專利名稱：一種屏蔽帽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種屏蔽帽。
背景技術(shù)：
目前，電子元器件會(huì)產(chǎn)生電磁信號，該等電磁信號會(huì)干擾其他電子元器件。因此，迫切需要一種能夠?qū)﹄娮釉骷碾姶判盘栠M(jìn)行屏蔽，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)使待保護(hù)電子元器件既不對其它元器件產(chǎn)生電磁干擾，也保護(hù)待保護(hù)器件不受其它元器件的電磁干擾的屏蔽帽
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種能夠屏蔽電磁信號的屏蔽帽。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所提供屏蔽帽，包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，帽體壁包括絕緣層和導(dǎo)電層。帽體壁的絕緣層和導(dǎo)電層有兩種結(jié)構(gòu)方式，一種是絕緣層位于內(nèi)層，導(dǎo)電層位于外層，另一種是導(dǎo)電層位于內(nèi)層，絕緣層位于外層。優(yōu)選地，所述屏蔽帽的帽體壁進(jìn)一步包括導(dǎo)磁層。優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁層由高導(dǎo)磁率高分子材料制成。帽體壁的絕緣層、導(dǎo)電層以及導(dǎo)磁層的結(jié)構(gòu)方式有以下六種第一種，所述帽體壁的絕緣層、導(dǎo)電層、導(dǎo)磁層從內(nèi)到外依次排列。第二種，所述帽體壁的絕緣層、導(dǎo)磁層、導(dǎo)電層從內(nèi)到外依次排列。第三種，所述帽體壁的導(dǎo)磁層、絕緣層、導(dǎo)電層從內(nèi)到外依次排列。第四種，所述帽體壁的導(dǎo)電層、絕緣層、導(dǎo)磁層從內(nèi)到外依次排列。第五種，所述帽體壁的導(dǎo)電層、導(dǎo)磁層、絕緣層從內(nèi)到外依次排列。第六種，所述帽體壁的導(dǎo)磁層、導(dǎo)電層、絕緣層從內(nèi)到外依次排列。優(yōu)選地，所述屏蔽帽為熱縮屏蔽帽。優(yōu)選地，所述絕緣層為熱融膠層、PVC層或PET層。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層由復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料制成。如上所述，本實(shí)用新型屏蔽帽包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，帽體壁包括絕緣層和導(dǎo)電層，導(dǎo)電層能夠屏蔽電磁信號，尤其對高頻電磁信號的屏蔽效果更佳。

圖I為本實(shí)用新型屏蔽帽第一實(shí)施例的示意圖；圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8為本實(shí)用新型屏蔽帽第二實(shí)施例不同結(jié)構(gòu)形式的示意圖。圖中各附圖標(biāo)記說明如下[0023]帽體10收容腔11帽體壁12絕緣層121導(dǎo)電層122導(dǎo)磁層12具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說明。請參閱圖1，其揭示了本實(shí)用新型屏蔽帽的第一實(shí)施例，包括帽體10，帽體10具有一收容腔11，帽體10于收容腔11形成有帽體壁12。帽體壁12包括絕緣層121和導(dǎo)電層122。帽體壁12的絕緣層121和導(dǎo)電層122有兩種結(jié)構(gòu)方式，一種是絕緣層121位于內(nèi)層，導(dǎo)電層122位于外層(如圖I所示)，另一種是絕緣層121位于外層，導(dǎo)電層122位于內(nèi)層(如圖2所示)。絕緣層121可為熱融膠層、PVC層或PET層，主要起絕緣密封作用。導(dǎo)電層122可由復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料制成，復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料是指經(jīng)物理改性后具有導(dǎo)電性的高分子復(fù)合材料，它以非導(dǎo)電型高分子材料為基體，加入一定數(shù)量的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料包括碳系導(dǎo)電材料(石墨、炭黑、碳纖維)、金屬系導(dǎo)電材料(金屬粉、金屬纖維、金屬氧化物)等。導(dǎo)電層122能夠?qū)Ω哳l信號進(jìn)行有效的屏蔽。請參閱圖2，其揭示了本實(shí)用新型屏蔽帽的第二實(shí)施例，本實(shí)施例與第一實(shí)施例類似，其區(qū)別在于屏蔽帽的帽體壁12進(jìn)一步包括導(dǎo)磁層123。導(dǎo)磁層123可由高導(dǎo)磁率高分子材料制成，高導(dǎo)磁率高分子材料可以以高分子材料為基材，加入一定數(shù)量的高導(dǎo)磁率材料共混而成。高導(dǎo)磁率材料包括錳鋅鐵氧體材料、鎳鋅鐵氧體材料、銅鋅鐵氧體材料、鐵娃招材料、碳基鐵等。導(dǎo)磁層123采用高導(dǎo)磁率的材料，形成低磁阻的通路，通過屏蔽體的吸收衰減以達(dá)到屏蔽的效果，能夠?qū)﹄姶判盘栍绕涫堑皖l信號進(jìn)行有效的屏蔽，從而能夠使本實(shí)用新型屏蔽帽不僅能夠?qū)Ω哳l信號進(jìn)行有效屏蔽，對低頻信號也能夠進(jìn)行有效的屏蔽。帽體壁的絕緣層、導(dǎo)電層以及導(dǎo)磁層的結(jié)構(gòu)方式有以下六種第一種，所述帽體壁12的絕緣層121、導(dǎo)電層122、導(dǎo)磁層123從內(nèi)到外依次排列(如圖3所示)。第二種，所述帽體壁12的絕緣層121、導(dǎo)磁層123、導(dǎo)電層122從內(nèi)到外依次排列(如圖4所示)。第三種，所述帽體壁12的導(dǎo)磁層123、絕緣層121、導(dǎo)電層122從內(nèi)到外依次排列(如圖5所示)。第四種，所述帽體壁12的導(dǎo)電層122、絕緣層121、導(dǎo)磁層123從內(nèi)到外依次排列(如圖6所示)。第五種，所述帽體壁12的導(dǎo)電層122、導(dǎo)磁層123、絕緣層121從內(nèi)到外依次排列(如圖7所示)。第六種，所述帽體壁12的導(dǎo)磁層123、導(dǎo)電層122、絕緣層121從內(nèi)到外依次排列(如圖8所示)。本實(shí)用新型屏蔽帽具有導(dǎo)電層122能夠?qū)Ω哳l信號進(jìn)行有效的屏蔽，同時(shí)進(jìn)一步包括能夠?qū)Φ皖l信號進(jìn)行有效屏蔽的導(dǎo)磁層123，能夠?qū)Ω哳l信號、低頻信號進(jìn)行全方位的屏蔽。
本實(shí)用新型并不局限于上述具體實(shí)施方式
，熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員還可據(jù)此做出多種變化，但任何與本實(shí)用新型等同或相類似的變化都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種屏蔽帽，包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，其特征在于帽體壁包括絕緣層和導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述絕緣層位于內(nèi)層，所述導(dǎo)電層位于外層。
3.如權(quán)利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述導(dǎo)電層位于內(nèi)層，所述絕緣層位于外層。
4.如權(quán)利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述屏蔽帽的帽體壁進(jìn)一步包括導(dǎo)磁層。
5.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的屏蔽帽，其特征在于所述導(dǎo)磁層由高導(dǎo)磁率高分子材料制成。
6.如權(quán)利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽體壁的絕緣層、導(dǎo)電層、導(dǎo)磁層從內(nèi)到外依次排列。
7.如權(quán)利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽體壁的絕緣層、導(dǎo)磁層、導(dǎo)電層從內(nèi)到外依次排列。
8.如權(quán)利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽體壁的導(dǎo)磁層、絕緣層、導(dǎo)電層從內(nèi)到外依次排列。
9.如權(quán)利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽體壁的導(dǎo)電層、絕緣層、導(dǎo)磁層從內(nèi)到外依次排列。
10.如權(quán)利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽體壁的導(dǎo)電層、導(dǎo)磁層、絕緣層從內(nèi)到外依次排列。
11.如權(quán)利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽體壁的導(dǎo)磁層、導(dǎo)電層、絕緣層從內(nèi)到外依次排列。
12.如權(quán)利要求1、2、3、4、6、7、8、9、10或11所述的屏蔽帽，其特征在于所述屏蔽帽為熱縮屏蔽帽。
13.如權(quán)利要求12所述的屏蔽帽，其特征在于所述絕緣層為熱融膠層、PVC層或PET層。
14.如權(quán)利要求12所述的屏蔽帽，其特征在于所述導(dǎo)電層由復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料制成。
15.如權(quán)利要求5所述的屏蔽帽，其特征在于所述屏蔽帽為熱縮屏蔽帽。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種屏蔽帽，包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，帽體壁包括絕緣層和導(dǎo)電層。帽體壁進(jìn)一步包括導(dǎo)磁層，導(dǎo)磁層能夠?qū)Φ皖l信號進(jìn)行有效屏蔽。本實(shí)用新型屏蔽帽的絕緣層能夠起到絕緣密封的作用，導(dǎo)電層能夠屏蔽電磁信號，尤其對高頻電磁信號的屏蔽效果更佳。
文檔編號H05K9/00GK202476027SQ20112050812
公開日2012年10月3日 申請日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者康樹峰, 張定雄, 張明明, 陳錦龍, 饒喜梅 申請人:深圳市沃爾核材股份有限公司