專利名稱：多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多晶硅鑄錠爐技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
多晶硅鑄錠爐是生產(chǎn)太陽能電池片中硅片原料的設(shè)備，在多晶硅鑄錠爐使用過程中，多晶硅鑄錠爐坩堝內(nèi)的硅料因高溫熔化，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生溢流情況，比如硅液會(huì)從坩堝頂部溢出，或者，在坩堝側(cè)壁產(chǎn)生裂紋時(shí)，硅液從坩堝側(cè)壁滲出，溢流的硅液從坩堝側(cè)壁與坩堝側(cè)板之間流至爐體底部，造成對(duì)爐體的損壞，影響多晶硅鑄錠爐的使用壽命?，F(xiàn)有的多晶硅鑄錠爐的溢流保護(hù)方法主要有在爐體的底部鋪溢流棉，或者在爐體的底部設(shè)置溢流承接機(jī)構(gòu)，其缺點(diǎn)是爐內(nèi)的保溫效果不好，且價(jià)格貴。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，在對(duì)多晶硅鑄錠爐爐體進(jìn)行溢流保護(hù)的同時(shí)，提高爐體的保溫效果且成本低。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提出一種多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括多晶硅鑄錠爐爐體以及緊貼所述爐體的底部鋪設(shè)有用于保溫的軟氈；所述軟氈上面鋪設(shè)有用于承接溢流硅液的溢流棉。優(yōu)選地，所述軟氈為圓形，其直徑為1. Om至2. 5m。優(yōu)選地，所述軟氈至少為一層。優(yōu)選地，每層所述軟氈的厚度為IOmm至50mm。優(yōu)選地，所述溢流棉為圓形，其直徑為1. Om至2. 5m。優(yōu)選地，所述溢流棉至少為一層。優(yōu)選地，每層所述溢流棉厚度為IOmm至50mm。優(yōu)選地，所述溢流棉內(nèi)設(shè)有溢流絲，所述溢流絲與外部報(bào)警器連接。本實(shí)用新型提出的一種多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，通過在多晶硅鑄錠爐的爐體底部鋪設(shè)至少一層軟氈，同時(shí)在軟氈上鋪設(shè)至少一層溢流棉，在對(duì)多晶硅鑄錠爐進(jìn)行溢流保護(hù)的同時(shí)，提高了多晶硅鑄錠爐內(nèi)的保溫效果，而且成本低。

圖1是本實(shí)用新型多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。為了使本實(shí)用新型的技術(shù)方案更加清楚、明了，下面將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型技術(shù)方案總體思路是通過在多晶硅鑄錠爐的爐體底部鋪設(shè)至少一層軟氈，同時(shí)在軟氈上鋪設(shè)至少一層溢流棉，在對(duì)多晶硅鑄錠爐進(jìn)行溢流保護(hù)的同時(shí)，提高多晶硅鑄錠爐內(nèi)的保溫效果。如圖1所示，圖1是本實(shí)用新型多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型一實(shí)施例提出一種多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括多晶硅鑄錠爐爐體1，緊貼爐體1的底部鋪設(shè)有用于保溫的軟氈3 ；軟氈3上面鋪設(shè)有用于承接溢流硅液的溢流棉2。在本實(shí)施例中，軟氈3與溢流棉2均為圓形，軟氈3直徑為1. 8m，溢流棉2直徑為 ail。其中，軟氈3的直徑以及溢流棉2的直徑以1.0m至2. 5m較佳。在其他實(shí)施例中，軟氈 3與溢流棉2還可為方形或其他與多晶硅鑄錠爐爐體1底部相似的形狀。其中，軟氈3可以設(shè)置為一層，為了達(dá)到更好的保溫效果，軟氈3還可以設(shè)置為兩層或多層；每層軟氈3的厚度可以為20mm ；每層軟氈3的厚度以IOmm至50mm較佳。同樣，溢流棉2可以設(shè)置為一層，為了對(duì)爐體1起到更好的溢流保護(hù)效果，溢流棉 2還可以設(shè)置為兩層或多層；每層溢流棉2厚度可以為20mm ；每層溢流棉的厚度以IOmm至 50mm較佳。因此，根據(jù)實(shí)際情況，軟氈3的厚度及溢流棉2的厚度可以設(shè)定為相應(yīng)合適的尺寸。本實(shí)施例中溢流棉2內(nèi)設(shè)有溢流絲(圖中未示出)，溢流絲與外部報(bào)警器連接，當(dāng)溢流棉2上承接的溢流硅液超過溢流絲所能承載的極限值時(shí)，溢流絲會(huì)被熔斷，外部與其連接的報(bào)警器報(bào)警，提示工作人員多晶硅鑄錠爐發(fā)生溢流情況，以便進(jìn)行相應(yīng)的處理。在多晶硅鑄錠爐使用過程中，當(dāng)多晶硅鑄錠爐坩堝內(nèi)的硅料因高溫熔化，產(chǎn)生溢流情況時(shí)，比如硅液會(huì)從坩堝頂部溢出，或者，在坩堝側(cè)壁產(chǎn)生裂紋的情況下，硅液從坩堝側(cè)壁滲出時(shí)，溢流的硅液從坩堝側(cè)壁與坩堝側(cè)板之間流至爐體1底部，鋪設(shè)在爐體1底部的軟氈3上的溢流棉2承接溢流的硅夜，當(dāng)溢流棉2上承接的溢流硅液超過溢流絲所能承載的極限值時(shí)，溢流絲會(huì)被熔斷，外部與其連接的報(bào)警器報(bào)警，提示工作人員多晶硅鑄錠爐發(fā)生溢流情況，以便進(jìn)行相應(yīng)的處理，而且緊貼爐體1的底部鋪設(shè)的軟氈3加強(qiáng)了爐體1的保溫效果。因此，相比現(xiàn)有的多晶硅鑄錠爐保護(hù)措施所帶來的保溫效果不佳且價(jià)格昂貴的缺點(diǎn)，本實(shí)施例通過在多晶硅鑄錠爐的爐體1底部鋪設(shè)至少一層軟氈3，同時(shí)在軟氈3上鋪設(shè)至少一層溢流棉2，在對(duì)多晶硅鑄錠爐進(jìn)行溢流保護(hù)的同時(shí)，提高了多晶硅鑄錠爐內(nèi)的保溫效果，而且成本低。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍， 凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括多晶硅鑄錠爐爐體，其特征在于，緊貼所述爐體的底部鋪設(shè)有用于保溫的軟氈；所述軟氈上面鋪設(shè)有用于承接溢流硅液的溢流棉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述軟氈為圓形，其直徑為1.0m 至 2. 5m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述軟氈至少為一層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，每層所述軟氈的厚度為IOmm至 50mmo
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溢流棉為圓形，其直徑為 1. Om 至 2. 5m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溢流棉至少為一層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，每層所述溢流棉厚度為IOmm至 50mmo
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溢流棉內(nèi)設(shè)有溢流絲，所述溢流絲與外部報(bào)警器連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種多晶硅鑄錠爐溢流保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括多晶硅鑄錠爐爐體，緊貼爐體的底部鋪設(shè)有用于保溫的軟氈；軟氈上面鋪設(shè)有用于承接溢流硅液的溢流棉。本實(shí)用新型通過在多晶硅鑄錠爐的爐體底部鋪設(shè)至少一層軟氈，同時(shí)在軟氈上鋪設(shè)至少一層溢流棉，在對(duì)多晶硅鑄錠爐進(jìn)行溢流保護(hù)的同時(shí)，提高了多晶硅鑄錠爐內(nèi)的保溫效果，而且成本低。
文檔編號(hào)C30B29/06GK202072799SQ20112015035
公開日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者李恒文 申請(qǐng)人:石金精密科技(深圳)有限公司