專利名稱：線路板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路板及其制作方法，且特別是涉及一種可降低成本的線路板及其制作方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子技術(shù)的日新月異，高科技電子產(chǎn)業(yè)的相繼問世，使得更人性化、功能更佳的電子產(chǎn)品不斷地推陳出新，并朝向輕、薄、短、小的趨勢設(shè)計(jì)。在這些電子產(chǎn)品內(nèi)通常會(huì)配置用來安裝電子元件在其上的線路板。在一般的線路板制作工藝中，通常是先在其上具有第一線路層的基板上形成介電層。然后，在介電層中形成暴露出部分第一線路層的盲孔。接著，在介電層以及盲孔所暴露 出的第一線路層上形成銅層。而后，在銅層上形成圖案化掩模層。之后，以圖案化掩模層為蝕刻掩模，對銅層進(jìn)行蝕刻制作工藝，以形成第二線路層。在上述的線路板制作工藝中，由于形成第二線路層時(shí)需進(jìn)行光刻制作工藝與蝕刻制作工藝，因此必須花費(fèi)較高的成本，且所使用的蝕刻劑會(huì)對環(huán)境造成污染。此外，由于銅層對于介電層的附著力較差，因此容易自介電層剝離而造成可靠度不佳的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種線路板的制作方法，其可以有效地降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明的另一目的在于提供一種線路板，其具有較高的可靠度。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種線路板的制作方法，其是先提供其上具有線路層的基板。然后，在基板上形成介電層。介電層覆蓋線路層，且具有暴露出部分線路層的盲孔。接著，在介電層上共形地形成硫化層。而后，在硫化層上形成圖案化掩模層。圖案化掩模層暴露出盲孔與部分硫化層。繼之，在圖案化掩模層所暴露的硫化層與線路層上形成第一觸媒層。隨后，移除圖案化掩模層以及圖案化掩模層下方的硫化層。接著，進(jìn)行第一化學(xué)沉積，以于觸媒層上共形地形成第一導(dǎo)電層。之后，進(jìn)行第二化學(xué)沉積，以于第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電覆蓋第一導(dǎo)電層。此外，第二導(dǎo)電層填滿盲孔。依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的介電層的形成方法例如是先進(jìn)行壓合步驟，以于基板上形成介電層與金屬層，其中介電層位于基板與金屬層之間。然后，移除金屬層。之后，進(jìn)行激光鉆孔步驟，以于介電層中形成盲孔。依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述在形成盲孔之后以及在形成硫化層之前，還可以對介電層以及盲孔所暴露的線路層進(jìn)行表面處理。依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的表面處理例如是進(jìn)行去膠渣(desmear)制作工藝和/或粗糙化制作工藝。依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的觸媒層的材料例如為鈀。依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的觸媒層的形成方法例如是進(jìn)
行第三化學(xué)沉積。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的硫化層的形成方法例如是對介電層進(jìn)行硫化處理。本發(fā)明另提出一種線路板，其包括其上具有第一線路層的基板、介電層、硫化層以及第二線路層。介電層配置于基板上并覆蓋第一線路層，且介電層具有盲孔。盲孔暴露出部分第一線路層。硫化層共形地配置于部分介電層上。第二線路層配置于硫化層以及盲孔所暴露的第一線路層上。第二線路層包括觸媒層、第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層。觸媒層共形地配置于硫化層以及盲孔所暴露的第一線路層上。第一導(dǎo)電層共形地配置于觸媒上。第二導(dǎo)電層配置于第一導(dǎo)電層上且覆蓋第一導(dǎo)電層。此外，第二導(dǎo)電層填滿盲孔。第二導(dǎo)電層的位于盲孔中的部分具有凹陷，且此凹陷的深度小于或等于5 ym。第二導(dǎo)電層的邊緣超出其下方的第一導(dǎo)電層的邊緣的距離為X，位于介電層上的第二導(dǎo)體層的厚度為Y，且Y與X的比值介于6至10之間。依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板，上述的觸媒層的材料例如為鈀。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板，上述的第一導(dǎo)電層的材料例如為鎳。依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板，上述的第二導(dǎo)電層的材料例如為銅。依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板，上述的第二導(dǎo)電層的邊緣超出其下方的第一導(dǎo)電層的邊緣的距離例如介于2 ii m至3 ii m之間?；谏鲜?，本發(fā)明于介電層上形成線路層時(shí)，先于介電層上形成硫化層，再以具有線路圖案的圖案化掩模層為掩模來進(jìn)行化學(xué)沉積，以于硫化層上形成觸媒層。然后，移除圖案化掩模層及其下方的硫化層。接著，進(jìn)行化學(xué)沉積而于觸媒層上形成與觸媒層產(chǎn)生化學(xué)鍵結(jié)的第一導(dǎo)電層。之后，進(jìn)行化學(xué)沉積而于第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層。因此，所形成的線路層(由觸媒層、第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層構(gòu)成)即可具有所需的線路圖案，而不需額外地利用蝕刻制作工藝來進(jìn)行圖案化，因而降低了生產(chǎn)成本，且避免對環(huán)境造成污染。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖ID為本發(fā)明實(shí)施例所繪示的線路板的制作流程剖面圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例所繪示的位于介電層上的線路層的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例所繪示的位于盲孔中的線路層的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說明100 :基板IOOa :第一表面IOOb :第二表面102a, 102bU20a, 120b :線路層104a、104b :介電層106a、106b :金屬層108a、108b:盲孔110:表面處理112a、112b :硫化層
114a、114b :圖案化掩模層115a、115b :觸媒層116a、116b、118a、118b :導(dǎo)電層122:凹陷X :距離Y :厚度
Z :深度
具體實(shí)施例方式圖IA至圖ID為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的線路板的制作流程剖面圖。首先，請參照圖1A,提供具有線路層的基板100?；?00例如為介電核心(dielectric core)?；?00具有彼此相對的第一表面IOOa與第二表面100b。此外,線路層102a配置于第一表面IOOa上，而線路層102b配置于第二表面IOOb上。線路層102a、102b的材料例如為金屬。在本實(shí)施例中，基板100為具有兩層線路層的基板，但本發(fā)明并不以此為限。在其他實(shí)施例中，基板100中也可具有多層線路層。請繼續(xù)參照圖1A，進(jìn)行壓合步驟，將金屬層106a與介電層104a壓合于基板100的第一表面IOOa上，以及將金屬層106b與介電層104b壓合于基板100的第二表面IOOb上。介電層104a覆蓋線路層102a，而介電層104b覆蓋線路層102b。金屬層106a與金屬層106b的材料例如為銅。然后，請參照圖1B,移除金屬層106a與金屬層106b。移除金屬層106a與金屬層106b的方法例如是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和/或機(jī)械研磨制作工藝。之后，進(jìn)行激光鉆孔步驟，以于介電層104a中形成盲孔108a，以及于介電層104b中形成盲孔108b。激光鉆孔步驟例如是使用二氧化碳(C02)激光來進(jìn)行。盲孔108a暴露出部分線路層102a，而盲孔108b暴露出部分線路層102b。此外，在形成盲孔108a與盲孔108b之后，還可以對介電層104a、104b以及盲孔108a所暴露的部分線路層102a與盲孔108b所暴露的部分線路層102b進(jìn)行表面處理110。表面處理110例如是進(jìn)行去膠渣制作工藝，以去除激光鉆孔后所殘留的樹脂。表面處理110也可以是進(jìn)行粗糙化制作工藝，對盲孔108a與108b所曝露出的線路層102a與102b進(jìn)行微蝕刻，以增加線路層102a與102b的表面粗糙度，有利于后續(xù)金屬鍍層的附著力。此外，上述的粗糙化制作工藝也可接續(xù)在去膠渣制作工藝之后進(jìn)行。接著，請參照圖1C，在介電層104a上共形地形成硫化層112a，以及在介電層104b上形成硫化層112b。硫化層112a、112b的形成方法例如是對介電層104a、104b進(jìn)行硫化處理。然后，在硫化層112a上形成圖案化掩模層114a，以及在硫化層112b上形成圖案化掩模層114b。圖案化掩模層114a具有線路圖案，其暴露出盲孔108a與部分硫化層112a。圖案化掩模層114b具有線路圖案，其暴露出盲孔108b與部分硫化層112b。圖案化掩模層114a與圖案化掩模層114b的材料例如是光致抗蝕劑材料。請繼續(xù)參照圖1C，在形成圖案化掩模層114a、114b之后，在圖案化掩模層114a所暴露的硫化層112a與線路層102a上形成觸媒層115a，以及在圖案化掩模層114b所暴露的硫化層112b與線路層102b上形成觸媒層115b。觸媒層115a、115b的材料例如為鈀。觸媒層115a、115b的形成方法例如為進(jìn)行化學(xué)沉積。
之后，請參照圖1D，移除圖案化掩模層114a、114b及其下方的硫化層112a、112b。移除圖案化掩模層114a、114b及其下方的硫化層112a、112b的方法例如是使用堿性去膜液，例如氫氧化鈉。然后，進(jìn)行化學(xué)沉積，以在觸媒層115a上共形地形成導(dǎo)電層116a，以及在觸媒層115b上共形地形成導(dǎo)電層116b。導(dǎo)電層116a、116b的材料例如為鎳。特別一提的是，導(dǎo)電層116a、116b可分別與觸媒層115a、115b產(chǎn)生化學(xué)鍵結(jié)，因此可以提高導(dǎo)電層116a與觸媒層115a之間的附著力以及導(dǎo)電層116b與觸媒層115b之間的附著力。之后，進(jìn)行化學(xué)鍍處理，以選擇性地在導(dǎo)電層116a上形成導(dǎo)電層118a，以及選擇性地在導(dǎo)電層116b上形成導(dǎo)電層118b。導(dǎo)電層118a、118b的材料例如為銅。在此步驟中，導(dǎo)電層118a、118b僅會(huì)形成于導(dǎo)電層116a、116b上,并且導(dǎo)電層118a、118b分別會(huì)完全覆蓋導(dǎo)電層116a、116b。此外，導(dǎo)電層118a、118b分別填滿盲孔108a、108b。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層118a及其下方的導(dǎo)電層116a、觸媒層115a構(gòu)成線路層120a，而導(dǎo)電層118b及其下方的導(dǎo)電層116b、觸媒層115b構(gòu)成線路層120b。在本實(shí)施例中，由于導(dǎo)電層116a與導(dǎo)電層118a的材料皆為金屬，因此在形成導(dǎo)電 層118a之后，導(dǎo)電層118a可以有效地附著于導(dǎo)電層116a上。同樣地，導(dǎo)電層118b可以有效地附著于導(dǎo)電層116b上。此夕卜，由于導(dǎo)電層116a與觸媒層115a之間以及導(dǎo)電層116b與觸媒層115b之間具有較佳的附著力，因此使得線路層120a可以牢固地配置于介電層104a上，且使得線路層120b可以牢固地配置于介電層104b上，因而能夠解決線路層自介電層剝離的問題，進(jìn)而提高元件的可靠度。此外，在本實(shí)施例中，在形成觸媒層115a、115b時(shí)，以具有線路圖案的圖案化掩模層114a、114b作為掩模，因此后續(xù)形成于觸媒層115a、115b上的導(dǎo)電層116a、116b即具有所需的線路圖案。如此一來，后續(xù)選擇性地于導(dǎo)電層116a、116b上以化學(xué)沉積分別形成導(dǎo)電層118a、118b之后，所形成的線路層120a、120b也具有所需的線路圖案，而不需再進(jìn)行蝕刻制作工藝來將線路層120a、120b圖案化，因此可以有效地降低生產(chǎn)成本，且避免蝕刻劑對環(huán)境造成污染。
另外一提的是，由于導(dǎo)電層118a、118b是利用化學(xué)沉積來形成，因此可以通過調(diào)整進(jìn)行化學(xué)沉積時(shí)的制作工藝參數(shù)來控制所形成的導(dǎo)電層118a、118b寬度與厚度。以下將以線路層120a為例來作詳細(xì)地說明。圖2為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的位于介電層上的線路層的剖面示意圖。請參照圖2，在利用化學(xué)沉積的方式選擇性地于導(dǎo)電層116a上形成導(dǎo)電層118a時(shí)，可通過調(diào)整化學(xué)沉積的制作工藝參數(shù)來控制所形成的導(dǎo)電層118a具有適當(dāng)?shù)膶挾扰c厚度。舉例來說，在本實(shí)施例中，經(jīng)由調(diào)整化學(xué)沉積的制作工藝參數(shù)，使得導(dǎo)電層118a的邊緣超出其下方的導(dǎo)電層116a的邊緣的距離為X，而位于介電層104a上的導(dǎo)體層118a的厚度為Y，且Y與X的比值介于6至10之間。在一實(shí)施例中，可將X控制為介于2 m至3 m之間，并將Y控制為約20 u m。圖3為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的位于盲孔中的線路層的剖面示意圖。請參照圖3，導(dǎo)電層118a的位于盲孔108a中的部分具有凹陷122。經(jīng)由調(diào)整化學(xué)沉積的制作工藝參數(shù)，可使凹陷122的深度Z小于或等于5 ym，以符合平坦化的需求。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的 權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種線路板的制作方法，包括 提供一基板，該基板上具有線路層； 在該基板上形成一介電層，該介電層覆蓋該線路層，且該介電層具有盲孔，該盲孔暴露出部分該線路層； 在該介電層上共形地形成一硫化層； 在該硫化層上形成一圖案化掩模層，該圖案化掩模層暴露出該盲孔與部分該硫化層； 在該圖案化掩模層所暴露的該硫化層與該線路層上形成一觸媒層； 移除該圖案化掩模層以及該圖案化掩模層下方的該硫化層； 進(jìn)行ー第一化學(xué)沉積，以于該觸媒層上共形地形成一第一導(dǎo)電層；以及進(jìn)行ー第二化學(xué)沉積，以于該第一導(dǎo)電層上形成一第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電覆蓋該第一導(dǎo)電層，且該第二導(dǎo)電層填滿該盲孔。
2.如權(quán)利要求I所述的線路板的制作方法，其中該介電層的形成方法包括 進(jìn)行ー壓合步驟，以于該基板上形成該介電層與ー金屬層，其中該介電層位于該基板與該金屬層之間； 移除該金屬層； 進(jìn)行激光鉆孔步驟，以于該介電層中形成該盲孔。
3.如權(quán)利要求2所述的線路板的制作方法，其中在形成該盲孔之后以及在形成該硫化層之前，還包括對該介電層以及該盲孔所暴露的該線路層進(jìn)行一表面處理。
4.如權(quán)利要求3所述的線路板的制作方法，其中該表面處理包括進(jìn)行去膠渣制作エ藝和/或粗糙化制作エ藝。
5.如權(quán)利要求I所述的線路板的制作方法，其中該觸媒層的材料包括鈀。
6.如權(quán)利要求I所述的線路板的制作方法，其中該觸媒層的形成方法包括進(jìn)行ー第三化學(xué)沉積。
7.如權(quán)利要求I所述的線路板的制作方法，其中該硫化層的形成方法包括對該介電層進(jìn)行ー硫化處理。
8.—種線路板,包括 基板，該基板上具有一第一線路層； 介電層，配置于該基板上井覆蓋該第一線路層，且該介電層具有一盲孔，該盲孔暴露出部分該第一線路層； 硫化層，共形地配置于部分該介電層上；以及 第二線路層，配置于該硫化層以及該盲孔所暴露的該第一線路層上，該第二線路層包括 觸媒層，共形地配置于該硫化層以及該盲孔所暴露的該第一線路層上； 第一導(dǎo)電層，共形地配置于該觸媒上；以及 第二導(dǎo)電層，配置于該第一導(dǎo)電層上井覆蓋該第一導(dǎo)電層，且該第二導(dǎo)電層填滿該盲孔，該第二導(dǎo)電層的位于該盲孔中的部分具有ー凹陷，該凹陷的深度小于或等于5 ym，其中該第二導(dǎo)電層的邊緣超出其下方的該第一導(dǎo)電層的邊緣的距離為X，位于該介電層上的該第二導(dǎo)電層的厚度為Y，且Y與X的比值介于6至10之間。
9.如權(quán)利要求8所述的線路板，其中該觸媒層的材料包括鈀。
10.如權(quán)利要求8所述的線路板，其中該第一導(dǎo)電層的材料包括鎳。
11.如權(quán)利要求8所述的線路板，其中該第二導(dǎo)電層的材料包括銅。
12.如權(quán)利要求8所述的線路板，其中該第二導(dǎo)電層的邊緣超出其下方的該第一導(dǎo)電層的邊緣的距離介于2 y m至3 y m之間。
全文摘要
本發(fā)明公開一種線路板及其制作方法。此方法是先提供其上具有線路層的基板。在基板上形成介電層。介電層覆蓋線路層，且具有暴露出部分線路層的盲孔。接著，在介電層上共形地形成硫化層。而后，在硫化層上形成圖案化掩模層。圖案化掩模層暴露出盲孔與部分硫化層。繼之，在圖案化掩模層所暴露的硫化層與線路層上形成觸媒層。隨后，移除圖案化掩模層以及圖案化掩模層下方的硫化層。接著，進(jìn)行第一化學(xué)沉積，以于觸媒層上共形地形成第一導(dǎo)電層。之后，進(jìn)行第二化學(xué)沉積，以于第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電覆蓋第一導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電層填滿盲孔。
文檔編號(hào)H05K3/40GK102762039SQ20111032260
公開日2012年10月31日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月27日
發(fā)明者林建辰, 林永清, 石志學(xué) 申請人:欣興電子股份有限公司