專(zhuān)利名稱(chēng)：：印刷電路板和半導(dǎo)體封裝及其制造方法及電氣和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體封裝，更具體地，涉及一種包括一層布線圖案(one-layerwirepattern)的印刷電路板(PCB)、制造該P(yáng)CB的方法、包括該P(yáng)CB的半導(dǎo)體封裝以及制造該半導(dǎo)體封裝的方法。
背景技術(shù)：
：通常，通過(guò)在晶片上進(jìn)行各種半導(dǎo)體制造工藝，從晶片制造多個(gè)半導(dǎo)體芯片。此后，為了在PCB上安裝每個(gè)半導(dǎo)體芯片，通過(guò)在晶片上進(jìn)行封裝工藝來(lái)封裝半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體封裝可以包括半導(dǎo)體芯片、其上安裝半導(dǎo)體芯片的PCB、將半導(dǎo)體芯片電連接到PCB的鍵合線(bondingwire)或凸塊(bump)以及密封半導(dǎo)體芯片的密封構(gòu)件。近來(lái)，由于半導(dǎo)體芯片被高度集成，所以半導(dǎo)體芯片的尺寸減小，因而半導(dǎo)體封裝也小型化，允許諸如芯片級(jí)封裝(CSP)或晶片級(jí)封裝(WLP)。PCB的成本占據(jù)半導(dǎo)體封裝的材料成本的很大一部分，從而增加了半導(dǎo)體封裝的總成本。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明構(gòu)思提供包括一層布線圖案的印刷電路板(PCB)、包括該印刷電路板的半導(dǎo)體封裝、包括該半導(dǎo)體封裝的電氣和電子設(shè)備(electricalandelectronicapparatus)、制造該印刷電路板的方法和制造該半導(dǎo)體封裝的方法，通過(guò)簡(jiǎn)化印刷電路板的結(jié)構(gòu)，該印刷電路板具有低的處理成本和高產(chǎn)量，并且在進(jìn)行倒裝芯片鍵合工藝時(shí)能夠提高微凸塊(minutebump)的可靠性和連接特性。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面，提供了一種包括布線圖案的印刷電路板(PCB)，通過(guò)簡(jiǎn)化印刷電路板的結(jié)構(gòu)，該印刷電路板具有低的處理成本和高產(chǎn)量，并且在進(jìn)行倒裝芯片鍵合工藝時(shí)能夠提高微凸塊的可靠性和連接特性。該P(yáng)CB包括體樹(shù)脂層，具有下表面和上表面；布線圖案，在體樹(shù)脂層的上表面和下表面之一上或在體樹(shù)脂層的上表面和下表面之一內(nèi)；至少一個(gè)通孔接觸(through-holecontact)，從布線圖案穿過(guò)體樹(shù)脂層延伸；以及阻焊劑，在體樹(shù)脂層的上表面和下表面上，阻焊劑的開(kāi)口對(duì)應(yīng)于焊料球焊盤(pán)(solderballland)和凸塊焊盤(pán)(bumpland)中至少之一，焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)配置為將印刷電路板耦接至一裝置。該裝置可以是半導(dǎo)體芯片或主板。也就是，半導(dǎo)體芯片通過(guò)凸塊焊盤(pán)上的凸塊耦接到PCB，主板通過(guò)焊料球焊盤(pán)上的焊料球耦接到PCB。如果焊料球焊盤(pán)在所述一層布線圖案上，則凸塊焊盤(pán)位于通孔接觸上，而如果凸塊焊盤(pán)在布線圖案上，則焊料球焊盤(pán)位于通孔接觸上。當(dāng)所述一層布線圖案在體樹(shù)脂層的下表面上，則通孔接觸可以從體樹(shù)脂層的上表面突出。所述一層布線圖案可以是掩埋型，其中該一層布線圖案形成在體樹(shù)脂層中，或者所述一層布線圖案可以是正常型，其中該一層布線圖案形成在體樹(shù)脂層的外側(cè)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝，包括半導(dǎo)體芯片；所述印刷電路板(PCB)，半導(dǎo)體芯片通過(guò)使用引線鍵合法或倒裝芯片鍵合法結(jié)合到PCB上；以及密封半導(dǎo)體芯片的密封構(gòu)件。填充在半導(dǎo)體芯片與PCB之間的空間內(nèi)的密封構(gòu)件可以與覆蓋半導(dǎo)體封裝的外側(cè)的密封構(gòu)件相同，因?yàn)榘雽?dǎo)體封裝通過(guò)使用模塑底部填充(moldedunderfill,MUF)工藝形成。密封構(gòu)件可以包括覆蓋半導(dǎo)體芯片的外側(cè)的外部密封樹(shù)脂以及填充在半導(dǎo)體芯片與PCB之間的空間中的底填充物(underfill)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面，提供了一種電氣和電子設(shè)備，包括輸入/輸出單元，配置為接收和輸出數(shù)據(jù)；接口單元，配置為接收和傳輸數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)單元，配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；控制單元，配置為至少控制輸入/輸出單元和接口單元；以及總線，配置為在輸入/輸出單元、接口單元、存儲(chǔ)單元和控制單元之間傳輸數(shù)據(jù)。接口單元、存儲(chǔ)單元和控制單元中的至少之一包括半導(dǎo)體封裝。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面，提供了一種制造印刷電路板(PCB)的方法，包括形成至少一個(gè)金屬膜；在金屬膜上形成布線圖案；在布線圖案的一部分上形成至少一個(gè)通孔接觸；在至少一個(gè)通孔接觸和布線圖案上形成體樹(shù)脂層；除去至少一個(gè)金屬膜；以及在體樹(shù)脂層的上表面和下表面上涂敷阻焊劑。布線圖案和通孔接觸可以通過(guò)使用鍍敷法(platingmethod)形成。體樹(shù)脂層的形成可以包括將體樹(shù)脂層擠壓到通孔接觸和布線圖案的上表面上，使得通孔接觸穿過(guò)體樹(shù)脂層。金屬膜的形成可以包括在粘結(jié)層的兩個(gè)表面上形成兩個(gè)金屬膜以制造兩個(gè)PCB。這樣，當(dāng)制造兩個(gè)PCB時(shí)，在從形成布線圖案到形成體樹(shù)脂的工藝中，可以對(duì)每個(gè)金屬膜進(jìn)行相同的工藝，該方法還可以包括在除去金屬膜之前除去粘結(jié)層。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面，提供了一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括形成PCB；通過(guò)使用引線鍵合法或倒裝芯片鍵合法在PCB上安裝半導(dǎo)體芯片；以及形成密封構(gòu)件以密封半導(dǎo)體芯片。在半導(dǎo)體芯片的安裝中，當(dāng)半導(dǎo)體芯片通過(guò)使用倒裝芯片鍵合法安裝時(shí)，半導(dǎo)體芯片可以通過(guò)使用凸塊焊盤(pán)中的微凸塊而與通孔接觸結(jié)合。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種制造至少兩個(gè)印刷電路板(PCB)的方法，包括在粘結(jié)膜的一側(cè)上形成第一金屬膜；在粘結(jié)膜的第二側(cè)上形成第二金屬膜；在第一金屬膜和第二金屬膜上分別形成布線圖案；在布線圖案的部分上形成通孔接觸；在第一金屬膜和第二金屬膜上分別形成體樹(shù)脂層；以及除去粘結(jié)膜。通過(guò)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例將被更清楚地理解，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的包括一層布線圖案的印刷電路板(PCB)的截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖3A和圖3B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的截面圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的電氣和電子設(shè)備的方框圖；圖7A至圖7F是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的PCB的制造方法的截面圖；圖8A至圖8G是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的PCB的制造方法的截面圖；以及圖9A至圖9D是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的截面圖。具體實(shí)施例方式參照附圖以獲得對(duì)本發(fā)明構(gòu)思、其優(yōu)點(diǎn)以及實(shí)施本發(fā)明構(gòu)思所實(shí)現(xiàn)的目的的充分理解，附圖示出本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例。在下文，將通過(guò)參照附圖解釋示例實(shí)施例來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思。在附圖中，為了清楚可以夸大層和區(qū)域的長(zhǎng)度和尺寸。在附圖中相同的附圖標(biāo)記代表相同的元件。應(yīng)當(dāng)理解，盡管這里可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)用于將一個(gè)元件與另一個(gè)元件區(qū)別開(kāi)。因而，下面所討論的第一元件可以被稱(chēng)為第二元件，而不背離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱(chēng)諸如層、區(qū)域或基板的元件在另一元件“上”、“連接到”或“耦接到”另一元件時(shí)，它可以直接在另一元件上、直接連接到或耦接到另一元件，或者還可以存在插入的元件或?qū)?。相反，?dāng)稱(chēng)一個(gè)元件“直接在”另一元件或?qū)由?、“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在插入的元件或?qū)?。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。如此處所用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)所列相關(guān)項(xiàng)目的任何及所有組合。這里所用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述特定示例實(shí)施例，并非要限制本發(fā)明構(gòu)思。如此處所用的，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式“一”和“該”均同時(shí)旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，指定了所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在或增加。除非另行定義，此處使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))都具有本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的同樣的含義。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如通用詞典中所定義的術(shù)語(yǔ)，除非此處加以明確定義，否則應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語(yǔ)境中的含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化的或過(guò)度形式化的意義。圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的包括一層布線圖案的印刷電路板(PCB)100的截面圖。參照?qǐng)D1，PCB100包括體樹(shù)脂110、布線圖案120、通孔接觸122和阻焊劑130a和130b。體樹(shù)脂110可以是預(yù)浸樹(shù)脂(pr印regresin)，其是通過(guò)將熱固樹(shù)脂浸入玻璃纖維中而形成的半硬化狀態(tài)的樹(shù)脂。然而，體樹(shù)脂110不限于預(yù)浸樹(shù)脂，可以通過(guò)使用各種其他樹(shù)脂中的任何一種而形成。例如，體樹(shù)脂110可以由包括熱固環(huán)氧樹(shù)脂、熱塑環(huán)氧樹(shù)脂或填充劑的樹(shù)脂形成。布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的上表面和下表面之一上。這樣，布線圖案形成在體單元上(例如形成在體樹(shù)脂的一個(gè)表面上)的結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為一層布線圖案。然而，布線圖案形成在體樹(shù)脂的兩個(gè)表面上的結(jié)構(gòu)被稱(chēng)作兩層布線圖案。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的PCB100具有一層布線圖案，其中布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的一個(gè)表面上。如圖1所示，布線圖案120可以是掩埋型，也就是布線圖案120形成在體樹(shù)脂110中。然而，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的布線圖案120不限于此，可以是正常型，也就是布線圖案120形成在體樹(shù)脂110上。如將參照?qǐng)D7A至圖7F和/或參照?qǐng)D8A至圖8G描述的，布線圖案120可以通過(guò)鍍敷法形成為具有在金屬薄膜上的形狀，對(duì)應(yīng)于體樹(shù)脂110的預(yù)浸樹(shù)脂通過(guò)將預(yù)浸樹(shù)脂擠壓到布線圖案120上而與布線圖案120結(jié)合。然而，形成布線圖案120的方法不限于此，例如布線圖案120可以通過(guò)使用光致抗蝕劑(PR)圖案蝕刻鍍敷或沉積在體樹(shù)脂110的整個(gè)表面上的金屬薄膜而形成。通孔接觸122形成在布線圖案120的被選擇的圖案區(qū)域上，并且可以形成為從布線圖案120的被選擇的圖案區(qū)域穿過(guò)體樹(shù)脂110延伸。也就是，當(dāng)布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的上表面上時(shí)，通孔接觸122可以通過(guò)從布線圖案120延伸而形成為穿過(guò)體樹(shù)脂110延伸，使得通孔接觸122的表面暴露在體樹(shù)脂110的下表面上。如圖7A至圖7F和/或圖8A至圖8G所示，在通過(guò)使用鍍敷法使布線圖案120形成在金屬薄膜上并且通孔接觸122形成在部分布線圖案120上之后，可以通過(guò)將包括布線圖案120和通孔接觸122的所得產(chǎn)物結(jié)合到對(duì)應(yīng)于體樹(shù)脂110的預(yù)浸樹(shù)脂上而實(shí)現(xiàn)PCB100。然而，形成通孔接觸122的方法不限于此。例如，在通過(guò)使用ra圖案掩模將用于形成通孔接觸122的過(guò)孔(viahole)形成在體樹(shù)脂110的與形成有布線圖案120的表面相反的表面上之后，可以通過(guò)用金屬材料填充該過(guò)孔而形成通孔接觸122。阻焊劑130a和130b可以形成在體樹(shù)脂110的上表面和下表面上。多個(gè)開(kāi)口H形成在阻焊劑130a和130b的區(qū)域上，開(kāi)口H可以形成在凸塊焊盤(pán)上和焊料球焊盤(pán)上，在后續(xù)工藝中，半導(dǎo)體芯片將結(jié)合到凸塊焊盤(pán)，焊料球?qū)⒔Y(jié)合到焊料球焊盤(pán)。在本發(fā)明構(gòu)思的當(dāng)前示例實(shí)施例中，當(dāng)布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的將結(jié)合半導(dǎo)體芯片的上表面上時(shí)，凸塊焊盤(pán)可以形成在體樹(shù)脂Iio的形成有布線圖案120的上表面上，焊料球焊盤(pán)可以形成在體樹(shù)脂110的暴露通孔接觸122的下表面上。然而，當(dāng)布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的將結(jié)合焊料球的下表面上時(shí)，焊料球焊盤(pán)可以形成在體樹(shù)脂110的形成有布線圖案120的下表面上，凸塊焊盤(pán)形成在體樹(shù)脂110的暴露通孔接觸122的上表面上。當(dāng)布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的將結(jié)合焊料球的下表面上并且半導(dǎo)體芯片通過(guò)使用倒裝芯片鍵合法結(jié)合在體樹(shù)脂110的上表面上時(shí)，通孔接觸122可以形成為從體樹(shù)脂110的上表面突出。這樣，通孔接觸122具有從體樹(shù)脂110的上表面突出的結(jié)構(gòu)，因此當(dāng)通孔接觸122通過(guò)使用倒裝芯片鍵合法與半導(dǎo)體芯片結(jié)合時(shí)，通孔接觸122與半導(dǎo)體芯片之間的凸塊連接特性(bumpjoiningcharacteristic)提高，由此提高半導(dǎo)體封裝的可靠性。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的PCB100中，布線圖案形成在體樹(shù)脂的表面之一上，并且通孔接觸通過(guò)從布線圖案穿過(guò)體樹(shù)脂延伸而形成到相反的表面。因此，可以實(shí)現(xiàn)具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的PCB100。也就是，在常規(guī)的雙層布線圖案中，布線圖案形成在PCB主體的兩個(gè)表面上并且金屬接觸連接布線圖案，復(fù)雜的制造工藝導(dǎo)致高的PCB成本。具體地，用于形成金屬接觸的過(guò)孔的工藝具有高成本，并且與可靠性問(wèn)題有關(guān)，產(chǎn)量降低。然而，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的PCB100具有一層布線圖案，其具有相對(duì)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，因此具有簡(jiǎn)單的制造工藝，因而可以降低PCB制造成本。如圖7A至圖7F和/或圖8A至圖8G所示，PCB100可以容易地被制造，也就是布線圖案120和通孔接觸122通過(guò)使用鍍敷法形成，并且PCB100通過(guò)以壓力將布線圖案120和通孔接觸122結(jié)合到對(duì)應(yīng)于體樹(shù)脂110的預(yù)浸樹(shù)脂而簡(jiǎn)單地形成。因此，不需要進(jìn)行用于形成過(guò)孔的工藝，從而降低了PCB制造成本并解決低產(chǎn)量問(wèn)題。圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝1000的截面圖。參照?qǐng)D2，半導(dǎo)體封裝1000包括PCB100’、半導(dǎo)體芯片200、密封構(gòu)件300和焊料球400。PCB100’包括參照?qǐng)D1所述的一層布線圖案。也就是，PCB100’包括體樹(shù)脂110、布線圖案120、通孔接觸122以及阻焊劑130a和130b。PCB100’具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的上表面上，并且通孔接觸122從布線圖案120穿過(guò)體樹(shù)脂110延伸并暴露在體樹(shù)脂110的下表面上。當(dāng)然，與此相反，PCB100’可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中布線圖案120形成在體樹(shù)脂的下表面上，并且通孔接觸122可以通過(guò)體樹(shù)脂110暴露在體樹(shù)脂110的上表面上。半導(dǎo)體芯片200通過(guò)使用粘結(jié)劑220與PCB100’結(jié)合，形成在半導(dǎo)體芯片200中的電子器件通過(guò)鍵合引線230和連接引線240電連接到PCB100’的布線圖案120。半導(dǎo)體芯片200可以是諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)或閃存的存儲(chǔ)芯片，或者是構(gòu)成控制器的邏輯芯片。由于半導(dǎo)體芯片200通過(guò)鍵合引線230連接到PCB100’，所以用于減小接觸電阻的鍍金襯墊140可以形成在布線圖案120的被開(kāi)口H暴露的上表面上。密封構(gòu)件300通過(guò)密封半導(dǎo)體芯片200而保護(hù)半導(dǎo)體芯片200免受外部影響。密封構(gòu)件300可以由熱固環(huán)氧樹(shù)脂或熱塑環(huán)氧樹(shù)脂形成。焊料球400形成在PCB100’的下表面的焊料球焊盤(pán)中，并且從布線圖案120穿過(guò)體樹(shù)脂Iio延伸的通孔接觸122的表面暴露在焊料球焊盤(pán)中。焊料球400可以與通孔接觸122的被暴露的表面結(jié)合。與經(jīng)由鍵合引線230的結(jié)合類(lèi)似，用于減小接觸電阻的鍍金襯墊140可以形成在通孔接觸122的被暴露的表面上。在本發(fā)明構(gòu)思的當(dāng)前示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片經(jīng)由鍵合引線安裝在圖2的PCB100’上，因此可以容易地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體封裝。圖3A和圖3B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝1000a的截面圖。參照?qǐng)D3A，半導(dǎo)體封裝1000a包括PCB100”、半導(dǎo)體芯片200、密封構(gòu)件300和焊料球400。PCB100”包括參照?qǐng)D1描述的一層布線圖案。然而，與圖2的半導(dǎo)體封裝1000不同，半導(dǎo)體芯片200經(jīng)由倒裝芯片鍵合法與PCB100”結(jié)合。因此，適合于倒裝芯片鍵合的布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的上表面上。也就是，在圖2的半導(dǎo)體封裝1000中，布線圖案120的在PCB100’兩側(cè)的部分被敞開(kāi)；然而，在半導(dǎo)體封裝1000a中，布線圖案120的中心部分被敞開(kāi)用于倒裝芯片鍵合。通常，在倒裝芯片鍵合的情形下，布線圖案120的通過(guò)凸塊250與半導(dǎo)體芯片結(jié)合的部分被稱(chēng)作凸塊焊盤(pán)B。半導(dǎo)體芯片200通過(guò)如上所述的倒裝芯片鍵合法與PCB100”結(jié)合，也就是，半導(dǎo)體芯片200的主表面通過(guò)凸塊250與PCB100”結(jié)合。圖3B示出半導(dǎo)體芯片200通過(guò)凸塊250與PCB100”結(jié)合的具體結(jié)構(gòu)。與圖2中的半導(dǎo)體封裝1000類(lèi)似，密封構(gòu)件300阻擋并保護(hù)半導(dǎo)體芯片200不受外部的影響，并可以由熱固環(huán)氧樹(shù)脂或熱塑環(huán)氧樹(shù)脂形成。與半導(dǎo)體封裝1000的情況類(lèi)似，在當(dāng)前示例實(shí)施例中，密封構(gòu)件300可以通過(guò)使用模塑底部填充(moldedunderfill,MUF)工藝形成。這里，MUF工藝指這樣的工藝，其中不僅半導(dǎo)體芯片200的外側(cè)區(qū)域而且半導(dǎo)體芯片200與PCB100”之間的空間都用密封構(gòu)件300填充，沒(méi)有額外進(jìn)行填充工藝，這樣半導(dǎo)體芯片200與PCB100”之間的空間被底填充物(underfill)填充。當(dāng)密封構(gòu)件300通過(guò)使用MUF工藝形成時(shí)，覆蓋半導(dǎo)體芯片200的外側(cè)區(qū)域的密封構(gòu)件300由與填充在半導(dǎo)體芯片200與PCB100”之間的空間的密封構(gòu)件300相同的材料形成。然而，密封構(gòu)件300可以通過(guò)使用常規(guī)工藝而不是MUF工藝形成。也就是，在半導(dǎo)體芯片200與PCB100”之間的空間用底填充物填充之后，可以通過(guò)使用外部密封樹(shù)脂進(jìn)行覆蓋半導(dǎo)體芯片200的外側(cè)區(qū)域的工藝而形成密封構(gòu)件300。這里，填充半導(dǎo)體芯片200與PCB100”之間的空間的底填充物可以與覆蓋半導(dǎo)體芯片200的外側(cè)區(qū)域的外部密封樹(shù)脂相同，或者可以不同。如圖2的半導(dǎo)體封裝1000所示，焊料球400形成在PCB100”的下表面上的焊料球焊盤(pán)A中。也就是，焊料球400與從布線圖案120穿過(guò)體樹(shù)脂110延伸的通孔接觸122的暴露表面結(jié)合。在圖3B中，沒(méi)有包括鍍金襯墊；然而，也可以在通孔接觸122的暴露表面上形成用于減小接觸電阻的鍍金襯墊。圖3B示出其中半導(dǎo)體芯片200通過(guò)凸塊250與PCB100結(jié)合的具體結(jié)構(gòu)。這里，凸塊250可以包括微凸塊(minutebump)252和凸塊襯墊(bumppad)254。凸塊襯墊254可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中凸塊襯墊254與半導(dǎo)體芯片200的襯墊或半導(dǎo)體芯片襯墊上的下部凸塊金屬(underbumpmetal,UBM)結(jié)合。凸塊250通過(guò)形成在布線圖案120上的凸塊焊盤(pán)B與布線圖案120結(jié)合。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝1000a中，如圖3B所示，半導(dǎo)體芯片200和PCB100”的結(jié)合高度可以等于凸塊250的高度hi，也就是微凸塊252和凸塊襯墊254的高度之和。具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝1000a的高度取決于凸塊250的高度。在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝1000a中，由于布線圖案120在體樹(shù)脂110的上表面上形成為掩埋結(jié)構(gòu)，所以凸塊焊盤(pán)結(jié)構(gòu)可以具有“掩埋(buried)+阻焊劑定義(soldermaskdefined,SMD)”結(jié)構(gòu)。圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝IOOOb的截面圖。參照?qǐng)D4A，半導(dǎo)體封裝IOOOb包括PCB100a、半導(dǎo)體芯片200、密封構(gòu)件300和焊料球400。PCBIOOa具有與圖3A的PCB100”不同的結(jié)構(gòu)。也就是，在PCBIOOa中，布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的下表面上，因此與焊料球結(jié)合的焊料球焊盤(pán)A’形成在布線圖案120上。此外，將與半導(dǎo)體芯片200結(jié)合的凸塊焊盤(pán)B’形成在從布線圖案120穿過(guò)體樹(shù)脂110延伸的通孔接觸122’上。這樣，當(dāng)凸塊焊盤(pán)B’形成在通孔接觸122上時(shí)，如圖4A所示，通過(guò)增加通孔接觸122’的高度，通孔接觸122’能夠形成為從體樹(shù)脂110的上表面突出。當(dāng)通孔接觸122’從體樹(shù)脂110的上表面突出時(shí)，能夠提高凸塊250的連接特性。關(guān)于半導(dǎo)體封裝IOOOb沒(méi)有描述的元件與圖3A的半導(dǎo)體封裝1000a的元件相同或相似，因此將不重復(fù)其描述。參照?qǐng)D4B，根據(jù)當(dāng)前示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝IOOOb具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中通孔接觸122’從體樹(shù)脂110的上表面突出。因此，當(dāng)半導(dǎo)體芯片200通過(guò)使用倒裝芯片鍵合法與PCBIOOa結(jié)合時(shí)，能夠提高凸塊250的連接特性。而且，如圖4B所示，半導(dǎo)體芯片200與PCBIOOa的結(jié)合高度可以為高度h2，高度h2等于凸塊250的厚度與通孔接觸122’的突出高度之和，并且高度h2可以大于圖3B的高度hi。因此，能夠容易地進(jìn)行底部填充工藝，半導(dǎo)體芯片200與PCBIOOa之間的空間能夠在MUF工藝中被充分地填充，也就是能夠提高M(jìn)UF處理能力，從而提高半導(dǎo)體封裝IOOOb的可靠性。這里，通孔接觸122’突出到與上阻焊劑130a相同的高度，因此凸塊焊盤(pán)結(jié)構(gòu)能夠具有非阻焊劑定義(non-soldermaskdefined)結(jié)構(gòu)。因此，即使當(dāng)?shù)寡b芯片鍵合法應(yīng)用到具有非常精細(xì)尺寸的精細(xì)節(jié)距凸塊時(shí)，也能夠毫無(wú)問(wèn)題地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體封裝1000b。圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝1000c的截面圖。參照?qǐng)D5，半導(dǎo)體封裝1000c具有與圖3A的半導(dǎo)體封裝1000a基本上相同的結(jié)構(gòu)。如參照?qǐng)D3A的半導(dǎo)體封裝1000a所述的，密封構(gòu)件300通過(guò)彼此單獨(dú)地形成的底填充物310和外部密封構(gòu)件320形成。通常，底填充物310和外部密封構(gòu)件320由彼此不同的材料形成；然而，它們可以由相同的材料形成。這樣，包括底填充物310和外部密封構(gòu)件320的密封構(gòu)件300不僅能夠應(yīng)用到圖3A的半導(dǎo)體封裝1000a的結(jié)構(gòu)，而且能夠應(yīng)用到圖4A的半導(dǎo)體封裝IOOOb的結(jié)構(gòu)。圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的電氣和電子設(shè)備500的方框圖。參照?qǐng)D6，電氣和電子設(shè)備500包括控制單元510、輸入/輸出單元520、存儲(chǔ)單元530、接口單元540和總線550?？刂茊卧?10、輸入/輸出單元520、存儲(chǔ)單元530和接口單元540通過(guò)總線550彼此連接。控制單元510可以包括例如微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器和微控制器中的至少之ο輸入/輸出單元520可以從電氣和電子設(shè)備500的外部接收數(shù)據(jù)或信號(hào)，或者可以輸出數(shù)據(jù)或信號(hào)到電氣和電子設(shè)備500的外部。輸入/輸出單元520可以包括鍵盤(pán)、鍵區(qū)(keypad)或顯示器件。存儲(chǔ)單元530可以存儲(chǔ)由控制單元510指示的命令，并可以包括諸如DRAM和閃存的各種存儲(chǔ)器。接口單元540可以通過(guò)與網(wǎng)絡(luò)通訊而交換數(shù)據(jù)。在根據(jù)當(dāng)前示例實(shí)施例的電氣和電子設(shè)備500中，控制單元510、存儲(chǔ)單元530和接口單元540中至少之一可以由半導(dǎo)體封裝1000、1000a、IOOOb和IOOOc中之一形成。也就是，分別在圖2至圖5中的每個(gè)半導(dǎo)體封裝1000、1000a、1000b和1000c可以是用于存儲(chǔ)芯片或邏輯芯片的半導(dǎo)體封裝，該存儲(chǔ)芯片或邏輯芯片構(gòu)成控制單元510、存儲(chǔ)單元530和接口單元540中至少之一。根據(jù)當(dāng)前示例實(shí)施例的電氣和電子設(shè)備500能夠用于移動(dòng)系統(tǒng)，例如PDA、便攜式電腦、網(wǎng)絡(luò)寫(xiě)字板(webtablet)、無(wú)線電話、手機(jī)、數(shù)字音樂(lè)發(fā)生器、存儲(chǔ)卡和數(shù)據(jù)傳輸或接收器。圖7A至圖7F是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的PCB的制造方法的截面圖。參照?qǐng)D7A，布線圖案120形成在充當(dāng)載體的金屬薄膜105上。金屬薄膜105可以是銅薄膜或鍍銅薄膜。金屬薄膜105也可以由不同的材料形成。布線圖案120可以通過(guò)使用掩模的鍍敷形成為具有期望的圖案。然而，布線圖案120也可以通過(guò)使用不同于鍍敷法的方法形成。布線圖案120可以由與用于形成金屬薄膜105的材料相同的材料形成，例如銅，但不限于此。布線圖案120也可以由與用于形成金屬薄膜105的金屬不同的金屬形成。參照?qǐng)D7B，通孔接觸122形成在布線圖案120的被選擇的部分上。通孔接觸122可以形成為具有考慮到體樹(shù)脂厚度的適當(dāng)?shù)母叨?，該體樹(shù)脂在后續(xù)工藝中將會(huì)與通孔接觸122結(jié)合。例如，與圖3A的半導(dǎo)體封裝1000a相似，當(dāng)通孔接觸122的上表面用作焊料球焊盤(pán)時(shí)，通孔接觸122可以形成為使得布線圖案120和通孔接觸122的結(jié)合高度與體樹(shù)脂110的厚度相似。而且，與圖4A的半導(dǎo)體封裝IOOOb相似，當(dāng)通孔接觸122的上表面用作凸塊焊盤(pán)時(shí)，由于通孔接觸122可以從體樹(shù)脂110突出，所以通孔接觸122可以形成為使得布線圖案120與通孔接觸122的結(jié)合高度大于體樹(shù)脂110的厚度。通孔接觸122可以通過(guò)使用鍍敷法由與用于形成布線圖案120的材料相同的材料也就是銅形成。然而，方法和材料不限于鍍敷法和銅，也就是，通孔接觸122可以通過(guò)使用其他材料和方法形成。參照?qǐng)D7C和圖7D，通過(guò)將通孔接觸122用力擠壓到體樹(shù)脂110上直到通孔接觸122穿過(guò)體樹(shù)脂110，形成所得產(chǎn)物。在圖7D中，布線圖案120和通孔接觸122都插入到體樹(shù)脂110中；然而，在一些情形中，可以?xún)H通孔接觸122插入到體樹(shù)脂110中。當(dāng)僅通孔接觸122插入到體樹(shù)脂110中時(shí)，僅通孔接觸122的高度相對(duì)于體樹(shù)脂110的厚度來(lái)考慮，此外，布線圖案120之間的空間可以被材料預(yù)填充以具有與布線圖案120相同的厚度。如上所述，當(dāng)通過(guò)將布線圖案120插入到體樹(shù)脂110中而在體樹(shù)脂110內(nèi)形成布線圖案120時(shí)，布線圖案120是掩埋型布線圖案；當(dāng)布線圖案120形成在體樹(shù)脂110的表面上而沒(méi)有插入到體樹(shù)脂110中時(shí)，布線圖案120是正常型布線圖案。這里，體樹(shù)脂110可以由預(yù)浸樹(shù)脂或各種其他樹(shù)脂中的任何一種形成。例如，體樹(shù)脂110可以由包含熱固環(huán)氧樹(shù)脂或熱塑環(huán)氧樹(shù)脂或填充劑的樹(shù)脂形成。參照?qǐng)D7E，當(dāng)體樹(shù)脂110與布線圖案120和通孔接觸122完全地結(jié)合時(shí)，通過(guò)蝕刻除去體樹(shù)脂110上的金屬薄膜105。參照?qǐng)D7F，在除去金屬薄膜105之后，形成阻焊劑130a和130b以完全覆蓋體樹(shù)脂110的上表面和下表面。此后，暴露通孔接觸122和布線圖案120的表面的開(kāi)口H形成在體樹(shù)脂110的將形成焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)的位置上。如果需要，鍍金襯墊可以形成在由開(kāi)口H暴露的通孔接觸122的表面上或布線圖案120的表面上。如上所述，焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)之一可以形成在布線圖案120上，而另一個(gè)可以形成在通孔接觸122上。具體地，當(dāng)通孔接觸122’如圖4A所示從體樹(shù)脂110的上表面突出時(shí)，焊料球焊盤(pán)可以形成在布線圖案120上而凸塊焊盤(pán)可以形成在通孔接觸122’上。圖8A至圖8G是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的PCB的制造方法的截面圖。該方法展示了在單個(gè)工藝中制造兩個(gè)PCB。參照?qǐng)D8A，作為載體的金屬薄膜10和10形成在粘結(jié)層101的兩個(gè)表面上。如上所述，金屬薄膜105a和105b可以是銅薄膜或鍍銅薄膜，但是不限于此。參照?qǐng)D8B，布線圖案120a和120b分別形成在金屬薄膜105a和105b上。布線圖案120a和120b可以通過(guò)使用鍍敷工藝由與金屬薄膜105a和105b相同的材料例如銅形成；然而，材料和方法不限于此。參照?qǐng)D8C，通孔接觸122a和122b分別形成在部分布線圖案120a和120b上。通孔接觸122a和122b可以通過(guò)使用鍍敷工藝由與用于形成布線圖案120的材料相同的材料形成；然而，材料和方法不限于此。此外，通孔接觸122a和122b的高度可以考慮體樹(shù)脂110的厚度而被適當(dāng)?shù)乜刂?。參照?qǐng)D8D，通過(guò)將通孔接觸122a和122b用力擠壓到體樹(shù)脂IlOa和IlOb中，通孔接觸122a和122b分別與例如預(yù)浸樹(shù)脂的體樹(shù)脂IlOa和IlOb結(jié)合。根據(jù)布線圖案120a和120b是否插入到體樹(shù)脂IlOa和IlOb中，布線圖案120a和120b可以是掩埋型布線圖案或正常型布線圖案。體樹(shù)脂IlOa和IlOb可以由預(yù)浸樹(shù)脂形成，但不限于此。參照?qǐng)D8E，在體樹(shù)脂IlOa和IlOb與布線圖案120a和120b以及通孔接觸122a和122b結(jié)合之后，在形成阻焊劑之前，通過(guò)除去粘結(jié)層101而制造兩個(gè)初級(jí)PCB(pre-PCB)IOOp0在后續(xù)工藝中，用于兩個(gè)初級(jí)PCBIOOp的工藝相同，因此，在下文將關(guān)于兩個(gè)初級(jí)PCBIOOp中的一個(gè)來(lái)描述工藝。參照?qǐng)D8F，通過(guò)蝕刻除去初級(jí)PCBIOOp的下表面上的金屬薄膜105a。參照?qǐng)D8G，在除去金屬薄膜105a之后，阻焊劑130a和130b形成為完全覆蓋體樹(shù)脂IlOa的上表面和下表面。此后，暴露布線圖案120a和通孔接觸122a的開(kāi)口H形成在焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)將所在的位置上。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的制造PCB的方法能夠在單個(gè)工藝中制造兩個(gè)PCB，從而降低了工藝成本并提高生產(chǎn)率。圖9A至圖9D是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖。參照?qǐng)D9A，形成包括一層布線圖案的PCBIOOa0PCBIOOa能夠通過(guò)參照?qǐng)D7A至圖7F或圖8A至圖8G描述的工藝制造。在當(dāng)前示例實(shí)施例中，通孔接觸122’從體樹(shù)脂110的上表面突出從而形成圖4A所示的半導(dǎo)體封裝IOOOb；然而，當(dāng)形成類(lèi)似于圖3A的半導(dǎo)體封裝1000a的半導(dǎo)體封裝時(shí)，通孔接觸122可以不從體樹(shù)脂110的上表面突出。參照?qǐng)D9B，通過(guò)使用倒裝芯片鍵合法(也就是通過(guò)凸塊250)，半導(dǎo)體芯片200與PCBIOOa結(jié)合。在當(dāng)前示例實(shí)施例中，使用倒裝芯片鍵合法。然而，半導(dǎo)體芯片200也可以通過(guò)使用如圖2所示的引線鍵合法與PCBIOOa結(jié)合。當(dāng)半導(dǎo)體芯片200通過(guò)使用引線鍵合法與PCBIOOa結(jié)合時(shí)，布線圖案120可以形成在體樹(shù)脂110的上表面上，并且暴露布線圖案120的開(kāi)口可以形成在PCBIOOa兩側(cè)的外上表面(outer-uppersurface)上。此外，用于減小與鍵合線的接觸電阻的鍍金襯墊可以形成在布線圖案120的暴露表面上。參照?qǐng)D9C，在半導(dǎo)體芯片200與PCBIOOa結(jié)合之后，通過(guò)使用密封構(gòu)件300將半導(dǎo)體芯片200密封。如上所述，密封構(gòu)件300可以通過(guò)使用MUF工藝形成，但不限于此。例如，在預(yù)先形成底填充物(其是常規(guī)方法)之后，可以通過(guò)使用外部密封樹(shù)脂來(lái)密封半導(dǎo)體芯片200。參照?qǐng)D9D，在形成密封構(gòu)件300之后，焊料球400形成在PCBIOOa的下側(cè)上。焊料球400可以在將半導(dǎo)體封裝安裝在大的外部基板諸如系統(tǒng)板的后續(xù)工藝中使用。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是應(yīng)當(dāng)理解，可以在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化而不脫離權(quán)利要求的精神和范圍。本申請(qǐng)要求于2010年2月25日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2010-0017197的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。權(quán)利要求1.一種印刷電路板，包括體樹(shù)脂層，具有下表面和上表面；布線圖案，在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和所述下表面之一上或在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和所述下表面之一內(nèi)；至少一個(gè)通孔接觸，從所述布線圖案穿過(guò)所述體樹(shù)脂層延伸；以及阻焊劑，在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和所述下表面上，所述阻焊劑定義與焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)中至少之一相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，所述焊料球焊盤(pán)和所述凸塊焊盤(pán)配置為將所述印刷電路板耦接至一裝置，其中如果所述焊料球焊盤(pán)在所述布線圖案上，則所述凸塊焊盤(pán)在所述至少一個(gè)通孔接觸上，如果所述凸塊焊盤(pán)在所述布線圖案上，則所述焊料球焊盤(pán)在所述至少一個(gè)通孔接觸上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其中如果所述布線圖案在所述體樹(shù)脂層的所述上表面上，則所述凸塊焊盤(pán)在所述布線圖案中，而如果所述布線圖案在所述體樹(shù)脂層的所述下表面上，則所述焊料球焊盤(pán)在所述布線圖案中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其中如果所述布線圖案在所述體樹(shù)脂層的所述下表面上，則所述至少一個(gè)通孔接觸從所述體樹(shù)脂層的所述上表面突出。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其中所述體樹(shù)脂層是包括預(yù)浸樹(shù)脂、熱固環(huán)氧樹(shù)脂、熱塑環(huán)氧樹(shù)脂或填充劑中至少之一的樹(shù)脂。5.一種半導(dǎo)體封裝，包括印刷電路板，所述印刷電路板包括體樹(shù)脂層，具有下表面和上表面；布線圖案，在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和所述下表面之一上或在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和所述下表面之一內(nèi)；至少一個(gè)通孔接觸，從所述布線圖案穿過(guò)所述體樹(shù)脂層延伸；和阻焊劑，在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和所述下表面上，所述阻焊劑定義與焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)中至少之一相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，所述焊料球焊盤(pán)和所述凸塊焊盤(pán)配置為將所述印刷電路板耦接至一裝置，其中如果所述焊料球焊盤(pán)在所述布線圖案上，則所述凸塊焊盤(pán)在所述至少一個(gè)通孔接觸上，如果所述凸塊焊盤(pán)在所述布線圖案上，則所述焊料球焊盤(pán)在所述至少一個(gè)通孔接觸上；半導(dǎo)體芯片，通過(guò)引線鍵合或倒裝芯片鍵合連接到所述印刷電路板；以及密封構(gòu)件，配置為密封所述半導(dǎo)體芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中如果所述布線圖案在所述體樹(shù)脂層的所述上表面上，則所述凸塊焊盤(pán)形成在所述布線圖案中，而如果所述布線圖案在所述體樹(shù)脂層的所述下表面上，則所述焊料球焊盤(pán)在所述布線圖案中。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中如果所述布線圖案在所述體樹(shù)脂層的所述下表面上，則所述至少一個(gè)通孔接觸從所述體樹(shù)脂層的所述上表面突出，并且所述半導(dǎo)體芯片通過(guò)所述凸塊焊盤(pán)中的微凸塊連接到所述至少一個(gè)通孔接觸。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述密封構(gòu)件是單一材料。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述密封構(gòu)件包括覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的外側(cè)的外部密封樹(shù)脂以及在所述半導(dǎo)體芯片與所述印刷電路板之間的空間中的底填充物。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中焊料球形成在所述印刷電路板的下表面上的所述焊料球焊盤(pán)中。11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述半導(dǎo)體芯片包括存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片中至少之一。12.一種電氣和電子設(shè)備，包括輸入/輸出單元，配置為接收和輸出數(shù)據(jù)；接口單元，配置為接收和發(fā)送所述數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)單元，配置為存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)；控制單元，配置為至少控制所述輸入/輸出單元和所述接口單元；以及總線，配置為在所述輸入/輸出單元、所述接口單元、所述存儲(chǔ)單元和所述控制單元之間傳輸所述數(shù)據(jù)；其中所述接口單元、所述存儲(chǔ)單元和所述控制單元中至少之一包括半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝具有印刷電路板，該印刷電路板包括體樹(shù)脂層，具有下表面和上表面；布線圖案，在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和下表面之一上或在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和下表面之一內(nèi)；至少一個(gè)通孔接觸，從所述布線圖案穿過(guò)所述體樹(shù)脂層延伸；和阻焊劑，在所述體樹(shù)脂層的所述上表面和所述下表面上，所述阻焊劑定義與焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)中至少之一相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，所述焊料球焊盤(pán)和所述凸塊焊盤(pán)配置為將所述印刷電路板耦接至一裝置，其中如果所述焊料球焊盤(pán)在所述布線圖案上，則所述凸塊焊盤(pán)位于所述至少一個(gè)通孔接觸上，如果所述凸塊焊盤(pán)在所述布線圖案上，則所述焊料球焊盤(pán)位于所述至少一個(gè)通孔接觸上；和半導(dǎo)體芯片，通過(guò)引線鍵合或倒裝芯片鍵合連接到所述印刷電路板；和密封構(gòu)件，配置為密封所述半導(dǎo)體芯片。13.一種制造印刷電路板的方法，包括形成至少一個(gè)金屬膜；在所述至少一個(gè)金屬膜上形成布線圖案；在所述布線圖案的一部分上形成至少一個(gè)通孔接觸；在所述至少一個(gè)通孔接觸和所述布線圖案上形成體樹(shù)脂層；除去所述至少一個(gè)金屬膜；以及在所述體樹(shù)脂層的上表面和下表面上涂敷阻焊劑。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述布線圖案和形成所述至少一個(gè)通孔接觸包括鍍敷。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述至少一個(gè)金屬膜包括在粘結(jié)層的兩個(gè)表面上形成兩個(gè)金屬膜。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述體樹(shù)脂層包括將所述體樹(shù)脂層擠壓到所述布線圖案和所述至少一個(gè)通孔接觸的上表面上，使得所述至少一個(gè)通孔接觸穿過(guò)所述體樹(shù)脂層。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括在所述布線圖案中形成焊料球焊盤(pán)或凸塊焊盤(pán)，其中，如果所述焊料球焊盤(pán)形成在所述布線圖案中，則所述至少一個(gè)通孔接觸的暴露表面對(duì)應(yīng)于所述凸塊焊盤(pán)，而如果所述凸塊焊盤(pán)形成在所述布線圖案中，則所述至少一個(gè)通孔接觸的暴露表面對(duì)應(yīng)于所述焊料球焊ο18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中如果所述至少一個(gè)通孔接觸的暴露表面對(duì)應(yīng)于所述凸塊焊盤(pán)，則形成所述至少一個(gè)通孔接觸將所述至少一個(gè)通孔接觸形成為從所述體樹(shù)脂層突出。19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中涂敷所述阻焊劑包括形成對(duì)應(yīng)于焊料球焊盤(pán)或凸塊焊盤(pán)的開(kāi)口。20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述體樹(shù)脂層包括預(yù)浸樹(shù)脂、熱固環(huán)氧樹(shù)脂、熱塑環(huán)氧樹(shù)脂或填充劑。21.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括形成印刷電路板，所述印刷電路板的形成包括形成至少一個(gè)金屬膜；在所述至少一個(gè)金屬膜上形成布線圖案；在部分所述布線圖案上形成至少一個(gè)通孔接觸；在所述至少一個(gè)通孔接觸和所述布線圖案上形成體樹(shù)脂層；除去所述至少一個(gè)金屬膜；和在所述體樹(shù)脂層的上表面和下表面上涂敷阻焊劑；通過(guò)引線鍵合或倒裝芯片鍵合在所述印刷電路板上安裝半導(dǎo)體芯片；和形成密封構(gòu)件以密封所述半導(dǎo)體芯片。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述密封構(gòu)件包括模塑底部填充工藝。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述密封構(gòu)件包括在所述半導(dǎo)體芯片與所述印刷電路板之間的空間中填充底填充物；和形成密封所述半導(dǎo)體芯片的外側(cè)的外部密封樹(shù)脂。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中如果所述半導(dǎo)體芯片通過(guò)倒裝芯片鍵合法安裝，則安裝所述半導(dǎo)體芯片包括使用凸塊焊盤(pán)將所述半導(dǎo)體芯片與所述至少一個(gè)通孔接觸纟口口。25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，還包括在形成所述密封構(gòu)件之后在焊料球焊盤(pán)中形成焊料球。26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述布線圖案和形成所述至少一個(gè)通孔接觸包括鍍敷。27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述至少一個(gè)金屬膜包括在粘結(jié)層的兩個(gè)表面上形成兩個(gè)金屬膜。28.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述體樹(shù)脂層包括將所述體樹(shù)脂層擠壓到所述布線圖案和所述至少一個(gè)通孔接觸的上表面上，使得所述至少一個(gè)通孔接觸穿過(guò)所述體樹(shù)脂層。29.一種制造至少兩個(gè)印刷電路板的方法，包括在粘結(jié)膜的第一側(cè)上形成第一金屬膜；在所述粘結(jié)膜的第二側(cè)上形成第二金屬膜；在所述第一金屬膜和所述第二金屬膜上分別形成布線圖案；在部分所述布線圖案上形成通孔接觸；在所述第一金屬膜和所述第二金屬膜上分別形成體樹(shù)脂層；和除去所述粘結(jié)膜。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，還包括在除去所述粘結(jié)膜之后除去所述第一金屬膜和所述第二金屬膜。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，還包括在所述體樹(shù)脂層的上表面和下表面上涂敷阻焊劑。全文摘要本發(fā)明提供了印刷電路板(PCB)和半導(dǎo)體封裝及其制造方法及電氣和電子設(shè)備。該P(yáng)CB包括布線圖案，通過(guò)簡(jiǎn)化PCB的結(jié)構(gòu)，該P(yáng)CB具有低的處理成本和高產(chǎn)量，并且在進(jìn)行倒裝芯片鍵合工藝時(shí)能提高微凸塊的可靠性和連接特性。該P(yáng)CB包括具有上表面和下表面的體樹(shù)脂層；布線圖案，在體樹(shù)脂層的上表面和下表面之一上或中；至少一個(gè)通孔接觸，從布線圖案穿過(guò)體樹(shù)脂層延伸；以及阻焊劑，在體樹(shù)脂層的上表面和下表面上，阻焊劑的開(kāi)口對(duì)應(yīng)于焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)中的至少一個(gè)，焊料球焊盤(pán)和凸塊焊盤(pán)配置為將PCB耦接到半導(dǎo)體芯片。如果焊料球焊盤(pán)在該一層布線圖案上，則凸塊焊盤(pán)在通孔接觸上，如果凸塊焊盤(pán)在該布線圖案上，則焊料球焊盤(pán)在通孔接觸上。文檔編號(hào)H05K1/11GK102196663SQ20111004601公開(kāi)日2011年9月21日申請(qǐng)日期2011年2月25日優(yōu)先權(quán)日2010年2月25日發(fā)明者樸泰成,李镕官,金沅槿申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社