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功率扼流線圈和采用該功率扼流線圈的電磁感應(yīng)加熱裝置的制作方法

文檔序號:8049768閱讀:277來源:國知局
專利名稱:功率扼流線圈和采用該功率扼流線圈的電磁感應(yīng)加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種功率扼流線圈和采用該功率扼流線圈的電磁感應(yīng)加熱裝置,屬于電磁爐產(chǎn)品的改進(jìn)技術(shù)。
背景技術(shù)
目前,現(xiàn)有的2000W電磁爐,由于單管諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的限制,能做到連續(xù)低功率持續(xù)加熱的最小功率是1000W左右,當(dāng)功率低于1000W時,IGBT因為開通電壓較高而產(chǎn)生較為嚴(yán)重的熱損耗,功率越低熱損耗越嚴(yán)重,如采用斷續(xù)加熱的方式時加熱效果非常差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于考慮上述問題而提供一種可以連續(xù)低功率加熱,加熱效果好的功率扼流線圈和采用該功率扼流線圈的電磁感應(yīng)加熱裝置。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種功率扼流線圈,包括環(huán)形導(dǎo)磁體和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體上的線圈繞組,環(huán)形導(dǎo)磁體外表面涂覆有絕緣層,其特征在于所述線圈繞組由三股以上漆包線絞合而成。所述漆包線直徑小于0.6毫米。所述環(huán)形導(dǎo)磁體由鐵氧體或硅鋼材質(zhì)制成。所述環(huán)形導(dǎo)磁體為閉合環(huán)體。所述環(huán)形導(dǎo)磁體為不閉合的,其兩端間隙小于5毫米。一種電磁感應(yīng)加熱裝置,包括并聯(lián)的線圈盤及諧振電容,其特征在于所述線圈盤和諧振電容之間還串接有所述功率扼流線圈,所述功率扼流線圈兩端連接有轉(zhuǎn)接裝置。所述功率扼流線圈包括環(huán)形導(dǎo)磁體和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體上的線圈繞組,環(huán)形導(dǎo)磁體外表面涂覆有絕緣層,其特征在于所述線圈繞組由三股以上漆包線絞合而成。所述轉(zhuǎn)接裝置為單刀單擲型繼電器或單刀雙擲型繼電器。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較其具有如下有益效果電磁感應(yīng)加熱裝置通過在線圈盤前端增加本發(fā)明功率扼流線圈,當(dāng)需要低功率加熱時,功率扼流線圈通過轉(zhuǎn)接裝置接入電路中,改變了現(xiàn)有的諧振狀態(tài),實現(xiàn)了 IGBT的零電壓開通,IGBT熱損耗小,系統(tǒng)安全,因此, 本發(fā)明不僅實現(xiàn)了低功率的連續(xù)加熱,而且能夠使電磁感應(yīng)加熱裝置加熱效果更好。


圖1是本發(fā)明功率扼流線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明繞制線圈繞組的漆包線束截面示意圖。圖3是本發(fā)明電磁感應(yīng)加熱裝置的系統(tǒng)框圖。圖4是本發(fā)明實施例1電磁感應(yīng)加熱裝置的電路原理圖。圖5是本發(fā)明實施例2電磁感應(yīng)加熱裝置的電路原理圖。圖6是本發(fā)明實施例3電磁感應(yīng)加熱裝置環(huán)形導(dǎo)磁體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例和附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。實施例1
如圖1、圖2所示,本實施例功率扼流線圈L2,包括環(huán)形導(dǎo)磁體1和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體上的線圈繞組2,環(huán)形導(dǎo)磁體外表面涂覆有絕緣層,所述線圈繞組2由三股以上漆包線21絞合而成。所述漆包線21直徑小于0. 6毫米。所述環(huán)形導(dǎo)磁體1由鐵氧體材質(zhì)制成。所述環(huán)形導(dǎo)磁體為閉合環(huán)體。如圖3、圖4所示,本實施例還公開了一種電磁感應(yīng)加熱裝置,包括并聯(lián)的線圈盤 Li、諧振電容Cl,所述線圈盤Ll和諧振電容Cl之間還串接有所述功率扼流線圈L2,所述功率扼流線圈L2兩端連接有轉(zhuǎn)接裝置Si。本實施例中,所述轉(zhuǎn)接裝置Sl為單刀單擲型繼電器。 實施例2
如圖5所示,本實施例與實施例1的不同之處在于,所述轉(zhuǎn)接裝置Sl為單刀雙擲型繼電器。其它結(jié)構(gòu)與實施例1相同。實施例3
如圖6所示,本實施例與實施例1的不同之處在于,所述環(huán)形導(dǎo)磁體由硅鋼材質(zhì)制成, 中間斷開有3mm間隙。
權(quán)利要求
1.一種功率扼流線圈,包括環(huán)形導(dǎo)磁體(1)和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體(1)上的線圈繞組 (2),環(huán)形導(dǎo)磁體(1)外表面涂覆有絕緣層,其特征在于所述線圈繞組(2)由三股以上漆包線(21)絞合而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈,其特征在于所述漆包線(21)直徑小于0.6毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈,其特征在于所述環(huán)形導(dǎo)磁體(1)由鐵氧體或硅鋼材質(zhì)制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈,其特征在于所述環(huán)形導(dǎo)磁體(1)為閉合環(huán)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈,其特征在于所述環(huán)形導(dǎo)磁體(1)為不閉合的, 其兩端間隙小于5毫米。
6.一種電磁感應(yīng)加熱裝置,包括并聯(lián)的線圈盤(Li)及諧振電容(Cl),其特征在于所述線圈盤(Li)和諧振電容(Cl)之間還串接有權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈,所述功率扼流線圈的兩端連接有轉(zhuǎn)接裝置(Si)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁感應(yīng)加熱裝置,其特征在于所述功率扼流線圈包括環(huán)形導(dǎo)磁體(1)和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體(1)上的線圈繞組(2 ),環(huán)形導(dǎo)磁體(1)外表面涂覆有絕緣層,其特征在于所述線圈繞組(2 )由三股以上漆包線(21)絞合而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁感應(yīng)加熱裝置,特征在于所述轉(zhuǎn)接裝置(Si)為單刀單擲型繼電器或單刀雙擲型繼電器。
全文摘要
本發(fā)明功率扼流線圈,包括環(huán)形導(dǎo)磁體和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體上的線圈繞組,環(huán)形導(dǎo)磁體(1)外表面涂覆有絕緣層,其特征在于所述線圈繞組由三股以上漆包線絞合而成;本發(fā)明電磁感應(yīng)加熱裝置,包括并聯(lián)的線圈盤及諧振電容,其特征在于所述線圈盤和諧振電容之間還串接有所述功率扼流線圈,所述功率扼流線圈兩端連接有轉(zhuǎn)接裝置。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較其具有如下有益效果電磁感應(yīng)加熱裝置通過在線圈盤前端增加一個本發(fā)明功率扼流線圈,當(dāng)需要低功率加熱時,功率扼流線圈通過轉(zhuǎn)接裝置接入電路中,改變了現(xiàn)有的諧振狀態(tài),實現(xiàn)了IGBT的零電壓開通,IGBT熱損耗小,系統(tǒng)安全,因此,本發(fā)明不僅實現(xiàn)了低功率的連續(xù)加熱,而且能夠使電磁感應(yīng)加熱裝置加熱效果更好。
文檔編號H05B6/02GK102427625SQ20111027917
公開日2012年4月25日 申請日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者任玉潔, 唐志明, 柳雋, 王帥 申請人:美的集團(tuán)有限公司
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