專利名稱：一種用于設(shè)計構(gòu)形樹的pcb板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路板，具體是一種用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板。
技術(shù)背景
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越來越趨向高速、寬帶、高靈敏度、高密集度和小型化，這種趨勢導(dǎo)致了電路板設(shè)計中電磁兼容問題的嚴(yán)重化，特別是電源和地線的電磁干擾問題，成為目前電磁兼容設(shè)計中急待解決的技術(shù)難題和系統(tǒng)工程。
傳統(tǒng)方法是通過加去耦電容來抑制電源線中存在的干擾，但是去耦電容在頻率比較高的情況下，效果并不理想。近年來，EBG結(jié)構(gòu)被用于電源層來抑制高頻噪聲干擾，尤其是平面電磁帶隙結(jié)構(gòu)易于制作，獲得了廣泛的研究。不過典型的EBG結(jié)構(gòu)并未考慮電源層上的電壓降。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的缺點和不足，提供一種用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB 板，本發(fā)明適用于樹狀PCB電源板設(shè)計，具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。
本發(fā)明通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)
一種用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，依次包括電源層、納米材料層、高介電常數(shù)介質(zhì)層、地層構(gòu)成。
所述電源層、地層為覆銅層。
所述納米材料層為高磁導(dǎo)率納米材料層。
所述高介電常數(shù)介質(zhì)層為介電常數(shù)為14000的鈦酸鋇。
所述高介電常數(shù)介質(zhì)層厚度為0. 2mm 2mm。
所述覆銅層的厚度為0.035mm 0.07mm。
本發(fā)明適用于樹狀PCB電源板設(shè)計，具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。


圖1是本發(fā)明用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB結(jié)構(gòu)示意圖2是2級“H”形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖3是2級圓形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖4為1級“H”形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖5為2級“H”形構(gòu)形樹電源層；
圖6為2級圓形構(gòu)形樹電源層；
圖7為1級“H”形構(gòu)形樹電源層；具體實施方式
下面對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
如圖1所示，本發(fā)明用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，依次包括電源層1、納米材料層2、 高介電常數(shù)介質(zhì)層3、地層構(gòu)成4 ；所述電源層1、地層4為覆銅層；所述納米材料層2為高磁導(dǎo)率納米材料層。
所述高介電常數(shù)介質(zhì)層3為介電常數(shù)為14000的鈦酸鋇。
所述高介電常數(shù)介質(zhì)層3厚度為0. 2mm 2mm。所述覆銅層的厚度為0. 035mm 0. 07mmo
電源層設(shè)計，需要先根據(jù)構(gòu)形理論設(shè)計出構(gòu)形樹，構(gòu)形樹將電流均勻分配到電源板各處，解決高電源電壓降問題。然后在構(gòu)形樹的基礎(chǔ)上設(shè)計出完整電源層。
圖2是2級“H”形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖3是2級圓形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖4為1級“H”形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖5為2級“H”形構(gòu)形樹電源層；
圖6為2級圓形構(gòu)形樹電源層；
圖7為1級“H”形構(gòu)形樹電源層；
如上所述，便可較好地實現(xiàn)本發(fā)明。上述實施例僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非用來限定本發(fā)明的實施范圍；即凡依本發(fā)明內(nèi)容所作的均等變化與修飾，都為本發(fā)明權(quán)利要求所要求保護(hù)的范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，其特征在于依次包括電源層、納米材料層、高介電常數(shù)介質(zhì)層、地層構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，其特征在于所述電源層、地層為覆銅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，其特征在于所述納米材料層為高磁導(dǎo)率納米材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，其特征在于所述高介電常數(shù)介質(zhì)層為介電常數(shù)為14000的鈦酸鋇。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，其特征在于所述高介電常數(shù)介質(zhì)層厚度為0. 2mm 2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，其特征在于所述覆銅層的厚度為 0. 035mm 0. 07mmo
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于設(shè)計構(gòu)形樹的PCB板，依次包括電源層、納米材料層、高介電常數(shù)介質(zhì)層、地層構(gòu)成，電源層、地層為覆銅層，所述納米材料層為高磁導(dǎo)率納米材料層，所述高介電常數(shù)介質(zhì)層為介電常數(shù)為14000的鈦酸鋇，所述高介電常數(shù)介質(zhì)層厚度為0.2mm～2mm，所述覆銅層的厚度為0.035mm～0.07mm。本發(fā)明適用于樹狀PCB電源板設(shè)計，具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。
文檔編號H05K1/02GK102523681SQ20111044972
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者劉詩韻, 郭巍, 黃惠芬 申請人:華南理工大學(xué)