專(zhuān)利名稱(chēng)：多層pcb板的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及PCB (printed circuit board，印刷電路板)板，特別是涉及一種多層 PCB板的制備方法。
背景技術(shù)：
目前的電子產(chǎn)品趨向于高密度小體積化，因此多層PCB具有很好的市場(chǎng)前景。多層PCB板多有陰陽(yáng)板，其內(nèi)層制作工藝復(fù)雜、品質(zhì)隱患較大，采用常規(guī)的生產(chǎn)工藝很容易造成產(chǎn)品不良率高，尤其是銅厚難以精確，導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種改進(jìn)的多層PCB板及其制作方法。一種多層PCB板的制備方法，包括步驟根據(jù)所述多層PCB板的層數(shù)提供多張芯板，位于外側(cè)的芯板的朝外的一面的初始銅厚大于目標(biāo)銅厚；對(duì)所述多張芯板進(jìn)行退膜處理；對(duì)退膜處理后的多張芯板進(jìn)行氧化處理；使用銅箔對(duì)經(jīng)氧化處理后的多張芯板進(jìn)行壓合處理；以及使用蝕刻液對(duì)壓合后的多張芯板進(jìn)行微蝕刻減薄銅處理，使位于外側(cè)的芯板的朝外的一面的銅厚等于目標(biāo)銅厚。其中所述蝕刻液的配方為140 160g/l的二價(jià)銅離子，3. 65 10. 95g/l的氯化氫，比重為1200 1400g/l。在優(yōu)選的實(shí)施例中，蝕刻時(shí)的上壓力為2. Okg/m2，下壓力為1. 7kg/m2。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述初始銅厚約為目標(biāo)銅厚的3倍。在優(yōu)選的實(shí)施例中，蝕刻溫度約為50 士 2 °C。在優(yōu)選的實(shí)施例中，在微蝕刻減薄銅處理步驟中采用了蝕刻機(jī)，該蝕刻機(jī)包括行轆；在微蝕刻減薄銅處理步驟中，采用蝕刻液對(duì)PCB板進(jìn)行微蝕處理預(yù)定時(shí)間后，使用多塊光板以約4. Om/mirTe. 8m/min的傳送速度將蝕刻機(jī)行轆上的蝕刻液帶掉。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述根據(jù)所述多層PCB板的層數(shù)提供多張芯板的步驟中，位于外側(cè)的兩塊芯板的朝外的一面的板邊開(kāi)有工具孔，其余部分覆蓋著銅箔。在優(yōu)選的實(shí)施例中，在對(duì)退膜處理后的多張芯板進(jìn)行氧化處理之前，還要對(duì)退膜處理后的多張芯板進(jìn)行光學(xué)檢查。在優(yōu)選的實(shí)施例中，在使用銅箔對(duì)經(jīng)氧化處理后的多張芯板進(jìn)行壓合處理之前， 先使用清潔轆清潔芯板表面粘結(jié)的粉塵。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述多層PCB板包括三張雙面芯板，位于外側(cè)的兩塊芯板的朝外的一面的初始銅厚均為10Z，目標(biāo)銅厚為1/30Z。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述多層PCB板的制備方法還包括對(duì)經(jīng)微蝕刻減薄銅處理的多張芯板進(jìn)行磨板和鉆孔處理的步驟。本發(fā)明方法通過(guò)對(duì)微蝕刻減薄銅的工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化調(diào)整，使產(chǎn)品最終減銅可做到很精確，使內(nèi)層生產(chǎn)順暢，降低報(bào)廢率，節(jié)省了生產(chǎn)成本。
具體實(shí)施例方式下面將以制作六層PCB板為例對(duì)本發(fā)明多層PCB板的制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)描述。為方便描述，該六層PCB板的外層記為L(zhǎng)l和L6層，中間層記為L(zhǎng)2、L3、L4和L5層。 其中內(nèi)層L2、L5層的目標(biāo)銅厚為IOZ (盎司，loz=28. 35克)，L3、L4層的目標(biāo)銅厚為0. 50Z。 外層Li、L6層的目標(biāo)銅厚為1/30Z。該六層PCB板的制備方法包括
步驟一
設(shè)計(jì)和制作三張雙面芯板第一芯板、第二芯板和第三芯板。其中第一芯板的上下兩面分別作為L(zhǎng)l層和L2層，第二芯板的上下兩面分別作為L(zhǎng)3層和L4層，第三芯板的上下兩面分別作為L(zhǎng)5層和L6層。Ll和L2層的初始銅厚均為10Z，L3和L4層的初始銅厚均為 1. 50Z, L5和L6層的初始銅厚均為10Z。即外層Ll和L6層的初始銅厚約為目標(biāo)銅厚的3 倍。其他實(shí)施例中，外層初始銅厚可為其目標(biāo)銅厚的2倍或3倍以上。在制作Ll和L6層時(shí)，除其板邊的工具孔外，其余地方保持全銅。步驟二
對(duì)這三張芯板進(jìn)行退膜處理。本實(shí)施例中，將設(shè)計(jì)好的電路圖用光刻機(jī)印成膠片得到菲林圖形，然后將一層對(duì)特定光譜敏感而發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的感光、抗蝕性膜層覆蓋在芯板表面，讓該膜層經(jīng)過(guò)紫外光的照射產(chǎn)生交聯(lián)聚合反應(yīng)，使菲林圖形復(fù)制在芯板表面上。然后， 用Na2C03 (碳酸鈉)藥水將芯板上未曝光固化的銅面部分顯像出來(lái)，用酸性蝕刻藥水將已露出的銅層蝕刻掉，再退去線路上曝光的膜層形成了內(nèi)層線路圖形。步驟三
對(duì)退膜處理后的三張芯板進(jìn)行常規(guī)AOKautomated optical inspection，自動(dòng)光學(xué)檢查)掃描，確認(rèn)無(wú)誤后對(duì)芯板進(jìn)行氧化處理。本實(shí)施例中，采用棕化法。步驟四
使用銅箔對(duì)經(jīng)氧化處理后的三張芯板進(jìn)行熱壓合處理。具體方法是將銅箔的粗糙面緊貼鋼板、光滑面與實(shí)際壓合板相貼將半固化片夾在芯板之間，可有效防止多余的PP膠流到鋼板上而產(chǎn)生不必要的返工損失。壓合處理后，Ll和L6為外層，L2、L3、L4和L5為內(nèi)層。 壓合時(shí)可采用常規(guī)3程式，參數(shù)如下表所示。
權(quán)利要求
1.一種多層PCB板的制備方法，其特征在于，包括步驟根據(jù)所述多層PCB板的層數(shù)提供多張芯板，位于外側(cè)的芯板的朝外的一面的初始銅厚大于目標(biāo)銅厚；對(duì)所述多張芯板進(jìn)行退膜處理；對(duì)退膜處理后的多張芯板進(jìn)行氧化處理；使用銅箔對(duì)經(jīng)氧化處理后的多張芯板進(jìn)行壓合處理；以及使用蝕刻液對(duì)壓合后的多張芯板進(jìn)行微蝕刻減薄銅處理，使位于外側(cè)的芯板的朝外的一面的銅厚等于或略大于目標(biāo)銅厚，其中所述蝕刻液的配方為140 160g/l的二價(jià)銅離子，3. 65 10. 95g/l的氯化氫，比重為1200 1400g/l。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，蝕刻時(shí)的上壓力為 2. Okg/m2，下壓力為 1. 7kg/m2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，所述初始銅厚約為目標(biāo)銅厚的3倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，蝕刻溫度約為 50 士 2°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，在微蝕刻減薄銅處理步驟中采用了蝕刻機(jī)，該蝕刻機(jī)包括行轆；在微蝕刻減薄銅處理步驟中，采用蝕刻液對(duì)PCB板進(jìn)行微蝕處理預(yù)定時(shí)間后，使用多塊光板以約4. Om/mirTe. 8m/min的傳送速度將蝕刻機(jī)行轆上的蝕刻液帶掉。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，所述根據(jù)所述多層PCB 板的層數(shù)提供多張芯板的步驟中，位于外側(cè)的兩塊芯板的朝外的一面的板邊開(kāi)有工具孔， 其余部分覆蓋著銅箔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，在對(duì)退膜處理后的多張芯板進(jìn)行氧化處理之前，還要對(duì)退膜處理后的多張芯板進(jìn)行光學(xué)檢查。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，在使用銅箔對(duì)經(jīng)氧化處理后的多張芯板進(jìn)行壓合處理之前，先使用清潔轆清潔芯板表面粘結(jié)的粉塵。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，包括三張雙面芯板，位于外側(cè)的兩塊芯板的朝外的一面的初始銅厚均為10Z，目標(biāo)銅厚為1/30Z。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層PCB板的制備方法，其特征在于，還包括對(duì)經(jīng)微蝕刻減薄銅處理的多張芯板進(jìn)行磨板和鉆孔處理的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種步驟根據(jù)所述多層PCB板的層數(shù)提供多張芯板，位于外側(cè)的芯板的朝外的一面的初始銅厚大于目標(biāo)銅厚；對(duì)所述多張芯板進(jìn)行退膜處理；對(duì)退膜處理后的多張芯板進(jìn)行氧化處理；使用銅箔對(duì)經(jīng)氧化處理后的多張芯板進(jìn)行壓合處理；以及使用蝕刻液對(duì)壓合后的多張芯板進(jìn)行微蝕刻減薄銅處理，使位于外側(cè)的芯板的朝外的一面的銅厚等于目標(biāo)銅厚。其中所述蝕刻液的配方為140～160g/l的二價(jià)銅離子，3.65～10.95g/l的氯化氫，比重為1200～1400g/l。本發(fā)明方法通過(guò)對(duì)微蝕刻減薄銅的工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化調(diào)整，使產(chǎn)品最終減銅可做到很精確，使內(nèi)層生產(chǎn)順暢，降低報(bào)廢率，節(jié)省了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H05K3/46GK102291952SQ201110223670
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者孫益民, 賀波 申請(qǐng)人:奧士康精密電路(惠州)有限公司