專利名稱：電子鎮(zhèn)流器中具有死區(qū)時(shí)間的多頻率振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，涉及模擬集成電路，特別是一種多頻率振蕩器，可應(yīng)用于預(yù)熱型熒光燈電子鎮(zhèn)流器中。
背景技術(shù)：
多頻率振蕩器廣泛應(yīng)用于預(yù)熱型熒光燈電子鎮(zhèn)流器，通過(guò)改變不同時(shí)間段內(nèi)的振蕩頻率可實(shí)現(xiàn)熒光燈的預(yù)熱、點(diǎn)火及正常發(fā)光。根據(jù)預(yù)熱型熒光燈的特點(diǎn)，其正常工作有三個(gè)階段1、當(dāng)燈回路在某個(gè)較高頻率點(diǎn)fph時(shí)，在一定時(shí)間內(nèi)給燈絲提供一個(gè)大電流進(jìn)行預(yù)熱；2、當(dāng)頻率逐漸減小而趨于LCC串聯(lián)諧振并聯(lián)負(fù)載電路的固有頻率點(diǎn)&時(shí)，給熒光燈的兩端提供高達(dá)600 800V的電壓，以使其點(diǎn)亮；3、最后使熒光燈以恒定的工作頻率，在額定功率下正常發(fā)光。圖1是傳統(tǒng)振蕩器的電路圖，它包括MOS管M0-M9、開(kāi)關(guān)管MSl和MS2、運(yùn)算放大器 OP、比較器COMPl、電阻RO和電容C。其中，電阻RO、NMOS管MO、運(yùn)算放大器OP及基準(zhǔn)電壓源組成V-I轉(zhuǎn)換電路，利用基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生較精確的基準(zhǔn)電流Ikef ；Ml和M2組成第一電流鏡， M3、M4和M5組成第二電流鏡，M6和M7組成第三電流鏡，利用上述三個(gè)電流鏡的鏡像關(guān)系， 產(chǎn)生振蕩器的充電電流Ic和放電電流ID，給電容C充放電。傳統(tǒng)振蕩器的工作原理設(shè)初始時(shí)電容C上無(wú)電荷積累，電容C的端電壓為Vkamp, Vl為低閾值基準(zhǔn)電壓，Vh為高閾值基準(zhǔn)電壓，則Vkamp <\< Vh,此時(shí)比較器COMPl的輸出信號(hào)CLK為低電平，控制比較器負(fù)向端接高閾值基準(zhǔn)電壓VH，并且控制開(kāi)關(guān)管MSl導(dǎo)通、MS2關(guān)斷，以充電電流Ic給電容C充電，使電容C的端電壓Vkamp逐漸升高；當(dāng)Veamp > Vh時(shí)，比較器 COMPl的輸出信號(hào)CLK變?yōu)楦唠娖?，控制比較器負(fù)向端接低閾值基準(zhǔn)電壓\，并且控制開(kāi)關(guān)管MSl導(dǎo)通、MS2關(guān)斷，以放電電流Id給電容C放電，使電容C的端電壓Veamp逐漸降低；當(dāng) Veamp < Vl時(shí)，比較器COMPl的輸出信號(hào)CLK又變?yōu)榈碗娖剑绱搜h(huán)而產(chǎn)生振蕩信號(hào)。由上述分析可見(jiàn)，傳統(tǒng)振蕩器的充放電電流恒定，故而振蕩頻率固定，不能預(yù)熱燈絲，使點(diǎn)火時(shí)燈絲端電壓過(guò)高而損耗，導(dǎo)致熒光燈的工作壽命縮短。為解決上述傳統(tǒng)技術(shù)的不足，2010年中國(guó)專利申請(qǐng)201010179885. 8提出的一種 “應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器中的多頻率振蕩器”，是通過(guò)可變的充放電電流，實(shí)現(xiàn)振蕩器頻率可調(diào)， 順利完成熒光燈的預(yù)熱和點(diǎn)火，延長(zhǎng)了熒光燈的使用壽命，但這種電路又存在如下不足1、電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，不易于集成；2、電路產(chǎn)生的最小工作頻率固定，若改變燈絲的電阻特性，則熒光燈的光效變差；3、應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器芯片時(shí)，該電路的輸出信號(hào)需分別經(jīng)過(guò)高端死區(qū)產(chǎn)生電路得到高端控制信號(hào)和低端死區(qū)產(chǎn)生電路得到低端控制信號(hào)，而這兩個(gè)死區(qū)產(chǎn)生電路由于受工藝偏差和環(huán)境溫度的影響不一致，產(chǎn)生的死區(qū)時(shí)間不穩(wěn)定。若死區(qū)時(shí)間過(guò)小，導(dǎo)致外接逆變器電路中開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)不能滿足零電壓轉(zhuǎn)換的條件，從而增加熱損耗，甚至損壞開(kāi)關(guān)管。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器的具有死區(qū)時(shí)間的多頻率振蕩器，以簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)，延長(zhǎng)熒光燈的使用壽命，提高熒光燈的光效， 獲得具有穩(wěn)定死區(qū)時(shí)間的高低端控制信號(hào)，從而提高電子鎮(zhèn)流器的應(yīng)用靈活性。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的的技術(shù)關(guān)鍵是通過(guò)調(diào)節(jié)充電電流和控制充電電流變化的速度，實(shí)現(xiàn)頻率掃描和預(yù)熱時(shí)間可調(diào)，完成熒光燈的預(yù)熱、點(diǎn)火和正常發(fā)光，延長(zhǎng)熒光燈的使用壽命；通過(guò)調(diào)節(jié)最小充電電流實(shí)現(xiàn)最小工作頻率可調(diào)，以提高熒光燈的光效；通過(guò)死區(qū)邏輯電路，得到具有穩(wěn)定死區(qū)時(shí)間的高低端控制信號(hào)。其整個(gè)振蕩器包括基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路、控制電壓產(chǎn)生電路、最小電流產(chǎn)生電路、充電電流控制電路、放電電流控制電路、 振蕩電路和死區(qū)邏輯電路，中基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路的輸出端并聯(lián)連接有控制電壓產(chǎn)生電路和充電電流控制電路，該控制電壓產(chǎn)生電路的輸出端與充電電流控制電路的輸入端連接，用于產(chǎn)生逐漸變化的充電電流；基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路和振蕩電路之間接有最小電流產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生最小充電電流；振蕩電路的輸出端連接有死區(qū)邏輯電路，用于輸出具有穩(wěn)定死區(qū)時(shí)間的高低端控制信號(hào)。上述多頻率振蕩器，其中所述的控制電壓產(chǎn)生電路，包括兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān)管MSl和MS2、兩個(gè)PMOS管M2和M3以及遲滯比較器SMIT，兩個(gè)PMOS 管M2和M3分別構(gòu)成第一電流源Ia和第二電流源I⑶第一電流源Ia通過(guò)第一 MOS開(kāi)關(guān)管 MSl與外接電容Cc連接，第二電流源Ic2通過(guò)第二 MOS開(kāi)關(guān)管MS2與外接電容Cc連接，該外接電容同時(shí)連接到遲滯比較器SMIT的輸入端，遲滯比較器SMIT的輸出控制兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān)管MSl和MS2的導(dǎo)通和關(guān)斷。上述控制電壓產(chǎn)生電路，PMOS管M2的寬長(zhǎng)比W/L與PMOS管M3的寬長(zhǎng)比W1A1的比值為1/8，故第二電流源Ie2的電流是第一電流源Ia電流的8倍。上述多頻率振蕩器，其中所述的最小電流產(chǎn)生電路，包括外接電阻RM、運(yùn)算放大器0P2、NM0S管匪1以及兩個(gè)PMOS管匪2和匪3，該運(yùn)算放大器0P2和NMOS管匪1與外接電阻Rm組成電壓-電流轉(zhuǎn)化電路，用于產(chǎn)生與外接電阻Rm 和基準(zhǔn)電壓Vkefm成函數(shù)關(guān)系的最小充電電流，PMOS管匪2和匪3組成電流鏡，最小充電電流通過(guò)該電流鏡輸出到振蕩電路。上述多頻率振蕩器，其中所述的充電電流控制電路，包括比較器C0MP2、M0S開(kāi)關(guān)管MS3、或門(mén)0R2以及PMOS管M5，該P(yáng)MOS管M5構(gòu)成第三電流源I1,并通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)管MS3 與充放電電容C連接，比較器C0MP2的負(fù)向輸入端和正向輸入端分別與充放電電容C和控制電壓產(chǎn)生電路的輸出連接，或門(mén)0R2的輸入端分別與比較器C0MP2的輸出端和振蕩電路的輸出連接，或門(mén)0R2的輸出控制MOS開(kāi)關(guān)管MS3的導(dǎo)通和關(guān)斷，產(chǎn)生逐漸變化的充電電流。上述多頻率振蕩器，其中所述的死區(qū)邏輯電路，包括D觸發(fā)器、兩個(gè)或非門(mén)NORl 和N0R2，該D觸發(fā)器接成二分頻結(jié)構(gòu)，即D觸發(fā)器的反向輸出端XQ接到輸入端D，時(shí)鐘信號(hào)輸入端接振蕩電路的輸出信號(hào)CLK，該第一或非門(mén)NORl和第二或非門(mén)N0R2的輸入端同時(shí)接到振蕩電路的輸出信號(hào)CLK，第一或非門(mén)NORl的另一輸入端接D觸發(fā)器的正向輸出端Q，得到低端控制信號(hào)LL，第二或非門(mén)N0R2的另一輸入端接D觸發(fā)器的反向輸出端XQ，得到高端控制信號(hào)LH。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是1.本發(fā)明由于在基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路和充電電流控制電路之間接控制電壓產(chǎn)生電路，產(chǎn)生與基準(zhǔn)電流和外接電容有關(guān)的控制電壓，使充電電流控制電路產(chǎn)生逐漸變化的充電電流，使振蕩器的頻率逐漸變化，能滿足熒光燈的預(yù)熱、點(diǎn)火和正常發(fā)光的工作需求，此外，還可實(shí)現(xiàn)對(duì)預(yù)熱時(shí)間的調(diào)節(jié)，延長(zhǎng)熒光燈壽命。2.本發(fā)明由于在基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路和充電電流控制電路之間接最小電流產(chǎn)生電路，產(chǎn)生與基準(zhǔn)電壓和外接電阻成函數(shù)關(guān)系的最小充電電流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)最小工作頻率的控制，獲得最佳的光效。3.本發(fā)明由于放電電流控制電路產(chǎn)生恒定的放電電流，通過(guò)振蕩電路輸出恒定的放電時(shí)間信號(hào)，利用死區(qū)邏輯電路得到具有恒定死區(qū)時(shí)間的高低端控制信號(hào)，對(duì)工藝偏差和環(huán)境溫度不敏感。


圖1是傳統(tǒng)振蕩器電路圖；圖2是本發(fā)明多頻振蕩器的電路框圖；圖3是本發(fā)明多頻振蕩器的電路原理圖；圖4是本發(fā)明振蕩器的頻率與控制電壓之間的關(guān)系圖；圖5是本發(fā)明死區(qū)邏輯電路信號(hào)時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施。參照?qǐng)D2，本發(fā)明的多頻率振蕩器主要包括基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路1、控制電壓產(chǎn)生電路2、最小電流產(chǎn)生電路3、充電電流控制電路4、放電電流控制電路5、振蕩電路6和死區(qū)邏輯電路7。其中基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路1的輸出端并聯(lián)連接控制電壓產(chǎn)生電路2、 最小電流產(chǎn)生電路3、充電電流控制電路4和放電電流控制電路5，為各電路提供精確的偏置電流信號(hào)；控制電壓產(chǎn)生電路2的輸出連接充電電流控制電路4，控制充電電流控制電路 4產(chǎn)生逐漸變化的充電電流，最小電流產(chǎn)生電路3輸出最小充電電流，充電電流控制電路4 的輸出和最小電流產(chǎn)生電路3的輸出同時(shí)連接到振蕩電路6，產(chǎn)生逐漸變化的充電電流；放電電流控制電路5連接到振蕩電路6，產(chǎn)生恒定的放電電流；振蕩電路6根據(jù)充放電電流產(chǎn)生頻率漸變的時(shí)鐘信號(hào)，振蕩電路6的輸出端連接死區(qū)邏輯電路7，輸出具有穩(wěn)定死區(qū)時(shí)間的高低端控制信號(hào)。參考圖3，本發(fā)明的各單元電路結(jié)構(gòu)及工作原理如下基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路1，主要由三個(gè)匪05管觀、] 6、]\17，兩個(gè)？]\ )5管機(jī)、]\14， 運(yùn)算放大器OPl和電阻R組成，其中，PMOS管Ml和M4組成第一電流鏡，NMOS管M6和M7組成第二電流鏡，電阻R、運(yùn)算放大器OPl及NMOS管MO組成第一電壓-電流轉(zhuǎn)化電路，運(yùn)算放大器OPl的正向輸入端接基準(zhǔn)電壓Vkef，反向輸入端接電阻R和NMOS管MO的公共端，OPl的輸出端接MO的柵極，產(chǎn)生基準(zhǔn)電流Ikef = Veef/R ；該基準(zhǔn)電流通過(guò)NMOS管MO的漏極連接到第一電流鏡，分別為控制電壓產(chǎn)生電路2、最小電流產(chǎn)生電路3和充電電流控制電路4提供偏置電流，第一電流鏡通過(guò)PMOS管M4的漏極連接到第二電流鏡，為放電電流控制電路5 提供偏置電流?？刂齐妷寒a(chǎn)生電路2，主要由外接電容Ce，兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān)管MSl和MS2，兩個(gè)PMOS 管M2和M3以及遲滯比較器SMIT組成。兩個(gè)PMOS管M2和M3分別構(gòu)成第一電流源Ia和第二電流源IC2，PMOS管M2的寬長(zhǎng)比W/L與PMOS管M3的寬長(zhǎng)比W1A1的比值為1/8，故第二電流源Ic2的電流是第一電流源Ia電流的8倍，第一電流源Ia通過(guò)第一 MOS開(kāi)關(guān)管MSl 與外接電容Cc連接，第二電流源Ic2通過(guò)第二 MOS開(kāi)關(guān)管MS2與外接電容Cc連接，該外接電容Cc同時(shí)連接到遲滯比較器SMIT的輸入端，遲滯比較器SMIT的輸出控制兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān)管 MSl和MS2的導(dǎo)通和關(guān)斷。電路開(kāi)始工作時(shí)，外接電容Cc的端電壓Vc為零，Vc小于遲滯比較器SMIT的低閾值V_，此時(shí)遲滯比較器SMIT的輸出控制開(kāi)關(guān)MOS管MSl導(dǎo)通而MS2關(guān)斷， 以第一電流源Ia給Cc充電，使Vc緩慢升高，當(dāng)Vc高于遲滯比較器SMIT的高閾值V+時(shí)，遲滯比較器SMIT的輸出控制開(kāi)關(guān)MOS管MSl和MS2均導(dǎo)通，以第二電流源Ic2給Cc充電，使 Vc快速升高，控制充電電流控制電路4產(chǎn)生逐漸變化的充電電流Ici。最小電流產(chǎn)生電路3，主要由運(yùn)算放大器0P2，匪OS管匪1，兩個(gè)PMOS管匪2、匪3以及外接電阻&組成，其中PMOS管匪2和匪3組成第三電流鏡，運(yùn)算放大器0P2、NM0S管匪1 和外接電阻&組成了第二電壓-電流轉(zhuǎn)化電路，運(yùn)放0P2的正向輸入端接基準(zhǔn)電壓Vkefm,反向輸入端外接電阻&和匪1的公共端，0P2的輸出接匪1的柵極，產(chǎn)生電流Imi = Veefm/Rm, 該電流通過(guò)NMOS管匪1的漏極連接第三電流鏡，得到最小充電電流Im = kIM1，k是電流鏡的尺寸比例系數(shù)，由PMOS管匪2和匪3的寬長(zhǎng)比決定，該最小充電電流通過(guò)PMOS管匪3的漏極輸出到振蕩電路6，以確定振蕩器的工作頻率。當(dāng)基準(zhǔn)電壓VkefsJI定后，通過(guò)調(diào)節(jié)外接電阻&可調(diào)節(jié)最小充電電流IM，進(jìn)而調(diào)節(jié)振蕩器的工作頻率，使熒光燈獲得最佳的光效。充電電流控制電路5，主要由比較器C0MP2，或門(mén)0R2，MOS開(kāi)關(guān)管MS3和PMOS管M5 組成，其中PMOS管M5構(gòu)成第三電流源I1,并通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)管MS3與充放電電容C連接，比較器C0MP2的正向輸入端接控制電壓產(chǎn)生電路2輸出的控制電壓V。，負(fù)向輸入端接充放電電容C的端電壓Vkamp,比較器C0MP2的輸出接或門(mén)0R2，或門(mén)0R2的另一個(gè)輸入端接振蕩電路6的輸出信號(hào)CLK，或門(mén)0R2的輸出接MOS開(kāi)關(guān)管MS3的柵極，以控制MOS開(kāi)關(guān)管MS3的導(dǎo)通和關(guān)斷。當(dāng)或門(mén)0R2輸出為高電平時(shí)，控制MOS開(kāi)關(guān)管MS3關(guān)斷，充電電流控制電路5 輸出的充電電流Ia為零；當(dāng)或門(mén)0R2輸出為低電平時(shí)，控制MOS開(kāi)關(guān)管MS3導(dǎo)通使第三電流源I1接入，充電電流控制電路5輸出恒定的充電電流Ip當(dāng)控制電壓產(chǎn)生電路2輸出的控制電壓Vc逐漸變化時(shí)，通過(guò)或門(mén)0R2控制第三電流源I1接入的時(shí)間逐漸變化，產(chǎn)生逐漸變化的充電電流Ia，輸出給振蕩電路6以產(chǎn)生頻率逐漸變化的時(shí)鐘信號(hào)。放電電流控制電路4，主要由MOS開(kāi)關(guān)管MS4和匪OS管M7組成，其中匪OS管M7 構(gòu)成第四電流源ID，并通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)管MS4與充放電電容C連接，開(kāi)關(guān)MOS管MS4的柵極與振蕩電路6的輸出信號(hào)CLK連接，以控制MOS開(kāi)關(guān)管MS4的導(dǎo)通和關(guān)斷。當(dāng)振蕩電路6的輸出信號(hào)CLK為高電平時(shí)，控制MOS開(kāi)關(guān)管MS4導(dǎo)通使第四電流源Id接入，放電電流控制電路4輸出恒定的放電電流Id ；當(dāng)振蕩電路6的輸出信號(hào)CLK為低電平時(shí)，控制MOS開(kāi)關(guān)管 MS4關(guān)斷，放電電流控制電路4輸出的放電電流為零。
振蕩電路6，主要由兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān)管MS5、MS6，比較器C0MP2和充放電電容C組成， 其中，開(kāi)關(guān)MOS管MS5、MS6組成二選一選擇電路，即這兩個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管MS5和MS6的柵極接在一起作為控制信號(hào)輸入端，開(kāi)關(guān)MOS管MS5的源極作為一個(gè)輸入端接高閾值電壓Vh,開(kāi)關(guān) MOS管MS6的漏極作為另一個(gè)輸入端接低閾值電壓\，開(kāi)關(guān)MOS管MS5的漏極和MS6的源極接在一起作為二選一選擇電路的輸出端；選一選擇電路的輸出端與比較器C0MP2的負(fù)向輸入端連接，比較器C0MP2的正向輸入端接充放電電容C的端電壓Vkamp,比較器C0MP2的輸出信號(hào)CLK連接到二選一選擇電路的控制信號(hào)輸入端，控制開(kāi)關(guān)MOS管MS5和MS6的導(dǎo)通和關(guān)斷。當(dāng)V· < Vl < Vh時(shí)，比較器C0MP2輸出信號(hào)CLK為低電平，控制比較器C0MP2負(fù)向輸入端接高閾值電壓Vh ；當(dāng)Vkamp > Vh時(shí)，比較器C0MP2輸出信號(hào)CLK為高電平，控制比較器 C0MP2負(fù)向輸入端接低閾值電壓\。比較器C0MP2的輸出信號(hào)CLK控制充電電流控制電路 5和放電電流控制電路4對(duì)電容C進(jìn)行充放電，產(chǎn)生振蕩時(shí)鐘信號(hào)。根據(jù)上述分析，可以得出多頻振蕩器頻率隨控制電壓V。的變化如圖4所示的如下過(guò)程在高頻預(yù)熱階段當(dāng)Vc <\< Veamp時(shí)，比較器C0MP2的輸出為低電平，或門(mén)0R2 的輸出僅由振蕩電路6的輸出信號(hào)CLK決定，當(dāng)CLK為高電平時(shí)，或門(mén)0R2輸出高電平；當(dāng) CLK為低電平時(shí)，或門(mén)0R2輸出為低電平，故高頻預(yù)熱階段的振蕩頻率和高頻預(yù)熱持續(xù)時(shí)間為
權(quán)利要求
1.一種電子鎮(zhèn)流器中具有死區(qū)時(shí)間的多頻率振蕩器電路，包括基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路(1)、放電電流控制電路(4)和振蕩電路(6)，特征在于基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路(1)的輸出端并聯(lián)連接有控制電壓產(chǎn)生電路O)、充電電流控制電路(5)和最小電流產(chǎn)生電路(3)，該控制電壓產(chǎn)生電路⑵的輸出端與充電電流控制電路(5)的輸入端連接，用于產(chǎn)生逐漸變化的充電電流；基準(zhǔn)電流產(chǎn)生及鏡像電路⑴和振蕩電路(6)之間接有最小電流產(chǎn)生電路(3)，用于產(chǎn)生最小充電電流；振蕩電路(6)的輸出端連接有死區(qū)邏輯電路(7)，用于輸出具有穩(wěn)定死區(qū)時(shí)間的高低端控制信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的多頻率振蕩器，其特征在于所述的控制電壓產(chǎn)生電路0)， 包括兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān)管MSl和MS2、兩個(gè)PMOS管M2和M3以及遲滯比較器SMIT,兩個(gè)PMOS管 M2和M3分別構(gòu)成第一電流源Ia和第二電流源I⑶第一電流源Ia通過(guò)第一 MOS開(kāi)關(guān)管MSl 與外接電容Cc連接，第二電流源Ic2通過(guò)第二 MOS開(kāi)關(guān)管MS2與外接電容Cc連接，該外接電容同時(shí)連接到遲滯比較器SMIT的輸入端，遲滯比較器SMIT的輸出控制兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān)管MSl 和MS2的導(dǎo)通和關(guān)斷。
3.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)2所述的多頻率振蕩器，其特征在于所述的PMOS管M2的寬長(zhǎng)比W/ L與PMOS管M3的寬長(zhǎng)比W1Zl1的比值為1/8，故第二電流源Ic2的電流是第一電流源Ici電流的8倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的多頻率振蕩器，其特征在于所述最小電流產(chǎn)生電路(3)，包括外接電阻&、運(yùn)算放大器0P2、NMOS管匪1以及兩個(gè)PMOS管匪2和匪3，該運(yùn)算放大器 0P2和NMOS管匪1與外接電阻&組成電壓-電流轉(zhuǎn)化電路，用于產(chǎn)生與外接電阻&和基準(zhǔn)電壓Vkefm成函數(shù)關(guān)系的最小充電電流，PMOS管匪2和匪3組成電流鏡，最小充電電流通過(guò)該電流鏡輸出到振蕩電路(6)。
5.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的多頻率振蕩器，其特征在于所述的充電電流控制電路(5)， 包括比較器C0MP2、M0S開(kāi)關(guān)管MS3、或門(mén)0R2以及PMOS管M5，該P(yáng)MOS管M5構(gòu)成第三電流源I1,并通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)管MS3與充放電電容C連接，比較器C0MP2的負(fù)向輸入端和正向輸入端分別與充放電電容C和控制電壓產(chǎn)生電路O)的輸出連接，或門(mén)0R2的輸入端分別與比較器C0MP2的輸出端和振蕩電路(6)的輸出連接，或門(mén)0R2的輸出控制MOS開(kāi)關(guān)管MS3的導(dǎo)通和關(guān)斷，產(chǎn)生逐漸變化的充電電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的多頻率振蕩器，其特征在于所述死區(qū)邏輯電路(7)，包括D觸發(fā)器、兩個(gè)或非門(mén)NORl和N0R2，該D觸發(fā)器接成二分頻結(jié)構(gòu)，即D觸發(fā)器的反向輸出端XQ接到輸入端D，時(shí)鐘信號(hào)輸入端接振蕩電路(6)的輸出信號(hào)CLK，該第一或非門(mén)NORl 和第二或非門(mén)N0R2的輸入端同時(shí)接到振蕩電路(6)的輸出信號(hào)CLK，第一或非門(mén)NORl的另一輸入端接D觸發(fā)器的正向輸出端Q，得到低端控制信號(hào)LL，第二或非門(mén)N0R2的另一輸入端接D觸發(fā)器的反向輸出端XQ，得到高端控制信號(hào)LH。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器的具有死區(qū)時(shí)間的多頻率振蕩器，主要解決預(yù)熱型熒光燈無(wú)預(yù)熱或預(yù)熱時(shí)間不足，使用壽命短的問(wèn)題。它包括基準(zhǔn)電流及鏡像電路(1)、控制電壓產(chǎn)生電路(2)、最小電流產(chǎn)生電路(3)、放電電流控制電路(4)、充電電流控制電路(5)、振蕩電路(6)和死區(qū)邏輯電路(7)；控制電壓產(chǎn)生電路(2)的輸出接充電電流控制電路(5)，產(chǎn)生漸變的充電電流，最小電流產(chǎn)生電路(3)產(chǎn)生最小充電電流，通過(guò)振蕩電路(6)產(chǎn)生頻率漸變的時(shí)鐘信號(hào)，振蕩電路(6)的輸出連接死區(qū)邏輯電路(7)，產(chǎn)生具有穩(wěn)定死區(qū)時(shí)間的高低端控制信號(hào)。本發(fā)明能使預(yù)熱型熒光燈正常工作，還可延長(zhǎng)燈的使用壽命，提高光效。
文檔編號(hào)H05B41/36GK102291912SQ20111017166
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月23日
發(fā)明者葉強(qiáng), 來(lái)新泉, 田磊, 聶海英, 趙永瑞 申請(qǐng)人:西安電子科技大學(xué)