專利名稱：配線基板及制造配線基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種配線基板以及制造配線基板的方法。
背景技術(shù)：
配線基板包括一個(gè)置有絕緣層的表面。所述絕緣層包括一個(gè)開口。在該開口中形成一個(gè)電極焊盤(electrode pad)。例如，日本專利公開號2007-13092描述了一種具有形成于開口內(nèi)的電極焊盤的配線基板，所述開口具有方形的截面，并從絕緣層的表面延伸。所述開口具有深度，所述電極焊盤的厚度比所述開口的深度小。在所述配線基板中，所述絕緣層的表面的位置是從所述電極焊盤的表面向外。因而，當(dāng)LSI (大規(guī)模集成電路)的接線端子焊在并聯(lián)接在所述電極焊盤上時(shí)，避免了焊料流到相鄰的電極。這樣抑制了短路。配線基板的制造方法如下。首先，在支持體上形成阻焊膜(solder resist)。所述阻焊膜包括用來形成電極焊盤的開口。然后，在所述開口中形成調(diào)整層，以調(diào)整所述電極焊盤的高度。所述調(diào)整層的橫截面為四方形并具有厚度。所述調(diào)整層的厚度小于所述阻焊膜上的開口的深度。在所述支持體上形成覆蓋所述電極焊盤的絕緣層。在所述絕緣層中與所述電極焊盤對應(yīng)的位置處形成通路(via)。在所述絕緣層上形成與所述通路對應(yīng)的圖案配線。然后，在所述絕緣層的表面上形成覆蓋所述圖案配線的阻焊膜。進(jìn)而，在所述阻焊膜中形成一個(gè)開口，露出所述圖案配線的一部分。進(jìn)行濕式蝕刻將所述支持體和所述調(diào)整層除去。這樣露出所述電極焊盤的表面，得到一個(gè)絕緣層(阻焊膜)的表面位于從電極焊盤的表面朝外的配線基板。在日本公開專利號2007-13092的電極焊盤中，用濕式蝕刻除去支持體60和調(diào)整層61，如圖7(a)所示。這樣會蝕刻掉電極焊盤62的外圍部分，也就是，通向絕緣層63的界面，如圖7(b)所示。在這種情況下，在電極焊盤62的外圍部分和絕緣層63之間形成凹槽。 結(jié)果是，電極焊盤62和絕緣層63易從所述凹槽處分層或者裂開。本發(fā)明的目的是提供一種配線基板及其制造方法，防止在絕緣層和電極焊盤之間的界面附近出現(xiàn)分層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種制造具有電極焊盤的配線基板的方法。該方法包括在支持體上形成抗蝕膜。該抗蝕膜包括在與所述配線基板的電極焊盤的形成之處相對應(yīng)的位置處形成的開口。所述方法進(jìn)一步包括，在所述支持體上所述抗蝕膜的開口中形成調(diào)整層。該調(diào)整層包括基本上平行于所述支持體的第一平坦表面，以及從所述第一平坦表面的邊緣朝所述開口的側(cè)壁延伸的第一傾斜表面。所述方法還包括在所述調(diào)整層上形成所述電極焊盤。該電極焊盤包括外圍部分以及中央部分，所述外圍部分包括與所述調(diào)整層的第一傾斜表面相對應(yīng)的第二傾斜表面，所述中央部分包括與所述調(diào)整層的第一平坦表面相對應(yīng)的第二平坦表面，所述中央部分從所述外圍部分凹下。進(jìn)而，所述方法包括在所述支持體上形成絕緣層以及在該絕緣層上形成配線層。該配線層電聯(lián)接到所述電極焊盤。另外，所述方法包括除去所述支持體和所述調(diào)整層。根據(jù)上述的制造配線基板的方法，當(dāng)蝕刻所述調(diào)整層時(shí)，即使是要蝕刻所述電極焊盤的外圍部分，所述突出的外圍部分的末梢端變成圓形(rounded)。這樣抑制了在所述電極焊盤和所述絕緣層之間的界面處的蝕刻。因此，抑制了所述界面處出現(xiàn)分層。本發(fā)明進(jìn)一步的方面在于一種包括絕緣層和從該絕緣層暴露出來的電極焊盤的配線基板。所述電極焊盤包括中央部分，該中央部分包括平坦表面和外圍部分，所述中央部分從所述外圍部分凹下。在所述絕緣層上布置配線層，該配線層電聯(lián)接到所述電極焊盤。本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)從下文舉例說明本發(fā)明原理的描述結(jié)合附圖會變得顯而易見。


通過參考接下來對當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例的描述結(jié)合附圖會更好地理解本發(fā)明及其目的和優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的配線基板的截面視圖；圖2是顯示在圖1的配線基板中的電極焊盤及其周圍的截面放大視圖；圖3(a)至圖3(c)和3 (e)是顯示用于制造圖1的配線基板的過程的截面視圖，圖 3(d)和3(f)分別是圖3(c)和3(e)的放大視圖；圖4(a)至4(f)是顯示用于制造圖1的配線基板的過程的截面視圖；圖5(a)至圖5(c)是顯示在本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中的表面鍍層的截面視圖；圖6(a)至6(c)是顯示在本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中，用于制造具有在調(diào)整層上所形成的表面鍍層的配線基板的過程的截面視圖；以及圖7(a)和7(b)是顯示現(xiàn)有技術(shù)的配線基板的截面視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)參考圖1至圖4來描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。圖1顯示了配線基板10，包括層疊的第一、第二和第三絕緣層20、30和40。在絕緣層20、30和40中分別形成配線21、31和41。絕緣層20、30和40例如是由環(huán)氧樹脂形成，配線21、31和41是由金屬諸如銅形成。在第一絕緣層20內(nèi)形成通路孔20a。每個(gè)第一配線21形成通路21a和配線圖案 21b，通路21a形成于每個(gè)通路孔20a中，配線圖案21b聯(lián)接到通路21a。每個(gè)第二配線31 以與第一配線21相同的方式，形成通路31a和配線圖案31b，通路31a形成于第二絕緣層 30的每個(gè)通路孔30a中，配線圖案31b聯(lián)接到通路31a。進(jìn)而，每個(gè)第三配線41形成通路 41a和配線圖案41b，通路41a形成于第三絕緣層40的每個(gè)通路孔40a中，配線圖案41b聯(lián)接到通路41a。第一絕緣層20包括凹部22，其對應(yīng)于第一配線21。每個(gè)凹部22是圓形，直徑例如為50至500 μ m。圖1至圖4的截面視圖是沿著延伸穿過凹部22的中心的平面截取的。如圖2所示，在第一絕緣層20的每個(gè)凹部22中形成電極焊盤23。電極焊盤23包括焊盤主體M和形成于焊盤主體M的表面上的表面鍍層25。焊盤主體M是由銅制成。 表面鍍層25包括直接形成于焊盤主體M上的鎳層25a，以及形成于鎳層2 上的金層25b。焊盤主體M的厚度例如為5至25 μ m。鎳層2 的厚度例如為0. 005至0. 5 μ m。表面鍍層 25不局限于鎳層2 和金層2 這樣的兩層結(jié)構(gòu)。例如，表面鍍層25可以具有如圖5(a) 所示的包括鈀層25c和金層2 的雙層結(jié)構(gòu)，如圖5 (b)所示的包括鎳層25a、鈀層25c和金層25b的三層結(jié)構(gòu)，或者如圖5(c)所示的包括錫層25d的單層結(jié)構(gòu)。電極焊盤23包括位于電極焊盤23的中央部分的平坦部分沈和從平坦部分沈的邊緣突出的突出部分27。平坦部分沈包括第二平坦表面^a，其基本上平行于第一絕緣層 20中的凹部22的底部表面。突出部分27包括第二傾斜表面27a，其朝凹部22的邊沿傾斜，并從第二平坦表面26a的邊緣延伸到凹部22的側(cè)壁。從凹部22的頂部到第二平坦表面^a的距離Ll例如為10至15 μ m。從凹部22的側(cè)壁到平坦部分沈的邊緣的距離L2例如為10至15 μ m。突出部分27的高度L3例如為小于5 μ m。包括平坦部分沈和突出部分27的電極焊盤23與第一絕緣層20內(nèi)的凹部22的側(cè)壁相接觸。因此，與只包括平坦部分的電極焊盤相比，突出部分27增加了與第一絕緣層 20的接觸面積。這樣改善了電極焊盤23和第一絕緣層20之間的黏著性，抑制了在電極焊盤23和第一絕緣層20之間的界面處的裂開等狀況。圖2顯示的是聯(lián)接到電極焊盤23的焊球28。電極焊盤23通過焊球28聯(lián)接到半導(dǎo)體元件焊盤(圖中未示)。如上文所描述的，電極焊盤23的外圍部分界定了突出部分27。因此，焊球觀容易由中央部分(平坦部分26)收納，所述中央部分從所述外圍部分(突出部分27)凹下。并且，焊球觀由電極焊盤23的平坦部分沈和突出部分27支撐著。因此，與只有平坦部分的電極焊盤相比，焊球28和電極焊盤23之間的接觸面積增加了。并且，焊球28、電極焊盤23 和凹部22的壁部之間的間隙減小。相應(yīng)地，當(dāng)有應(yīng)力施加在焊球28上時(shí)，本實(shí)施例的電極焊盤23用更大的面積(接觸點(diǎn))支撐焊球觀。這樣穩(wěn)固地支撐住焊球觀。在本實(shí)施例中，電極焊盤23的表面既不是平滑的曲面，也不是平坦面，包括第二平坦表面26a和第二傾斜表面27a。此外，在第二平坦表面26a和第二傾斜表面27a之間的界面形成角部。當(dāng)電極焊盤包括平滑的曲面或者平坦面時(shí)，應(yīng)力會沿著所述電極焊盤的表面施加在焊球上，可能會沿著所述表面形成裂紋。這樣會沿著所述電極焊盤的表面?zhèn)鞑?yīng)力或者裂紋。但是，在本實(shí)施例中，電極焊盤23的表面不是平坦面。因此，例如，當(dāng)有應(yīng)力沿著第二傾斜表面27a施加在焊球28上時(shí)，應(yīng)力在第二平坦表面26a和第二傾斜表面27a 之間的界面附近停止傳播。如圖1所示，在第三絕緣層40上形成阻焊膜42。阻焊膜42包括與第三配線41相對應(yīng)的開口 43。這樣將第三配線41的配線圖案41b局部暴露出來。第三配線41電聯(lián)接在印刷基板的電極上。這樣將半導(dǎo)體元件和印刷基板通過配線基板10電聯(lián)接在一起?，F(xiàn)在參考圖3和圖4描述制造配線基板10的方法。參考圖3(a)，要制造配線基板10，首先準(zhǔn)備支持體50?？梢杂媒饘倨蛘呓饘俨鳛橹С煮w50。在本實(shí)施例中，使用銅箔。然后，參考圖3(b)，在支持體50上形成抗蝕膜51 (resist)。例如，可以用干膜作為抗蝕膜51?？刮g膜51包括在與電極焊盤23的形成之處相對應(yīng)的位置所形成的開口 52。參考圖3(c)，在抗蝕膜51的開口 52中形成調(diào)整層53，用來調(diào)整電極焊盤23的形狀。調(diào)整層53通過進(jìn)行電鍍形成的，電鍍將鍍銅鍍到支持體50通過抗蝕膜51的開口 52暴露出來的的那部分上。因此，調(diào)整層53由銅形成。電鍍使用硫酸銅、硫酸和氯等無機(jī)成分作為電鍍液，并使用均涂劑(Ieveler)、聚合物和光亮劑等有機(jī)成分作為添加劑。每個(gè)調(diào)整層53的厚度例如為10至15 μ m,與從凹部22的頂部(第一絕緣層20)到第二平坦表面 26a (電極焊盤23)的距離Ll相對應(yīng)，如圖2所示。每個(gè)調(diào)整層53的厚度小于每個(gè)開口 52 的深度。通過調(diào)整鍍液的成份來獲得在每個(gè)開口 52的中央部分處的平坦鍍層。相應(yīng)地，在本實(shí)施例中，如圖3所示，所形成的每個(gè)調(diào)整層53包括基本上平行于對應(yīng)的開口 52的底部表面的第一平坦表面53a (第一平坦表面)，和從第一平坦表面53a的邊緣朝支持體50延伸、直到開口 52的壁部的第一傾斜表面53b (第一傾斜表面)。因此，調(diào)整層53的第一平坦表面53a對應(yīng)于電極焊盤23的第二平坦表面^a。另外，調(diào)整層53的第一傾斜表面5 對應(yīng)于電極焊盤23的第二傾斜表面27a。在圖3(d)所示的例子中，調(diào)整層53的橫截面是六邊形。但是，當(dāng)電鍍是在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行時(shí)，第一傾斜表面5 靠近支持體50。因此，調(diào)整層53的橫截面可以是梯形。以這種方式，在調(diào)整層53的第一傾斜表面5 和開口 52的壁部之間形成橫截面大體上為V形的凹槽M。參考圖3(e)，在每個(gè)調(diào)整層53的表面上形成電極焊盤23的焊盤主體24。在本實(shí)施例中，參考圖3(f)，在每個(gè)調(diào)整層53的表面上形成厚度為0. 05至10 μ m的鎳層55。然后實(shí)施鍍銅以形成厚度為5至25 μ m的焊盤主體對。如圖3 (f)所示，鎳層55沿著調(diào)整層 53的表面形成并成形，因此所形成的焊盤主體M包括平坦表面Ma (第二平坦表面)和傾斜表面第二傾斜表面)。然后，參考圖4(a)，去掉了抗蝕膜51。進(jìn)而，焊盤主體M和支持體50進(jìn)行表面粗糙化處理，獲得0.5至2μπι的表面粗糙度。進(jìn)行表面粗糙化處理，使得在如圖4(b)所示的接下來的工藝處理中，第一絕緣層20容易粘到支持體50和焊盤主體M上。可以進(jìn)行各向異性蝕刻(例如，濕式蝕刻)來進(jìn)行所述粗糙化處理。在圖4 (b)所示的工藝中，進(jìn)行積層工藝在支持體50的表面上形成第一絕緣層20， 覆蓋住焊盤主體M。更具體而言，在支持體50上層疊樹脂膜。按壓所述樹脂膜的同時(shí)進(jìn)行熱處理。然后，將所述樹脂膜固化以形成第一絕緣層20。參考圖4(c)，例如，用激光束照射第一絕緣層20與焊盤主體M對應(yīng)的那部分，形成通路孔20a，并露出焊盤主體M。然后， 參考圖4(d)，在每個(gè)通路孔20a中，例如通過進(jìn)行半加成工藝，形成第一配線21。參考圖4(e)，以同樣的方式形成第二絕緣層30和第二配線31。然后以同樣的方式形成第三絕緣層40和第三配線41。這樣獲得配線構(gòu)件。第三絕緣層40的表面覆蓋有阻焊膜42，與第三配線41相對應(yīng)形成開口 43。一種包括第一至第三絕緣層20、30和40 以及配線21、31和41的配線構(gòu)件的形成方法，除了半加成工藝之外，可以使用像減成工藝 (sub-tractive process)等各種類型的配線形成工藝。參考圖4(f)，例如，用濕式蝕刻除去支持體50和調(diào)整層53。然后，蝕刻鎳層55以露出焊盤主體對。當(dāng)焊盤主體僅包括平坦表面時(shí)，第一絕緣層20中的每個(gè)凹部22的側(cè)壁與對應(yīng)的焊盤主體的表面大體上呈直角進(jìn)行接觸。在本實(shí)施例中，焊盤主體M的外圍部分由傾斜表面24b所界定的。因此，第一絕緣層20中的每個(gè)凹部22的側(cè)壁與對應(yīng)的焊盤主體M的表面呈鈍角進(jìn)行接觸。結(jié)果是，蝕刻液不會殘留在每個(gè)焊盤主體M的外圍部分的附近。進(jìn)而，甚至是當(dāng)蝕刻掉焊盤主體M時(shí)，傾斜表面24b的末梢端會只成圓形。以這種方式抑制了在焊盤主體M和第一絕緣層20之間的界面處的腐蝕。最后，在焊盤主體M暴露出來的狀態(tài)下，參考圖2所示，進(jìn)行化學(xué)鍍(electroless plating)，對焊盤主體M進(jìn)行表面處理，按順序形成鎳層2 和金層25b。所述表面處理不局限于形成包括鎳層2 和金層25b的表面鍍層25。例如，可以進(jìn)行化學(xué)鍍在焊盤主體M 的表面上形成包括鎳層、鈀層和金層這三層的表面鍍層(圖5(b))。還可以進(jìn)行化學(xué)鍍，在焊盤主體M的表面上形成包括鈀層和金層這兩層表面鍍層(圖5(a))。此外，還可以進(jìn)行化學(xué)鍍，在焊盤主體M的表面上形成只包括錫的表面鍍層(圖5(c))?？梢赃M(jìn)行有機(jī)保焊劑(OSB)工藝在焊盤主體M的表面上形成由有機(jī)成分形成的抗氧化膜。這樣形成電極焊盤23。以這種方式制造配線基板10。現(xiàn)在描述本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)。(1)當(dāng)制造配線基板10時(shí)，調(diào)整層53包括基本上平行于支持體50的第一平坦表面53a，以及從第一平坦表面53a的邊緣朝支持體50的表面延伸、直到抗蝕膜51中的相應(yīng)開口 52的壁部的第一傾斜表面53b。結(jié)果是，形成于調(diào)整層53上的焊盤主體M包括設(shè)置在與調(diào)整層53的表面相對應(yīng)的中央部分的平坦表面Ma，以及設(shè)置在外圍部分、從所述中央部分朝外突出的傾斜表面Mb。相應(yīng)地，當(dāng)蝕刻支持體50和調(diào)整層53時(shí)，即使是要蝕刻焊盤主體M的一部分，包括傾斜表面24b的突出外圍部分的末梢端會只成圓形。這樣抑制了在焊盤主體M和第一絕緣層20之間的界面處的腐蝕。進(jìn)而，由于不會腐蝕電極焊盤23 和第一絕緣層20之間的界面，抑制了在所述界面處出現(xiàn)分層。(2)在配線基板10中，電極焊盤23設(shè)置在每個(gè)凹部22中，凹部22形成于第一絕緣層20的表面內(nèi)。電極焊盤23包括具有第二平坦表面^a的平坦部分沈和具有第二傾斜表面27a的突出部分27。由于包括平坦部分沈和突出部分27的電極焊盤23與第一絕緣層20接觸，與僅包括平坦部分的電極焊盤相比，突出部分27增加了與第一絕緣層20的接觸面積。這樣改善了電極焊盤23和第一絕緣層20之間的黏著性，抑制了在電極焊盤23 和第一絕緣層20之間的界面處開裂。(3)包括平坦部分沈和突出部分27的電極焊盤23聯(lián)接在焊球28上。因此，焊球觀容易被收納到電極焊盤23的中央部分，與電極焊盤僅包括平坦部分相比，焊球觀和電極焊盤23之間的接觸面積增加。這樣改善了焊球觀的穩(wěn)定性，電極焊盤23進(jìn)一步穩(wěn)定地支撐住焊球觀。對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，本發(fā)明可以體現(xiàn)為許多其它具體形式。特別要理解的是，本發(fā)明可以體現(xiàn)為以下形式。在上述實(shí)施例中，在圖3(e)所示的工藝中，焊盤主體M是在調(diào)整層53的表面形成鎳層55之后形成的。此外，在圖4所示的支持體除去工藝中，在除去支持體50、調(diào)整層53 和鎳層55之后，在焊盤主體M上形成表面鍍層25。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，在圖3(e)所示的用于形成電極焊盤23的工藝中，焊盤主體M是在調(diào)整層53上對應(yīng)于鎳層55的位置形成表面鍍層25之后形成的。此外，在圖4(f)的支持體除去工藝中，僅除去支持體50和調(diào)整層53。在這種情況下，已經(jīng)形成了表面鍍層25。因此，不需再像在上述實(shí)施例中一樣，要在圖4(f)的工藝之后，在焊盤主體M上形成表面鍍層25。這樣減少了制造步驟。形成于調(diào)整層53上的表面鍍層25可以是，例如包括金層2 (0. 005至0. 5 μ m)、鈀層25c (0. 005 至0.5 μ m)和鎳層25a(0.5至10 μ m)的三層表面鍍層，如圖6 (a)所示。表面鍍層25還可以是包括金層25b (0. 005 M 0. 5 μ m)和鎳層25a (0. 5至10 μ m)的雙層表面鍍層，如圖6 (b) 所示。可替換的是，表面鍍層25可以是包括金層25b (0.005至0.5 μ m)和鈀層25c (0. 005 至0.5 μ m)的雙層表面鍍層，如圖6(c)所示。在上述的實(shí)施例中，電極焊盤23包括平坦部分沈和突出部分27。此外，如圖2所示，突出部分27的第二傾斜表面27a是平坦的。但是，突出部分27的形狀不受限制。例如， 突出部分27的表面可以是圓形，而不是平坦的。在這種情況下，優(yōu)選的是在突出部分的表面和平坦部分的平坦表面之間的界面中形成角部。這樣具有上述實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)G)。在上述實(shí)施例的配線基板10中，電極焊盤23是通過焊球28聯(lián)接到半導(dǎo)體元件電極焊盤上。但是，電極焊盤23可以通過金屬線聯(lián)接到半導(dǎo)體元件上。在上述實(shí)施例的配線基板10內(nèi)，電極焊盤23是通過焊球28聯(lián)接到半導(dǎo)體元件， 印刷基板聯(lián)接到配線基板10的第三絕緣層40。但是，所述印刷基板可以聯(lián)接到電極焊盤 23上，半導(dǎo)體元件可以聯(lián)接到第三配線41上，也就是，從開口 43暴露出來的阻焊膜42的那部分。在上述實(shí)施例的制造方法中，在形成焊盤主體M之后，在除去抗蝕膜51之后形成第一絕緣層20。但是，可以不除去抗蝕膜51而形成第一絕緣層20。在這種情況下，電極焊盤23形成于所制造的配線基板上、設(shè)置在抗蝕膜51的表面內(nèi)的對應(yīng)的開口 52中。在上述實(shí)施例中，使用環(huán)氧樹脂作為絕緣層的材料，用銅作為在每個(gè)電極焊盤內(nèi)的焊盤主體的材料和配線的材料。但是，可以使用其它像聚酰亞胺樹脂之類的材料作為絕緣層，所述焊盤主體和配線的材料不局限于銅，可以改變。此外，在所述絕緣層內(nèi)所形成的凹部的尺寸、電極焊盤的尺寸、每一層的厚度以及配線圖案不受限制。層疊的絕緣層的數(shù)目也不受限制。此外，在制造期間，所述支持體和調(diào)整層所用的材料不局限于銅，可以改變。另外，僅需要將所述調(diào)整層形成為包括平坦表面和傾斜表面。用于形成所述調(diào)整層的抗蝕膜和鍍液不受限制，用于形成所述調(diào)整層的工藝不受限制。例如，在形成完整的、平坦的調(diào)整層之后，可以蝕刻所述調(diào)整層的外圍部分以形成所述傾斜表面。此外，可以進(jìn)行除電鍍之外的其它工藝來形成所述調(diào)整層。在這種情況下，所述工藝不限于前述的描述。本文所記載的所有例子和條件語言意欲教導(dǎo)，為了有助于讀者理解發(fā)明人使技術(shù)深化所提出的本發(fā)明的原理和構(gòu)思，應(yīng)當(dāng)理解為本發(fā)明不受此處特別羅列的例子和條件的限制，并且說明書中這些例子的組織與展示本發(fā)明的優(yōu)勢和劣勢無關(guān)。雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解的是，在不偏離本發(fā)明的精神和范疇的情況下，可以對其進(jìn)行各種改變、置換和替換。
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權(quán)利要求
1.一種用于制造包括電極焊盤的配線基板的方法，該方法包括在支持體上形成抗蝕膜，其中該抗蝕膜包括開口，該開口在與所述配線基板的電極焊盤形成之處對應(yīng)的位置；在所述支持體上所述抗蝕膜的開口內(nèi)形成調(diào)整層，其中所述調(diào)整層包括基本上平行于所述支持體的第一平坦表面，以及從所述第一平坦表面的邊緣朝所述開口的側(cè)壁延伸的第一傾斜表面；在所述調(diào)整層上形成所述電極焊盤，其中所述電極焊盤包括外圍部分和中央部分，所述外圍部分包括與所述調(diào)整層的第一傾斜表面相對應(yīng)的第二傾斜表面，所述中央部分包括與所述調(diào)整層的第一平坦表面相對應(yīng)的第二平坦表面，所述中央部分從所述外圍部分凹下；在所述支持體上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成配線層，其中所述配線層電聯(lián)接在所述電極焊盤上；以及除去所述支持體和所述調(diào)整層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在除去所述支持體和所述調(diào)整層之后，在所述電極焊盤上形成表面鍍層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述電極焊盤包括在所述調(diào)整層上形成表面鍍層，并在所述表面鍍層上形成電極焊盤主體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成所述電極焊盤之后，在所述電極焊盤上進(jìn)行粗糙化工藝。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述調(diào)整層是通過鍍金屬形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外圍部分包括基本上平坦的末梢端。
7.—種配線基板，包括絕緣層；從所述絕緣層暴露出來的電極焊盤，其中所述電極焊盤包括中央部分和外圍部分，所述中央部分包括平坦表面，并且所述中央部分從所述外圍部分凹下；以及設(shè)置在所述絕緣層上并電聯(lián)接在所述電極焊盤上的配線層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線基板，其中所述電極焊盤包括焊盤主體和形成于所述焊盤主體上的表面鍍層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線基板，其中所述外圍部分包括基本上平坦的末梢端。
10.一種配線基板，包括具有凹部的絕緣層，其中所述凹部包括具有開口的底部表面；電極焊盤，其在所述絕緣層的凹部的底部表面上形成以覆蓋住所述開口，其中所述電極焊盤包括中央部分和外圍部分，所述中央部分包括基本上平行于所述絕緣層的平坦表面，所述外圍部分包括從所述中央部分的邊緣朝所述開口的側(cè)壁延伸的傾斜表面，并且所述中央部分從所述外圍部分凹下；以及形成于所述絕緣層上的配線層，其中所述配線層通過所述底部表面中的開口電聯(lián)接到所述電極焊盤。
全文摘要
一種配線基板，其防止在絕緣層和電極焊盤之間的界面處附近出現(xiàn)分層，所述電極焊盤形成于所述絕緣層的凹部內(nèi)。在形成于支持體上的抗蝕膜的開口內(nèi)形成調(diào)整層，以調(diào)整所述電極焊盤的形狀。所述調(diào)整層包括基本上平行于所述支持體的平坦表面以及從所述平坦表面的邊緣朝所述支持體延伸、到達(dá)所述開口的側(cè)壁的傾斜表面。所述電極焊盤的焊盤主體和包括配線的絕緣層形成于所述調(diào)整層上。蝕刻所述支持體和調(diào)整層以露出所述焊盤主體。
文檔編號H05K3/40GK102316680SQ20111019791
公開日2012年1月11日 申請日期2011年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月8日
發(fā)明者中村順一, 小林和弘, 小谷幸太郎, 金子健太郎 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社