專利名稱：拉制1.6米單晶棒工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種拉制I. 6米單晶棒工藝。
背景技術(shù)：
目前，對(duì)與單晶棒的拉制有許多種的方法，但是拉制時(shí)的參數(shù)直接能影響到單晶棒產(chǎn)品的質(zhì)量。這些參數(shù)中主要包括有溫度、單晶棒拉速以及石英坩堝的堝升速。如何通過控制該升速來提高單晶棒的拉制質(zhì)量，仍然存在很大的提升空間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種拉制I. 6米單晶棒工藝。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是·
一種拉制I. 6米單晶棒工藝，將硅熔融液放置在石英坩堝，并使石英坩堝以規(guī)定的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，將待拉制I. 6米的單晶棒分成若干個(gè)長度段4段30_、1段60_、3段150_、2段120mm、3段100mm、3段80mm以及4段50mm，在拉制過程中，
4段30mm長度段的溫度從_9度升至I度，單晶棒的拉速從I. 35降至I. 27，堝升速從O. 136 降至 O. 131 ；
I段60mm長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速為I. 25，堝升速為O. 129 ；
3段150_長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速從I. 24降至I. 2，堝升速從O. 127降至O. 122 ；
2段120mm長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速從I. 18降至I. 16，堝升速從O. 119降至 O. 115 ；
3段IOOmm長度段的溫度為3度，單晶棒的拉速從I. 14降至I. 1，堝升速從O. 111降至O. 104 ；
3段80mm長度段的溫度從4度升至5度，單晶棒的拉速從I. 08降至I. 04，堝升速從O. I 降至 O. 09 ；
4段50mm長度段的溫度從5度升至6度，單晶棒的拉速從I. 02降至O. 95，堝升速從O. 086 降至 O. 072 ；
所述的拉速、禍升速的速度單位為min/mm。優(yōu)選地，4段30mm長度段的溫度分別為_9度、O度、O度和I度；單晶棒的拉速分別為 I. 35,1. 3,1. 28 和 I. 27，堝升速分別為 O. 136,0. 133,0. 132 和 O. 131。優(yōu)選地，3段150mm長度段的單晶棒的拉速分別為I. 24、I. 22和I. 2，堝升速分別為 O. 127,0. 124、和 O. 122。優(yōu)選地，2段120mm長度段的單晶棒的拉速分別為I. 18和I. 16，堝升速分別為O. 119 和 O. 115。優(yōu)選地，3段IOOmm長度段的單晶棒的拉速分別為I. 14、I. 12和I. I，堝升速分別為 O.111,0.108 和 O. 104。
優(yōu)選地，3段80mm長度段的溫度分別為4度、4度和5度；單晶棒的拉速分別為
I.08、1· 04 和 I. 04，堝升速分別為 O. 1、0· 095 和 O. 09。優(yōu)選地，4段50mm長度段的溫度分別為5度、5度、5度和6度；單晶棒的拉速分別為 I. 02、1、0· 98 和 O. 95，堝升速分別為 O. 086、0. 081、0. 077、0· 072。
由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果通過本工藝能夠有效的提高單晶棒的生產(chǎn)速度，降低生產(chǎn)成本。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述
一種拉制I. 6米單晶棒工藝，將硅熔融液放置在石英坩堝，并使石英坩堝以規(guī)定的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，將待拉制I. 6米的單晶棒分成若干個(gè)長度段4段30mm、I段60mm、3段150mm、2段120mm、3段100mm、3段80mm以及4段50mm，在拉制過程中參照表一，控制各個(gè)長度段的溫度、單晶棒拉速以及堝升速
權(quán)利要求
1.一種拉制I. 6米單晶棒工藝，將硅熔融液放置在石英坩堝，并使石英坩堝以規(guī)定的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，將待拉制I. 6米的單晶棒分成若干個(gè)長度段4段30mm、I段60mm、3段150mm、2段120mm、3段100_、3段80mm以及4段50_，其特征在于在拉制過程中， 4段30mm長度段的溫度從_9度升至I度，單晶棒的拉速從I. 35降至I. 27，堝升速從O. 136 降至 O. 131 ； I段60mm長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速為I. 25，堝升速為O. 129 ； 3段150_長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速從I. 24降至I. 2，堝升速從O. 127降至O. 122 ； 2段120mm長度段的溫度為2度，單晶棒的拉速從I. 18降至I. 16，堝升速從O. 119降至 O. 115 ； 3段IOOmm長度段的溫度為3度，單晶棒的拉速從I. 14降至I. 1，堝升速從O. 111降至O. 104 ； 3段80mm長度段的溫度從4度升至5度，單晶棒的拉速從I. 08降至I. 04，堝升速從O. I 降至 O. 09 ； 4段50mm長度段的溫度從5度升至6度，單晶棒的拉速從I. 02降至O. 95，堝升速從O. 086 降至 O. 072 ； 所述的拉速、禍升速的速度單位為min/mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拉制I.6米單晶棒工藝，其特征在于4段30_長度段的溫度分別為-9度、O度、O度和I度；單晶棒的拉速分別為I. 35、I. 3、I. 28和I. 27，堝升速分別為 O. 136,0. 133,0. 132 和 O. 131。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拉制I.6米單晶棒工藝，其特征在于3段150mm長度段的單晶棒的拉速分別為I. 24、I. 22和I. 2，堝升速分別為O. 127,0. 124、和O. 122。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拉制I.6米單晶棒工藝，其特征在于2段120mm長度段的單晶棒的拉速分別為I. 18和I. 16，堝升速分別為O. 119和O. 115。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拉制I.6米單晶棒工藝，其特征在于3段IOOmm長度段的單晶棒的拉速分別為I. 14、I. 12和I. 1，堝升速分別為O. 111,0. 108和O. 104。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拉制I.6米單晶棒工藝，其特征在于3段80mm長度段的溫度分別為4度、4度和5度；單晶棒的拉速分別為I. 08、I. 04和I. 04，堝升速分別為O. I、O. 095 和 O. 09。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拉制I.6米單晶棒工藝，其特征在于4段50_長度段的溫度分別為5度、5度、5度和6度；單晶棒的拉速分別為I. 02、I、0. 98和O. 95，堝升速分別為O. 086,0. 081,0. 077 和 O. 072。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種拉制1.6米單晶棒工藝，將硅熔融液放置在石英坩堝，并使石英坩堝以規(guī)定的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，將待拉制1.6米的單晶棒分成若干個(gè)長度段4段30長度段溫度-9-1度，單晶棒拉速1.35-1.27，堝升速0.136-0.131；1段60長度段溫度為2度，拉速為1.25，堝升速為0.129；3段150長度段溫度為2度，拉速1.24-1.2，堝升速0.127-0.122；2段120長度段溫度為2度，拉速1.18-1.16，堝升速0.119-0.115；3段100長度段溫度為3度，拉速1.14-1.1，堝升速0.111-0.104；3段80長度段溫度4-5度，拉速1.08-1.04，堝升速0.1-0.09；4段50長度段溫度5-6度，拉速1.02-0.95，堝升速0.086-0.072；長度段單位為mm，拉速、堝升速的速度單位為min/mm。通過本工藝能夠有效的提高單晶棒的生產(chǎn)速度，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)C30B15/20GK102912427SQ20111021760
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2011年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月1日
發(fā)明者陳春成, 戚建靜 申請(qǐng)人:蘇州東泰太陽能科技有限公司