專利名稱：工藝腔室裝置和具有該工藝腔室裝置的基片處理設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及工藝腔室裝置和具有該工藝腔室裝置的基片處理設備。
背景技術：
基片處理設備，即用于在襯底上生長外延層的設備，例如MOCVD設備，是生產LED(發(fā)光二極管)外延片的關鍵設備。通過改變工藝氣體和調整工藝時間，利用基片處理設備可以在LED襯底上沉積各種薄膜，包括決定LED芯片發(fā)光性能的多量子阱結構。在沉積多量子阱的工藝過程中，為了保證薄膜的均勻性，一般對襯底表面的氣流場和溫度場的均勻性要求極高。作為基片處理設備，可以采用同時能夠擺放多片襯底的大托盤，其中在一片大托盤上安裝多個小托盤，襯底被均勻地擺放在小托盤上，大托盤圍繞工藝腔室中心進行自轉的同時小托盤圍繞自己的中心自轉。作為該基片處理設備的進氣系統(tǒng)，通常采用中央進氣 四周排氣的方式。中央進氣結構雖然具有體積小的優(yōu)點，但是由于可用空間有限，大托盤需要高速旋轉才能在托盤的表面形成一個穩(wěn)定而且均勻的氣流場。然而，要想在真空中對大托盤進行高速旋轉，其操作難度較高，而且還會直接影響整個設備的使用壽命，從而導致生產成本增加。針對于此，提出采用了上部噴淋頭進氣的方式。具體地，擺放襯底的大托盤被安放在反應腔的中部，在襯底與上部的噴淋頭之間有一定的距離。但是細小的噴淋口非常容易被化學反應的副產物堵塞。為了防止上述的問題，可以考慮采用加快工藝氣體的出口流速以及加快大托盤轉速的方式來避免，但這將進一步引發(fā)工藝氣體利用率低的問題。此外，為了提高生產效率，作為工藝腔室結構還提出了多層托盤方式。其中，在腔體中心部安裝有工藝氣體的進氣系統(tǒng)。該系統(tǒng)同樣需要使多層托盤高速旋轉才能在托盤的表面形成一個穩(wěn)定而且均勻的氣流場，由此也同樣存在操作難度高、直接影響整個設備的壽命的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明旨在至少解決上述技術問題之一。為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種工藝腔室裝置，該工藝腔室裝置在滿足外延工藝對氣流場的均勻性的要求的同時具有結構簡單、易操作、有利于降低基片處理設備的使用成本。本發(fā)明的另一個目的在于提出一種基片處理設備。為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的工藝腔室裝置，包括腔室本體，所述腔室本體內限定有工藝腔，所述腔室本體的頂壁和底壁中的至少一個的中部設有排氣口，所述腔室本體的周壁內設有進氣通道，所述進氣通道具有與外界連通的進氣口，所述腔室本體的周壁上設有將所述進氣通道與所述工藝腔連通的分配孔；和托盤，所述托盤設置在所述工藝腔內。
根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝腔室裝置，可以有效地降低工藝氣體在到達襯底表面上方之前由于預反應、熱分解等所導致的消耗，從而可以提高工業(yè)氣體的利用率，并且有利于化學反應的副產物被快速排出，從而可以提高襯底表面外延層的質量的同時有利于降低基片處理設備的維護成本和使用成本。此外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室還具有結構簡單、易操作的特點。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室裝置，還可以具有如下附加的技術特征在本發(fā)明的一些實施例中，所述排氣口設 在所述腔室本體的頂壁和底壁中的至少一個的中心處。在本發(fā)明的一些實施例中，所述腔室本體包括限定出所述頂壁的頂蓋、限定出所述底壁的基座和限定出所述周壁的筒體，所述頂蓋和基座分別安裝在所述筒體的上端和下端。在本發(fā)明的一些實施例中，所述進氣口為設在所述頂蓋和/或所述基座中的至少一個通孔。在本發(fā)明的一些實施例中，所述腔室本體的周壁內還形成有用于冷卻所述腔室本體的冷卻通道，所述冷卻通道具有進口和出口。在本發(fā)明的一些實施例中，所述筒體包括內筒體和外筒體，所述外筒體套設在所述內筒體外側，所述進氣通道由所述內筒體與所述外筒體之間的環(huán)形空間構成。在本發(fā)明的一些實施例中，所述冷卻通道形成在所述外筒體內。在本發(fā)明的一些實施例中，所述腔室本體的周壁內還設有與所述工藝腔連通的保護氣體通孔，所述腔室本體的頂壁和底壁中的至少一個的外周沿位置處設有保護氣體進入孔，所述保護氣體進入孔與所述保護氣體通孔連通以將所述工藝腔與外界連通。在本發(fā)明的一些實施例中，該工藝腔室裝置還包括整流板，所述整流板設在所述工藝腔的內部；整流板驅動機構，所述整流板驅動機構與所述整流板相連以驅動所述整流板旋轉；和整流板升降機構，所述整流板升降機構且與所述整流板相連以升降所述整流板，所述排氣口形成在所述腔室本體的底壁上，所述托盤為一個且設在所述工藝腔內，其中所述托盤與所述整流板面對。在本發(fā)明的一些實施例中，所述整流板的與所述托盤面對的表面包括第一環(huán)形平面區(qū)域、位于所述第一環(huán)形平面區(qū)域內側的環(huán)形斜面區(qū)域和位于所述環(huán)形斜面區(qū)域的第二環(huán)形平面區(qū)域。在本發(fā)明的一些實施例中，所述環(huán)形斜面區(qū)域在從所述整流板的外周緣到所述整流板的中心方向上傾斜。在本發(fā)明的一些實施例中，所述整流板的與所述托盤面對的表面上形成有環(huán)形凹槽或環(huán)形凸起。在本發(fā)明的一些實施例中，所述排氣口分別形成在所述腔室本體的頂壁和底壁上，所述托盤為沿所述腔室本體的軸向間隔設置且在所述工藝腔內可旋轉的多層托盤。在本發(fā)明的一些實施例中，該工藝腔室裝置還包括排氣部件，所述排氣部件在所述工藝腔內設在所述腔室本體的底壁的中心位置處且沿所述腔室本體的軸向延伸，所述排氣部件內設有沿所述排氣部件的長度方向貫通的排氣通道，所述排氣通道的上端和下端分別與所述腔室本體的頂壁和底壁上的排氣口連通，所述排氣部件的外周面上設有導氣孔，所述導氣孔的兩端分別與所述工藝腔和所述排氣通道連通。在本發(fā)明的一些實施例中，所述導氣孔分為多組，每一組內的所述導氣孔沿所述排氣部件的周向分布，且所述多組導氣孔沿所述腔室本體的軸向間隔分布且與所述多層托
盤的每層--對應。在本發(fā)明的一些實施例中，所述分配孔分為多組，每一組內的所述分配孔沿所述腔室本體的周向分布，且所述多組分配孔沿所述腔室本體的軸向間隔分布且與所述多層托
盤的每層--對應。根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的基片處理設備，包括根據(jù)本發(fā)明第一方面上述任一 實施例的工藝腔室裝置。在本發(fā)明的一些實施例中，所述基片處理設備為生產LED的外延設備。本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖I是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的基片處理設備的結構示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的基片處理設備的結構示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明再一個實施例的基片處理設備的結構示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的基片處理設備的結構示意圖；和圖5是根據(jù)本發(fā)明其他一個實施例的基片處理設備的結構示意圖。
具體實施例方式下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發(fā)明中的具體含義。首先參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝腔室裝置。如圖I 圖5所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝腔室裝置包括腔室本體I和托盤2。
具體而言，腔室本體I內限定有工藝腔，腔室本體I的頂壁10和底壁20中的至少一個的中部設有排氣口 101，腔室本體I的周壁30內設有進氣通道310，進氣通道310具有與外界連通的進氣口 311，腔室本體I的周壁30上設有將進氣通道310與所述工藝腔連通的分配孔312。托盤2設置在所述工藝腔內。需要說明的是，在本發(fā)明的描述中，腔室本體的頂壁和底壁的“中部”應理解為頂壁和底壁的“中心位置及距離中心位置預定距離的位置”。也就是說，排氣口既可以設在頂壁和/或底壁的中心處也可以設在偏離中心處預定距離的位置處，所述預定距離的大小可以根據(jù)具體應用來確定。根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室裝置，采用了四周進氣中央排氣的方式，因此工藝氣體在從進氣孔311經分配孔312流過設置于托盤2上的襯底而由位于中央的排氣口101排出所述工藝腔的過程中，腔室的截面積逐漸減少，根據(jù)流動力學的理論，工藝氣體的密度和流速會逐漸增大，因此可以有效地降低工藝氣體在到達襯底表面上方之前由于預反應、熱分解等所導致的消耗，從而可以提高工業(yè)氣體的利用率，并且有利于化學反應的副產、物被快速排出，從而可以提高襯底表面外延層的質量的同時有利于降低基片處理設備的維護成本和使用成本。此外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室還具有結構簡單、易操作的特點。優(yōu)選地，為了提高整個工藝腔室內氣體的均勻性，排氣口 101設在腔室本體的頂壁10和底壁20中的至少一個的中心處。也就是說，排氣口 101既可以設在腔室本體的頂壁10的中心處(未圖示)，也可以設在底壁20的中心處(如圖I 圖4所示)，還可以在頂壁10和底壁20的中心處均設有一個排氣口 101 (如圖5所示)。可選地，腔室本體I包括限定出頂壁10的頂蓋、限定出底壁20的基座和限定出周壁30的筒體，其中所述頂蓋和基座分別安裝在所述筒體的上端和下端。進一步可選地，進氣口 311為設在所述頂蓋和/或所述基座中的至少一個通孔，也就是說，進氣口 311可以只設置在所述頂蓋(如圖I 圖4所示)或所述基座(未圖示)中，也可以在所述頂蓋或所述基座中均設有該進氣口 311 (如圖5所示)，且進氣口 311可以為一個也可以為多個。由此，在將工藝氣體從外部提供至工藝腔內的過程中，工藝氣體的流向會發(fā)生改變，因此有利于工藝氣體在整個工藝腔內的均勻化，從而有利于提高襯底表面外延層的質量。在本發(fā)明的一些實施例中，腔室本體I的周壁30內還形成有用于冷卻腔室本體I的冷卻通道320，冷卻通道320具有進口 321和出口 322。設置有該冷卻通道320的工藝腔室裝置，通過調節(jié)冷卻介質的流速、溫度可以提高工藝腔室內的溫度場的均勻性。此外，還可以進一步降低工藝氣體在到達襯底表面上方之前由于預反應、熱分解等所導致的消耗，從而可以提高工業(yè)氣體的利用率，并有利于降低生產成本。在本發(fā)明的一些實施例中，如圖5所示，筒體30包括內筒體31和外筒體32，外筒體31套設在內筒體32外側，進氣通道310由內筒體32與外筒體31之間的環(huán)形空間構成。由此，可以使工藝腔室裝置的結構更簡單、更便于加工成型。在本發(fā)明的一些示例中，冷卻通道320形成在外筒體31內。在本發(fā)明的一些實施例中，腔室本體I的周壁30內還設有與所述工藝腔連通的保護氣體通孔331，所述腔室本體的頂壁和底壁中的至少一個的外周沿位置處設有保護氣體進入孔102，保護氣體進入孔102與保護氣體通孔331連通以將所述工藝腔與外界連通。由此，根據(jù)需要可以通入適當流量的保護氣體(例如N2, H2)來保護加熱器、腔室內壁等部件，從而有利于減少工藝腔室裝置的維護次數(shù)和維護成本。此外，通入保護性氣體還可以改善反應腔內部的氣流場特性，使反應腔內部氣流場更穩(wěn)定，更均勻。需要說明的是，根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝腔室裝置既適用于單層托盤方式的工藝腔室裝置也適用于多層托盤方式的工藝腔室裝置。下面首先對適用于單層托盤方式的工藝腔室裝置的一些優(yōu)選實施例進行描述。如圖I 圖4所示，在本發(fā)明的一些實施例中，工藝腔室裝置還包括整流板40、整流板驅動機構50和整流板升降機構60。具體地，整流板40設在所述工藝腔內的上部。整流板驅動機構50與整流板40相連以驅動整流板40旋轉。整流板升降機構60與整流板40相連以升降整流板40。托盤2為一個(即單層大托盤)且設在所述工藝腔內，其中托盤2與整流板40面對。根據(jù)本實施例的工藝腔室裝置，由于與托盤2相對地安裝有的整流片40，而通過整流板驅動機構50和整流板升降機構60可以使整流片40高速旋轉或升降，從而可以無需使托盤2旋轉因而可將托盤2固定在工藝腔室內。由于托盤2不進行旋轉，加熱裝置可以嵌入到托盤2的內部，這樣有利于提高加熱效率，并減少加熱的響應時間。此外，通過調節(jié)整流片40和襯底之間距離以及整流片40的轉速可以控制工藝腔室內的氣流場，以使氣流在流經襯底上方的過程中呈一個逐漸被加速的曲線，從而有利于提高襯底的外延層的質量。需要理解的是，根據(jù)需要，整流板驅動機構50和整流板升降機構60可以形成為一體。此外，雖然圖I 圖4示出了整流板驅動機構50和整流板升降機構60均設在腔室本體I的頂壁10上(相應地，排氣口 101形成在腔室本體I的底壁20上)的情形，需要理解的是，整流板驅動機構50和整流板升降機構60也可均設在底壁20上(相應地，排氣口 101形成在腔室本體I的頂壁10上)，只要使托盤2與整流板40面對即可。關于整流片40的具體形狀例如可以根據(jù)襯底的設置方式、尺寸等進行優(yōu)化?？蛇x地，整流板40的與托盤2面對的表面(圖I 圖4中為下表面)包括第一環(huán)形平面區(qū)域41、位于第一環(huán)形平面區(qū)域41內側的環(huán)形斜面區(qū)域42和位于環(huán)形斜面區(qū)域42的第二環(huán)形平面區(qū)域43。具有該形狀的整流片40相對于平板狀整流片而言，襯底的外緣位置和內緣位置的氣流場截面積的變化率更大，根據(jù)流體力學的理論，襯底外緣位置的流場速度和襯底內邊緣位置的流場速度差會更大，由此可以進一步調節(jié)整流片40和襯底之間的氣流場以滿足在較低的整流片40的旋轉速度的條件下實現(xiàn)氣流場的均勻性，從而有利于降低生產成本、能耗并可以克服在真空條件下高速旋轉所產生的難以操作的問題。關于環(huán)形斜面區(qū)域42的傾斜方向可以根據(jù)生產需要進行優(yōu)化，例如在本發(fā)明的一些示例中，如圖2所示，環(huán)形斜面區(qū)域42在從整流板40的外周緣到整流板40的中心方向上向下傾斜。在本發(fā)明的另一些示例中，如圖3所示，環(huán)形斜面區(qū)域42在從整流板40的外周緣到整流板40的中心方向上向上傾斜。此外，在本發(fā)明的一些實施例中，如圖4所示，還可以在整流板40的與托盤2面對的表面(圖I 圖4中為下表面)上形成有環(huán)形凸起44或者環(huán)形凹槽(未圖示)。下面對于設有多層托盤的工藝腔室裝置的一些優(yōu)選實施例進行描述。如圖5所示，在本發(fā)明的一些實施例中，排氣口 101分別形成在腔室本體I的頂壁10和底壁20上，托盤2為沿腔室本體I的軸向(即圖中所示的豎直方向)間隔設置且在所述工藝腔內可旋轉的多層托盤2。在本發(fā)明的一些實施例中，工藝腔室裝置還包括排氣部件6。具體而言，排氣部件6在所述工藝腔內設在腔室本體I的底壁20的中心位置處且沿腔室本體I的軸向延伸，排氣部件6內設有沿排氣部件6的長度方向貫通的排氣通道610，排氣通道610的上端和下端分別與腔室本體I的頂壁10和底壁20上的排氣口 101連通，排氣部件6的外周面上設有導氣孔611，導氣孔611的兩端分別與所述工藝腔和排氣通道610連通。由此，便于將工藝腔內的剩余反應氣體以及反應副產物迅速排出反應腔。在本發(fā)明的一些實施例中，導氣孔611分為多組，每一組內的導氣孔611沿排氣部件6的周向分布，且多組導氣孔611沿所述腔室本體的軸向間隔分布且與多層托盤2的每層一一對應。由此，有利于將每層托盤2上的襯底所產生的副產物迅速排出外部，從而可以進一步防止副產物在排氣部件6內的沉積，進而有利于進一步延長設備的維修時間周期、降低設備的維護成本。 進一步優(yōu)選地，分配孔312分為多組，每一組內的分配孔312沿腔室本體I的周向分布，且多組分配孔312沿腔室本體I的軸向間隔分布且與多層托盤2的每層一一對應。需要理解的是，在多層托盤方式的工藝腔室裝置中，為了提高整個腔室內的溫度場的均勻性，加熱裝置(未圖示)可以安裝在基座上且位于工藝腔內。并且，為了使工藝腔室裝置的結構更緊湊、簡單，加熱裝置可以與排氣部件6由同一部件構成，也就是說可以在加熱裝置的中心部形成排氣通道610還可以在加熱裝置的四周形成多組導氣孔611以用于排氣。根據(jù)本發(fā)明實施例的基片處理設備包括根據(jù)本發(fā)明上述實施例所述的工藝腔室裝置。根據(jù)本發(fā)明實施例的基片處理設備，由于采用了四周進氣中央排氣的方式，因此可以有效地降低工藝氣體在到達襯底表面上方之前由于預反應、熱分解等所導致的消耗，從而可以提高工業(yè)氣體的利用率，并且有利于化學反應的副產物被快速排出，從而可以提高襯底表面外延層的質量的同時有利于降低基片處理設備的維護成本和使用成本。此外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室還具有結構簡單、易操作的特點。根據(jù)本發(fā)明實施例的基片處理設備可以為生產LED的外延設備，例如CVD (化學氣相沉積)設備。根據(jù)本發(fā)明實施例的基片處理設備的其他構成和操作對于本領域的技術人員都是已知的，這里不再重復描述。在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。盡管已經示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領域的普通技術人員可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權利要求及其等同物限定。
權利要求
1.一種工藝腔室裝置，其特征在于，包括 腔室本體，所述腔室本體內限定有工藝腔，所述腔室本體的頂壁和底壁中的至少一個的中部設有排氣口，所述腔室本體的周壁內設有進氣通道，所述進氣通道具有與外界連通的進氣口，所述腔室本體的周壁上設有將所述進氣通道與所述工藝腔連通的分配孔；和 托盤，所述托盤設置在所述工藝腔內。
2.根據(jù)權利要求I所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述排氣口設在所述腔室本體的頂壁和底壁中的至少一個的中心處。
3.根據(jù)權利要求I所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述腔室本體包括限定出所述頂壁的頂蓋、限定出所述底壁的基座和限定出所述周壁的筒體，所述頂蓋和基座分別安裝在所述筒體的上端和下端。
4.根據(jù)權利要求3所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述進氣口為設在所述頂蓋和/或所述基座上的至少一個通孔。
5.根據(jù)權利要求3所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述腔室本體的周壁內還形成有用于冷卻所述腔室本體的冷卻通道，所述冷卻通道具有進口和出口。
6.根據(jù)權利要求5所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述筒體包括內筒體和外筒體，所述外筒體套設在所述內筒體外側，所述進氣通道由所述內筒體與所述外筒體之間的環(huán)形空間構成。
7.根據(jù)權利要求6所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述冷卻通道形成在所述外筒體內。
8.根據(jù)權利要求I所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述腔室本體的周壁內還設有與所述工藝腔連通的保護氣體通孔，所述腔室本體的頂壁和底壁中的至少一個的外周沿位置處設有保護氣體進入孔，所述保護氣體進入孔與所述保護氣體通孔連通以將所述工藝腔與外界連通。
9.根據(jù)權利要求1-8中任一項所述的工藝腔室裝置，其特征在于，還包括 整流板，所述整流板設在所述工藝腔的內部； 整流板驅動機構，所述整流板驅動機構與所述整流板相連以驅動所述整流板旋轉；和 整流板升降機構，所述整流板升降機構與所述整流板相連以升降所述整流板， 所述托盤為一個且設在所述工藝腔內，其中所述托盤與所述整流板面對。
10.根據(jù)權利要求9所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述整流板的與所述托盤面對的表面包括第一環(huán)形平面區(qū)域、位于所述第一環(huán)形平面區(qū)域內側的環(huán)形斜面區(qū)域和位于所述環(huán)形斜面區(qū)域的第二環(huán)形平面區(qū)域。
11.根據(jù)權利要求10所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述環(huán)形斜面區(qū)域在從所述整流板的外周緣到所述整流板的中心方向上傾斜。
12.根據(jù)權利要求9所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述整流板的與所述托盤面對的表面上形成有環(huán)形凹槽或環(huán)形凸起。
13.根據(jù)權利要求1-8中任一項所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述排氣口分別形成在所述腔室本體的頂壁和底壁上，所述托盤為沿所述腔室本體的軸向間隔設置且在所述工藝腔內可旋轉的多層托盤。
14.根據(jù)權利要求13所述的工藝腔室裝置，其特征在于，還包括排氣部件，所述排氣部件在所述工藝腔內設在所述腔室本體的底壁的中心位置處且沿所述腔室本體的軸向延伸，所述排氣部件內設有沿所述排氣部件的長度方向貫通的排氣通道，所述排氣通道的上端和下端分別與所述腔室本體的頂壁和底壁上的排氣口連通，所述排氣部件的外周面上設有導氣孔，所述導氣孔的兩端分別與所述工藝腔和所述排氣通道連通。
15.根據(jù)權利要求14所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述導氣孔分為多組，每一組內的所述導氣孔沿所述排氣部件的周向分布，且所述多組導氣孔沿所述腔室本體的軸向間隔分布且與所述多層托盤的每層一一對應。
16.根據(jù)權利要求15所述的工藝腔室裝置，其特征在于，所述分配孔分為多組，每一組內的所述分配孔沿所述腔室本體的周向分布，且所述多組分配孔沿所述腔室本體的軸向間隔分布且與所述多層托盤的每層一一對應。
17.一種基片處理設備，其特征在于，包括根據(jù)權利要求1-16中任一項所述的工藝腔室裝置。
18.根據(jù)權利要求17所述的基片處理設備，其特征在于，所述基片處理設備為生產LED的外延設備。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種工藝腔室裝置和具有該工藝腔室裝置的基片處理設備。工藝腔室裝置包括腔室本體，所述腔室本體內限定有工藝腔，所述腔室本體的頂壁和底壁中的至少一個的中部設有排氣口，所述腔室本體的周壁內設有進氣通道，所述進氣通道具有與外界連通的進氣口，所述腔室本體的周壁上設有將所述進氣通道與所述工藝腔連通的分配孔；和托盤，所述托盤設置在所述工藝腔內。根據(jù)本發(fā)明實施例的工藝腔室裝置，可以有效地降低工藝氣體在到達襯底表面上方之前由于預反應、熱分解等所導致的消耗，從而可以提高工業(yè)氣體的利用率，并且有利于化學反應的副產物被快速排出。此外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的工藝腔室還具有結構簡單、易操作的特點。
文檔編號C30B25/08GK102766902SQ20111011600
公開日2012年11月7日 申請日期2011年5月5日 優(yōu)先權日2011年5月5日
發(fā)明者周衛(wèi)國 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司