專利名稱：基板及其制造方法、電路裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板及其制造方法、電路裝置及其制造方法。特別是，本發(fā)明涉及由包覆層包覆形成于基材的主面的配線的結(jié)構(gòu)的基板及其制造方法。進(jìn)而本發(fā)明涉及具備這樣的基板的電路裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
伴隨手機(jī)等電子設(shè)備的小型化及高性能化，在收納于其內(nèi)部的電路裝置中，具備微細(xì)的配線的結(jié)構(gòu)成為主流。參照圖16說明具有配線基板107的電路裝置(下述專利文獻(xiàn)1) 。在此，通過在形成于基板107的上面的第一配線層102A上安裝電路元件(半導(dǎo)體元件105)，構(gòu)成電路裝置100。配線基板107在由玻璃環(huán)氧樹脂等樹脂構(gòu)成的基材101的表面及背面形成有配線層。在此，在基材101的上面形成有第一配線層102A及第二配線層102B。第一配線層102A 和第二配線層102B經(jīng)由絕緣層103層疊。在基材101的下面，經(jīng)由絕緣層103層疊有第三配線層102C及第四配線層102D。另外，各配線層通過貫通絕緣層103設(shè)置的連接部104在規(guī)定的部位連接。另外，第二配線層102B和第三配線層102C通過貫通基材101設(shè)置的連接部104在規(guī)定的部位連接。在此，配線基板107的厚度例如為Imm左右。另外，作為最上層的配線層的第一配線層102A由包覆層109包覆。而且，電連接區(qū)域(連接金屬細(xì)線108的部分)的第一配線層102A從部分地除去包覆層109而設(shè)置的開口部露出。在此，包覆層109例如由環(huán)氧樹脂等樹脂材料構(gòu)成。在包覆層109的上面粘固有半導(dǎo)體元件105。在此，半導(dǎo)體元件105的下面使用絕緣性粘接劑等粘固。而且，半導(dǎo)體元件105的上面設(shè)置的電極經(jīng)由金屬細(xì)線108與第一配線層102A電連接。另外，按照包覆半導(dǎo)體元件105及金屬細(xì)線108的方式將配線基板107的上面由密封樹脂106包覆。上述構(gòu)成的配線基板107的制造方法如下。首先，在由環(huán)氧樹脂等樹脂類材料構(gòu)成的基材101的上面及下面形成第二配線層102B及第三配線層102C。這些配線層通過粘接的導(dǎo)電膜的蝕刻或選擇性的鍍敷處理而形成。另外，形成貫通基材101將第二配線層102B 和第三配線層102C連接的連接部104。其次，利用由樹脂構(gòu)成的絕緣層103將第二配線層 102B及第三配線層102C包覆。進(jìn)而在絕緣層103的表面形成第一配線層102A及第四配線層102D。這些配線層的形成方法與上述的第二配線層102B等相同。另外，形成貫通絕緣層 103將第一配線層102A和第二配線層102B連接的連接部104。另外，按照覆蓋作為最上層的配線層的第一配線層102A的方式形成包覆層109，并按照使成為電連接區(qū)域的部分的第一配線層102A露出到外部的方式將包覆層109部分除去，設(shè)置開口部。但是，在上述構(gòu)成的電路裝置100中，存在最上層的第一配線層102A和包覆層109 的粘著性不足的問題。具體而言，當(dāng)在半導(dǎo)體元件105上集成的電路的規(guī)模增大時(shí)，伴隨半導(dǎo)體元件105的動(dòng)作的發(fā)熱量增大。而且，由銅等金屬構(gòu)成的第一配線層102A和由樹脂構(gòu)成的包覆層109的熱膨脹系數(shù)大大不同，因此，在兩者的界面產(chǎn)生熱應(yīng)力。由于在兩者的界面多次施加熱應(yīng)力，從而包覆層109可能從第一配線層102A剝離。解決該問題的方法記載于下述專利文獻(xiàn)2中。參照圖17說明該技術(shù)事項(xiàng)。在此， 在絕緣性基板110的上面形成有導(dǎo)體電路111。另外，為避免導(dǎo)體電路111和絕緣樹脂部的熱膨脹系數(shù)差引起的問題，在導(dǎo)體電路111的表面形成均勻的粗糙度的凹凸。具體而言，專利文獻(xiàn)2中，為實(shí)現(xiàn)上述構(gòu)成，使用含過氧化氫和硫酸和四唑等的蝕刻液進(jìn)行導(dǎo)體電路111的構(gòu)圖。由此，在蝕刻工序中，化合物112附著于導(dǎo)體電路111的表面。其結(jié)果是，從附著有化合物112的部分以外一樣地進(jìn)行蝕刻，在導(dǎo)體電路111的表面形成均勻的凹凸。由此，導(dǎo)體電路111和其它樹脂制部件的粘著強(qiáng)度提高，避免了兩者剝離的問題，以上的情況記載于下記專利文獻(xiàn)2中。專利文獻(xiàn)1 (日本)特開2003-324263號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 (日本)特開2002-76610號(hào)公報(bào)但是，在上述專利文獻(xiàn)2記載的技術(shù)事項(xiàng)中，存在導(dǎo)體電路111從抗焊劑剝離的問題。圖18(A)是表示導(dǎo)體電路111的周邊部附近的剖面圖，圖18(B)是表示包覆層114(抗焊劑)從導(dǎo)體電路111剝離的狀態(tài)的剖面圖。參照圖18(A)，在基板110的上面形成有導(dǎo)體電路111，該導(dǎo)體電路111的端部(紙面上為右側(cè)端部)由利用電解鍍敷法形成的鍍敷膜112包覆。另外，按照將導(dǎo)體電路111 及基板110的上面包覆的方式形成有由樹脂材料構(gòu)成的包覆層114。該包覆層114包覆導(dǎo)體電路111的表面，并且也部分地對(duì)包含鍍敷膜112的表面進(jìn)行包覆。參照圖18 (B)，對(duì)如上所述形成的包覆層114剝離的現(xiàn)象進(jìn)行說明。具體而言，如上所述，由于導(dǎo)體電路111和包覆層114的熱膨脹系數(shù)不同，故伴隨溫度變化而在兩者的邊界產(chǎn)生熱應(yīng)力。而且，該熱應(yīng)力在包覆層114端部大。參照該圖進(jìn)行說明，在包覆層114 內(nèi)部附近(紙面上為左側(cè))的上述熱應(yīng)力的大小Fl小，在包覆層114端部的周邊部附近的熱應(yīng)力的大小F2較大。另外，導(dǎo)體電路111的粗糙度在所有區(qū)域大致相同，因此，導(dǎo)體電路 111與包覆層114的粘著強(qiáng)度在整面上大致相同。如上，在基板110的周邊部，在導(dǎo)體電路111與包覆層114的界面，每次溫度變化都施加大的熱應(yīng)力。結(jié)果是，在該區(qū)域，產(chǎn)生包覆層114從導(dǎo)體電路111剝離的問題。包覆層114剝離，則水分容易侵入兩者的界面，導(dǎo)致耐濕性惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于所述問題而提出的，本發(fā)明的主要目的在于，提供一種提高了耐濕性的基板及其制造方法、電路裝置及其制造方法。本發(fā)明提供一種基板，其特征在于，具備基材；配線，其形成于所述基材的一主面并且具有連接部；包覆層，其將除所述連接部之外的所述配線包覆，所述配線的所述連接部配置在所述基材的上面規(guī)定的電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的周邊部，使位于所述電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的周邊部的所述配線的表面的凸部的寬度比位于所述電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的中心部的所述配線的凸部的寬度大。 本發(fā)明提供一種電路裝置，具有基板和安裝于所述基板的電路元件，其特征在于， 所述基板具備基材；配線，其形成于所述基材的一主面并且具有與所述電路元件電連接的連接部；包覆層，其將除所述連接部之外的所述配線包覆，所述配線的所述連接部配置在所述基材的所述一主面的電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的周邊部，使位于所述電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的周邊部的所述配線的表面的凸部的寬度比位于所述電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的中心部的所述配線的凸部的寬度大。本發(fā)明提供一種電路裝置，具有基板和安裝于所述基板的電路元件，其特征在于， 所述電路元件是在一主面具有多個(gè)電極的半導(dǎo)體元件，所述基板具備基材；配線，其形成于所述基材的一主面并且具有與所述電路元件電連接的連接部；包覆層，其將除所述連接部之外的所述配線包覆，所述配線的所述連接部設(shè)置在所述基材的周邊部，使位于所述基材的周邊部的所述配線的表面的凸部的寬度比位于所述基材的中心部的所述配線的凸部的寬度大。本發(fā)明提供一種基板的制造方法，制造在基材的一主面形成由包覆層包覆的配線的基板，其特征在于，包括使位于所述基材的電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的周邊部的所述配線的凸部的寬度比位于所述基材的電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的中心部的所述配線的凸部的寬度大的第一工序；按照包覆所述配線的表面及所述基材的一主面的方式形成所述包覆層的
第二工序。本發(fā)明提供一種基板的制造方法，制造在基材的一主面形成由包覆層包覆的配線的基板，其特征在于，包括在所述基材的所述一主面，按照包圍電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的方式形成具有連接部的配線的第一工序；在所述基材的所述一主面及所述配線的表面粘附無電解鍍敷膜的第二工序；作為第一開口部使所述配線的連接部及其周邊部的所述基材的所述一主面開口并通過蝕刻保護(hù)層將所述基材的所述一主面及所述配線包覆的第三工序； 通過蝕刻除去從所述第一開口部露出的區(qū)域的所述無電解鍍敷膜的第四工序；作為第二開口部使設(shè)有所述連接部的區(qū)域開口，在所述基材的一主面形成包覆所述配線的鍍敷保護(hù)層的第五工序；通過將所述無電解鍍敷膜作為電極使用的電解鍍敷法在從所述第二開口部露出的所述配線的所述連接部覆蓋電解鍍敷膜的第六工序；將包覆所述基材的所述第一主面的所述無電解鍍敷膜除去，作為第三開口部使所述配線彼此電獨(dú)立的第七工序；使覆蓋所述電解鍍敷膜的所述連接部露出，按照包覆所述配線的方式在所述基材的所述第一主面形成包覆層的第八工序。本發(fā)明提供一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備基板的工序，該基板具備基材、形成于所述基材的一主面并且具有連接部的配線、將除所述連接部之外的所述配線包覆的包覆層，所述配線的所述連接部配置在所述基材的上面規(guī)定的電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的周邊部配置，使位于所述電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的周邊部的所述配線的表面的凸部的寬度比位于所述電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的中心部的所述配線的凸部的寬度大；在所述基板上安裝與所述配線電連接的電路元件的工序。本發(fā)明提供一種電路裝置的制造方法，其具備在基材的一主面形成具有由包覆層包覆的配線的基板的工序、和在所述基板上安裝與所述配線電連接的電路元件的工序，其特征在于，形成所述基板的工序包括在所述基材的所述一主面，按照包圍電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的方式形成具有連接部的配線的第一工序；在所述基材的所述一主面及所述配線的表面粘附無電解鍍敷膜的第二工序；作為第一開口部使所述配線的連接部及其周邊部的所述基材的所述一主面開口并通過蝕刻保護(hù)層將所述基材的所述一主面及所述配線包覆的第三工序；通過蝕刻除去從所述第一開口部露出的區(qū)域的所述無電解鍍敷膜的第四工序；作為第二開口部使設(shè)有所述連接部的區(qū)域開口，在所述基材的一主面形成包覆所述配線的鍍敷保護(hù)層的第五工序；通過將所述無電解鍍敷膜作為電極使用的電解鍍敷法，在從所述第二開口部露出的所述配線的所述連接部覆蓋電解鍍敷膜的第六工序；將包覆所述基材的所述第一主面的所述無電解鍍敷膜除去，使所述配線彼此電獨(dú)立的第七工序；作為第三開口部使覆蓋所述電解鍍敷膜的所述連接部露出，按照包覆所述配線的方式在所述基材的所述第一主面形成包覆層的第八工序。本發(fā)明提供一種基板，其特征在于，具備基材；配線，其形成于所述基材的一主面并且具有外部端子部；包覆層，其將除所述外部端子部之外的所述配線包覆，在所述包覆層具有使所述配線的所述外部端子部露出的開口部，使被位于所述開口部的周邊部附近的所述包覆層包覆的所述配線的表面的凸部的寬度比被所述開口部周邊部以外的所述包覆層包覆的所述配線大。根據(jù)本發(fā)明的基板及電路裝置，使位于基板周邊部的配線表面的凸部的寬度比位于基板中心部的配線表面大。由此，在基板的中心部，可提高配線與包覆層的粘著強(qiáng)度并抑制兩者的剝離。另外，在基板的周邊部，由于配線的凸部的寬度較大，故熱應(yīng)力(應(yīng)力)分散，防止包覆層從配線的剝離。另外，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可高效地制造上述結(jié)構(gòu)的基板及電路裝置。具體而言，在蝕刻配線周邊部的工序和蝕刻配線中心部的工序中使用性質(zhì)不同的蝕刻劑，由此可使位于周邊部的配線的凸部的寬度比中心部的大。換言之，可使位于基板中心部的配線的表面的凸部的寬度比周邊部的細(xì)。另外，可將按照包覆基板上面的整個(gè)區(qū)域的方式形成的無電解鍍敷膜作為進(jìn)行電解鍍敷處理時(shí)的鍍敷線使用。這樣的情況下，可由同一工序進(jìn)行除去不需要的無電解鍍敷膜的工序、和蝕刻位于周邊部的配線的表面的工序。因此，在配線的表面制造粗糙度的變化而引起的工序數(shù)的增加被抑制。


圖1是表示本發(fā)明的電路裝置的圖，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖2是表示本發(fā)明的電路裝置的圖，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖3(A) (C)是拍攝到的本發(fā)明的電路裝置中包含的配線的圖像；圖4(A)及(B)是拍攝到的本發(fā)明的電路裝置中包含的配線的圖像；圖5是表示本發(fā)明的電路裝置的圖，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖6是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖7是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖8是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，是拍攝到的電解鍍敷膜表面的圖像；
圖9是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖10是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，㈧是剖面圖，⑶是平面圖；圖11是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖12是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，㈧是剖面圖，⑶是平面圖；圖13是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，㈧是剖面圖，⑶是平面圖；圖14是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，㈧是剖面圖，⑶是平面圖；圖15是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，㈧是剖面圖，⑶是平面圖；圖16是表示背景技術(shù)的電路裝置的剖面圖；圖17是表示背景技術(shù)的電路裝置的剖面圖；圖18㈧及⑶是表示背景技術(shù)的電路裝置的剖面圖。附圖標(biāo)記說明10電路裝置12 基材14 配線14A第一連接部14B第二連接部14C配線部16半導(dǎo)體元件18包覆層20 基板22密封樹脂24 開口部洸金屬細(xì)線28鍍敷膜30貫通電極32背面電極；34連接電極36第一粗糙化區(qū)域38第二粗糙化區(qū)域40 凹部42無電解鍍敷膜44 開口部46蝕刻保護(hù)層48鍍敷保護(hù)層50 開口部
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方式)參照圖1 圖5，首先說明本實(shí)施方式的電路裝置10的結(jié)構(gòu)。圖1是表示電路裝置10的整體結(jié)構(gòu)的圖，圖2是表示配線14的粗糙度的圖，圖3是拍攝到的配線14的表面狀態(tài)的圖像，圖4是拍攝到的配線表面和鍍敷表面的狀態(tài)的圖像，圖5是表示配線14的其它結(jié)構(gòu)的圖。首先，參照圖1說明電路裝置10的構(gòu)造。圖1㈧是電路裝置10的剖面圖，圖1⑶ 是其平面圖。在此，圖I(A)是圖I(B)所示的平面圖的代表性剖面圖。電路裝置10是外形尺寸比內(nèi)裝的半導(dǎo)體元件16大若干的大小的樹脂密封型CSP。 電路裝置10的外觀是長方體形狀或正方體形狀。另外，電路裝置10是將與內(nèi)裝的半導(dǎo)體元件16電連接的連接電極34網(wǎng)格狀設(shè)置在基板20的背面的BGA(Ball Grid Array 球形網(wǎng)格狀陣列)。另外，由于SIP等也可以，故連接電極34的位置可以環(huán)狀地配置于基板的周圍，也可以隨機(jī)配置于其周圍。參照圖1㈧，電路裝置10主要具備在上面設(shè)有配線14的基板20、粘合于基板 20并與配線14電連接的半導(dǎo)體元件16、按照覆蓋半導(dǎo)體元件16的方式覆蓋基板20的上面的密封樹脂22。基板20由基材12、形成于基材12上面的配線14、覆蓋除成為連接部的區(qū)域以外的配線14的包覆層18、形成于基材12的下面的背面電極32、貫通基材12將配線14和背面電極32連接的貫通電極30構(gòu)成。基材12是在玻璃纖維中含浸了環(huán)氧樹脂而成的玻璃環(huán)氧樹脂等，是以樹脂材料為主體的母板?；?2還具有在上面及背面形成配線層，并且在制造工序中機(jī)械地支承半導(dǎo)體元件16的功能。作為基材12的材料，也可以采用以樹脂為主體的材料以外的材料，例如也可以采用由陶瓷或Si等無機(jī)材料構(gòu)成的基板、由銅或鋁等金屬構(gòu)成的金屬基板等作為基材12的材料。另外，在采用金屬基板作為基材12的材料時(shí)，基材12的上面及下面利用由樹脂等構(gòu)成的絕緣層包覆，將配線14等和基材12絕緣。配線14由銅及鋁等金屬構(gòu)成，通過選擇性蝕刻層疊于基材12上面的厚度為 20 μ m 50 μ m左右的導(dǎo)電箔，形成規(guī)定形狀。也可以通過覆蓋選擇的鍍敷膜來形成配線 14。在本實(shí)施方式中，位于包覆層18的開口部M的周邊部的配線14的表面凸部的寬度比開口部M的周邊部以外的大，這樣的特征后述。另外，在此在基材12的上面形成有單層的配線14，但也可以在基材12的上面或下面形成經(jīng)由絕緣層層疊而成的2層以上的多層配線層。另外，自下向上經(jīng)由絕緣層層疊圖案而成的包層結(jié)構(gòu)等，基板的構(gòu)造怎樣的都可以。參照圖1 (B)，配線14包含第一連接部14A (連接部)、第二連接部14B、在兩連接部之間細(xì)長地設(shè)置的配線部14C。第一連接部14A是與半導(dǎo)體元件16 (電路元件)電連接的部位，圖中，作為之一例，沿基板20的周邊部，按照包圍半導(dǎo)體元件16的方式形成有多個(gè)。 換言之，第一連接部14A配置于搭載半導(dǎo)體元件等電路元件的作為預(yù)定區(qū)域的電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的周邊部。第二連接部14B是在下面連接貫通電極30的部位，比第一連接部14A靠電路基板 20的內(nèi)側(cè)。而且，第一連接部14A和第二連接部14B通過比兩連接部細(xì)長的配線部14C連接。通過將配線14作成這樣的結(jié)構(gòu)，可將緊密排列配置于半導(dǎo)體元件16上面的電極作為在基板20的背面矩陣狀(行列狀)離開形成的背面電極32再配置。在基材12的下面，蝕刻導(dǎo)電箔而設(shè)置背面電極32。通過上述的配線14的構(gòu)成，背面電極32彼此離開的距離比配線14的第一連接部14A彼此離開的距離長。貫通電極30通過利用鍍敷法等在沿厚度方向貫通規(guī)定位置的基材12而設(shè)置的貫通孔埋入銅等金屬而形成。參照圖1 (B)，在各配線14的第二連接部14B的下方設(shè)有貫通電極30及背面電極32。在此，除形成連接電極34的部分之外，也可以設(shè)置包覆背面電極32 及基材12的下面的包覆樹脂。另外，該情況下，與上面的配線14相同，也可以使位于包覆層18的開口部M的周邊部的背面電極32的表面的凸部的寬度比位于包覆層18的開口部周邊部以外的背面電極32大?；?2的上面按照將除成為連接部的部位的配線14覆蓋的方式由包覆層18包覆。包覆層18由環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂或聚乙烯等熱塑性樹脂構(gòu)成，包覆層18包覆配線14的上面的厚度例如為20μπι IOOym左右。參照圖1(B)，按照使各配線14的第一連接部14Α露出的方式，部分地除去包覆層18而設(shè)置四邊形的開口部Μ。另外，包覆層18 也稱作抗焊劑或PSR(Wioto solder resist 光抗焊劑)。另外，該包覆層也可以設(shè)于基板的背面。半導(dǎo)體元件16 (電路元件)被粘合于基板20的上面，并且與配線14電連接。具體而言，半導(dǎo)體元件16通過正裝安裝于基板20上，其下面經(jīng)由絕緣性粘接劑粘合于包覆層18 上面。另外，在半導(dǎo)體元件的背面固定于GND時(shí)，經(jīng)由焊錫或?qū)щ姼嗟葘?dǎo)電性材料固定于島上。另外，形成于半導(dǎo)體元件16上面的電極經(jīng)由由Au等構(gòu)成的金屬細(xì)線沈與配線14連接。在此，示例了經(jīng)正裝安裝的半導(dǎo)體元件16，但半導(dǎo)體元件16也可以倒裝片地安裝。該情況下，按照電極為下面的方式載置半導(dǎo)體元件16，經(jīng)由連接于該電極的突起狀電極將形成于基板20上面的配線14和半導(dǎo)體元件16電連接。在此，作為內(nèi)裝于電路裝置10內(nèi)的電路元件，采用半導(dǎo)體元件16，但也可以采用其它電路元件。具體而言，也可以采用IC、LSI、分立型的晶體管、二極管等有源元件作為電路元件。另外，還可以采用片狀電阻、片狀電容、傳感器等無源元件作為電路元件。另外， 將無源元件和有源元件組合多個(gè)并進(jìn)行內(nèi)部連接的系統(tǒng)也可以在電路裝置10的內(nèi)部構(gòu)筑 (SIP =System in Package 封裝中系統(tǒng))。該情況下，參照圖1 (A)，在半導(dǎo)體元件16的附近配置片狀電阻等無源元件。另外，在半導(dǎo)體元件16及其周邊部形成上述構(gòu)成的配線14。另外，該基板可適用于僅載置電路元件的模塊、密封基板整體的電路裝置。另外， 作為該基板及電路裝置上載置的電路元件，考慮半導(dǎo)體芯片及無源元件。但是，這些電路元件被三維或平面地設(shè)置。即，作為三維，也可以堆棧多個(gè)半導(dǎo)體芯片。另外，還可以平面配置多個(gè)半導(dǎo)體元件。無論哪一種，都是設(shè)置多個(gè)電路元件來構(gòu)成系統(tǒng)。密封樹脂22由通過傳遞膜模制形成的熱固化性樹脂或通過注入膜模制形成的熱塑性樹脂構(gòu)成。另外，密封樹脂22形成為將半導(dǎo)體元件16、金屬細(xì)線沈及基板20的上面覆蓋。另外，密封樹脂22接觸基板12的上面、包覆層18的上面、配線14及鍍敷膜觀。參照圖I(B)進(jìn)一步說明電路裝置10的結(jié)構(gòu)。該圖中，省略了連接半導(dǎo)體元件16 和配線14的金屬細(xì)線沈。首先，在此將一個(gè)半導(dǎo)體元件16安裝于基板20的中央部附近。然后，配線14的第一連接部14A按照包圍該半導(dǎo)體元件16的方式設(shè)置多個(gè)。第一連接部14A與設(shè)于半導(dǎo)體元件16的上面的電極對(duì)應(yīng)設(shè)置?；?0的上面大致整個(gè)面由包覆層18包覆。另外，按照配線14的第一連接部14A露出的方式部分地四邊形地除去包覆層18，設(shè)置開口部24。配線14的第一連接部14A、第一包覆第一連接部14A的鍍敷膜觀、第一連接部14A附近的基材12的上面從開口部M露
出ο配線14在基材12的上面設(shè)有多個(gè)，從半導(dǎo)體元件16的下方(基板20的中心部附近)向基板20的周邊部放射狀地延伸。第二連接部14B形成在比第一連接部14A靠基板20的內(nèi)側(cè)位置，在下方連接有貫通電極30。多個(gè)第二連接部14B可分為配置于半導(dǎo)體元件16的下方和配置于半導(dǎo)體元件16的外側(cè)區(qū)域。在此，也可以將所有的第二連接部14B 配置于半導(dǎo)體元件16的下方。參照圖2說明配線14的表面的粗糙度。圖2㈧是配線14的第一連接部14A及其附近的剖面圖，圖2(B)是其平面圖。在此，圖2(A)是圖2(B)所示的平面圖的代表性的剖面圖。本實(shí)施方式中，使位于在包覆層18形成的開口部M的周邊部的配線14的表面的凸部的寬度比位于在包覆層18形成的開口部M的周邊部以外的配線14的表面大。若相反地表述，則配線14的表面的開口部M的周邊部以外的一方，其凸部的寬度比周邊部小。 由此，配線14和包覆其的包覆層18的熱循環(huán)負(fù)荷時(shí)的可靠性提高。即，防止包覆層18從配線14剝離。而在此，配線14的表面是配線14的上面及側(cè)面，這些面由包覆層18包覆。參照圖2(A)，在基材12的上面形成有配線14，按照包覆配線14的方式形成有包覆層18。進(jìn)而在包覆層18的上面粘合半導(dǎo)體元件16。在此，表示配線14的第一連接部 14A和配線部14C，配線部14C由包覆層18包覆，第一連接部14A不由包覆層18包覆而露出。而且，第一連接部14A的上面及側(cè)面由鍍敷膜觀包覆。作為該鍍敷膜觀，例如使用順序成膜鎳(Ni)和金(Au)而成的結(jié)構(gòu)。圖中未圖示，在鍍敷膜觀的上面連接金屬細(xì)線的一端，且金屬細(xì)線的另一端與設(shè)于半導(dǎo)體元件16的上面的電極連接。配線14可分為表面的凸部寬度較小的第一粗糙化區(qū)域36、和表面的凸部的寬度比該第一粗糙化區(qū)域36大的第二粗糙化區(qū)域38。第一粗糙化區(qū)域36及第二粗糙化區(qū)域 38的凸部的寬度的調(diào)節(jié)可通過適當(dāng)選擇蝕刻這些表面時(shí)使用的蝕刻劑來進(jìn)行。在此，凸部的寬度是指凸部的底部的寬度。第一粗糙化區(qū)域36相當(dāng)于從配線部14C的中途到基板20的內(nèi)側(cè)(紙面上為左側(cè))的區(qū)域的配線14，其包含配線部14C的一部分和第二連接部14B(參照圖1)。在該第一粗糙化區(qū)域36的表面，形成較細(xì)的凸部，表面的凸部的大小例如是高度為1.2μπκ凸部的寬度為1.7μπι左右。在第一粗糙化區(qū)域36，在表面的銳利的凹凸和包覆層18之間產(chǎn)生錨固效果，因此，配線14和包覆層18的粘著強(qiáng)度提高。另外，通過在第一粗糙化區(qū)域36的表面形成銳利的凹凸，從而該區(qū)域的配線14的表面積增大，配線14和包覆層18粘著的面積增大。由此，通過第一粗糙化區(qū)域36，也可提高配線14和包覆層18的粘著強(qiáng)度。第二粗糙化區(qū)域38相當(dāng)于從配線部14C的中途到基板20的外側(cè)(紙面上為右側(cè))的區(qū)域的配線14，其包含配線部14C的一部分和第一連接部14Α。第二粗糙化區(qū)域38 的表面成為表面的凸部的寬度比上述第一粗糙化區(qū)域36大的形狀。具體而言，第二粗糙化區(qū)域38的表面形成的凸部的大小例如是高度為0. 8 μ m、寬度為2. 4 μ m。因此，與第一粗糙化區(qū)域36比較，第二粗糙化區(qū)域38的表面的凸部成為寬度寬的形狀。通過將第二粗糙化區(qū)域38的表面作成上述結(jié)構(gòu)，可防止在第二粗糙化區(qū)域38的配線14和包覆層18的剝離。具體而言，在有溫度變化產(chǎn)生時(shí)，在由樹脂構(gòu)成的包覆層18 和為金屬材料的配線14，熱膨脹系數(shù)不同，因此，熱應(yīng)力作用于兩者的邊界面。該熱應(yīng)力沿配線14的上面與包覆層18的界面平行地作用。另外，該熱應(yīng)力在基板20的中央部較小， 在包覆層18的開口部對(duì)(參照圖1)的周邊部附近較大。換言之，在本實(shí)施方式中，由于在基板20的周邊部形成開口部M，故熱應(yīng)力在基板20的周邊部大。因此，在熱應(yīng)力引起的兩者的剝離產(chǎn)生時(shí)，大多數(shù)情況是在包覆層18的開口部M附近、即基板20的周邊部產(chǎn)生。在本實(shí)施方式中，如上所述那樣將位于基板20的周邊部的配線14設(shè)為第二粗糙化區(qū)域38。由此，在第二粗糙化區(qū)域38，配線14的表面的凸部的寬度大，因此，沒有熱應(yīng)力容易集中的銳角的形狀。即，熱應(yīng)力的集中被抑制。由此，防止基板20的周邊部的包覆層 18從配線14的剝離。另一方面，在基板20的中心部，通過將配線14的表面形成為錨固效果大的凸部寬度小的銳角形狀，使配線14的第一粗糙化區(qū)域36和包覆層18之間產(chǎn)生大的錨固效果，防止包覆層18從配線14的剝離。如以上所說明，在本實(shí)施方式中，通過使配線14的表面凸部的寬度在基板20的中心部和周邊部不同，從而即使大的熱應(yīng)力作用于配線14和包覆層18的邊界面，也可以防止兩者的剝離。另外，還具有以下效果。從輕薄短小的傾向看，需要進(jìn)一步減小設(shè)于基板上的配線的寬度、配線彼此之間的間隔，提高圖案的安裝密度。即，進(jìn)一步減細(xì)配線的寬度。此時(shí)，當(dāng)配線全域的表面粗糙度為粗糙化區(qū)域的狀態(tài)時(shí)，由于包覆層或其上的密封樹脂和配線的熱膨脹系數(shù)的不一致，增加圖18(B)所示的應(yīng)力，特別是可能在端子的根部(頸部)部分產(chǎn)生空隙，導(dǎo)致電阻上升。這是由于，應(yīng)力集中于該根部分，在此集中有配線內(nèi)的缺陷。但是，從圖2所示可知，通過設(shè)置第二粗糙化區(qū)域38，形成應(yīng)力不集中的形狀，可抑制空隙的產(chǎn)生，而可相應(yīng)地
提高可靠性。參照圖3說明拍攝到的配線14的各區(qū)域的圖像。圖3㈧是第一粗糙化區(qū)域36的配線14的表面的圖像，圖3(B)是第二粗糙化區(qū)域38的配線14的表面的圖像，圖3 (C)是拍攝到的配線14的第一粗糙化區(qū)域36及第二粗糙化區(qū)域38兩者的圖像。參照圖3(A)及圖3(B)，將配線14的第一粗糙化區(qū)域36和第二粗糙化區(qū)域38進(jìn)行比較，可理解到，與第二粗糙化區(qū)域38的表面相比，第一粗糙化區(qū)域36的表面的凹凸的程度(粗糙度)大。即，形成于第一粗糙化區(qū)域36的凸部與形成于第二粗糙化區(qū)域38的凸部相比，高度高且寬度窄。這樣，通過使第一粗糙化區(qū)域36和第二粗糙化區(qū)域38的表面的凹凸的程度不同，可得到上述的效果。這樣的結(jié)構(gòu)可通過在第一粗糙化區(qū)域36和第二粗糙化區(qū)域38以性質(zhì)不同的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻而得到。該情況的詳細(xì)后述。參照圖3(C)，該圖像所示的配線的左側(cè)為第一粗糙化區(qū)域36，右側(cè)為第二粗糙化區(qū)域38。從該圖像讀取出，邊界線越是明確出現(xiàn)，第一粗糙化區(qū)域36和第二粗糙化區(qū)域38 的粗糙度越是不同。另外，參照圖2 (B)，配線14的第二粗糙化區(qū)域38 (導(dǎo)電材料)也與鍍敷膜觀一起從除去包覆層18而設(shè)置的開口部M露出。而且，從開口部M露出的鍍敷膜觀及第二粗糙化區(qū)域38由密封樹脂22 (參照圖1(A))包覆。換言之，包覆層18只包覆配線14，鍍敷膜觀不由包覆層18覆蓋。由此，可提高密封樹脂22和配線14的粘合性。具體而言，由于最表層由金構(gòu)成的鍍敷膜觀的表面非常光滑，故鍍敷膜觀和密封樹脂22的粘合強(qiáng)度低。 另一方面，雖然配線14的第二粗糙化區(qū)域38從開口部M露出，但該第二粗糙化區(qū)域38從鍍敷膜觀的表面開始成為粗糙面，因此，第二粗糙化區(qū)域38和密封樹脂22的粘合強(qiáng)度大。 因此，由于第二粗糙化區(qū)域38與密封樹脂22牢固地粘合，從而具有增強(qiáng)配線14和密封樹脂22的粘合強(qiáng)度的效果。圖4㈧是拍攝到的鍍敷膜觀的表面的圖像，圖4(B)是拍攝到的配線14的代表性表面的圖像。從這些圖可知與鍍敷膜觀的表面相比，配線14的表面粗。因此，通過上述構(gòu)成，提高密封樹脂22和其它部件(在此為配線14)的粘合強(qiáng)度。參照圖5說明配線14和包覆層18的其它關(guān)聯(lián)結(jié)構(gòu)。圖5(A)是配線14的第一連接部14A及其附近的剖面圖，圖5(B)是其平面圖。圖5(A)及圖5(B)所示的結(jié)構(gòu)與參照圖2說明的結(jié)構(gòu)基本上相同，不同點(diǎn)是配線 14的表面及鍍敷膜觀的表面局部由包覆層18包覆。即，參照圖5(A)，包覆層18將未圖示的第二連接部14B、配線部14C及第一連接部 14A的一部分包覆，并且將鍍敷膜觀的一部分包覆。換言之，利用包覆層18將未由鍍敷膜 28包覆的配線14的所有表面覆蓋。參照圖5 (B)，從除去包覆層18而設(shè)置的開口部M露出的是包覆第一連接部14A 的鍍敷膜觀，配線14自身未露出到外部。通過這樣的構(gòu)成，由于配線14未露出到外部，故配線14的表面的氧化被抑制。另外，第二粗糙化區(qū)域38與其它區(qū)域相比，極細(xì)地形成，但該部分也由包覆層18覆蓋，因此， 也可以防止細(xì)的第二粗糙化區(qū)域38的斷線。具體而言，第二粗糙化區(qū)域38的寬度例如為 35μπι左右，其它區(qū)域(第一粗糙化區(qū)域36)的配線14的寬度為45μπι左右。第二粗糙化區(qū)域38的寬度變細(xì)的理由通過之后的制造方法的說明明了，該部分被蝕刻多次。進(jìn)而參照圖5 (A)，通過由包覆層18 —并覆蓋配線14和鍍敷膜觀，可提高裝置整體的耐濕性。具體而言，包覆層18不僅包覆配線14及鍍敷膜觀的表面，也包覆兩者邊界的臺(tái)階部分。因此，包覆層18和配線14的不同種類材料間的路徑變長，耐濕性相應(yīng)地提高。進(jìn)而參照圖5(A)，在鍍敷膜觀的終端部分的配線14上設(shè)有向內(nèi)側(cè)凹下的凹部 40。具體而言，在將鍍敷膜觀附著于配線14的第一連接部14Α之后，整面且薄地濕式蝕刻配線14。濕式蝕刻各向同性地進(jìn)行，因此，在鍍敷膜觀的終端部，蝕刻向鍍敷膜觀側(cè)(紙面上為右側(cè))行進(jìn)，形成凹部40。而且，鍍敷膜觀的端部成為檐狀突出的形狀。在該凹部 40內(nèi)充填構(gòu)成包覆層18的樹脂材料。凹部40沿配線14的上面及側(cè)面的鍍敷膜觀的終端部設(shè)置。通過該結(jié)構(gòu)，配線14的表面和包覆層18的邊界的路徑變得更長，因此，耐濕性進(jìn)一步提尚。(第二實(shí)施方式)本實(shí)施方式中，參照圖6 圖15說明上述結(jié)構(gòu)的電路裝置10的制造方法。這些圖中，(A)是剖面圖，(B)是平面圖。參照圖6，首先準(zhǔn)備在基材12的主面上形成有配線等的基板20。圖6 (A)是表示本工序中的基板20的的剖面圖，圖6(B)是從上方看到的基板20的平面圖。參照圖6(A)，在基材12的上面形成規(guī)定形狀的配線14，在基材12的背面形成背面電極32，將兩者連接的貫通電極30貫通基材12而形成。基材12的材料等與第一實(shí)施方式相同，由樹脂材料、無機(jī)材料或金屬材料構(gòu)成。 基材12在上面形成配線14、在下面形成背面電極32、并且也具有在制造工序中機(jī)械支承半導(dǎo)體元件16的功能。配線14由銅及鋁等金屬構(gòu)成，通過選擇性地蝕刻粘接于基材12上面的厚度 20 μ m 50 μ m左右的導(dǎo)電膜而形成。在此，配線14包含第一連接部14A、第二連接部14B、 在兩連接部之間細(xì)長地設(shè)置的配線部14C。參照圖6 (B)，配線14在基材12的上面設(shè)有多個(gè)，從基材20的中心部附近向周邊部放射狀地延伸。在平面上，第一連接部14A沿基板20 的側(cè)邊平行地配置多個(gè)。另外，第二連接部14B形成于比第一連接部14A更靠基板20的內(nèi)側(cè)的位置，在下方連接有貫通電極30。背面電極32與配線14相同，通過蝕刻粘接于基材12的背面的導(dǎo)電箔而形成為規(guī)定形狀。參照圖6(B)，背面電極32在基板20的背面網(wǎng)格狀大致等間隔離開地配置。貫通電極30通過利用鍍敷法等在厚度方向貫通規(guī)定部位的基材12而設(shè)置的貫通孔埋入銅等金屬而形成。參照圖7，其次，在基材12的上面及配線14的表面覆蓋無電解鍍敷膜42。參照圖7(A)及圖7(B)，在本工序中，在基材12的上面、配線14的表面(上面及兩側(cè)面)，通過無電解鍍敷法粘附例如厚度1 μ m左右的無電解鍍敷膜42。在作為導(dǎo)電材料的配線14的表面粘附無電解鍍敷膜42，且在作為絕緣材料的基材12的上面也粘附無電解鍍敷膜42。作為無電解鍍敷膜42的材料，可以是與配線14相同的材料(例如銅)，也可以是其它金屬材料。通過本工序中形成的無電解鍍敷膜42，形成于基板20上面的全部配線14成為短路的狀態(tài)。無電解鍍敷膜42具有后面工序中如形成電解鍍敷膜時(shí)的供電用鍍敷線的作用。圖8是拍攝到的通過本工序形成的無電解鍍敷膜42的圖像。參照該圖可知無電解鍍敷膜42的表面的凸部比第一粗糙化區(qū)域36的表面(參照圖3(A))或第二粗糙化區(qū)域 38的表面(參照圖3(B))細(xì)。在第二粗糙化區(qū)域38，通過蝕刻圖8所示的無電解鍍敷膜42 的表面，在表面成平滑后，再次進(jìn)行粗糙化處理而得到，因此，第二粗糙化區(qū)域38的表面的凸部的寬度比無電解鍍敷膜42的大。參照圖9，其次，將形成有無電解鍍敷膜42的基板20的上面由蝕刻保護(hù)層46包覆。在本工序中，首先在基材12的上面薄地形成由樹脂材料構(gòu)成的蝕刻保護(hù)層46。這樣， 將包覆基材12及配線14的無電解鍍敷膜42的表面由蝕刻保護(hù)層46全面地包覆。另外，在從上方向感光性蝕刻保護(hù)層46選擇性地照射光線之后，使強(qiáng)堿的溶液與蝕刻保護(hù)層46接觸。由此，未感光的蝕刻保護(hù)層46被部分除去，形成開口部44。參照圖9(B)，使配線14的第一連接部14A和其周邊的基材12的上面從利用上述方法形成的開口部44露出。在此，從開口部44露出的部位全部由無電解鍍敷膜42包覆。參照圖10，其次，從蝕刻保護(hù)層46的開口部44進(jìn)行蝕刻，將從開口部44露出的無電解鍍敷膜42除去。在本工序中，從除去蝕刻保護(hù)層46而設(shè)置的開口部44進(jìn)行濕式蝕刻。由此，蝕刻從開口部44露出的無電解鍍敷膜42。本工序中，在開口部44的內(nèi)部，進(jìn)行蝕刻直至包覆基材12的上面的無電解鍍敷膜42被除去。
參照圖10(B)，在蝕刻保護(hù)層46的開口部44的內(nèi)部，將包覆基材12的上面的無電解鍍敷膜42除去。另一方面，在開口部44露出的配線14的第一連接部14A，也通過本工序蝕刻表面。本工序的蝕刻目的是為了，在進(jìn)行電解鍍敷處理的后面的工序中，僅使第一連接部14A的表面粘附鍍敷膜，而使基材12的上面不粘附鍍敷膜，在基材12的上面在后面的工序粘附例如鍍金膜時(shí)，鍍金膜附著的部分的無電解鍍敷膜42未被除去而可能殘留。當(dāng)作為制品殘留有不必要的無電解鍍敷膜42時(shí)，可能存在配線14彼此間經(jīng)由無電解鍍敷膜42短路的危險(xiǎn)性。在本實(shí)施方式中，為排除這樣的危險(xiǎn)性，通過經(jīng)由開口部44進(jìn)行蝕刻，將包覆于第一連接部14A附近的基材12的上面的無電解鍍敷膜42除去。另外，在本工序中，在配線14的材料為銅時(shí)，使用配線銅(配線14的材料例如軋制銅箔或電解銅)和無電解銅(無電解鍍敷膜42)的蝕刻速率大的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻。艮口， 與配線14相比選擇無電解鍍敷膜42 —方容易蝕刻的蝕刻劑進(jìn)行本工序。在本工序中，如上所述，蝕刻從開口部44露出的配線14的第一連接部14A的表面 (包覆第一連接部14A的表面的無電解鍍敷膜4 。換言之，濕式蝕刻位于基板20的周邊部的配線14的表面。因此，通過本工序，位于周邊部的配線14的表面被蝕刻，其表面平坦化。而且，在本工序中，受到蝕刻影響的配線14成為圖2(A)等所示的第二粗糙化區(qū)域38。進(jìn)而，在本工序中，使用適合平坦化的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻。具體而言，在配線14的表面，構(gòu)成配線14的結(jié)晶的表面和該結(jié)晶彼此的邊界(粒界)露出。在本工序中，使用結(jié)晶表面和粒界同樣(均勻)地被除去的蝕刻劑。由此，在本工序中進(jìn)行蝕刻處理的配線14的第一連接部14A的表面更平滑。具體而言，在本工序中使用以氯化鐵的水溶液為主體的蝕刻劑。本工序結(jié)束之后，將蝕刻保護(hù)層46從基板20剝離除去。參照圖11，其次形成用于在下一工序進(jìn)行電解鍍敷處理的鍍敷保護(hù)層48。參照圖11 (A)，在基板20的整個(gè)上面形成了鍍敷保護(hù)層48之后，進(jìn)行曝光顯影處理，部分地除去鍍敷保護(hù)層48。由此，形成鍍敷膜的預(yù)定的第一連接部14A的上面及側(cè)面， 從開口部露出到外部。參照圖11 (B)，按照使各配線14的第一連接部14A露出的方式在蝕刻保護(hù)層48上設(shè)置開口部50。在此，鍍敷保護(hù)層48上形成的開口部50比之前的工序中設(shè)于蝕刻保護(hù)層 46的開口部44小。即，通過之前的工序中進(jìn)行蝕刻而平坦化的部分的配線14的一部分從鍍敷保護(hù)層48的開口部50露出。鍍敷膜粘附在從開口部50露出的部分的配線14上。另一方面，存在有通過之前工序的蝕刻而平坦化，且從開口部50不露出的部分的配線14。參照圖2(A)，該部分成為不由鍍敷膜觀覆蓋的第二粗糙化區(qū)域38。參照圖12(A)，上面不由無電解鍍敷膜42覆蓋，另外，未露出于開口部50的部分的配線14相當(dāng)于該部分(圖2(A) 等所示的第二粗糙化區(qū)域38)。參照圖12，其次，通過電解鍍敷法在從鍍敷保護(hù)層48的開口部50露出的配線14 的表面粘附鍍敷膜觀。參照圖12(A)，在本工序中，使鍍敷液與從設(shè)于鍍敷保護(hù)層48上的開口部50露出的配線14 (第一連接部)接觸，通過對(duì)無電解鍍敷膜42施加電壓，在配線14的表面形成電解鍍敷膜。在此，在露出的配線14的表面粘著由鎳構(gòu)成的電解鍍敷膜之后，在由該鎳構(gòu)成的電解鍍敷膜的上面粘著由金構(gòu)成的電解鍍敷膜。在本工序中，除開口部50內(nèi)部的基材12的上面之外，將全面地包覆基材12的上面及配線14的無電解鍍敷膜42作為電極使用，進(jìn)行電解鍍敷處理。因此，目前雖然配線14 彼此之間形成有用于進(jìn)行電解鍍敷的鍍敷線，但可不要該鍍敷線，因此，可使配線14彼此近接。參照圖12 (B)，在各開口部50的內(nèi)部，形成覆蓋配線14的表面的鍍敷膜觀。另外， 關(guān)于在開口部50的內(nèi)部露出的基材12，除去之前工序中覆蓋基材12上面的無電解鍍敷膜 42，因此在該部分不粘著鍍敷膜觀。本工序結(jié)束之后，將鍍敷保護(hù)層48從基板20的上面剝離除去。參照圖13，其表示除去鍍敷保護(hù)層之后的基板20的狀態(tài)。特別是參照圖13 (B)，除開口部50的內(nèi)部以外的基板20的上面由作為鍍敷線起作用的無電解鍍敷膜42包覆。參照圖14，其次，全面地除去為進(jìn)行電解鍍敷處理而使用的無電解鍍敷膜。在本工序中，基本上不使用蝕刻保護(hù)層，而使蝕刻劑接觸基板20的整個(gè)上面，來進(jìn)行蝕刻。而且，連續(xù)進(jìn)行蝕刻直至包覆基材12上面的無電解鍍敷膜被除去。通過本工序， 包覆基材12的上面的無電解鍍敷膜被蝕刻，并且配線14的整個(gè)區(qū)域的表面被蝕刻。通過上述工序除去作為鍍敷線起作用的無電解鍍敷膜，由此，各配線14電獨(dú)立。本工序中使用的蝕刻劑是比之前工序的蝕刻中使用的蝕刻劑的選擇性強(qiáng)的蝕刻劑。具體而言，本工序中使用的蝕刻劑是與結(jié)晶的表面相比優(yōu)先除去粒界的蝕刻劑。在此， 在配線14及配線14上的無電解鍍敷膜42的表面，配線14及構(gòu)成無電解鍍敷膜的結(jié)晶的表面、和該結(jié)晶彼此的邊界(粒界)露出。因此，與構(gòu)成配線14的晶粒相比，無電解鍍敷膜 42的晶粒細(xì)。具體而言，作為本工序中使用的蝕刻劑，優(yōu)選氯化鐵的水溶液之外的蝕刻劑。因此，在之前的蝕刻工序中平滑地進(jìn)行了無電解鍍敷膜42的除去的第一連接部 14A附近(周邊部)的配線14的表面，比無電解鍍敷膜42大的晶粒露出，經(jīng)由本工序也形成凸部寬度較大的形狀。即，該部分進(jìn)行多次蝕刻，成為圖2(A)所示的第二粗糙化區(qū)域38。另一方面，參照圖2(A)，只是進(jìn)行本工序的蝕刻的配線14在本工序的蝕刻處理時(shí)，在表面存在有晶粒粒徑較小的無電解鍍敷膜42，因此，其成為表面的凸部的寬度小的第一粗糙化區(qū)域36。參照圖15，其次，由包覆層18包覆基板20的上面。圖15(A)是本工序的基板20 的剖面圖，圖15⑶是從上方看到的基板20的平面圖。參照圖15(A)及圖15 (B)，首先，按照將基材12的上面及配線14全面地覆蓋的方式形成由樹脂構(gòu)成的包覆層18。其次，按照各配線14的第一連接部14A露出的方式除去包覆層18而形成開口部對(duì)。第一連接部14A及鍍敷膜觀從開口部對(duì)露出。在此，不僅鍍敷膜觀，而且構(gòu)成配線14的金屬材料也從開口部M露出到外部。但是，如圖5(A)及圖5(B)所示，也可以縮小開口部M的寬度，只是使鍍敷膜觀從開口部M 露出到外部。該情況下，構(gòu)成配線14的金屬材料全面由包覆層18覆蓋。利用以上的工序制造基板20。另外，制造圖1所示的電路裝置10需要如下工序。 即，需要有經(jīng)由絕緣性粘接劑將半導(dǎo)體元件16粘著于基板20上的工序；經(jīng)由金屬細(xì)線沈?qū)雽?dǎo)體元件16的電極與配線14電連接的工序；按照將半導(dǎo)體元件16及金屬細(xì)線沈密封的方式在基板20的上面形成密封樹脂22的工序；在背面電極32上焊接由焊料構(gòu)成的連接電極；34的工序等。
權(quán)利要求
1.一種基板的制造方法，制造在基材的一主面形成由包覆層包覆的配線的基板，其特征在于，包括在所述基材的所述一主面，按照包圍電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的方式形成具有連接部的配線的第一工序；在所述基材的所述一主面及所述配線的表面粘附無電解鍍敷膜的第二工序； 作為第一開口部使所述配線的連接部及其周邊部的所述基材的所述一主面開口并由蝕刻保護(hù)層將所述基材的所述一主面及所述配線包覆的第三工序；通過蝕刻除去從所述第一開口部露出的區(qū)域的所述無電解鍍敷膜的第四工序； 作為第二開口部使設(shè)有所述連接部的區(qū)域開口，在所述基材的一主面形成包覆所述配線的鍍敷保護(hù)層的第五工序；通過將所述無電解鍍敷膜作為電極使用的電解鍍敷法，在從所述第二開口部露出的所述配線的所述連接部覆蓋電解鍍敷膜的第六工序；將包覆所述基材的所述第一主面的所述無電解鍍敷膜除去，使所述配線彼此電獨(dú)立的第七工序；使覆蓋所述電解鍍敷膜的所述連接部作為第三開口部露出，按照包覆所述配線的方式在所述基材的所述第一主面形成包覆層的第八工序。
2.如權(quán)利要求1所述的基板的制造方法，其特征在于，在所述第四工序中使用第一蝕刻劑，在所述第七工序中使用性質(zhì)與所述第一蝕刻劑不同的第二蝕刻劑，所述第一蝕刻劑與第二蝕刻劑相比，具有均勻地蝕刻所述配線的表面的性質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1所述的基板的制造方法，其特征在于，在所述第七工序中，進(jìn)行包覆所述基材的所述一主面的所述無電解鍍敷膜及所述配線的表面的蝕刻，繼續(xù)進(jìn)行所述蝕刻直至除去包覆所述基材的所述一主面的所述無電解鍍敷膜。
4.一種電路裝置的制造方法，其具備在基材的一主面形成具有由包覆層包覆的配線的基板的工序、和在所述基板上安裝與所述配線電連接的電路元件的工序，其特征在于，形成所述基板的工序包括在所述基材的所述一主面，按照包圍電路元件搭載預(yù)定區(qū)域的方式形成具有連接部的配線的第一工序；在所述基材的所述一主面及所述配線的表面粘附無電解鍍敷膜的第二工序； 作為第一開口部使所述配線的連接部及其周邊部的所述基材的所述一主面開口并由蝕刻保護(hù)層將所述基材的所述一主面及所述配線包覆的第三工序；通過蝕刻除去從所述第一開口部露出的區(qū)域的所述無電解鍍敷膜的第四工序； 作為第二開口部使設(shè)有所述連接部的區(qū)域開口，在所述基材的一主面形成包覆所述配線的鍍敷保護(hù)層的第五工序；通過將所述無電解鍍敷膜作為電極使用的電解鍍敷法在從所述第二開口部露出的所述配線的所述連接部覆蓋電解鍍敷膜的第六工序；將包覆所述基材的所述第一主面的所述無電解鍍敷膜除去，使所述配線彼此電獨(dú)立的第七工序；作為第三開口部使覆蓋所述電解鍍敷膜的所述連接部露出，按照包覆所述配線的方式在所述基材的所述第一主面形成包覆層的第八工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種提高耐濕性的基板及其制造方法、電路裝置及其制造方法。本發(fā)明的基板(20)由基材(12)、形成于基材(12)上面的配線(14)、將除成為連接部的區(qū)域外的配線(14)包覆的包覆層(18)、形成于基材(12)的下面的背面電極(32)、貫通基材(12)將配線(14)和背面電極(32)連接的貫通電極(30)構(gòu)成。而且，使位于基材(12)的周邊部的配線(14)的表面的凸部的寬度比位于基材(12)的中心部的配線(14)的表面的凸部的寬度大。由此，配線(14)和包覆層(18)的粘合的熱循環(huán)負(fù)荷時(shí)的可靠性提高。
文檔編號(hào)H05K3/34GK102281720SQ201110148119
公開日2011年12月14日 申請日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者小原泰浩, 柴田清司, 清水敏哉, 臼井良輔, 長松正幸 申請人:三洋電機(jī)株式會(huì)社