專利名稱：一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及晶體生長領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
晶體作為固體激光器的核心元件，其光學(xué)均勻性決定固體激光器品質(zhì)的優(yōu)劣。目前高溫晶體生長爐中多采用普通剛玉陶瓷等作為保溫層，其材質(zhì)較疏松，且含有較多雜質(zhì)， 高溫下容易開裂并產(chǎn)生粉屑，影響晶體的純度，對(duì)晶體生長很不利。
發(fā)明內(nèi)容為克服上述問題，本實(shí)用新型提出一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，采用多層高純
度剛玉陶瓷圓環(huán)上下疊加嵌合成內(nèi)保溫層，可以防止生長爐內(nèi)上下溫度梯度大時(shí)剛玉開 m農(nóng)。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所提出的技術(shù)方案為一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，包括外保溫層、內(nèi)保溫層和上保溫層，所述內(nèi)保溫層由多個(gè)圓環(huán)型保溫層上下疊加嵌合于一底板上，頂部再疊蓋一保溫蓋。進(jìn)一步的，所述圓環(huán)型保溫層為高純度剛玉陶瓷圓環(huán)，其上端有一與上環(huán)嵌合的圓臺(tái)，下端有一與下環(huán)嵌合的凹環(huán)。進(jìn)一步的，所述底板為一有缺口的剛玉陶瓷圓環(huán)，其上端有一與圓環(huán)型保溫層嵌合的圓臺(tái)，其內(nèi)部放置一坩堝，所述缺口為觀察口。進(jìn)一步的，所述保溫蓋為一剛玉陶瓷圓環(huán)，其下端有一與圓環(huán)型保溫層嵌合的凹環(huán)，其中心孔穿插一晶桿。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型的一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，采用多層高純度剛玉陶瓷圓環(huán)上下疊加嵌合成內(nèi)保溫層，可以防止生長爐內(nèi)上下溫度梯度大時(shí)剛玉開裂，產(chǎn)生粉屑，影響晶體純度；同時(shí)剛玉純度的提高也降低了對(duì)所生長晶體產(chǎn)生污染的風(fēng)險(xiǎn)。

圖1為本實(shí)用新型的保溫罩結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的圓環(huán)型保溫層結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型的底板結(jié)構(gòu)示意圖。標(biāo)號(hào)說明1外保溫層；2內(nèi)保溫層；201圓臺(tái)；202凹環(huán)；3上保溫層；4底板；401 圓臺(tái)；402觀察口 ；5保溫蓋。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。如圖1-3所示為本實(shí)用新型的一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，包括外保溫層1、內(nèi)保溫層2和上保溫層3，該內(nèi)保溫層2由多個(gè)圓環(huán)型保溫層上下疊加嵌合于一底板4上，頂部再疊蓋一保溫蓋5。其中，圓環(huán)型保溫層為高純度剛玉陶瓷圓環(huán)，其上端有一與上環(huán)嵌合的圓臺(tái)201，下端有一與下環(huán)嵌合的凹環(huán)202。底板4為一有缺口的高純度剛玉陶瓷圓環(huán)，其上端有一與圓環(huán)型保溫層嵌合的圓臺(tái)401，其內(nèi)部放置一坩堝，所述缺口為觀察口 402。保溫蓋5為一剛玉陶瓷圓環(huán)，其下端有一與圓環(huán)型保溫層嵌合的凹環(huán)，其中心孔穿插一晶桿。 底板4、圓環(huán)型保溫層和保溫蓋5通過圓臺(tái)201，401及凹環(huán)202上下疊加嵌合在一起，如此晶體生長爐保溫罩的內(nèi)保溫層結(jié)構(gòu)可以緊密疊加在一起，起到很好的保溫作用。而且采用多層高純度剛玉陶瓷圓環(huán)上下疊加，可以防止生長爐內(nèi)上下溫度梯度大時(shí)剛玉開裂；同時(shí)提高剛玉純度，也降低了對(duì)所生長晶體產(chǎn)生污染的風(fēng)險(xiǎn)。 盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上對(duì)本實(shí)用新型做出的各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，包括外保溫層、內(nèi)保溫層和上保溫層，其特征在于 所述內(nèi)保溫層由多個(gè)圓環(huán)型保溫層上下疊加嵌合于一底板上，頂部再疊蓋一保溫蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，其特征在于所述圓環(huán)型保溫層為高純度剛玉陶瓷圓環(huán)，其上端有一與上環(huán)嵌合的圓臺(tái)，下端有一與下環(huán)嵌合的凹環(huán)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底板為一有缺口的剛玉陶瓷圓環(huán)，其上端有一與圓環(huán)型保溫層嵌合的圓臺(tái)，其內(nèi)部放置一坩堝，所述缺口為觀察口。
4.如權(quán)利要求1所述的一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，其特征在于所述保溫蓋為一剛玉陶瓷圓環(huán)，其下端有一與圓環(huán)型保溫層嵌合的凹環(huán)，其中心孔穿插一晶桿。
專利摘要本實(shí)用新型涉及晶體生長領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型公開了一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)，包括外保溫層、內(nèi)保溫層和上保溫層，所述內(nèi)保溫層由多個(gè)圓環(huán)型保溫層上下疊加嵌合于一底板上，頂部再疊蓋一保溫蓋。本實(shí)用新型采用多層高純度剛玉陶瓷圓環(huán)上下疊加嵌合成內(nèi)保溫層，可以防止生長爐內(nèi)上下溫度梯度大時(shí)剛玉開裂，產(chǎn)生粉屑，影響晶體純度；同時(shí)剛玉純度的提高也降低了對(duì)所生長晶體產(chǎn)生污染的風(fēng)險(xiǎn)。
文檔編號(hào)C30B35/00GK202247025SQ20112032110
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月30日
發(fā)明者盧秀愛, 吳礪, 陳衛(wèi)民, 陳燕平 申請(qǐng)人:福州高意光學(xué)有限公司