǔn)備第二絕緣層，該第二絕緣層具有對(duì)貫通孔填充導(dǎo)電性糊劑而成的第二導(dǎo)體； 準(zhǔn)備第三絕緣層，該第三絕緣層具有對(duì)貫通孔填充鍍膜而成的第三導(dǎo)體； 以將上述第一導(dǎo)體、上述第二導(dǎo)體以及上述第三導(dǎo)體同軸配置的方式，由上述第一絕緣層和上述第三絕緣層夾持上述第二絕緣層來(lái)形成層疊體；以及 對(duì)上述層疊體進(jìn)行加壓和加熱，來(lái)使上述第一導(dǎo)體、上述第二導(dǎo)體以及上述第三導(dǎo)體相互導(dǎo)通。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電路板的制造方法，其特征在于， 上述加熱前的上述第二絕緣層由預(yù)浸料構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或者13所述的電路板的制造方法，其特征在于， 還包括以下步驟 在上述加壓和加熱之前，在上述層疊體的雙面或者單面配置層間絕緣層；以及 在上述層間絕緣層上形成導(dǎo)體圖案， 其中，通過(guò)上述加壓，對(duì)上述第一導(dǎo)體至上述第三導(dǎo)體和上述層間絕緣層一起進(jìn)行加壓。
全文摘要
電路板(100)具有從第一面向第二面依次層疊的第一絕緣層(10a)、第二絕緣層(20a)以及第三絕緣層(30a)；第一導(dǎo)體(13)，其是對(duì)貫通第一絕緣層(10a)的第一孔(13a)填充鍍膜而成的；第二導(dǎo)體(21)，其是對(duì)貫通第二絕緣層(20a)的第二孔(21a)填充導(dǎo)電性糊劑而成的；以及第三導(dǎo)體(33)，其是對(duì)貫通第三絕緣層(30a)的第三孔(33a)填充鍍膜而成的。并且，第一導(dǎo)體(13)、第二導(dǎo)體(21)以及第三導(dǎo)體(33)同軸配置且相互導(dǎo)通。
文檔編號(hào)H05K3/46GK102742372SQ20108006204
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2010年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月22日
發(fā)明者長(zhǎng)沼伸幸, 青山雅一, 高橋通昌 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社