專利名稱：Pcb的蝕刻方法和pcb在制板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及PCB制造技術領域，具體而言，涉及一種PCB的蝕刻方法和PCB在制板。
背景技術：
在相關技術的PCB制造過程中，需要在PCB的圖形表面鍍閃金層。閃金層通常是指厚度在O. 05 O. 08 μ m的金層，可使PCB上的線路，或PCB上連接的器件之間具有較好的電連通性。鍍閃金層的工藝通常包括在PCB的金屬層上鍍鎳層，在鎳層上鍍閃金層。由于閃金層較薄，后續(xù)在閃金層上焊接電子器件時，閃金層在高溫下熔化，使得電子器件與閃 金層下的鎳層焊接在一起。PCB上的線路圖形的制作過程通常包括在金屬層上覆蓋干膜，將圖形轉移到干膜上，在干膜的圖形上鍍上閃金層，去除閃金層周圍的干膜以曝露金屬層，以所述閃金層作為抗蝕刻層進行蝕刻，蝕刻掉閃金層周圍的金屬層，從而使金屬層形成線路圖形。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于電鍍金沉積速度較快，金層晶格較大，所以在蝕刻閃金層周圍金屬的過程中，蝕刻藥水容易從閃金層表面滲入到下一層的鎳層上，存在腐蝕鎳層的問題。受到腐蝕的鎳層，在后續(xù)焊接電子器件過程中，存在焊接不緊密的現(xiàn)象，導致焊接的電子器件性能受到影響。

發(fā)明內容
本發(fā)明旨在提供一種PCB的蝕刻方法和PCB在制板，以解決蝕刻藥水會從閃金層表面滲入到下一層的鎳層上，從而腐蝕鎳層，影響焊接的問題。在本發(fā)明的實施例中，提供一種PCB的蝕刻方法，所述方法包括在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜；對所述PCB在制板進行蝕刻。進一步地，在所述蝕刻之前還包括對所述干膜至少執(zhí)行一次空壓膜工藝。進一步地，在覆蓋所述干膜之后進一步包括采用7 8級的曝光尺強度對所述干膜曝光。進一步地，在所述覆蓋之前，水洗并風干所述PCB在制板。進一步地，所述金層的厚度為O. 05 O. 08 μ m。進一步地，在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜之前進一步包括將線路的圖形轉移到所述PCB在制板的銅箔表面，按照所述轉移的圖形，在所述銅箔表面上形成鎳層，在所述鎳層上形成所述金層。進一步地，所述覆蓋的干膜窄于所述金層，并距所述金層的圖形的外緣相差Imil I. 5mil0在本發(fā)明的實施例中，提供一種PCB在制板，所述PCB在制板表面的金屬層上覆蓋金層，所述金層上覆蓋干膜。進一步地，所述干膜窄于金層，并距所述金層的圖形外緣相差Imil I. 5mil。進一步地，所述金屬層包括所述PCB在制板的銅箔層、以及所述銅箔層上的鎳層；所述金層覆蓋的區(qū)域包括在所述銅箔層上轉移的線路圖形的區(qū)域。由于在金層上覆蓋干膜后蝕刻，干膜可防止蝕刻藥水從金層表面滲入到金層下的鎳層上，避免鎳層被蝕刻藥水腐蝕。后續(xù)在金層表面焊接電子器件時，由于鎳層沒有被蝕刻藥水腐蝕，可與電子器件緊密焊接在一起，焊接上的電子器件性能不會受到焊接的影響。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中圖I示出了本發(fā)明實施例中鍍有金層的PCB的局部示意圖；圖2示出了本發(fā)明實施例中PCB制作的流程圖；圖3示出了本發(fā)明實施例中在金層上覆蓋干膜的PCB局部示意圖；圖4示出了本發(fā)明實施例中蝕刻PCB后的局部示意圖。
具體實施例方式下面將參考附圖并結合實施例，來詳細說明本發(fā)明。本發(fā)明的實施例包括步驟I :在PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜；步驟2 :對PCB在制板進行蝕刻。由于在金層上覆蓋干膜后蝕刻，干膜可防止蝕刻藥水從金層表面滲入到金層下的鎳層上，避免鎳層被蝕刻藥水腐蝕。后續(xù)在金層表面焊接電子器件時，由于鎳層沒有被蝕刻藥水腐蝕，可與電子器件緊密焊接在一起，焊接上的電子器件性能不會受到焊接的影響。優(yōu)選地，參見圖1，實施例包括S21 :清洗鍍金的PCB ；參見圖2中鍍金后的PCB的局部示意圖。在PCB上具有銅箔層11，在銅箔層11上覆蓋有金層12。采用純水清洗PCB，在清洗后，風干PCB。在清洗過程中，如果生產(chǎn)線上具有火山灰磨刷，應將其關閉，避免磨損金面。如果生產(chǎn)線上具有酸洗、微蝕段，應當關閉，避免腐蝕金面。優(yōu)選地，在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜之前進一步包括將線路的圖形轉移到所述PCB在制板的銅箔層11表面，按照所述轉移的圖形，在所述銅箔層11表面上形成鎳層，在鎳層上形成所述金層12。S22 :在PCB的金層表面上覆蓋干膜；參見圖3，在PCB的金層表面上貼干膜13。優(yōu)選地，在貼覆干膜13后，對所述干膜13至少執(zhí)行一次空壓膜工藝，可增加干膜在金層表面的附著強度。優(yōu)選地，在覆蓋所述干膜之后進一步包括按照PCB上金層12的圖形對貼覆的干膜13曝光，將曝光設備的曝光尺設置在7 8級，對所述干膜13曝光。曝光級別在7 8級時，可增加干膜13在金層上附著強度。優(yōu)選地，在干膜13上曝光圖形，在干膜13上轉移的圖形略小于預先設計的金層形成的圖形，并距所述金層表面的最外緣相差Imil I. 5mil, Imil (密耳)等于千分之一英寸。預留的金層邊緣，可避免由于曝光的偏移，干膜13覆蓋住需要被蝕刻掉的銅箔，導致部分銅箔沒有被蝕刻掉，降低PCB的圖形質量。S23 :對干膜執(zhí)行顯影工藝，并蝕刻PCB。對PCB上的干膜執(zhí)行顯影工藝。顯影后，洗掉銅箔11上金層12周圍的干膜。堿性蝕刻PCB，參見圖4，將金層12周圍非線路的銅箔蝕刻掉，露出介質層10。S24 :清除PCB上的干膜。在蝕刻圖形結束后，清除PCB的金層12上的干膜13。由于在金層上覆蓋干膜后蝕刻，干膜可防止蝕刻藥水從金層表面滲入到金層下的 鎳層上，特別是對于金層的厚度為O. 05 O. 08 μ m的閃金層，可有效避免鎳層被蝕刻藥水腐蝕。后續(xù)在金層表面焊接電子器件時，由于鎳層沒有被蝕刻藥水腐蝕，可與電子器件緊密焊接在一起，焊接上的電子器件性能不會受到焊接的影響。本發(fā)明的實施例還提供一種PCB在制板，包括覆蓋在PCB的金屬層上的金層，所
述金層上覆蓋有干膜。優(yōu)選地，覆蓋的干膜經(jīng)過空壓、曝光工藝在所述金層上形成，金屬層包括PCB在制板的銅箔層以及銅箔層上的鎳層，金層通過鎳層覆蓋在PCB在制板的銅箔層上。優(yōu)選地，干膜的外緣距金層顯現(xiàn)出的線路圖形的外緣Imil 1.5mil，即預留出Imil I. 5mil的金層邊緣未被干膜所覆蓋，這樣可避免由于曝光的偏移，干膜覆蓋住需要被蝕刻掉的銅箔，導致部分銅箔沒有被蝕刻掉從而降低PCB圖形質量的問題。優(yōu)選地，所述金屬層包括所述PCB在制板的銅箔層、以及所述銅箔層上的鎳層；所述金層覆蓋的區(qū)域包括在所述銅箔層上轉移的線路圖形的區(qū)域。優(yōu)選地，金層的厚度為O. 05 O. 08 μ m。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種PCB的蝕刻方法，其特征在于，所述方法包括 在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜； 對所述PCB在制板進行蝕刻。
2.根據(jù)權利要求I所述的方法，其特征在于，在所述蝕刻之前還包括對所述干膜至少執(zhí)行一次空壓膜工藝。
3.根據(jù)權利要求I所述的方法，其特征在于，在覆蓋所述干膜之后，對所述PCB在制板進行蝕刻之前，進一步包括 采用7 8級的曝光尺強度對所述干膜曝光。
4.根據(jù)權利要求I所述的方法，其特征在于，在覆蓋所述干膜之前，水洗并風干所述PCB在制板。
5.根據(jù)權利要求I所述的方法，其特征在于，所述金層的厚度為O.05 O. 08 μ m。
6.根據(jù)權利要求I 5任一項所述的方法，其特征在于，在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜之前進一步包括 將線路的圖形轉移到所述PCB在制板的銅箔表面，按照所述轉移的圖形，在所述銅箔表面上形成鎳層，在所述鎳層上形成所述金層。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述覆蓋的干膜窄于所述金層，所述干膜距所述金層的圖形外緣相差Imil I. 5mil。
8.—種PCB在制板，其特征在于，所述PCB在制板表面的金屬層上覆蓋金層，所述金層上覆蓋抗蝕刻的干膜。
9.根據(jù)權利要求8所述PCB在制板，其特征在于，所述金屬層包括所述PCB在制板的銅箔層、以及所述銅箔層上的鎳層； 其中，所述金層覆蓋的區(qū)域為在所述銅箔層表面轉移的線路圖形的區(qū)域。
10.根據(jù)權利要求9所述PCB在制板，其特征在于，所述干膜窄于所述金層，所述干膜距所述金層的圖形外緣相差Imil I. 5mil。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種PCB的蝕刻方法和PCB在制板，方法包括在PCB的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜后進行蝕刻。本發(fā)明還提供了一種PCB在制板，所述PCB在制板表面的金屬層上覆蓋金層，所述金層上覆蓋干膜。由于在金層上覆蓋干膜后蝕刻，干膜可防止蝕刻藥水從金層表面滲入到金層下的鎳層上，避免鎳層被蝕刻藥水腐蝕。后續(xù)在金層表面焊接電子器件時，由于鎳層沒有被蝕刻藥水腐蝕，可與電子器件緊密焊接在一起，焊接上的電子器件性能不會受到焊接的影響。
文檔編號H05K1/02GK102958279SQ20111024458
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月23日 優(yōu)先權日2011年8月23日
發(fā)明者陳文德, 鄭朝屹, 奉小飛 申請人:北大方正集團有限公司, 珠海方正科技高密電子有限公司