專(zhuān)利名稱：?jiǎn)尉t用石墨坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種直拉硅單晶爐用石墨坩堝，適用于直拉硅單晶棒的制造，主要應(yīng)用于大直徑硅單晶棒的生產(chǎn)，屬于石墨坩堝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著經(jīng)濟(jì)全球化進(jìn)程的加速和工業(yè)經(jīng)濟(jì)的迅猛發(fā)展，世界范圍內(nèi)的能源短缺和環(huán)境污染已成為制約人類(lèi)社會(huì)可持續(xù)發(fā)展的兩大重要因素。光伏發(fā)電因發(fā)電過(guò)程中無(wú)污染、 無(wú)噪音、維護(hù)簡(jiǎn)單、無(wú)需生產(chǎn)原料等優(yōu)點(diǎn)而逐步顯示出其發(fā)展空間和應(yīng)用前景。太陽(yáng)能電池用的單晶硅的制作是這個(gè)產(chǎn)業(yè)中重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。單晶硅的制作一般采用直拉法的生產(chǎn)工藝，其制造過(guò)程主要分為以下幾個(gè)階段裝多晶料、抽空、多晶硅熔化、頸及肩的生長(zhǎng)、等直徑生長(zhǎng)、尾部晶體的生長(zhǎng)和晶體冷卻，其中大部分過(guò)程是吸熱過(guò)程，即需要外部供給熱量。 單晶爐中一般有一個(gè)石墨制的主發(fā)熱體，在其兩端通上直流電，產(chǎn)生熱量，發(fā)熱體處在吸熱體的外面，熱量是由外向內(nèi)徑向傳導(dǎo)的。隨著硅單晶直徑的加大，單晶爐熱場(chǎng)的尺寸變得越來(lái)越大，相應(yīng)地，石墨坩堝的重量也大大增加。目前，使用的坩堝由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，存在著傳熱效率低、加熱緩慢、加熱時(shí)間長(zhǎng)、能耗高等缺點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，在此提供一種單晶爐用石墨坩堝， 具有傳熱效率提高、加熱迅速、減少加熱時(shí)間短、節(jié)約能耗。本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，構(gòu)造一種一種單晶爐用石墨坩堝，由圓筒狀的坩堝本體構(gòu)成，其特征是坩堝本體外表面形成有向外的凸起和內(nèi)凹的凹槽。根據(jù)本實(shí)用新型所述的單晶爐用石墨坩堝，其特征在于所述凸起和內(nèi)凹的凹槽為間隔均勻的設(shè)置在坩堝本體外。根據(jù)本實(shí)用新型所述的一種單晶爐用石墨坩堝，其特征是凹槽的深度為1 一 5mm ο本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于本實(shí)用新型通過(guò)增加石墨坩堝外表面積來(lái)提高傳熱面積，可使石墨坩堝的外表面積增加一倍，達(dá)到加大傳熱量、快速加熱的目的。

圖1是本實(shí)用新型所述的結(jié)構(gòu)示意圖圖2是圖1的俯視示意圖其中1、坩堝本體，2、凸起，3、凹槽。
具體實(shí)施方式
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型在此提供一種單晶爐用石墨坩堝，如圖1 所示其中由圓筒狀的坩堝本體1構(gòu)成，并且在坩堝本體1外表面形成有向外的凸起2和內(nèi)凹的凹槽3。由于在坩堝的外表面形成有上述凸起2和凹槽3，因此增加了坩堝本體1的外表受熱面積。其中通過(guò)增加石墨坩堝外表面積來(lái)提高傳熱面積，可使石墨坩堝的外表面積增加一倍，達(dá)到加大傳熱量、快速加熱的目的。所述凸起2和凹槽3為間隔均勻的設(shè)置在坩堝本體1外。所述的凹槽3的深度為1 一5mm。
權(quán)利要求1.一種單晶爐用石墨坩堝，由圓筒狀的坩堝本體(1 )構(gòu)成，其特征是坩堝本體(1) 外表面形成有向外的凸起(2)和內(nèi)凹的凹槽(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐用石墨坩堝，其特征在于所述凸起(2)和內(nèi)凹的凹槽(3)為間隔均勻的設(shè)置在坩堝本體(1)外。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐用石墨坩堝，其特征是凹槽(2)的深度為1一5mm 。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單晶爐用石墨坩堝，由圓筒狀的坩堝本體構(gòu)成，其特征是坩堝本體外表面形成有凸起和凹槽。所述凸起和凹槽為間隔均勻的設(shè)置在坩堝本體外。凹槽的深度為1—5mm。由于在坩堝的外表面形成有凹槽，因此增加了坩堝本體的外表受熱面積。其中通過(guò)增加石墨坩堝外表面積來(lái)提高傳熱面積，可使石墨坩堝的外表面積增加一倍，達(dá)到加大傳熱量、快速加熱的目的。
文檔編號(hào)C30B15/10GK201933196SQ201120007880
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者周雅清 申請(qǐng)人:樂(lè)山凱亞達(dá)光電科技有限公司