專利名稱：工藝腔室裝置和具有該工藝腔室裝置的外延設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種工藝腔室裝置和具有該工藝腔室裝置的外延設備。
背景技術：
外延設備，即用于在襯底上生長外延層的設備，例如MOCVD設備，是生產(chǎn)LED (發(fā)光二極管)外延片的關鍵設備。通過調(diào)整工藝氣體和工藝時間，利用外延設備可以在LED襯底片上沉積各種薄膜，包括決定LED芯片發(fā)光性能的多量子阱結構。在沉積多量子阱的工藝過程中，為了保證薄膜的均勻性，一般對襯底表面的溫度均勻性要求極高。外延設備的工藝時間一般較長，較為典型的情況是，5-6個小時才能完成一個完整的工藝過程。為了提高外延設備的生產(chǎn)效率，傳統(tǒng)上采用同時可以擺放多片襯底片的大托 盤，其中在一片石墨大托盤上安裝多個小托盤，小托盤可以圍繞自己的中心自轉，同時大托盤也可以圍繞工藝腔室中心進行自轉。襯底片被均勻地擺放在小托盤的上面，托盤的加熱機構一般安裝在大托盤的下面。但是，由于小托盤的自轉機構的結構較為復雜，具有容易失效的缺點，影響了外延設備的生產(chǎn)效率。此外，如圖3所示，還提出了多層托盤方式，其中在工藝腔室的外石英壁500’上安裝感應線圈4’。在工藝腔室的內(nèi)部擺放水平排列的多層石墨托盤2’。感應線圈4’和中高頻的RF電源連接，由于感應線圈4’產(chǎn)生的隨時間變化的磁場會在石墨托盤2’的表面誘導感應電流，從而達到加熱托盤2’的效果。其中，在腔體中心部安裝有工藝氣體的進氣系統(tǒng)3’。為了防止工藝氣體的熱分解和預反應，一般在進氣系統(tǒng)3’上都安裝有水冷系統(tǒng)(圖中未示出)。在相對于各層石墨托盤2’的高度位置處，進氣系統(tǒng)3’的筒狀部件的四周開有出氣孔。工藝氣體和載氣在通過石墨托盤2’之間的空間后，流入石墨套筒400’上的排氣孔401’，最終通過工藝腔室外石英壁500’和石墨套筒400’之間的間隙被排氣系統(tǒng)經(jīng)由頂蓋100’和底蓋200’上的排氣孔而排出到工藝腔室外。然而，由于多托盤結構需要使用感應線圈加熱，石墨托盤2’的溫度場會存在一個徑向的梯度，因此石墨托盤2’的外圈相對于內(nèi)圈的溫度較高。在沒有通入工藝氣體的條件下，當石墨托盤2’的外邊緣達到1000攝氏度的時候，距離外邊緣50mm的托盤內(nèi)圈的溫度為994攝氏度。上述的溫度差可能會造成不均勻的工藝結果，從而增加了襯底片的溫度均勻性的控制難度。此外，石墨套筒400’被其外側的感應線圈加熱，而同時由于石墨套筒400’的內(nèi)表面接觸工藝腔室內(nèi)的工藝環(huán)境，這就會造成工藝的副產(chǎn)物在石墨套筒400’的內(nèi)壁上的沉積。當沉積的副產(chǎn)物達到一定的厚度時，會帶來對工藝環(huán)境的不良影響。所以說套筒400’是需要定期維護的。由于在維護套筒400’的時候工藝腔室不能工作，這樣就會對設備的生產(chǎn)效率造成影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決上述技術問題之一。
為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種能有效改善徑向溫度場分布均勻性的工藝
腔室裝置。本發(fā)明的另一個目的在于提出一種能有效降低維護頻率和維護成本、改善工藝腔室內(nèi)溫度分布均勻性的外延設備。為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的工藝腔室裝置，包括頂蓋和底蓋；內(nèi)石英筒，所述內(nèi)石英筒設在所述頂蓋和所述底蓋之間且由所述內(nèi)石英筒與所述頂蓋和底蓋限定出工藝腔室，其中所述內(nèi)石英筒上設有排氣孔；石墨套筒，所述石墨套筒設在所述頂蓋和底蓋之間且套設在所述內(nèi)石英筒外側，所述石墨套筒與所述內(nèi)石英筒之間限定出與外界連通的排氣通道，且所述排氣通道通過所述排氣孔與所述工藝腔室連通；和外石英筒，所述外石英筒設在所述頂蓋和底蓋之間且套設在所述石墨套筒外側，所述外石英筒與所述石墨套筒之間限定出與外界連通的冷卻通道。根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室裝置，可以通過在石墨套筒和外石英筒之間導入冷卻介質(zhì)的方式來調(diào)節(jié)石墨套筒的筒壁溫度，進而可以改善工藝腔室內(nèi)的溫度場分布，·最終實現(xiàn)了工藝腔室內(nèi)的徑向溫度的均勻性，從而實現(xiàn)了襯底的溫度均勻性。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室，工藝的副產(chǎn)物一般不會(或者很少)沉積在內(nèi)石英筒的表面上因此內(nèi)石英筒不會對工藝腔室內(nèi)的工藝環(huán)境造成不良影響。另外，進入內(nèi)石英筒和石墨套筒之間的氣體(未反應的工藝氣體、反應副產(chǎn)物、以及載氣的混合氣體)會通過排氣通道而被排氣系統(tǒng)迅速排出，即其在石墨套筒和內(nèi)石英筒之間的停歇時間較短，從而也會減少上述工藝副產(chǎn)物在石墨套筒的筒壁上的沉積，其結果，減少了石墨套筒的維護次數(shù)和維護成本，并有利提高外延設備的生產(chǎn)效率。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室裝置，還可以具有如下附加的技術特征根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的工藝腔室裝置，還包括中間石英筒，所述中間石英筒設在所述頂蓋和底蓋之間且套設在所述內(nèi)石英筒與所述石墨套筒之間以隔離所述內(nèi)石英筒與所述石墨套筒，所述中間石英筒與所述內(nèi)石英筒之間限定出所述排氣通道。所述排氣通道可以通過形成在所述頂蓋和所述底蓋至少之一上的通氣孔與外界連通。所述冷卻通道可以通過形成在所述頂蓋上的第一冷卻通孔和形成在所述底蓋上的第二冷卻通孔與外界連通。為了更利于改善工藝腔室內(nèi)的溫度場分布以及工藝氣體分布的均勻性，所述內(nèi)石英筒、外石英筒和所述石墨套筒可以均形成為圓筒。其中，為了加快將未反應的工藝氣體、反應副產(chǎn)物、以及載氣的混合氣體從工藝腔室排出的效率，所述排氣孔包括沿所述內(nèi)石英筒的軸向間隔開的多組，每一組內(nèi)的排氣孔沿所述內(nèi)石英筒的周向分布在所述內(nèi)石英筒的壁上。進一步地，為了使工藝腔室內(nèi)的環(huán)境更趨均勻穩(wěn)定，所述每一組內(nèi)的排氣孔沿所述內(nèi)石英筒的周向均勻分布。此外，還可以使所述多組排氣孔在所述內(nèi)石英筒的軸向上等間隔分布。此外，為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的外延設備，包括工藝腔室裝置，所述工藝腔室裝置為根據(jù)本發(fā)明第一方面的任一實施例的工藝腔室裝置；多層托盤，所述多層托盤沿所述工藝腔室裝置的軸向彼此間隔開設置在所述工藝腔室裝置的工藝腔室內(nèi)；進氣組件，所述進氣組件設置在所述工藝腔室裝置上，用于向所述工藝腔室內(nèi)供氣；和感應線圈，所述感應線圈沿周向繞設在所述外石英筒的外側。根據(jù)本發(fā)明實施例的外延設備，由于采用了本發(fā)明第一方面實施例的工藝腔室裝置，在不會大幅提高設備成本的情況下，可以顯著地改善石墨托盤的徑向溫度均勻性，從而改善了置于石墨托盤上的襯底的溫度均勻性，進而改善了形成于襯底上的外延層的均勻性。此外，還可以有效地減少設備的維護頻率和維護成本，并可以顯著地提高生產(chǎn)效率。其中，為了迅速有效地將設置在多層托盤上的襯底周圍的工藝副產(chǎn)物等排出工藝腔室，在所述工藝腔室裝置的軸向上可以使所述工藝腔室裝置的所述多組排氣孔分別與所述多層托盤對應。本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖I是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的外延設備的結構示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的外延設備的結構示意圖；和圖3是現(xiàn)有外延設備的結構示意圖。
具體實施例方式下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發(fā)明中的具體含義。下面，參考圖I和圖2說明根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝腔室裝置，圖I和圖2示出了包括本發(fā)明實施例的工藝腔室裝置的外延設備。如圖I所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝腔室裝置，包括頂蓋100和底蓋200、內(nèi)石英筒300、石墨套筒400和外石英筒500。
具體而言，內(nèi)石英筒300設在頂蓋100和底蓋200之間且由內(nèi)石英筒300與頂蓋100和底蓋200限定出工藝腔室，其中內(nèi)石英筒300上設有排氣孔301 ;石墨套筒400設在頂蓋100和底蓋200之間且套設在內(nèi)石英筒300外側，石墨套筒400與內(nèi)石英筒300之間限定出與外界連通的排氣通道EP，且排氣通道EP通過排氣孔301與所述工藝腔室連通；夕卜石英筒500設在頂蓋100和底蓋200之間且套設在石墨套筒400外側，外石英筒500與石墨套筒400之間限定出與外界連通的冷卻通道CC。根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室，相比于圖3所示的現(xiàn)有技術而言，在石墨套筒400內(nèi)側增加了一個內(nèi)石英筒300，并在石墨套筒400和外石英壁500之間增加了冷卻通道CC，該冷卻通道CC和排氣通道EP被石墨套筒400隔開并相互密封。由此，可以通過在石墨套筒400和外石英筒500之間導入冷卻介質(zhì)的方式來調(diào)節(jié)石墨套筒400的筒壁溫度進而
改善工藝腔室內(nèi)的溫度場分布，由此改善了工藝腔室內(nèi)的徑向溫度的均勻性，最終實現(xiàn)了置于工藝腔室內(nèi)的襯底的徑向溫度的均勻性。關于冷卻介質(zhì)，例如可以使用冷卻空氣、溫度經(jīng)調(diào)節(jié)的氮氣等。另外，通過調(diào)節(jié)冷卻氣體的流量、壓力和溫度，可以根據(jù)需要方便、有效地控制石墨套筒的溫度，并通過實驗驗證了通過上述改進可以在石墨托盤徑向方向獲得一個滿足外延設備對2寸襯底片溫度均勻性需求的一個區(qū)域。關于冷卻氣體的流量、壓力的調(diào)節(jié)方法，例如可以采用常用的壓力調(diào)節(jié)閥、MFC來控制冷卻氣體的流量和壓力。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室裝置，由于在石墨套筒400內(nèi)側增加了一個內(nèi)石英筒300且該內(nèi)石英筒上形成有排氣孔301，在使用中，工藝氣體可以通過這些排氣孔301而由排氣系統(tǒng)排出工藝腔室。由于石英具有不易被感應線圈加熱，也不易吸收輻射熱的特性，所以內(nèi)石英筒300的管壁溫度會顯著低于工藝溫度，也不會促進工藝副產(chǎn)物的產(chǎn)生。從而，工藝的副產(chǎn)物一般不會(或者很少)會沉積在內(nèi)石英筒300的表面上且內(nèi)石英筒300也不會對工藝腔室內(nèi)的工藝環(huán)境造成不良影響。另外，進入內(nèi)石英筒300和石墨套筒400之間的氣體(未反應的工藝氣體、反應副產(chǎn)物、以及載氣的混合氣體)會通過排氣通道EP而被排氣系統(tǒng)迅速排出，即其在石墨套筒400和內(nèi)石英筒300之間的停歇時間較短，從而也會減少上述工藝副產(chǎn)物在石墨套筒400的筒壁上的沉積，由此減少了石墨套筒400的維護頻率和維護成本，并有利于提高外延設備的生產(chǎn)效率。并且，該結構的工藝腔室裝置由于可以顯著減少工藝副產(chǎn)物在石墨套筒的筒壁上的沉積，因此可以大幅減少石墨套筒的維護頻率和維護成本，從而可以顯著提高生產(chǎn)效率。排氣通道EP可以通過形成在頂蓋100和底蓋200至少之一上的通氣孔101與外界連通。當然，為了提高排氣效率、改善工藝腔室內(nèi)的氣體分布均勻性，可以在頂板100和底板200上均勻地形成有多組通氣孔101。另外，冷卻通道CC可以通過形成在頂蓋100上的第一冷卻通孔102和形成在底蓋200上的第二冷卻通孔202與外界連通。當然，為了提高冷卻效率、進一步改善工藝腔室內(nèi)的溫度分布均勻性，由此改善了置于工藝腔室內(nèi)的襯底的溫度均勻性，可以在頂板100和底板200上均勻地形成有多組第一冷卻通孔102和第二冷卻通孔202。為了更利于改善工藝腔室內(nèi)的溫度場分布以及工藝氣體分布的均勻性，內(nèi)石英筒300、外石英筒500和石墨套筒400可以均形成為圓筒。另外，為了加快將未反應的工藝氣體、反應副產(chǎn)物、以及載氣的混合氣體從工藝腔室排出的效率，內(nèi)石英筒300上的排氣孔301包括沿上下方向(圖I和2中的上下方向，即所述內(nèi)石英筒的軸向)間隔開的多組，每一組內(nèi)的排氣孔301沿所述內(nèi)石英筒的周向分布在內(nèi)石英筒300的壁上。進一步地，為了使工藝腔室內(nèi)的環(huán)境更趨均勻穩(wěn)定，每一組內(nèi)的排氣孔301可以沿所述內(nèi)石英筒的周向均勻分布。此外，還可以使多組排氣孔301在上下方向等間隔分布。另外，如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的工藝腔室裝置還包括中間石英筒600，該中間石英筒600設在頂100和底蓋200之間且套設在內(nèi)石英筒300與石墨套筒400之間以隔離內(nèi)石英筒300與石墨套筒400，且中間石英筒600與內(nèi)石英筒300之間限定出排氣通道EP。由此，通過中石英筒600可以把石墨套筒400與工藝腔室內(nèi)的工藝氣體完全隔離，工藝的副產(chǎn)物也不會沉積在石墨套筒400的表面上，從而省卻了石墨套筒400的維護成本和維護時間。即使工藝副產(chǎn)物的一部分沉積在中石英筒600的表面，如上所述由于中石英筒600不是一個熱壁，沉積的副產(chǎn)物可以通過特殊溶劑來清洗(或者人工擦拭)去除，相對于清理石墨表面的沉積物(去除沉積在石墨套筒(熱壁)上的工藝副產(chǎn)物的方式通常需要烘烤爐和清洗設備)來說不僅可以大大縮短處理時間，而且可以顯著提高生產(chǎn)效率、降 低設備維護成本。需要說明的是，雖然在圖2中示出了中間石英筒600和石墨套筒400間隔開設置，但本發(fā)明并不限于此，例如中間石英筒600還可以貼合在石墨套筒400的內(nèi)壁上。下面描述根據(jù)本發(fā)明實施例的外延設備，根據(jù)本發(fā)明實施例的外延設備例如可以為CVD (化學氣相沉積)設備、MOCVD (金屬有機化學氣相沉積)設備、HVPE (氫化物氣相外延)設備等。如圖I和圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的外延設備，包括工藝腔室裝置、多層托盤2、進氣組件3和感應線圈4。具體而言，所述工藝腔室裝置可以為參考本發(fā)明上述實施例描述的工藝腔室裝置。多層托盤2沿上下方向(圖1-2中的上下方向，即所述內(nèi)石英筒的軸向)彼此間隔開設置在所述工藝腔室裝置的工藝腔室內(nèi)。進氣組件3設置在所述工藝腔室裝置上并與外界氣源相通(未圖示)，用于向所述工藝腔室內(nèi)供氣，進氣組件3可以采用已知的進氣組件，例如，進氣組件3可以包括設置在工藝腔室內(nèi)進氣本體，所述進氣本體內(nèi)設有氣體通道，所述氣體通道可以包括保護氣體通道和工藝氣體通道，相應地，在底蓋200內(nèi)設有將保護氣體通道與工藝腔室的外部連通的保護氣體連通通道31和將工藝氣體通道與工藝腔室的外部連通的工藝氣體連通通道32，如圖I和2所示，在頂蓋100上還可以設有上部保護氣體供給部件103，所述上部保護氣體供給部件設置在頂蓋100上且伸入所述工藝腔室內(nèi)，以便將來自于外部氣源的保護氣體從工藝腔室上部供給到工藝腔室內(nèi)。需要理解的是，進氣組件3并不限于上述示例，進氣組件3可以為能夠將氣體供給到工藝腔室內(nèi)的任何合適的進氣組件，例如可以直接為形成在頂蓋100和/或底蓋200內(nèi)的供氣通道和供氣孔，這對于本領域的普通技術人員都是可以理解的，這里不再詳細描述。感應線圈4沿周向繞設在外石英筒500的外側。根據(jù)本發(fā)明實施例的外延設備，在不顯著增加設備成本的情況下，可以顯著地改善石墨托盤的徑向溫度均勻性，進而可以顯著改善置于石墨托盤上的襯底的徑向溫度均勻性，從而能夠提高形成于襯底上的外延層的均勻性。此外，還可以有效地減少設備的維護頻率和維護成本，并可以顯著地提高生產(chǎn)效率。
其中，為了迅速有效地將設置在多層托盤2上的襯底周圍的工藝副產(chǎn)物等排出工藝腔室，在上下方向上可以使所述工藝腔室裝置的多組排氣孔301分別與多層托盤2對應。根據(jù)本發(fā)明實施例的外延設備的其他部件和功能對于本領域的技術人員而言是已知的，這里不再詳細描述。在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領域的普通技術人員可以理解在不 脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權利要求及其等同物限定。
權利要求
1.一種エ藝腔室裝置，其特征在于，包括 頂蓋和底蓋； 內(nèi)石英筒，所述內(nèi)石英筒設在所述頂蓋和所述底蓋之間且由所述內(nèi)石英筒與所述頂蓋和底蓋限定出エ藝腔室，其中所述內(nèi)石英筒上設有排氣孔； 石墨套筒，所述石墨套筒設在所述頂蓋和底蓋之間且套設在所述內(nèi)石英筒外側，所述石墨套筒與所述內(nèi)石英筒之間限定出與外界連通的排氣通道，且所述排氣通道通過所述排氣孔與所述エ藝腔室連通；和 外石英筒，所述外石英筒設在所述頂蓋和底蓋之間且套設在所述石墨套筒外側，所述外石英筒與所述石墨套筒之間限定出與外界連通的冷卻通道。
2.根據(jù)權利要求I所述的エ藝腔室裝置，其特征在于，還包括中間石英筒，所述中間石英筒設在所述頂蓋和底蓋之間且套設在所述內(nèi)石英筒與所述石墨套筒之間以隔離所述內(nèi)石英筒與所述石墨套筒，所述中間石英筒與所述內(nèi)石英筒之間限定出所述排氣通道。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的エ藝腔室裝置，其特征在于，所述排氣通道通過形成在所述頂蓋和所述底蓋至少之ー上的通氣孔與外界連通。
4.根據(jù)權利要求I或2所述的エ藝腔室裝置，其特征在于，所述冷卻通道通過形成在所述頂蓋上的第一冷卻通孔和形成在所述底蓋上的第二冷卻通孔與外界連通。
5.根據(jù)權利要求I或2所述的エ藝腔室裝置，其特征在于，所述內(nèi)石英筒、外石英筒和所述石墨套筒均形成為圓筒。
6.根據(jù)權利要求I所述的エ藝腔室裝置，其特征在于，所述排氣孔包括沿所述內(nèi)石英筒的軸向間隔開的多組，每ー組內(nèi)的排氣孔沿所述內(nèi)石英筒的周向分布在所述內(nèi)石英筒的壁上。
7.根據(jù)權利要求6所述的エ藝腔室裝置，其特征在于，所述每ー組內(nèi)的排氣孔沿所述內(nèi)石英筒的周向均勻分布。
8.根據(jù)權利要求6所述的エ藝腔室裝置，其特征在于，所述多組排氣孔在所述內(nèi)石英筒的軸向上等間隔分布。
9.ー種外延設備，其特征在于，包括 エ藝腔室裝置，所述エ藝腔室裝置為根據(jù)權利要求1-8中任一項所述的エ藝腔室裝置； 多層托盤，所述多層托盤沿所述エ藝腔室裝置的軸向彼此間隔開設置在所述エ藝腔室裝置的エ藝腔室內(nèi)； 進氣組件，所述進氣組件設置在所述エ藝腔室裝置上，用于向所述エ藝腔室內(nèi)供氣；和 感應線圈，所述感應線圈沿周向繞設在所述外石英筒的外側。
10.根據(jù)權利要求9所述的外延設備，其特征在于，所述エ藝腔室裝置的所述多組排氣孔在所述エ藝腔室裝置的軸向上分別與所述多層托盤對應。
全文摘要
本發(fā)明公開了工藝腔室裝置和具有該工藝腔室裝置的外延設備。所述工藝腔室裝置包括頂蓋和底蓋；設在頂蓋和底蓋之間的內(nèi)石英筒，由內(nèi)石英筒與頂蓋和底蓋限定出工藝腔室，其中內(nèi)石英筒上設有排氣孔；設在頂蓋和底蓋之間且套設在內(nèi)石英筒外側的石墨套筒，石墨套筒與內(nèi)石英筒之間限定出與外界連通的排氣通道，且排氣通道通過排氣孔與工藝腔室連通；和設在頂蓋和底蓋之間且套設在石墨套筒外側的外石英筒，外石英筒與石墨套筒之間限定出與外界連通的冷卻通道。根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝腔室，可以改善工藝腔室內(nèi)的溫度場分布，最終實現(xiàn)了工藝腔室內(nèi)進而襯底的徑向溫度的均勻性，并減少了石墨套筒的維護次數(shù)和維護成本。
文檔編號C30B25/14GK102691100SQ201110069879
公開日2012年9月26日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權日2011年3月22日
發(fā)明者周衛(wèi)國 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司