專(zhuān)利名稱(chēng)：共聚合聚酰亞胺的制法及應(yīng)用該共聚合聚酰亞胺的覆蓋膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種聚酰亞胺的制備方法以及應(yīng)用該聚酰亞胺的印刷電路板用覆蓋膜。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品輕小化及高功能化之發(fā)展，高功能性的聚酰亞胺薄膜在材料中扮演著重要角色。聚酰亞胺膜具有相當(dāng)優(yōu)異的耐熱與耐化學(xué)性、機(jī)械性質(zhì)及電氣性質(zhì)等等，因此，廣泛應(yīng)用于電子、電機(jī)、汽車(chē)、航天及機(jī)械等各種產(chǎn)業(yè)中。聚酰亞胺膜在電子業(yè)中在材料方面扮有重要角色，主要應(yīng)用于IXD液晶顯示器產(chǎn)業(yè)、IC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以及軟性電路板產(chǎn)業(yè)等。其中又以聚酰亞胺薄膜型態(tài)方式使用量所占比重為最大。目前聚酰亞胺薄膜的生產(chǎn)大多采用雙軸拉伸薄膜或單軸拉伸薄膜，該雙軸拉伸或是制程改性措施，藉以提高外觀及尺寸穩(wěn)定性等性能；一般單軸延伸膜工藝無(wú)法滿(mǎn)足上述性質(zhì)要求；然而由于收卷技術(shù)及后處理?xiàng)l件是否最優(yōu)化及成品的儲(chǔ)存期限等因素，使得聚酰亞胺薄膜仍出現(xiàn)折皺及尺寸穩(wěn)定性不佳等現(xiàn)象。因此，再將聚酰亞胺薄膜(PoIyimidefilm ;簡(jiǎn)稱(chēng)PI)在應(yīng)用于軟性電路板覆蓋膜中，由于材料產(chǎn)品存在沖削性(Punch)方面難題而不利于加工。因此，如何解決上述習(xí)知技術(shù)問(wèn)題，提供一種避免薄膜生產(chǎn)的種種困難點(diǎn)，時(shí)為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了共聚合聚酰亞胺的制造方法，并可采用單軸延伸設(shè)備將共聚合聚酰亞胺制膜，并將共聚合聚酰亞胺膜應(yīng)用于覆蓋膜，該覆蓋膜應(yīng)用于印刷電路板，本發(fā)明方法生產(chǎn)出的共聚合聚酰亞胺膜具有高彈性模數(shù)、高抗張強(qiáng)度、尺寸穩(wěn)定性佳、低熱膨脹系數(shù)、低濕性及高耐熱性質(zhì)等，其種種物性的性能可與使用雙軸延伸設(shè)備生產(chǎn)出的聚酰亞胺膜相當(dāng)，并可應(yīng)用于軟性印刷電路板的覆蓋膜，而且利用單軸延伸生產(chǎn)出的共聚合聚酰亞胺膜在保證尺寸穩(wěn)定性佳的同時(shí)價(jià)格成本低，更具有競(jìng)爭(zhēng)力，更可廣泛應(yīng)用于軟性印刷電路板的基板材料中。本發(fā)明為了解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種共聚合聚酰亞胺的制法，按下述步驟進(jìn)行①、共聚合采用兩種二胺單體和兩種二酸酐單體以適當(dāng)?shù)谋壤谶m當(dāng)溫度條件下溶解于有機(jī)溶劑中進(jìn)行共聚合反應(yīng)，共聚合反應(yīng)合成芳香族共聚合聚酰胺酸(Aromaticcopolyamicacid ;簡(jiǎn)稱(chēng) PAA)溶液；步驟①中所述兩種二胺單體是指一號(hào)二胺單體和二號(hào)二胺單體；步驟①中所述兩種二酸酐單體是指一號(hào)二酸酐單體和二號(hào)二酸酐單體；步驟①中所述適當(dāng)?shù)谋壤侵敢惶?hào)二胺單體二號(hào)二胺單體一號(hào)二酸酐單體二號(hào)二酸酐單體=O 100 O 100 O 100 O 100 (摩爾比);步驟①中適當(dāng)溫度條件指在有機(jī)溶劑中進(jìn)行共聚合反應(yīng)的溫度不高于70°C，較佳是不聞?dòng)?0 °C，最好是不聞?dòng)?0 °C ；步驟①中所述有機(jī)溶劑為N，N 二甲基乙酰胺(DMAc)、N，N 二乙基乙酰胺(DMF)、二甲基亞砜二甲基磺基(DMSO)和N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)中的至少一種；步驟①制得的共聚合聚酰胺酸溶液固含量為15% 35% ;②、脫水環(huán)化將步驟①合成的共聚合聚酰胺酸(PAA)溶液進(jìn)行環(huán)化反應(yīng)，制得芳香族共聚合聚酰亞胺(Aromaticcopolyimide film;簡(jiǎn)稱(chēng)PI)；步驟②中所述環(huán)化反應(yīng)為化學(xué)環(huán)化法反應(yīng)和熱環(huán)化法反應(yīng)中的一種，且環(huán)化反應(yīng)溫度為180 450°C。所述二胺單體選自下述十八種化合物
權(quán)利要求
1.一種共聚合聚酰亞胺的制法，其特征在于，按下述步驟進(jìn)行 ①、共聚合采用兩種二胺單體和兩種二酸酐單體以適當(dāng)?shù)谋壤谶m當(dāng)溫度條件下溶解于有機(jī)溶劑中進(jìn)行共聚合反應(yīng)，共聚合反應(yīng)合成芳香族共聚合聚酰胺酸溶液； 步驟①中所述兩種二胺單體是指一號(hào)二胺單體和二號(hào)二胺單體； 步驟①中所述兩種二酸酐單體是指一號(hào)二酸酐單體和二號(hào)二酸酐單體； 步驟①中所述適當(dāng)?shù)谋壤侵敢惶?hào)二胺單體二號(hào)二胺單體一號(hào)二酸酐單體二號(hào)二酸酐單體=O 100 O 100 O 100 O 100 (摩爾比); 步驟①中所述適當(dāng)溫度條件是指在有機(jī)溶劑中進(jìn)行共聚合反應(yīng)的溫度不高于70°c ； 步驟①中所述有機(jī)溶劑為N，N 二甲基乙酰胺、N，N 二乙基乙酰胺、二甲基亞砜二甲基磺基和N-甲基-2-吡咯啶酮中的至少一種； 步驟①所制得的共聚合聚酰胺酸溶液固含量為15% 35% ； ②、脫水環(huán)化將步驟①合成的共聚合聚酰胺酸溶液進(jìn)行環(huán)化反應(yīng)，制得芳香族共聚合聚酰亞胺； 步驟②中所述環(huán)化反應(yīng)為化學(xué)環(huán)化法反應(yīng)和熱環(huán)化法反應(yīng)中的一種，且環(huán)化反應(yīng)溫度為 180 450 °C。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共聚合聚酰亞胺的制法，其特征在于，所述二胺單體選自下述十八種化合物
3 根據(jù)權(quán)利要求2所述的共聚合聚酰亞胺的制法，其特征在于，所述一號(hào)二胺單體為下述十種化合物之一
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共聚合聚酰亞胺的制法，其特征在于，所述化學(xué)環(huán)化法反應(yīng)使用酸酐和三級(jí)胺觸媒。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共聚合聚酰亞胺的制法，其特征在于，所述酸酐為脂肪羧酸酐；所述三級(jí)胺觸媒為吡啶、2-甲吡啶、3-甲吡啶、4-甲吡啶和二甲基吡啶中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的共聚合聚酰亞胺膜的制法，其特征在于，將步驟①合成的共聚合聚酰胺酸溶液進(jìn)行涂布并拉伸成膜，然后進(jìn)入烘箱，并以梯度升溫方式自180°C至450°C的范圍梯度加熱而使共聚合聚酰胺酸脫水環(huán)化成共聚合聚酰亞胺膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的共聚合聚酰亞胺的制法，其特征在于，將步驟①合成的共聚合聚酰胺酸溶液再加入酸酐和三級(jí)胺觸媒混合，并攪拌均勻，待靜置脫泡后再進(jìn)行涂布。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的共聚合聚酰亞胺的制法，其特征在于，使用單軸延伸設(shè)備生產(chǎn)共聚合聚酰亞胺膜。
9.一種應(yīng)用根據(jù)權(quán)利要求6所述的共聚合聚酰亞胺的覆蓋膜，其特征在于，所述覆蓋膜由厚度為10 50 μ m的共聚合聚酰亞胺膜和厚度為5 75 μ m的接著劑涂布在一起形成，所述覆蓋膜的厚度為25 100 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的應(yīng)用共聚合聚酰亞胺的覆蓋膜，其特征在于，所述接著劑為環(huán)氧樹(shù)酯系樹(shù)酯、丙烯酸系樹(shù)酯、胺基甲酸酯系樹(shù)酯、硅橡膠系樹(shù)酯、聚對(duì)環(huán)二甲苯系樹(shù)酯、雙馬來(lái)酰亞胺系樹(shù)酯和聚酰亞胺樹(shù)酯中的至少一種。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種共聚合聚酰亞胺的制法及應(yīng)用該共聚合聚酰亞胺的覆蓋膜，主要使用二種二胺單體與二種二酸酐單體按比例在有機(jī)溶劑中改變其分子鏈的結(jié)構(gòu)來(lái)共聚合成新的芳香族共聚合聚酰胺酸，再環(huán)化生產(chǎn)出優(yōu)異高功能性耐熱共聚合聚酰亞胺，并可采用單軸延伸設(shè)備將共聚合聚酰亞胺制膜，并可將共聚合聚酰亞胺膜應(yīng)用于印刷電路板的覆蓋膜，此共聚合聚酰亞胺薄膜具備有優(yōu)異的彈性模數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、尺寸穩(wěn)定性佳、低吸濕性及高耐熱性質(zhì)等等，由于共聚合聚酰亞胺薄膜有優(yōu)異的物性可應(yīng)用于高階電子材料中，如廣泛應(yīng)用于軟性印刷電路板、IC半導(dǎo)體及IC構(gòu)裝等等相關(guān)性的電子材料產(chǎn)業(yè)中。
文檔編號(hào)H05K1/02GK103044682SQ20111030879
公開(kāi)日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2011年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者張孟浩, 李建輝 申請(qǐng)人:昆山雅森電子材料科技有限公司