專利名稱：電磁屏蔽方法及制品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種電磁屏蔽方法及其制品。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)，通常采用金屬外罩、沉積有金屬層的或結(jié)合有金屬薄片的塑料復(fù)合屏蔽罩或金屬纖維復(fù)合屏蔽罩來控制電磁干擾。然而，上述屏蔽罩均存在以下缺點:所占空間大、生產(chǎn)成本較高、安裝時難以實現(xiàn)屏蔽罩與印刷電路板(PCB)或柔性線路板(FPC)之間無縫安裝，如此導(dǎo)致屏蔽效率低下，PCB板或FPC板上的電子元件產(chǎn)生的熱量難以散發(fā)出去，以及使得電子元件工作性能不穩(wěn)定，甚至損壞電子元件。于PCB板或FPC板上直接沉積樹脂絕緣層，再于該絕緣層上電鍍或化學(xué)鍍金屬層，可實現(xiàn)電磁屏蔽。但是，為了保證該樹脂絕緣層與PCB板或FPC板之間有良好的結(jié)合力，避免絕緣層發(fā)生剝落或龜裂等現(xiàn)象，對所使用的樹脂的粘度值有嚴(yán)格的限制。而能滿足上述粘度要求的樹脂只限于某些特殊的有機樹脂，這些特殊的有機樹脂成分多、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、難以制造。此外，該絕緣層的厚度較大(難以控制在納米級別)，因而對電子元件的散熱存在不良影響。另外，電鍍或化學(xué)鍍金屬層對環(huán)境的污染較大。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，本發(fā)明提供ー種電磁屏蔽方法。另外，本發(fā)明還提供一種經(jīng)由上述電磁屏蔽方法制得的制品。ー種制品，包括基體及依次形成于該基體上的一絕緣層、導(dǎo)電層及防護層，該絕緣層為含氟ニ氧化硅層、ニ氧化硅層或氟氧化硅層，該導(dǎo)電層包括依次形成于所述絕緣層上的鉻層及銅層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。ー種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟:
提供基體；
采用化學(xué)氣相沉積法，在反應(yīng)溫度為2(T50°C下，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為含氟ニ氧化硅層、ニ氧化硅層或氟氧化硅層；
采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶為靶材，于該絕緣層上形成ー鉻層；
采用真空鍍膜法，在室溫下，以銅靶為靶材，于該鉻層上形成ー銅層；
采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶中的任意ー種為靶材，于該銅層上形成一防護層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。由于化學(xué)氣相沉積方法具有良好的繞鍍性能，使絕緣層平面處、凹處及折縫處沉積均勻，且可以做到與基體無縫結(jié)合，提高了基體的電磁屏蔽性能。所述防護層具有較高的硬度，使所述制品在組裝、使用等過程中不易被刮傷而影響其電磁屏蔽性能。另外，通過上述方法形成的所述絕緣層、導(dǎo)電層及防護層的膜厚較小，可使電子元件產(chǎn)生的熱量快速的散發(fā)出去，提高制品的散熱性，進而提高了電子元件性能的穩(wěn)定性。另ー方面，該絕緣層及導(dǎo)電層所占的空間小，質(zhì)量輕。此外，以真空鍍膜方法形成的絕緣層、導(dǎo)電層及防護層與基體、電子元件之間具有良好的結(jié)合力，可避免在使用過程中該絕緣層和/或?qū)щ妼影l(fā)生剝落或龜裂而降低制品的電磁屏蔽性能。


圖1是本發(fā)明一較佳實施例制品的剖視圖。圖2為本發(fā)明一較佳實施例真空鍍膜機的示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種制品，包括基體，其特征在于:該制品還包括依次形成于該基體上的ー絕緣層、導(dǎo)電層及防護層，該絕緣層為含氟ニ氧化硅層、ニ氧化硅層或氟氧化硅層，該導(dǎo)電層包括依次形成于所述絕緣層上的鉻層及銅層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。
2.按權(quán)利要求1所述的制品，其特征在于:該絕緣層通過化學(xué)氣相沉積的方式形成。
3.按權(quán)利要求1所述的制品，其特征在于:該絕緣層的厚度為2飛Mm。
4.按權(quán)利要求1所述的制品，其特征在于:所述鉻層的厚度為10(T200nm。
5.按權(quán)利要求1所述的制品，其特征在于:所述銅層的厚度為30(T500nm。
6.按權(quán)利要求1所述的制品，其特征在于:所述防護層的厚度為20(T300nm。
7.按權(quán)利要求1所述的制品，其特征在于:該基體為印刷電路板或柔性線路板。
8.按權(quán)利要求7所述的制品，其特征在于:該基體上形成有至少ー電子元件，所述絕緣層及所述導(dǎo)電層沉積在所述電子元件的表面及基體的表面，以使電子元件被封閉于所述絕緣層內(nèi)。
9.一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟: 提供基體； 采用化學(xué)氣相沉積法，在反應(yīng)溫度為2(T5(TC下，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為含氟ニ氧化硅層、ニ氧化硅層或氟氧化硅層； 采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶為靶材，于該絕緣層上形成ー鉻層； 采用真空鍍膜法，在室溫下，以銅靶為靶材，于該鉻層上形成ー銅層； 采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶中的任意ー種為靶材，于該銅層上形成一防護層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。
10.按權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:當(dāng)所述絕緣層為含氟ニ氧化硅層吋，形成所述絕緣層的方法為:提供ー減壓化學(xué)氣相沉積裝置，該減壓化學(xué)氣相沉積裝置包括一沉積室及鼓泡器，將基體置于所述沉積室內(nèi)，以氟鉻三こ氧基硅烷和純水為反應(yīng)物，所述反應(yīng)物通過所述鼓泡器氣化后進入所述沉積室；設(shè)置反應(yīng)室的壓カ為60(T800Pa ;以氮氣為工作氣體，氮氣的流量為5(T80SScm，沉積室的溫度為2(T50°C，沉積時間8(Tl20min ；其中，氟鉻三こ氧基硅烷與純水的質(zhì)量比為3:廣2:1。
11.按權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成鉻層的方法為:采用磁控派射法，以IS氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置IS氣的流量為100sccnTl80sscm,施加于基體的偏壓為-2(T-50V，設(shè)置鉻靶材的功率為5 IOkW ;鍍膜時間為5 lOmin。
12.按權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成銅層的方法為:采用磁控派射法，以IS氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置IS氣的流量為100sccnTl80sscm,施加于基體的偏壓為-2(T-50V，設(shè)置銅靶材的功率為5 IOkW ;鍍膜時間為l(Tl5min。
13.按權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成防護層的方法為:采用磁控派射法，以IS氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置IS氣的流量為100sccnTl80sscm,施加于基體的偏壓為-2(T-50V，設(shè)置鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶材的功率為5 IOkW ;鍍膜時間為l(Tl5min。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟提供基體；采用化學(xué)氣相沉積法，在反應(yīng)溫度為20~50℃下，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為含氟二氧化硅層、二氧化硅層或氟氧化硅層；采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶為靶材，于該絕緣層上形成一鉻層；采用真空鍍膜法，在室溫下，以銅靶為靶材，于該鉻層上形成一銅層；采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶中的任意一種為靶材，于該銅層上形成一防護層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。本發(fā)明還提供了經(jīng)由上述電磁屏蔽方法制得的制品。
文檔編號H05K9/00GK103096699SQ20111033731
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者張新倍, 蔣煥梧, 陳正士, 徐華陽 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司