專利名稱：一種多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種新型的多晶硅晶體生長(zhǎng)爐，特別是一種一種多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置。
背景技術(shù)：
多晶硅晶體生長(zhǎng)爐是將硅原料經(jīng)過(guò)加熱、長(zhǎng)晶、退火等工藝使硅定向凝固，通過(guò)控制熱場(chǎng)的溫度變化形成單方向的熱流，從而形成定向的柱狀晶體。目前熱場(chǎng)的加熱方式主要有兩種結(jié)構(gòu)，一種是一組四周加熱器或四周側(cè)加熱器和頂部加熱器組成的單熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)。 在生產(chǎn)過(guò)程中，通過(guò)調(diào)整單組功率控制器改變熱場(chǎng)的溫度。但是硅溶體在長(zhǎng)晶過(guò)程中，從底部到頂部的溫度梯度是不一樣的，尤其在晶體長(zhǎng)到接近頂部時(shí)，要保證頂部的溫度梯度，才能提高硅錠的利用率，由于單熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)是用一個(gè)控制器進(jìn)行調(diào)整，難以滿足長(zhǎng)晶全過(guò)程的不同區(qū)域的溫度梯度。另一種熱場(chǎng)是底部加熱器和頂部加熱器分別進(jìn)行控制組成雙熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，分別通過(guò)調(diào)整功率控制器，改變熱場(chǎng)的上部和下部的溫度，但是由于下加熱器是通過(guò)長(zhǎng)晶器對(duì)硅料進(jìn)行間接加熱，存在熱效率不高，同時(shí)頂部加熱器始終是熱場(chǎng)的主加熱源，抑制了從硅溶體表面排出凝固點(diǎn)低的雜質(zhì)的對(duì)流，另外在硅溶體的四周無(wú)法形成熱壁，固液界面呈凹形，不利于硅溶體內(nèi)部雜質(zhì)的排出，影響電池的轉(zhuǎn)化效率。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出了一種有利于熱場(chǎng)形成溫度梯度和硅溶體內(nèi)外部雜質(zhì)排出的多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置。本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。本實(shí)用新型是一種多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置，其特點(diǎn)是它包括由頂部加熱器和側(cè)部加熱器，所述的頂部加熱器設(shè)在晶體生長(zhǎng)爐坩堝的頂部，頂部加熱器連接頂部加熱器電極，所述的側(cè)部加熱器設(shè)在坩堝的四周，側(cè)部加熱器連接側(cè)部加熱器電極，所述的頂部加熱電極和側(cè)部加熱電極分別與變壓器和控制器相連接。以上所述的多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置中，其優(yōu)選的技術(shù)方案是所述的側(cè)部加熱器通過(guò)連接器固定連接，所述的側(cè)部加熱電極連接在連接器上。本實(shí)用新型多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置是一種雙熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，它通過(guò)頂部加熱器和四周的側(cè)部加熱器組成兩個(gè)獨(dú)立控制的雙熱場(chǎng)，根據(jù)硅溶體在坩堝內(nèi)的長(zhǎng)晶過(guò)程中，上中下區(qū)域所需不同的溫度，兩個(gè)獨(dú)立的功率控制器分別調(diào)整加熱器功率的輸出大小，并通過(guò)長(zhǎng)晶器溫度的調(diào)節(jié)，形成晶體生長(zhǎng)的溫度梯度和熱壁效應(yīng)。本實(shí)用新型溫度梯度的調(diào)整范圍大，排雜效果好，方便優(yōu)化熱場(chǎng)，有利于晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量。

圖1為本實(shí)用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下參照附圖，進(jìn)一步描述本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案，以便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步地理解本發(fā)明，而不構(gòu)成對(duì)其權(quán)利的限制。實(shí)施例1。參照?qǐng)D1。一種多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置，它包括由頂部加熱器5和側(cè)部加熱器1，所述的頂部加熱器5設(shè)在晶體生長(zhǎng)爐的坩堝2的頂部，頂部加熱器5上連接有頂部加熱電極6，所述的側(cè)部加熱器1設(shè)在坩堝2的四周，側(cè)部加熱器1上連接有頂部加熱電極4，所述的頂部加熱電極和側(cè)部加熱電極分別與變壓器和控制器相連接。實(shí)施例2。參照?qǐng)D1。一種多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置，它包括由頂部加熱器5和側(cè)部加熱器1，所述的頂部加熱器5設(shè)在晶體生長(zhǎng)爐的坩堝2的頂部，頂部加熱器5上連接頂部加熱電極6，所述的側(cè)部加熱器1設(shè)在坩堝2的四周，側(cè)部加熱器1通過(guò)連接器3固定連接，側(cè)部加熱電極4連接在連接器3上，所述的頂部加熱電極和側(cè)部加熱電極分別與變壓器和控制器相連接。
權(quán)利要求1.一種多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置，其特征在于它包括由頂部加熱器和側(cè)部加熱器，所述的頂部加熱器設(shè)在晶體生長(zhǎng)爐坩堝的頂部，頂部加熱器連接頂部加熱器電極，所述的側(cè)部加熱器設(shè)在坩堝的四周，側(cè)部加熱器連接側(cè)部加熱器電極，所述的頂部加熱電極和側(cè)部加熱電極分別與變壓器和控制器相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置，其特征在于所述的側(cè)部加熱器通過(guò)連接器固定連接，所述的側(cè)部加熱電極連接在連接器上。
專利摘要本實(shí)用新型是一種多晶硅晶體生長(zhǎng)爐加熱裝置，其特征在于它包括由頂部加熱器和側(cè)部加熱器，所述的頂部加熱器設(shè)在晶體生長(zhǎng)爐坩堝的頂部，頂部加熱器連接頂部加熱器電極，所述的側(cè)部加熱器設(shè)在坩堝的四周，側(cè)部加熱器連接側(cè)部加熱器電極，所述的頂部加熱電極和側(cè)部加熱電極分別與變壓器和控制器相連接。它通過(guò)頂部加熱器和四周側(cè)加熱器組成兩個(gè)獨(dú)立控制的雙熱場(chǎng)，根據(jù)硅溶體在坩堝內(nèi)的長(zhǎng)晶過(guò)程中，上中下區(qū)域所需不同的溫度，兩個(gè)獨(dú)立的功率控制器分別調(diào)整加熱器功率的輸出大小，并通過(guò)長(zhǎng)晶器溫度的調(diào)節(jié)，形成晶體生長(zhǎng)的溫度梯度和熱壁效應(yīng)，其溫度梯度的調(diào)整范圍大，排雜效果好，方便優(yōu)化熱場(chǎng)，有利于晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量。
文檔編號(hào)C30B28/06GK202030861SQ20112002312
公開(kāi)日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2011年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月25日
發(fā)明者丁紅波, 張?jiān)? 張帆, 管宇骎, 管文禮, 葛江文 申請(qǐng)人:管文禮